TRANSISTOR BIPOLAR BJT

TRANSISTOR BIPOLAR BJT

ECUACIONES GENERALES
BJT - NPN BJT - PNP AMBOS

𝑰𝑪 = 𝛽𝐼𝐵

𝐼𝐶
𝜷 = 𝒉𝑭𝑬 =
𝑽𝑪𝑬 = 𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐵
𝑽𝑬𝑪 = 𝑉𝐸𝐵 + 𝑉𝐵𝐶 𝐼𝐶
𝑰𝑩 =
𝑽𝑪𝑩 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 𝛽
𝑽𝑬𝑩 = 𝑉𝐸𝐶 − 𝑉𝐵𝐶
𝑽𝑩𝑬 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐵
𝑽𝑩𝑪 = 𝑉𝐸𝐶 − 𝑉𝐸𝐵
𝑰𝑬 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

𝑰𝑪 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐵
𝑰𝑩 = 𝐼𝐸 − 𝐼𝐶
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NPN
CORTE SATURACIÓN
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NPN
CORTE SATURACIÓN

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡)
𝑰𝑪(𝒔𝒂𝒕) =
𝑅𝐶
𝑽𝑪𝑬(𝒔𝒂𝒕) ሼ0.2 𝑉 − 0.4 𝑉

𝐼𝐶(𝑠𝑎𝑡)
𝑽𝑪𝑬(𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆) = 𝑉𝐶𝐶 𝑰𝑩(𝒔𝒂𝒕;𝒎𝒊𝒏) =
𝛽(𝑠𝑎𝑡)
𝑽𝑩𝑬(𝒄𝒐𝒓𝒕𝒆) < 0.7 𝑉 𝑰𝑪(𝒔𝒂𝒕) = 𝛽(𝑠𝑎𝑡) 𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡;𝑚𝑖𝑛)

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝑹𝑩 =
𝐼𝐵(𝑠𝑎𝑡;𝑚𝑖𝑛)
𝑽𝑩𝑬 = 0.7 𝑉
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NPN
ANÁLISIS DC ANÁLISIS AC

CONDENSADORES: CORTOCIRCUITO
CONDENSADORES: CIRCUITO ABIERTO
FUENTES DC: A TIERRA
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NPN – ANÁLISIS DC
PUNTO DE OPERACIÓN (Q) RECTA DE CARGA ESTÁTICA
𝑳𝑽𝑲 − 𝑴𝒂𝒍𝒍𝒂 𝟏
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 𝑄 + 𝑉𝐵𝐸(𝑄) + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 𝑄 = 0
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 𝑄 + 0.7 𝑉 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 𝐼𝐵 𝑄 = 0
𝑽𝑪𝑬 = 𝑓𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸(𝑄) 𝑉𝐶𝐶 − 0.7 𝑉 𝑽𝑪𝑬 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝐼𝐶
𝑰𝑩 𝑸 = =
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1 𝑅𝐵 + 𝑅𝐸 𝛽 + 1
PUNTOS DE CORTE
𝑰𝑪 𝑸 = 𝛽𝐼𝐵 𝑄
𝑰𝑪 = 0 mA ⟹ 𝑽𝑪𝑬 = 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐶
𝑳𝑽𝑲 − 𝑴𝒂𝒍𝒍𝒂 𝟐 𝑽𝑪𝑬 = 0 𝑉 ⟹ 𝑰𝑪 = 𝑅 +𝑅
𝐶 𝐸
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑅𝐶 𝐼𝐶 𝑄 + 𝑉𝐶𝐸(𝑄) + 𝑅𝐸 𝐼𝐶 𝑄 =0

𝑽𝑪𝑬(𝑸) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 𝑄 − 𝑅𝐸 𝐼𝐶 𝑄
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NPN – ANÁLISIS AC
PUNTOS DE CORTE RECTA DE CARGA DINÁMICA
𝑳𝑽𝑲 − 𝑴𝒂𝒍𝒍𝒂 𝟐
𝑅𝐶 𝑖෡𝐶 + 𝑉෢ ෡
𝐶𝐸 + 𝑅𝐸 𝑖𝐶 = 0
𝑉෢
𝐶𝐸
෡
𝑖𝐶 = −
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
PUNTOS DE CORTE
𝑽𝑪𝑬 = 𝑉𝐶𝐸(𝑄) + 𝑉෢ ෢
𝐶𝐸 ⟹ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸 𝑄
𝒊𝑪 = 𝐼𝐶(𝑄) + 𝑖෡𝐶 ⟹ 𝑖෡𝐶 = 𝑖𝐶 − 𝐼𝐶(𝑄) 𝑉𝐶𝐸 𝑄
𝑽𝑪𝑬 = 0 𝑉 ⟹ 𝒊𝑪 = 𝐼𝐶 𝑄 +
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑉෢
𝐶𝐸 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐸 𝑄 𝑉𝐶𝐸 𝑄
𝑖෡𝐶 = − ⟹ 𝑖𝐶 − 𝐼𝐶 𝑄 =− 𝒊𝑪 = 0 mA ⟹ 𝑽𝑪𝑬 = 𝐼𝐶 𝑄 + 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 𝑄 𝑉𝐶𝐸
𝒊𝑪 = 𝐼𝐶 𝑄 + −
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 𝑄
𝑽𝑪𝑬 = 𝐼𝐶 𝑄 + − 𝑖𝐶 ∙ 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
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NPN – ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL (DC)
NPN – ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL (AC)
ECUACIONES GENERALES

𝑉𝑜
𝐴𝑉 =
𝑉𝑖

𝑖𝑜
𝐴𝑖 =
𝑖𝑖

𝑉𝑖
𝑍𝑖 =
𝑖𝑖

𝑉𝑜
𝑍𝑜 = |𝑣𝑖=0
𝑖𝑜
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NPN – ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL (DC)
NPN – ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL (AC)
MODELO H DEL BJT PARA (EMISOR COMÚN) Y (BASE COMÚN)