ELECTRÓNICA ANALÓGICA

ÍNDICE
1. SEMICONDUCTORES.
2. RESISTENCIA.
2.1. RESISTENCIA VARIABLE.
2.2. FOTORRESISTENCIA.
3. CONDENSADOR.
3.1. CONDENSADOR VARIABLE.
4. INDUCTANCIA.
5. CRISTALES DOPADOS YPUROS.
6. DIODO.
6.1. DIODO LED.
6.2. DIODO ZENER.
6.3. FOTODIODO.
7. TRANSISTOR.
7.1. TRANSISTOR PNP.
7.2. TRANSISTOR NPN.
7.3. TRANSISTOR IGBT.
1 - SEMICONDUCTORES.
Un semiconductor es un material aislante que, cuando se le añaden
ciertas sustancias, se vuelve conductor. Esto quiere decir que, de
acuerdo a determinados factores, el semiconductor actúa a modo de
aislante o como conductor.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos. Los
semiconductores intrínsecos son cristales que, a través de enlaces
covalentes entre los átomos, desarrollan una estructura de tipo
tetraédrico a temperatura de ambiente, estos cristales tienen
electrones que absorben la energía que necesitan para pasar a la
banda de conducción, quedando un hueco de electrón en la banda
de valencia.
Los semiconductores extrínsecos, por su parte, son semiconductores
intrínsecos a los que les agregan impurezas para lograr su dopaje, así
se conoce el resultado del proceso que se lleva a cabo para modificar
las propiedades eléctricas de un semiconductor.
2 - RESISTENCIA.
La resistencia es una cantidad eléctrica que mide cómo el dispositivo
o material reduce el flujo de corriente eléctrica a través de él.
La resistencia se mide en unidades de ohmios (Ω).
I=V/R
2.1 - RESISTENCIA VARIABLE.
La resistencia variable es un semiconductor que consiste en una
resistencia cuyo valor interno de resistencia eléctrica pude ser
variado de forma mecánica.
2.2 - FOTORRSISTENCIA.
Una fotorresistencia o LDR por su sigla en inglés Light Dependent
Resistor, son una clase de resistencia que va a variar de acuerdo con
la luz que esté incidiendo en su superficie. En ese orden de ideas, a
medida que la intensidad de la luz que incide en la superficie de la
fotorresistencia va a ser menor la resistencia, pero en cuanto menor
sea la luz que incide en el material, mayor será la resistencia. Está
formado por una célula fotorreceptora y dos patitas.
El funcionamiento se basa en su composición que es el sulfuro de
cadmio. Este componente tiene la capacidad de modificar su
resistencia de acuerdo a la cantidad de luz que reciba. En el
momento en que una fotorresistencia no se encuentra expuesta a las
radiaciones luminosas, los electrones se van a encontrar muy bien
unidos en los átomos que la conforman, pero en el momento en que
las radiaciones luminosas inciden en la fotorresistencia, esa energía
va a liberar electrones, razón por la que el material se hace más
conductor y por ende disminuye la resistencia.
3 – CONDENSADOR.
Un condensador es un dispositivo eléctrico para almacenar carga. En
general, los condensadores están hechos de dos o más placas de
material conductor separadas por una o varias capas de aislantes. El
condensador puede almacenar energía para dársela a un circuito
cuando la necesite.
En su forma más simple, el condensador es un conjunto de placas
paralelas de carga opuesta separadas por una distancia.
Cuando se coloca un material no conductor entre las placas del
condensador, se puede almacenar más carga debido a la carga
inducida en la superficie del aislante eléctrico. La relación entre la
capacitancia con el aislante y la capacitancia en el vacío se llama
constante dieléctrica. Los valores de las constantes dieléctricas se
pueden encontrar en las tablas de propiedades de los materiales.
3.1 - CONDENSADOR VARIABLE.
Un condensador variable es un dispositivo electrónico que regula la
cantidad de energía que se distribuye en circuitos eléctricos. Está
compuesto por un dieléctrico, dos electrodos y una bobina
conectada a ellos. Al girar la bobina, la distancia entre los electrodos
varía, lo que afecta el nivel de energía que reciben. Al mismo tiempo,
una corriente fluye a través de los electrodos y la cantidad de
electricidad se controla con la resistencia de la bobina.
4 – INDUCTANCIA.
Una corriente pasa a través de un conductor y produce un campo
magnético a su alrededor. La fuerza de este campo depende del
valor de la corriente que está pasando por el conductor. El valor de la
inductancia se mide en henrios (con la letra “L”). La inductancia
depende de la bobina y de cómo sea, es decir, de sus características
físicas. En este caso no es la corriente lo que afecta a la inductancia.
Por tanto, el tamaño y el material con el que está hecha la bobina
son importantes. El número de vueltas que tenga la bobina también
es un factor importante.
5 – CRISTALES DOPADOS Y PUROS.
Un semiconductor dopado, es un semiconductor, que fue dopado
intencionalmente con el fin de modular sus propiedades eléctricas,
ópticas y estructurales.
La adición de un pequeño porcentaje de átomos extraños en la red
cristalina regular de silicio o germanio produce cambios dramáticos
en sus propiedades eléctricas, ya que estos átomos extraños
incorporados en la estructura cristalina del semiconductor
proporcionan portadores de carga libre (electrones o agujeros de
electrones) en el semiconductor. En un semiconductor extrínseco,
son estos átomos dopantes extraños en la red cristalina los que
proporcionan principalmente los portadores de carga que
transportan corriente eléctrica a través del cristal. En general, hay
dos tipos de átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de
semiconductores extrínsecos. Estos dopantes que producen los
cambios controlados deseados se clasifican como aceptores o
donantes de electrones. y los semiconductores dopados
correspondientes se conocen como:
-Semiconductores de tipo n: La mayoría de los portadores de carga en el
cristal son electrones negativos. Como el silicio es un elemento tetravalente, la
estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones
de valencia. En el silicio, los dopantes más comunes son los elementos del
grupo III y del grupo V. Los elementos del grupo V tienen cinco electrones de
valencia, lo que les permite actuar como donantes. Eso significa que la adición
de estas impurezas pentavalentes como el arsénico, el antimonio o el fósforo
contribuye a la formación de electrones libres, lo que aumenta en gran medida
la conductividad del semiconductor intrínseco.

-Semiconductores tipo p: la mayoría de los portadores de carga en el cristal

son agujeros de electrones. El silicio semiconductor puro es un elemento
tetravalente, la estructura cristalina normal contiene 4 enlaces covalentes de
cuatro electrones de valencia. En el silicio, los dopantes más comunes son los
elementos del grupo III y del grupo V. Los elementos del grupo III contienen
tres electrones de valencia, lo que hace que funcionen como aceptores cuando
se usan para dopar silicio. Cuando un átomo aceptor reemplaza un átomo de
silicio tetravalente en el cristal, se crea un estado vacante. Un agujero de
electrones es la falta de un electrón en una posición en la que uno pudiera
existir en un átomo o en una red atómica. Es uno de los dos tipos de
portadores de carga que son responsables de crear corriente eléctrica en
materiales semiconductores.
6 – DIODO.
Se trata de un dispositivo que está formado por un material
semiconductor, como silicio, que tiene dos caras diferenciadas para
conseguir el flujo controlado de corriente. Esta parte del dispositivo
recibe el nombre de juntura PN. Contiene un electrodo positivo y
otro negativo, y funciona de la siguiente manera:
-Cuando una corriente eléctrica circula de la parte con carga positiva hacia la
parte con carga negativa, el diodo pasa corriente. Cuando la corriente se
produce de la parte con carga negativa a la parte con carga positiva, el diodo
bloquea el paso de corriente.

6.1 - DIODO LED.

Un diodo Led es un diodo que además de permitir el paso de la
corriente solo un sentido, en el sentido en el que la corriente pasa
por el diodo, este emite luz. Cuando se conecta un diodo en el
sentido que permite el paso de la corriente se dice que está
polarizado directamente. La terminal positiva, o ánodo, por lo
general es la más larga de las dos terminales, algunos diodos LED
tienen una base plana que sirve para identificar la terminal negativa,

o cátodo.
6.2 - DIODO ZENER.
El Zener consiste en un semiconductor diseñado para conducir en la
dirección inversa cuando se alcanza un determinado voltaje
especificado, conocido como tensión Zener. Una vez alcanzada la
tensión Zener, los terminales del Zener no varían, permanecen
constantes, aunque aumente la tensión de alimentación. El Diodo
Zener tiene un voltaje de ruptura inversa bien definido, cuando se
polariza inversamente y llegamos a Vz, el diodo conduce y mantiene
la tensión Vz constante, aunque nosotros sigamos aumentando la
tensión en el circuito. A esta acción de llegar a Vz donde el diodo
Zener no conduce, se le conoce como zona de ruptura por encima de
Vz, como ves, se trata de un regulador de voltaje o tensión. Cuando
está polarizado directamente, el Zener se comporta como un diodo
normal.
6.3 - FOTODIODO.
El fotodiodo es un semiconductor del tipo PN, que presenta
sensibilidad cuando se le expone a una fuente directa de luz visible o
infrarroja. Se podría considerar que un fotodiodo es la combinación
de un diodo común y una foto-resistencia o LDR y de igual manera
que el diodo común éste tiene su polarización.
Para un funcionamiento correcto, el diodo es polarizado
inversamente permitiendo de esta manera el flujo de electrones o el
flujo de la corriente en sentido inverso. Estos componentes tienen un
lente que permite concentrar la luz que incide en ellos, por ello,
cuando la luz que incide es de suficiente energía puede excitar un
electrón generando movimiento y permitiendo la creación de huecos
con carga positiva.
Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células
fotovoltaicas.
7 – TRANSISTOR.
Los transistores son aparatos electrónicos semiconductores,
encargados de la transmisión de una señal de salida en presencia de
una de entrada, como parte de un circuito electrónico de algún tipo.
Los transistores se componen esencialmente de tres patillas o cables,
cada uno encargado de una labor diferente y que se denominan:
-Emisor. Desde donde entra el flujo eléctrico al interior encapsulado
del transistor.
-Base. La que modula el flujo entre emisor y colector.
-Colector. Hacia donde fluye la corriente una vez que ha sido
modulada por la base.

7.1 - TRANSISTOR PNP.

Un transistor PNP recibe tensión positiva en el terminal emisor. El
voltaje positivo al emisor permite que la corriente fluya desde el
emisor al colector, dado que hay una corriente negativa a la base
(corriente que fluye desde la base a tierra).
Un transistor PNP funciona de manera totalmente opuesta.
A medida que la corriente se hunde desde la base (fluye desde la
base hasta la tierra), el transistor está encendido y conduce a través
de la alimentación en la carga de salida.
7.2 - TRANSISTOR NPN.
Un transistor NPN recibe tensión positiva en el terminal del colector.
Este voltaje positivo al colector permite que la corriente fluya a
través del colector al emisor, dado que hay una suficiente corriente
base para encender el transistor.
A medida que aumenta la corriente a la base de un transistor NPN, el
transistor se activa cada vez más hasta que se conduce
completamente desde el colector al emisor.
Y a medida que disminuye la corriente a la base de un transistor
NPN, el transistor se enciende cada vez menos, hasta que la
corriente es tan baja, el transistor ya no conduce a través del
colector al emisor y se apaga.
7.3 - TRANSISTOR IGBT.
IGBT es el acrónimo de Insutaled-Gate bipolar Transistor, es decir
Transistor Bipolar con Compuerta Aislada.
Es un transistor que, en la conducción, es decir, entre el colector (C)
y el emisor (E), se comporta como un transistor bipolar, pero no es
disparado por una corriente, porque en lugar de la base tenemos una
compuerta como un transistor de efecto de campo.