Tema

Ejercicio de evaluación.

SABER HACER

unidad 3
Técnico Superior Universitario

en

Mantenimiento área Industrial

Elaborado por:

Martel Macias Susana Yudith

Ramos Arizpe, Coahuila a 27/11/2023

Comportamiento eléctrico de los semiconductores
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de un
conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. Su comportamiento eléctrico se
caracteriza por los siguientes fenómenos:

• Conductividad variable: Los semiconductores pueden actuar como aislantes a bajas

temperaturas y como conductores a temperaturas más altas .

• Dopaje: Los semiconductores pueden ser dopados con impurezas controladas para
modificar sus propiedades eléctricas. El dopaje puede aumentar la conductividad del
semiconductor.

• Portadores de carga: En un semiconductor, los electrones libres y los huecos son los
portadores de carga. Los electrones libres tienen carga negativa y se dirigen hacia el polo
positivo de la pila, mientras que los huecos tienen carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila.

• Uniones PN: Las uniones PN se forman cuando se unen dos materiales semiconductores
con dopajes diferentes. Estas uniones tienen propiedades rectificadoras y permiten el flujo
de corriente en una dirección y lo bloquean en la dirección opuesta.

• Comportamiento térmico: La conductividad de un semiconductor puede mejorar al

aumentar su temperatura, a diferencia de los metales donde la conductividad disminuye
con el aumento de la temperatura.
Variación de la conductividad de los semiconductores en función de
la temperatura
La conductividad de los semiconductores puede variar en función de la temperatura. A medida que
la temperatura aumenta, la conductividad de un semiconductor intrínseco también tiende a
aumentar. Esto se debe a que a temperaturas más altas, los electrones tienen más energía térmica,
lo que les permite superar la banda prohibida y moverse más fácilmente en la banda de
conducción.

Sin embargo, en los semiconductores dopados, el comportamiento puede ser más complejo. Por
ejemplo, en un semiconductor tipo N, donde se agregan impurezas donadoras de electrones, la
conductividad puede aumentar con la temperatura debido a la mayor disponibilidad de portadores
de carga libres. Por otro lado, en un semiconductor tipo P, donde se agregan impurezas aceptoras
de huecos, la conductividad puede disminuir con la temperatura debido a la reducción de la
movilidad de los huecos.

Es importante tener en cuenta que la variación de la conductividad con la temperatura en los

semiconductores puede ser influenciada por otros factores, como la densidad de impurezas, la
pureza del material y la presencia de defectos cristalinos.
Diagramas de las curvas de operación I-V de transistores
• En el artículo "04 Practica - Curvas I-V Del Transistor Bipolar" se menciona que se miden las
características I-V de los transistores bipolares y se identifican las regiones básicas de
funcionamiento. No se proporciona un diagrama específico en el fragmento citado.

• En el artículo "Diagrama esquemático de agregado de etapas en paralelo de transistores"

se muestra un diagrama esquemático de la agregación de etapas en paralelo de
transistores, pero no se proporciona una curva I-V específica.

• En el artículo "ENERGÍA FOTOVOLTAICA TRAZADOR DE CURVAS V-I PARA" se menciona la

figura 45, que muestra las curvas I-V y P-V, pero no se proporciona el diagrama completo.

• En el artículo "EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR. BJT (Bipolar Junction)" se mencionan

las curvas, pero no se proporciona un diagrama específico.

• En el artículo "Dispositivos Electrónicos Instituto Superior de Electrónica Manuel" se

mencionan las curvas características de los transistores bipolares, pero no se proporciona
un diagrama específico.

• En el artículo "Modelado y caracterización de paneles fotovoltaicos CENTRO DE" se

menciona que se pueden observar las características de las curvas I-V de una celda solar
irradiada, pero no se proporciona un diagrama específico.

• En el artículo "TRAZADOR DE CURVAS I-V DE CÓDIGO ABIERTO PARA" se menciona la figura

4, que muestra la conexión de los transistores para controlarlos, pero no se proporciona un
diagrama completo.

• En el artículo "Tema 6. Transistores" se mencionan las curvas características del transistor

BJT NPN, pero no se proporciona un diagrama específico.

• En el artículo "Diseño e implementación de un relevador de curvas I-V con" se menciona la

figura 13, que muestra la curva I-V del ensayo de un transistor BC327, pero no se
proporciona el diagrama completo.

• No se encontró información específica sobre un diagrama de curva característica del

transistor en el artículo "Curva Característica del Transistor".