143

UNIDAD 8
Caractersticas elctricas de los
materiales
8.1 CUESTIONES DE AUTOEVALUACIN
1. Un conductor de cobre puro puede endurecerse mediante:
a) Envejecimiento.
b) Acritud mas envejecimiento.
c) Transformacin martenstica.
d) Acritud.
2. Una conductividad elctrica de 106 IACS corresponde a un conductor de:
a) Cobre puro OFHC.
b) Plata.
c) Cobre aleado.
d) Oro.
3. El aumento de la resistividad con la temperatura de los metales y aleaciones se debe a:
a) El aumento de la velocidad de deriva.
b) El aumento del tamao de estos tomos.
c) La diminucin de la movilidad de los electrones.
d) La disminucin de la movilidad de los huecos.
4. En un semiconductor extrnseco de tipo p la conduccin a bajas temperaturas se debe al
movimiento de:
a) Los electrones activados trmicamente.
b) Los huecos.
c) Los electrones y huecos.
d) No hay conduccin neta a bajas temperaturas.
5. En los semiconductores extrnsecos, la brecha o nivel prohibido de energa, E
d
, necesaria
para activar trmicamente la conduccin de tipo extrnseco, es:
a) Inferior a E
g
.
b) Superior a E
g
.
c) Igual a E
g
.
d) Depende de la concentracin de dopante.
6. En un semiconductor intrnseco la conductividad est controlada por:
a) La movilidad y la temperatura.
b) La temperatura y la concentracin de dopante.
c) La temperatura, movilidad y la brecha o nivel prohibido, E
g
.
d) La concentracin de dopante.
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
144
7. Cual de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n,
donadores?:
a) Fsforo, P.
b) Aluminio, Al.
c) Boro, B.
d) Germanio, Ge.
8. En un semiconductor tipo n la conduccin a alta temperatura se debe a:
a) Electrones donadores.
b) Electrones donadores y electrones activados trmicamente.
c) Electrones donadores, huecos y electrones activados trmicamente.
d) Huecos y electrones activados trmicamente.
9. Que le pasa a la resistividad elctrica de un conductor elctrico cuando aumenta la
temperatura?
a) Aumenta.
b) Disminuye.
c) Se mantiene constante.
d) Es independe de la temperatura.
10. En que supuesto tenemos los menores valores de conductividad dentro de un material?.
a) Cuando esta envejecido.
b) Cuando es templado o solubilizado.
c) Cuando esta sobreenvejecido.
d) Cuando esta mecanizado.
11. Una aleacin presenta el grano muy fino y en consecuencia tendremos:
a) Alta resistencia y resistividad.
b) Excelente conductividad.
c) Un grano alargado/estirado.
d) Un envejecimiento correcto.
12. La utilizacin de un puente de Weastone suministra datos bsicos para el:
a) Clculo de la resistencia elctrica.
b) Clculo de la resistencia mecnica.
c) Clculo de la resistividad elctrica.
d) Clculo del aislamiento elctrico.
13. El diseo y clculo de componentes elctricos conductores debe controlar parmetros como:
a) Conductividad elctrica del material y factor geomtrico del conductor.
b) La intensidad de corriente.
c) La temperatura.
d) La diferencia de potencial.
14. Los electrones se ordenan en los slidos cristalinos metlicos en:
a) Orbitales atmicos de baja energa.
b) Bandas continuas de energa.
c) Orbitales atmicos separados.
d) Bandas de estados de energa muy prximos.
15. El campo elctrico acelera los electrones de un metal que estn situados en:
a) La banda de valencia.
b) La banda de conduccin.
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
145
c) Fuera del tomo.
d) Es independiente de la banda en la que estn situados.
16. La correlacin entre resistencia elctrica y temperatura para los metales indica:
a) La resistividad disminuye con la temperatura.
b) La conductividad aumenta con la temperatura.
c) La resistividad es creciente a mayores temperaturas.
d) La resistividad permanece constante con la temperatura.
17. El contenido de impurezas en los slidos metlicos implica:
a) Aumento de la conductividad, por el efecto benfico que stas tienen sobre la estructura
cristalina.
b) Disminucin de la conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir defectos
cristalinos.
c) Disminucin de la conductividad si la impureza es ms resistiva.
d) Muy ligero aumento de la conductividad.
18. La adicin de aleantes, solubles por solucin slida en un metal, nos permite obtener:
a) Aleaciones ms conductoras respecto del metal puro.
b) Aleaciones mejoradas en resistencia mecnica y elctrica.
c) Aleaciones con peores propiedades mecnicas y elctricas.
d) Aleaciones mejoradas en caractersticas resistentes pero de menor conductividad.
19. Las aleaciones que endurecen por precipitacin de segundas fases muestran:
a) Conductividad independiente del estado de tratamiento trmico.
b) Mayores conductividades y caractersticas resistentes en la etapa de temple.
c) Mejor conductividad pero peor comportamiento mecnico tras el temple.
d) Alta resistencia mecnica y buena conductividad en la etapa de maduracin
(envejecimiento).
20. La estructura electrnica de los semiconductores est formada por:
a) Dos bandas de energa con algunos estados superpuestos.
b) Dos bandas de energa, con electrones conductores en la de conduccin.
c) Bandas de valencia y conduccin, separadas por un intervalo prohibido de energa.
d) Bandas de valencia y conduccin coincidentes.
21. En los semiconductores, los agentes activos de conduccin son:
a) Los electrones de la banda de valencia.
b) Los huecos de la banda de valencia.
c) Los electrones de la banda de conduccin.
d) Electrones y huecos.
22. Un semiconductor que contiene elementos qumicos con la capa electrnica de valencia
diferente a la de los del semiconductor se denomina:
a) Extrnseco.
b) Intrnseco.
c) Dbilmente extrnseco.
d) No recibe ningn nombre especial.
23. Los parmetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrnseco son:
a) Temperatura, movilidad y diferencia energtica entre bandas.
b) Temperatura y movilidad.
c) Concentracin de portadores de carga libre.
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
146
d) Energa prohibida y concentracin de portadores de carga libre.
24. La concentracin de portadores de carga, en los semiconductores extrnsecos:
a) Disminuye en el rango de bajas temperaturas por actuar la agitacin trmica de la red
cristalina.
b) Disminuye a altas temperaturas al disminuir la movilidad.
c) Aumenta en el rango de bajas temperaturas por actuar los dopantes como promotores
del mecanismo conductor.
d) Ninguna es correcta ya que la concentracin de portadores de carga es independiente de
la temperatura en los extrnsecos.
25. A temperaturas superiores a la crtica, un semiconductor dopado cambia:
a) Poco ya que la conductividad ya no es funcin de la temperatura.
b) De mecanismo conductor, tomando el intrnseco una mayor importancia.
c) Su comportamiento conductor a extrnseco.
d) Al aumentar la movilidad de los portadores de carga.
26. La naturaleza del dopante incide en:
a) Aumento de la energa de la banda prohibida, disminuyendo la poblacin de portadores
de carga libre.
b) Disminucin de la energa de la banda de energa prohibida, aumentando la
concentracin de portadores libres.
c) El valor de la energa de ionizacin y por tanto en una mayor aptitud para suministrar
portadores de carga libre.
d) El mecanismo de conduccin, intrnseco o extrnseco.
27. La diferencia entre la estructura electrnica de un metal y un semiconductor radica en:
a) La diferencia de poblacin electrnica en la banda de conduccin.
b) La inexistencia de una banda de energa prohibida en el metal separando las bandas de
valencia y conduccin.
c) Un mayor valor de la energa prohibida en el semiconductor que en el metal.
d) La inexistencia de banda de valencia en los metales.
8.2 CUESTIONES DE HETEROEVALUACIN
1. Diferencias fundamentales entre un conductor y un semiconductor.
2. Diagrama esquemtico de bandas de energa para un conductor, un aislante y un
semiconductor.
3. Diferencias entre un semiconductor p y otro n.
4. Indica los mecanismos de conduccin en los semiconductores en funcin de la temperatura.
5. Inters tecnolgico del dopado de materiales semiconductores.
6. Justifica el efecto de la temperatura y de la acritud sobre la conductividad.
7. Etapas del envejecimiento: Evolucin de la resistencia mecnica y de la conductividad
elctrica en cada una de ellas.
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
147
8. Como se encuentran y distribuyen las bandas en:
a) Material conductor.
b) Material semiconductor.
c) Material aislante.
9. Etapas del recocido contra acritud. Evolucin de la resistencia mecnica y de la
conductividad elctrica en cada una de las etapas.
10. Qu tipos de endurecimiento se aplican a los conductores de cobre? Seala los mecanismos
posibles y sus limitaciones.
11. Disea una experiencia para determinar la resistividad elctrica de metales.
12. Indica los parmetros que definen el comportamiento conductor en metales.
13. Calcula la resistencia elctrica de una pelcula conductora, de dimensiones: L
0
= 20 mm, a =
4 mm, b = 20 m, elaboradas en (a) Ag ( 1'63 cm), (b) Al (2'67 cm), (c) Fe (9'95
cm) y (d) grafito (1.150 cm).
14. Indica que dimensiones debera de tener una pelcula resistiva de 1 K, depositada sobre un
sustrato no conductor de seccin circular de dimetro 6 mm, en los siguientes materiales: (a)
Au (2'2 cm), (b) Pt (10'6 cm), (c) Fe-Ni-Cr (135 cm) y (d) carbn (3.875 cm).
15. Disea una experiencia para determinar la resistividad elctrica de semiconductores.
16. Indica que factores de diseo y clculo son necesarios para la obtencin de elementos
conductores y resistores semiconductores.
17. Calcula la resistencia elctrica a 300 K de una pelcula semiconductora de Si extrnseco n,
de dimensiones L
0
= 20 m, a = 4 m, b = 0'05 m. Hiptesis simplificadoras: (1)
considerar a esas temperaturas la total ionizacin de impurezas y (2) n
i
es 1'5 10
10
port/cm
3
.
Otros datos se incluyen en la tabla mostrada a continuacin.
Conc. (at/cm
3
) Movil. n (cm
2
/Vs) Movil. p (cm
2
/Vs)
0 1.350 500
10
12
1.430 517
10
16
1.250 406
10
20
110 58
18. Cambiaran los resultados de los clculos anteriores si el material seleccionado fuera Si-p,
manteniendo el resto de parmetros constante?
19. Explica las principales diferencias en los mecanismos de conduccin del Ge dopado con Sb
y el Ge dopado con Al?
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
148
8.3 PROBLEMAS Y EJERCICIOS PRACTICOS PROPUESTOS
Problema 8.1 Calcular la resistividad de un substrato de silicio dopado con 10
18
at./cm
3
de
elemento dopante.
Problema 8.2 Calcular la resistividad de un sustrato de GaAs dopado con 10
18
at./cm
3
de
elemento dopante tipo aceptor, a temperatura ambiente.
Problema 8.3 Calcular la resistividad a 350 K de un semiconductor Si-n dopado con 10
16
at./cm
3
.
Problema 8.4 Calcular, a la temperatura 0C, para un semiconductor intrinseco de GaAs.
a) La densidad de estados energticos.
b) La energa de la banda prohibida.
c) La poblacin de portadores de carga libre.
d) La movilidad de los portadores
e) La conductividad y resistividad.
Problema 8.5 Calcular los lmites de estabilidad trmica en la conductividad de un
semiconductor GaP dopado con 10
16
at/cm
3
. E
d
= 0,03 eV. E
g
= 1,8 eV. K = 8,6310
-5
.
Problema 8.6 Una aleacin de Cu-5%Zn presenta la siguiente tabla de caractersticas elctrico
- mecnicas dependiendo del grado de deformacin de la misma.
LE (MPa) RM (MPa) Ig A% Cond. (%)
1 165 235 0,702 20,2 56,5
2 195 267 0,730 15,4 53,1
3 259 328 0,790 12,3 46,8
4 291 355 0,820 8,5 43,4
5 320 376 0,851 2,9 40,5
6 356 395 0,901 1,0 35,7
Calcular:
a) ndice intrnseco de endurecimiento para una aleacin de RM = 300 MPa.
b) Resistividad de la aleacin con el mismo endurecimiento.
c) Deformacin mxima que puede suministrarse al conductor de dimetro inicial 1 mm.
d) Dimetro final de dicho conductor al proporcionarle la mxima deformacin posible.
Problema 8.7 Un sustrato semiconductor de Si de 1 mm
2
de seccin, se utiliza para disear una
resistencia. La concentracin de dopado-p es de 510
16
at/cm
3
. Se pide:
a) Calcular la resistencia elctrica para las dimensiones a= 100 m, l= 500 m, e= 0,1 m.
b) La densidad de corriente que circula para una tensin de 5 V.
c) Concentracin de dopante para R= 100 .
d) Cul debe ser la anchura del contacto, considerando constantes las otras dimensiones,
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
149
para que circule una corriente de 1 mA con una tensin de 5 V, con el nivel de dopado
inicial.
Problema 8.8 Calcular para la misma aleacin anterior:
a) El ndice de endurecimiento intrnseco para una resistividad de 4,3 cm.
b) Caractersticas mecnicas en ese estado.
c) Resultado final de trefilar 1000 m de hilo de dimetro 0,5 mm, para obtener esas
condiciones elctricas.
Problema 8.9 Se dispone de tres materiales para fabricar una resistencia por arrollamiento
cuyos requisitos son: un dimetro de 0,1 mm y una longitud del hilo de 150 mm.
Material (cm)
A
B
C
Ni1Cu
Ni-30Cr-2Si
Fe-22Cr-6Al
80
120
145
Seleccionar el material en orden creciente de resistividad del dispositivo.
Problema 8.10 Se desea disear la pista de un potencimetro cuya resistencia vara entre 5 y 35
. El ancho de pista es de 2 mm y su dimetro al centro de la pista es de 5 mm. Se elige como
material un sinterizado de C-CrSi
2
que tiene una resistividad elctrica de 1800 cm.
Determinar:
a) Qu dimensiones son necesarias para tener la R
min
= 5 ?
b) Dnde debe situarse el cursor para obtener R
max
= 35 ?
Problema 8.11 Una mezcla sinterizada de Ni y
SiO
2
posee una resistividad de 2500 cm. Se
pide:
a) Qu longitud debera tener para disear una
resistencia de 16 MW, con un espesor mximo
de 1 mm y un dimetro de 5 mm?
b) Si las mnimas dimensiones tcnicamente
posibles son 0,1 cm de radio y 0,5 cm de
longitud, cul sera el valor de la resistencia?
Problema 8.12 Para fabricar una resistencia por
arrollamiento de 25 , se dispone de alambres, de las dimensiones y precios recogidos en la
tabla siguiente, de aleacin Ni-30Cr-2Si cuya resistividad elctrica es de 120 cm. Cual
ser la dimensin del alambre y la longitud del mismo que nos permita obtener la resistencia
indicada al menor costo?.
Considerar la densidad de la aleacin = 8.4 g/cm
3
Dimetro del alambre (mm) Costo (pts/g)
0.10
0.15
0.20
1858
323
122
l
D
e
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
150
Problema 8.13 A temperatura ambiente, la conductividad elctrica y la movilidad electrnica
para el aluminio son respectivamente 3.8 10
7
( cm)
-1
y 0.0012 m
2
/V s. Calcular:
a) El nmero de electrones libres por m
3
de aluminio a temperatura ambiente.
b) El nmero de electrones libres por tomo de aluminio.
El aluminio cristaliza en el sistema C.C.C., con un parmetro de red de 0.405 nm y tiene un peso
atmico de 27.
La relacin entre la movilidad y conductividad elctricas es: = n e .
Problema 8.14 Un hilo de cobre de pureza comercial debe conducir 10 A de corriente con un
mximo de caida de voltaje de 0,4 V/m, calcular:
a) Cul debe ser el dimetro mnimo si la conductividad elctrica del cobre puro comercial
es de 5.85 10
7
( m)
-1
?
b) La mnima conductividad admisible en este conductor si las prdidas mximas a lo largo
del hilo conductor es de 4 W/m.
Problema 8.15 Si la conductividad intrnseca de un semiconductor InSb es de 2 10
4
( m)
-1
a
temperatura ambiente, y de 4.6 ( m)
-1
a 125C, determinar su intervalo prohibido sabiendo
que responde a una ley logartmica del tipo:
T k
E
C
g
2
ln
donde k es la constante de Boltzmann = 8.62 10
-5
eV/K.
Problema 8.16 Un semiconductor de
GaAs, se dopa para obtener una
conductividad de 4,34 (cm)
-1
, a 300 K,
expresada por la ecuacin = N e .
Calcular el orden de dopado, as como el
tipo de semiconductor obtenido (N o P).
e = 1,6 10
-19
C.
Problema 8.17 Se desea disear una
resistencia de 25 , por arrollamiento de
un alambre de 0,08 mm, de una aleacin
Fe-22Cr-6Al que tienen una resistividad
de 145 cm.
a) Cul debe ser su longitud?
Si en su lugar se hubiese escogido una
aleacin Ni-1Cu con una resistividad de 80 cm,
b) Cul debera ser su dimetro mximo para utilizar la misma longitud de alambre?
GaAs

s

p
10
14
10
15
10
18
10
17
10
16
10
19
10
20
Concentracin de impurezas (cm
-3
)
M
o
v
i
l
i
d
a
d

e
l
e
c
t
r

n
i
c
a
,

(
c
m
2
/
V

s
)
10000
5000
2000
1000
500
200
100
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
151
Problema 8.18 Se dispone de tres materiales, cuyas caractersticas se recogen en la tabla
siguiente, para fabricar una resistencia de 35 , por arrollamiento de un hilo de 0,15 mm de
dimetro. Con cual de los materiales podra realizarse la resistencia ms econmica?
Material Dendidad (g/cm
3
) ( cm) Coste (pts/g)
Ni 1Cu
Ni-30Cr-2Si
Fe-22Cr-6Al
8.1
8.4
7.7
80
120
145
283
323
452
SOLUCION A LAS CUESTIONES DE AUTOEVALUACION:
1 - d, 2 - b, 3 - c, 4 - b, 5 - a, 6 - c, 7 - a, 8 - c, 9 - a, 10 - b, 11 a, 12 c, 13 a, 14 d, 15 b,
16 c, 17 b, 18 d, 19 d, 20 c, 21 d, 22 a, 23 a, 24 c, 25 b, 26 c, 27 b.
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
152
8.4 PROBLEMAS Y EJERCICIOS PRACTICOS RESUELTOS
Solucin al problema 8.1
El Silicio es un semiconductor intrnseco. Partiendo del modelo clsico la conductividad
total ser la suma de las contribuciones individuales de cada tipo de portador de carga libre,
segn la expresin:
= N e + N e
n
D
p
a
en la que, al estar todas las impurezas ionizadas a temperatura ambiente, se cumple:
a
p
N
e 0
dado que:
d
18
n
2 -19
N
=
10
= 300
cm
/ V s y e = 1,6
10
C
correspondientes a la densidad de elementos donantes segn la figura 8.30.
La conductividad resultar:
= 300
10
1.6
10
= 48 ( cm )
18 -19
-1

Por lo que la resistividad tendr un valor de:

=
1
= 0.021 cm 21 m cm
Solucin al problema 8.2
De manera similar al ejercicio anterior y considerando, al ser el elemento dopante de tipo
aceptor, que:
D
n
N
e 0
con lo que:
= N e
p
a
y por tanto, la resistividad se definir como:

=
1
=
1
N e
p
a
De la figura 10.24 del texto, obtendremos, para la concentracin de dopante N
a
= 10
18
at/cm
3
, el valor de la movilidad
p
190 cm
2
/Vs, con lo que:
=
1
190 10 1.6 10
=
1
30.4
18 -19
= 0.033 cm = 33 m cm
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
153
Solucin al problema 8.3
Al estar dopado el silicio con un elemento donador, la conductividad a temperatura
ambiente, vendr dada por:
= N e
n
D
Para temperaturas diferentes, se cumple la expresin siguiente:
(T) =
T
T
0
C
0

_
,

Por lo que para la temperatura de 350 K, y considerando el exponente trmico C para el

silicio, segn la tabla 10.4, de 2.6, la movilidad ser:
(350) = (300)
300
350
2.6

_
,

obtenindose para la temperatura de 300 K de la figura 10.25 del texto, con un valor
aproximado de 1300 cm
2
/Vs, con lo que:
n
2.6
2
= 1300
300
350
= 870
cm
/ V s

_
,

con lo que la conductividad a esta temperatura ser:
( ) = 870 10 1.6 10 = 1.39 cm o bien 1.39 S / cm
16 -19

1
y la resistividad:

=
1
= 0.72 cm = 720 m cm
Solucin al problema 8.4
a) La densidad de estados energticos en la banda de conduccin y valencia es un parmetro
dependiente de la temperatura segn las expresiones:
c rn
C
N = ( m T )
p rp
C
N = ( m T )
donde: = 5 10
15
, C = 1.5 y m
rn
y m
rp
adquieren los valores, segn la tabla 10.5 de m
rn
= 0.07 y
m
rp
= 0.09 respectivamente, con lo que siendo T = 273 K, tendremos:
c
17 3
N = 4.18 10 est / cm
p
17 3
N = 6.09 10 est / cm
b) La energa de la banda prohibitiva se expresa en su dependencia con la temperatura como:
E (T) = E (0) -
a
T
T + b
2
g g
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
154
cuyos valores segn la tabla 10.3 son:
E
g
(0) = 1,52 eV a 0 K
a = 5,410
-4
eVK
-1
b= 204 K
y por tanto, E
g
= 1,44 eV
c) La poblacin de portadores de carga libre viene dada por la expresin
i c v
n = N N e
E
K T
g

_
,

2
siendo K = 8,6310
-5
eVK
-1
i
17 17
,
,
17 -14 4 3
n = 4,18x10 6,09 x10 5,05x10 5,34 x10 = 2,7 10 port/ cm

_
,

e
x
1 44
2 8 63 10 273
5
d
) La movilidad se expresa con la temperatura segn:
(T) =
T
T
0
0

_
,

donde T = 300 K y para el GaAs

0
(n) = 8500 con C = 1

0
(p) = 420 con C = 2,1
con lo que
n
= 7735 cm
2
/vs

p
= 345 cm
2
/vs
siendo
T
=
i
= 8080 cm
2
/vs
e) La conductividad vendr expresada por:
= e N N ( + ) = e n ( + )
c v
n p
i
n p
e
E
K T
g

_
,

2
donde e es la carga del electrn e igual a 1,6 10
-19
C, y por tanto:
= 1,6x10 2,7 x10 8080 = 3,49 x ( cm)
-19 4
-1

10
11

y la resistividad ser:

=
1
=
1
3,49 x
10
= 2,9 x
10
cm
-11
10

Solucin al problema 8.5

La estabilidad trmica tiene lugar entre la temperatura T
S
, temperatura de ionizacin, y
T
CR
, temperatura crtica, dadas por las expresiones:
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
155
T
E
K
N
N
S
d
C
D

ln
T
E
K
N N
N
CR
g
C V
D

2
2
ln
donde N
V
= 9,50 10
25
at/cm
3
N
C
= 6,06 10
16
at/cm
3
N
D
= 10
16
at/cm
3
y por tanto:
T
x
x
K C
S
o

0 03
8 63 10
6 06 10
10
193 80
5
16
16
,
, ln
,
T
x
x x
K C
CR
o

1 8
2 8 63 10
6 06 10 9 5 10
10
421 148
5
16 25
32
,
, ln
, ,
Solucin al problema 8.6
a) En la figura se representa la correlacin lineal entre el ndice de endurecimiento (I
g
) y la
resistencia mxima (RM), cuya funcin de ajuste simplificada es:
I = 0,42 + 1,16 x
10
RM
-3
g
luego para RM = 300 MPa, tendremos:
I = 0,42 + 1,16 x
10
300 = 0.77
-3
g

y = 0,0012x + 0,4195
R
2
= 0,9684
0,65
0,7
0,75
0,8
0,85
0,9
0,95
200 250 300 350 400
RM (MPa)
I
g
y = -104,56x + 129,54
R
2
= 0,9985
30
35
40
45
50
55
60
0,7 0,75 0,8 0,85 0,9 0,95 1
Ig
C
o
n
d
.

(
%
)
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
156
b) En la figura se representa la correlacin entre la conductividad, s(%), e I
g
, de la que podemos
obtener su recta de ajuste que es
(%) = 129,6 - 104,6 I
g
y calcular con esta su conductividad relativa para I
g
= 0,77 obteniendo = 49,1 %. En trminos
de conductividad relativa, tenemos que:
( )

%
,
IACS
1 724
100

1 724
49 1
100 3 51
,
,
, cm
c) Para el ndice de endurecimiento
puede obtenerse la grfica para
correlacionar I
g
en funcin del
alargamiento proporcional a rotura
A(%) tal y como muestra la figura
cuya funcin de ajuste es una recta de
expresin:
I = . . x
10
A%
-2
g
0 8988 0 99
por lo que para I
g
= 0,77, A% valdr:
A% =
0, - 0,77
, x
10
= . %
-2
8988
0 99
1301
d) El volumen del material permanecer constante, por lo que:
0
2
0
f
2
f
0
2
V =
2


V =
2

= =

_
,

_
,

l
l
V V l
l
l
f
f
f
f
0
0
0
2
por lo que despejando el dimetro final de la pieza tendremos:
f
=

0
2
0
l
l
f
suponiendo una longitud inicial del conductor de 1 m, su longitud final ser, sabiendo que el
alargamiento es un 13 %:
l l
A
m
f
+

_
,

+
0
1
100
1 0 13 113
%
, ,
f
=
,
,

1
1
113
0 94
2
mm
y = -0,0099x + 0,8988
R
2
= 0,9646
0,65
0,7
0,75
0,8
0,85
0,9
0,95
1
0 5 10 15 20 25
A %
I
g
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
157
Solucin al problema 8.7
a) La resistividad se expresa por:

=
1
=
1
e N
b
A temperatura ambiente, el silicio se encuentra totalmente ionizado y la velocidad del
dopante ser
p
= 500 cm
2
/Vs
=
1
1,6 x
10
500 5x
10
= 0,25 cm
-19 16


Y por tanto, la resistencia elctrica ser:
R =
l
S
= 0,25
500 x
10
0,1x
10
100 x
10
= 125000 = 125 k
-4
-4 -4

b) Para 5 V de potencial, la intensidad que circula ser:
I =
V
R
=
5
125000
= 4 x10 A = 40 A
-5

y la densidad de corriente ser:

J =
I
S
=
4 x
10
0,1x
10
100 x
10
= 400 A/
cm
= 4 MA/
m
5
-4 -4
2 2

c) Para una resistencia de 100 , la resistividad resultante par la misma geometra del contacto
ser:
= R
S
l
= 100
0,1x
10
100x
10
500 x
10
= 2 x
10
cm
-4 -4
-4
-4

y despejando la concentracin de dopante:
d
p
-19 -4
19 3
N
=
1
e
=
1
1,6x
10
500 2 x
10
= 6,3x
10
at/
cm

d) La resistencia elctrica vendr dada por:
R =
V
I
=
5
10
= 5x10
-3
3

y por tanto, teniendo en cuenta una longitud de contacto mxima de 500 mm, la seccin del
contacto ser:
1 mm
1

m
m
1
0
0


m
5
0
0


m
500 m
0
,
1


m
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
158
finalmente la anchura del contacto la obtenemos como:
S = a e a =
S
e
=
2500
0,1
= 2500 m
Solucin al problema 8.8
a) De la expresin de la conductividad relativa se obtiene, para = 4,3 mcm, que:

1 724
100 40 1
,
, %
x
cuya funcin de correlacin se obtuvo en el ejercicio anterior:
(%) = 129,6 - 104,6 I
g
y por tanto, para el valor de s obtenido ser:
40,1 = 129,6 - 104,6 I I = 0,86
g g

b) Las caractersticas mecnicas las

obtenemos igualmente de las rectas de ajuste
obtenidas en el ejercicio anterior,
calculndolas para I
g
= 0,86. As, la carga de
rotura ser:
0,86 = 0,42 + 1,16x10
-3
RM
RM = 375,6 MPa
el lmite elstico ser, para RM = 375,6 MPa:
LE = -113,07 + 1,158 375,6
LE = 321,9 MPa
y el alargamiento ser, cuando se alcanza I
g
= 0,86:
0,86 = 0,8988 - 0,0099 A % A = 3,92 %
c) En el trefilado se obtendr una longitud del hilo, segn el alargamiento obtenido en el
apartado anterior:
f 0
l
=
l
1 +
A%
100
= 1000 1 +
,
100
= 1000 1, = 1039, m

_
,

_
,

3 92
0392 2
y con el criterio de volumen constante podemos calcular el dimetro final como:
f
= = ,
1000
1039,
= 0,49 mm


0
2
0 2
0 5
2
l
l
f
Solucin al problema 8.9
La resistencia viene expresada en funcin de la resistividad del material como:
R =
S

l
y = 1,1577x - 113,07
R
2
= 0,9893
100
150
200
250
300
350
400
200 250 300 350 400
RM (MPa)
L
E

(
M
P
a
)
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
159
siendo
l
S
=
15,0
(0,005)
= 1,91x
10

cm
2
5 -1

cuyos valores ser:
a) para la aleacin A: R = 801,91 10
5
= 1,53 10
7
= 15,3
b) para la aleacin B: R = 1201,91 10
5
= 2,30 10
7
= 23,0
c) para la aleacin C: R = 801,91 10
5
= 1,53 10
7
= 28,0
Solucin al problema 8.10
a) La resistencia viene expresada por:
R =
S

l
donde:
l
S
=
R

siendo la superficie:
S = e
y l funcin del radio, siendo su expresin:
l
a
=
2
360
r +

1
]
1
2
Cumplindose la restriccin que R
min
se
da para un ngulo, , de 45, con lo que la
longitud de la pista ser:
l =
2 45
360
0,25 +
0,2
2
= 0,275 cm

1
]
1
y por tanto:
l
a e
=
R
e =
l
a
R
min
min

de forma que:
e =
0,275
0,2
1800
5x
10
= 4,95x
10
cm = 4,95 m
6
-4

b) Con la geometra de la pista para conseguir R
max
= 35 , debemos situar el cursor en el ngulo
obtenido por la expresin:
a
45
R
min
R
mx
r
O
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
160
max max
R
=
2
360
r +
a
2
a e
=
R

a e
2
360
r +
a
2

1
]
1

1
]
1
resultando un ngulo de:
[ ]

=
R

a e
2
360
r +
a
2
=
35x
10
1800

0,2 4,95x
10
2
360
0,25 + 0,1
= 315
max
6 -4

1
]
1

o
Solucin al problema 8.11
a) De la expresin de la resistencia:
l x = R
S
=
2 0,25x
10
2500
= 1 cm
-4

16 10
6

b) En este caso ser:
R =
S
= 2500
0,5
2 0,1
10
= , x
10
= , M
-4
6

l
M

19 89 19 89 20
Solucin al problema 8.12
Considerando la relacin entre la resistencia y resistividad elctrica:
R
S

l
podemos obtener la longitud necesaria que nos permite obtener la resistencia adecuada. Si
consideramos la expresin de la densidad, obtendremos la masa, al disponer ya del volumen
como dato, considerando:
m = V
En la tabla siguiente se recogen los resultados obtenidos despus de aplicar el
razonamiento anterior.
(mm) Longitud (cm) Volumen (cm
3
) Peso (g) Costo Ud.
0.10 16.36 1.28 10
-3
0.0100 19.97
0.15 36.81 6.50 10
-3
0.0546 17.64
0.20 65.45 0.0206 0.1727 21.07
La resistencia ms econmica la obtendremos con el alambre de 0.15 mm de dimetro y
una longitud de 36.81 cm.
Solucin al problema 8.13
a) = n e
3,8 10
7
( m)
-1
= n 1,6 10
-19
0,0012 m
2
/V s
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
161
n = 1,98 10
29
/m
3
b) El volumen de la celdilla ser
V
celdilla
= a
3
= (0,405 10
-9
m)
3
= 6,643 10
-29
m
3
por lo que por celdilla tendremos los siguientes electrones libres:
6,643 10
-29
m
3
x 1,98 10
29
e
-
/m
3
= 13,15 e
-
y al ser una celdilla C.C.C., que tiene 4 tomos por celdilla,
e
-
libres / tomo Al = 13,15 / 4 = 3,29
Solucin al problema 8.14
a) Considerando la expresin de la resistencia elctrica:
S
l
I
V
R
de donde la seccin del conductor ser:
2 2 7
7
mm 7 , 42 m 10 27 , 4
10 85 , 5 V 4 , 0
A 10
S

por lo que el dimetro del conductor ser:
mm 37 , 7
S 4
d

c) las prdidas vienen expresadas por el producto de V I, que para una intensidad de 10 A y
prdidas mximas de 4W/m, nos limitan a una mxima cada de potencial de 0,4 V/m,
coincidente con la del apartado anterior, por lo que la mnima conductividad ser:
= 5,85 10
7
(m)
-1
Solucin al problema 8.15
Sustituyendo los valores en la ecuacin, tendremos el sistema de ecuaciones:
298 10 62 . 8 2
10 2 ln
5
4

g
E
C
398 10 62 . 8 2
10 6 . 4 ln
5
4

g
E
C
que resulta,
0514 . 0
903 . 9
g
E
C
0686 . 0
736 . 10
g
E
C
y operando, C = 13.225
E
g
= 0.17 eV
Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
162
Solucin al problema 8.16
La conductividad viene expresada por la ecuacin:
= N e
el producto N tendr un valor de /e = 2,72 10
19
(Ccm)
-1
= 2,72 10
19
/(vscm) = 2,72
10
19
(vscm)
-1
Tanteando en la grfica, obtenemos que para un orden de dopado de 10
17
cm
-3
, la movilidad
electrnica ser 272 cm
2
/vs, para dopado tipo P. Nunca puede obtenerse la conductividad
deseada empleando un dopante tipo N.
Solucin al problema 8.17
a) La seccin del conductor ser:
2 3 2
mm 10 02 , 5 d
4
S

y considerando la expresin de la resistencia:

s
l
R
tendremos:
cm 66 , 8
cm 10 145
cm 10 02 , 5 25 s R
l
6
5

b) Para utilizar la misma longitud de conductor, su dimetro deber ser:

mm 06 , 0 cm 10 9 , 5
25
cm 66 , 8 cm 10 80 4
R
l 4
d
3
6

GaAs

s

p
10
14
10
15
10
18
10
17
10
16
10
19
10
20
Concentracin de impurezas (cm
-3
)
M
o
v
i
l
i
d
a
d

e
l
e
c
t
r

n
i
c
a
,

(
c
m
2
/
V

s
)
10000
5000
2000
1000
500
200
100
Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
163
Solucin al problema 8.18
La resistencia vendr expresada por:

S R
l donde de
S
l
R


y con las dimensiones geomtricas, la masa del conductor vendr dada por:
m = l S
con lo que los resultados obtenidos se recogen en la tabla siguiente
Material ( cm) Longitud (cm) Dendidad (g/cm
3
) Masa (g) Precio (pts)
Ni 1Cu
Ni-30Cr-2Si
Fe-22Cr-6Al
80
120
145
77.3
51.5
42.7
8.1
8.4
7.7
0.111
0.077
0.058
31.31
24.69
26.26
Tal como se observa en la tabla, la resistencia ms econmica sera la realizada con hilo de Ni-
30Cr-2Si