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Semiconductores de Banda de Valencia Ancha
Gabriel Guañuna
Escuela Politécnica Nacional
Resumen—, La electrónica de potencia se desarrolla
conforme el tiempo avanza y también con los nuevos
descubrimientos de la electrónica de semiconductores. Cada vez
existen más dispositivos y sistemas que son controlados por
energía eléctrica, es decir, el proceso de accionamiento se basa
en transformar la energía eléctrica a otro tipo de energía o en el
mismo tipo pero con diferentes características técnicas. De esta
manera, el siguiente artículo presenta un análisis de la
electrónica de semiconductores (nitruro de galio, carburo de
silicio, etc.) con el fin de saber cuáles serán los nuevos elementos
o sistemas que se usarán en un futuro cercano.
Palabras Clave—SiC, semiconductores, energía eléctrica,
pHEMT, diamond, GaN, GaAs.
I. INTRODUCCIÓN
La electrónica de potencia maneja el comportamiento de
la energía eléctrica en tareas de conmutación con dispositivos
electrónicos específicos. Por esta razón se busca mejorar el
rendimiento de los sistemas conjuntamente con la
alimentación en cuestión. Es así, que en la actualidad se
utiliza los dispositivos que están fabricados en base de Silicio
(Si) pese a las limitaciones en el campo de la electrónica, por
lo que los semiconductores de banda de valencia ancha
(WBG) se presentan como una solución alternativa con
mejores características debido a que su estructura física que
les permite trabajar en altos rangos de frecuencia, voltaje y
temperatura.
Cabe recalcar que los principales materiales
semiconductores que se tratarán, se denominan “extremos”
debido a las condiciones en las que son capaces de trabajar
(alto voltaje de bloqueo, operación a alta temperatura, altas
frecuencias de conmutación). En la figura 1 se muestra un
resumen general de las características que presentan los
materiales Si, SiC y GaN.
Fig. 1. Características técnicas de operación de los materiales
semiconductores Si, SiC, GaN.
A pesar del excelente rendimiento de esos materiales,
necesitan una mejora debido a los avances tecnológicos que
acarrean el mercado de la electrónica de semiconductores.
Quito, Ecuador
gabriel.guanuna@epn.edu.ec
II. DISPOSITIVOS DE POTENCIA SIC
El semiconductor SiC tiene un gran potencial para
aplicaciones de electrónica avanzada. Esta potencia radica
principalmente en hacer crecer fácilmente un óxido nativo.
Además la presencia de números politipos de SiC se pueden
usar en una amplia gama de aplicaciones como microondas
y dispositivos de alta potencia [1]. Esto se debe a que las
limitaciones de los semiconductores Si radican en las
aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. Sin embargo,
estos semiconductores poseen algunos factores obstructivos
como la falta de los sustratos adecuados, la dificultad para
monitorear con precisión los procesos de crecimiento y la
falta de conocimiento de estos nuevos sistemas.
A. Rectificadores de potencia SiC
Los rectificadores de potencia SiC tienen mejores
ventajas con respecto a los rectificadores que utilizan
semiconductores Si y radica principalmente en la alta
conductiva térmica que permite, de manera general, una
minimización de los sistema refrigeración. Básicamente
existen tipos de rectificadores de potencia SiC, los cuáles se
muestran en la figura.2
Fig.2. Rectificadores de potencia SiC. Schottky, JBS y diodos p-i-n
1) Schottky Barrier Diodes (SBDs)
Este tipo de rectificadores presentan alta velocidad de
conmutación y pocas pérdidas de estado con alta corriente
de fuga y bajo voltaje de bloqueo. Desde 2001, estos
dispositivos ya están en el mercado y conforme ha avanzado
el tiempo, el voltaje de bloqueo también aumento.
Actualmente son capaces de soportar corrientes altas. [2]
2) JBS
Diodos de cruce de barrera Schottky, presentan
características de conmutación y estados similares al SBD.
3) Diodos p-i-n
Estos dispositivos poseen un alto voltaje de operación y
una baja corriente de fuga, pero durante la conmutación
presenta una carga de recuperación inversa, ver figura 3.
Teniendo en cuenta la capacidad de funcionamiento a
altas temperaturas de los dispositivos SiC [2], los hace
adecuados para aplicaciones aeroespaciales. Sin embargo se
debería tomar en cuenta que necesitan paquetes que estén
diseñados para trabajar con altas temperaturas. Además los
diodos SBD son adecuados para aplicaciones de alta
velocidad debido a la baja carga de recuperación inversa.

Fig. 3. Recuperación inversa de los tres tipos de rectificadores SiC a 25 °C
y 300 °C con carga inductiva.
B. Interruptores de alimentación unipolar basados en SiC
Los interruptores de potencia basados en SiC son
adecuados para aplicaciones de alto voltaje y alta
temperatura. Sin embargo, estos interruptores tienen dos
fuertes competidores de Si, que son el MOSFET de potencia
y el IGBT por los voltajes altos de bloqueo [2]. Pero hay
que tener en cuenta que estos dispositivos de
semiconductores Si, pueden competir con los dispositivos de
semiconductores SiC por el rango de voltaje de
funcionamiento (600 V). Entonces si se trata de voltajes que
van desde 1.2 kV hasta 1.7 kV, los dispositivos Si presentan
desventajas. El MOSFET no sería una buena opción por la
cantidad de pérdidas en la etapa de conducción y el IGBT
tampoco sería una buena opción ya que muestra altas
pérdidas dinámicas. Para aclarar esta idea, se presenta la
figura 3, donde se puede observar una comparación entre el
voltaje y la densidad de corriente de los dispositivos SiC y
Si.
C. Interruptores de alimentación bipolar basados en SiC
Los dispositivos SiC IGBT poseen un gran estado de
modulación de la conductividad y esa razón son vistos como
los interruptores de alimentación con mayor potencial en un
futuro para aplicaciones específicamente de alto voltaje [2].
Los IGBT de SiC han tenido un desarrollo muy profundo en
los últimos años y se ha logrado obtener varias estructuras
que soportan voltajes de bloqueo de más de 10 kV. Sin
embargo esto no es el primer paso y se espera que el voltaje
de bloqueo aumente su capacidad hasta 30 kV con el fin de
aumentar el rango de aplicaciones para estos interruptores.
Los BJT de SiC también son prometedores con el único
problema de confiabilidad similar a los rectificadores de
unión p-i-n [2]. Estos dispositivos también se han
desarrollado durante la última década y mediante la empresa
Cree existen BJT de 4 kV, 10 A con ganancias sumamente
altas en la región activa.
Sin embargo, los BJT de SiC siguen dando unos
problemas en cuanto a la ganancia de corriente como la
degradación de la caída de tensión directa debido a un mal
apilamiento en la región base emisor. Finalmente, también
se han desarrollado algunas estructuras de SiC-GTO, ya que
se pueden beneficiarse de la modulación de la conductividad
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y el coeficiente de temperatura negativa de la caída de
tensión directa. [2]
Fig. 4. Comparación entre el voltaje y la densidad de corriente de los
dispositivos SiC y Si
III. DISPOSITIVOS DE GANANCIA GAAS
Los dispositivos que utilizan el semiconductor de
Arsenio de Galio poseen mejores características técnicas que
la tecnología Si, y esto se debe a que la tecnología GaAs
tiene una alta movilidad de electrones, gran campo eléctrico
crítico y banda de valencia ancha. Es así que estos
dispositivos tienen una gran aplicación en la optoelectrónica
e iluminación. [3]
De manera general dentro de los dispositivos basados en
GaAs, los más utilizados son el FET y el pHEMT. Así se
detalla mediante la figura 5, la física de este semiconductor;
un gas de electrones 2 D es introducido en una capa
pseudomorfa de InGaAs que está entre dos superiores capas
de banda prohibida, generalmente de AlGaAs.
Fig. 5. Sección transversal de un pHEMT
IV. DISPOSITIVOS DE POTENCIA GAN
Los materiales basados en GaN son semiconductores
muy prometedores para los dispositivos de conmutación de
potencia que aprovecha las propiedades superiores del
material como un mayor campo de ruptura y mayor
densidad de portado de lámina de gas de electrones
bidimensionales. [4]
Ahora en base a los autores de [2], se puede decir
también que el GaN es atractivo debido a sus aplicaciones a
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alto voltaje, alta frecuencia y alta temperatura debido a su

banda de valencia ancha, y buena conductividad térmica.

Fig. 7. Sección transversal de un HEMT

Fig. 6. Estructura esquemática de la oblea epitaxial de GaN sobre el sustrato
Si

La capa gruesa de GaN se puede cultivar en un sustrato

de Si con una capa amortiguadora en la que se relajan la
falta de coincidencia entre la constante de red y el
coeficiente de expansión térmica entre GaN y Si [4]. De esta
manera en la figura 6, se muestra una fotografía de la oblea
epitaxial de GaN sobre el sustrato de Si.
A. Rectificadores GaN
La mayoría de los diodos de potencia de Schottky de
GaN reportados hasta ahora son estructuras laterales o casi
verticales debido a la falta de sustratos de GaN
eléctricamente conductores[2]. Los rectificadores de GaN
implementados en sustratos de Si están siendo más Fig. 8. Comparación entre Vds y la corriente Id para dispositivos SiC y
GaN
atractivos desde el punto de vista económico ya que su costo
es menor. Ahora mediante la figura 8, se puede observar una
B. HEMTs y MOSFETs de potencia comparación entre JFET y MOSFET de SiC con un HEMT
de GaN, permitiendo inferir que la R on es más baja para el
Una de las propiedades más interesantes de GaN para
HEMT, lo cual le permite un incremento en la velocidad de
aplicaciones de potencia es la existencia de un gas de
conmutación y por ende un decremento en las pérdidas del
electrones 2D formado en las heteroestructuras AlGaN /
elemento. Consecuentemente, se puede inferir que los
GaN debido a la gran discontinuidad de la banda de
dispositivos basados en SiC presentan mayores pérdidas por
conducción entre GaN y AlGaN y la presencia de campos de
conmutación que un dispositivo GaN.
polarización que permiten un gran 2DEG [2]. Los GaN
Ahora teniendo en cuenta el problema anterior, el
HEMTs son dispositivos que se activan intrínsecamente, es
MOSFET de GaN es menos susceptible a los problemas de
decir, que se debe aplica un sesgo negativo en la puerta para
confiabilidad (inyección de electrones calientes) gracias al
eliminar el 2DEG. De esta manera, estos dispositivos han
desplazamiento en la banda de conducción. Logrando así
tenido un desarrollo y una atención profunda en los últimos
que este dispositivo tenga aplicaciones en las conmutaciones
años con una relación notable entre la resistencia de
de potencia [5]. Además estos dispositivos poseen una gran
encendido y el voltaje de ruptura. Además tienen una
capacidad de voltaje de bloqueo de hasta 25 kV, pero
aplicación para dispositivos de potencia de microondas para
existen un problema con respecto al valor de movilidad de
estaciones base de teléfonos celulares ya que la combinación
canal de inversión por fenómenos de dispersión. Entonces la
de conmutación a alta velocidad y bajas pérdidas, orientan al
mejor manera de solucionar este problema, recae en la
dispositivo a tener un ancho de banda en el rango de los
incorporación de una estructura en el campo de superficie
mega Hertz. Desde su creación, se ha mejorado su capacidad
reducida con el fin de tener interruptores que basen su
de operación como la capacidad de potencia de salida en
funcionamiento y estructura con GaN de desactivación
frecuencias de microondas.
normal, baja activación de estado y alta capacidad de
bloqueo.

Fig. 9. Rectificador de Diamante
V. DIAMANTE
Durante la década anterior, se ha visto varios avances
significativos en el rectificador de diamante y la tecnología
FET. En consecuencia, los diodos Schottky lograron obtener
voltajes de ruptura de hasta 3.7 kV con un densidades de
corriente relativamente bajas. Entonces mediante el
desarrollo de esta tecnología, se presenta en la figura 9, un
rectificador de diamante que posee una capa ligeramente
dopada de semiconductor n. Esta capa permanece agotada
en la región de conducción por lo que se empezó a
incrementar la capa del semiconductor p, aumentado así el
voltaje de ruptura de estos diodos. Cabe recalcar que el
diamante debido a su intervalo de banda ancha, permite un
gran rendimiento de conmutación a alta temperatura y altos
voltajes. [3]
VI. COMPARACIÓN ENTRE SI, SIC, GAN
A. SiC versus Si
El carburo de Silicio tiene mejores ventajas que el Silicio
y tiene que ver con una menor resistencia de encendido para
alto voltaje y capacidad de 200 °C. Este nuevo
semiconductor posee un campo eléctrico de ruptura mayor
que el Si y eso se debe gracias a su mayor brecha de energía
y capacidad térmica conductiva [1]. En la tabla 1 se presenta
las propiedades eléctricas de Si y SiC y mediante análisis se
puede observar que el rendimiento del SiC es mucho mayor
que el de Silicio. Teniendo en cuenta que la alta tensión
térmica es una de las principales causas de fallas en los
semiconductores. En aplicaciones de energía, una
consideración muy importante recae con saber la
temperatura máxima de unión en el cuál el dispositivo puede
funcionar. De esta manera se presenta en la figura 10, el
funcionamiento de SiC a altas temperaturas con respecto a
Si. Consecuentemente se puede inferir que los dispositivos
con semiconductores SiC, suelen ser más confiables al
operar en una unión y temperatura dada con respecto a los
dispositivos con semiconductores de silicio.
B. GaN versus SiC
Los dispositivos SiC, son un gran avance y brinda buenas
propiedades a aplicaciones de potencia. Sin embargo uno de
los mejores materiales, que reemplaza al SiC, es el GaN.
Este semiconductor presenta el mejor equilibrio entre las
características teóricas (capacidad de bloqueo de alto
voltaje, operación a alta temperatura y altas frecuencias de
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conmutación) y la disponibilidad comercial para la
obtención de materiales y procesos tecnológicos. [1]
Tabla 1. Propiedades eléctricas de los semiconductores Si y SiC
Fig. 10. Comparación de funcionamiento máximo en la juntura para
diferentes temperaturas para Si y SiC
Sin embargo, GaN presenta una conductividad térmica
inferior a la de SiC. Teniendo en cuenta lo anterior, se
considera que SiC tiene la mejor compensación entre
propiedades y madurez comercial con un potencial
considerable para dispositivos de alta potencia. [1]
VII. OBTÁCULOS TÉCNICOS Y RETOS DE LA
COMERCIALIZACIÓN
En los últimos años se ha desarrollado la tecnología para
semiconductores de valencia ancha de manera profunda. Sin
embargo aún siguen existiendo varios retos técnicos para la
electrónica de futuro y en sí la comercialización.
Evidentemente, el principal reto es vencer o reponer todos
los aparatos electrónicos que poseen la tecnología con
semiconductores de silicio ya que estos fueron
predominantes durante mucho tiempo.
Ahora con respecto a los dispositivos basados en GaAs no
poseen una corporación industrial que fomente este tipo de
tecnología. Esto a su vez retrasa el posicionamiento de estos
dispositivos teniendo en cuenta su excelente potencial a altas
frecuencias. Algo similar sucede con los dispositivos GaN
pero estos son más baratos. Sin embargo el problema radica
en que esta tecnología no tiene los suficientes recursos
materiales para desarrollarlos en masa.
VIII.CONCLUSIONES
Los dispositivos con tecnología Si predomina actualmente el
mercado electrónico. Sin embargo, mediante varias
investigaciones se ha podido consolidar la idea de la
introducción de nuevos dispositivito electrónicos con
semiconductores nuevos tales como: SiC, GaAs, GaN. Cabe
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recalcar que estos dispositivos, de manera general,

disminuyen las pérdidas de energía, aumentan el voltaje de
bloqueo y disminuyen las corrientes de fuga.
Las aplicaciones hacia la utilización de energía son las más
comunes en la actualidad. Por esa razón los nuevos
dispositivos electrónicos se orientan a futuros proyectos ya
que son muy resistentes a la temperatura, un factor
predominante en el funcionamiento extremo de un sistema o
componente eléctrico.

REFERENCIAS

[1] A. Sharma, S. J. Lee, Y. J. Jang y J. P. Jung, «SiC based Technology for High Power Electronics and Packaging
Applications,» J. Microelectron, pp. 71-75, 2014.
[2] J. Millán, P. Godignon, X. Perpiña y J. Rebollo, «A Survey of Wide Bandgap Power,» IEEE Transactions on power
electronics, vol. 29, nº 5, pp. 2155-2160, 2014.
[3] P. Chow, I. Omura, M. Higashiwaki, H. Kawarada y V. Pala, «Smart Power Devices and ICs Using GaAs and Wide
and Extreme Bandgap Semiconductors,» IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 64, nº 3, pp. 856-
865, 2017.
[4] H. Ishida, R. Kajitani, Y. Kinoshita, H. Umeda, S. Ujita y M. Ogawa, «GaN-based Semiconductor Devices,»
Panasonic, vol. 16, nº 541, pp. 20.4.1-20.4.2, 2016.
[5] K. Li, P. Evans y M. Johnson, «SiC/GaN Power Semiconductor Devices Theoretical Comparison and Experimental
Evaluation,» IEEE, 2016.