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5606 TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022

Un sistema convertidor trifásico de front-end activo

Habilitado por MOSFET SiC de 10 kV Dirigido a un
Aplicación de transformador de estado sólido
Anup Anurag , Miembro estudiante, IEEE, Sayan Acharya , Miembro sénior, IEEE,
Nithin Kolli, miembro estudiante, IEEE, Subhashish Bhattacharya , Miembro sénior, IEEE,
Todd R Weatherford , Miembro sénior, IEEE y Andrew A. Parker

Resumen—El uso de dispositivos de carburo de silicio (SiC) de alto voltaje dispositivos para operación de campo, como lo demuestra la operación en el interior
puede eliminar los convertidores multinivel y en cascada y sus complicadas el contenedor móvil.
estrategias de control, haciendo que los sistemas convertidores sean simples y
de confianza. Un sistema convertidor trifásico de fuente de voltaje de dos niveles Términos del índice : sistema de convertidor de front-end activo (AFEC), puerta
sirve como un sistema convertidor simple para interconectar cualquier fuente de CC controlador, dispositivos de media tensión (MT), carburo de silicio (SiC),
a una red trifásica. Sin embargo, cuando los dispositivos de alto voltaje están transformador de estado sólido, XHV-6.
utilizados en convertidores de dos niveles, están expuestos a un pico de alto voltaje
estrés y un alto dv/dt (hasta 100 kV/µs). Operar estos dispositivos
semiconductores a estos niveles de tensión requiere un diseño cuidadoso, no I. INTRODUCCIÓN
solo de la matriz semiconductora y del módulo, sino también de la puerta
Thyris conmutado de puerta integrada
conductores, barras colectoras y filtros pasivos. Este artículo demuestra la
operación de MOSFET SiC de 10 kV y analiza las consideraciones de diseño, Los transistores (IGCT) y los transistores de apagado de puerta se utilizan para
CONVENCIONALMENTE,
las ventajas y los desafíos asociados con la operación aplicaciones conectadas a la red de media tensión (MV) [1], [2]. Los transistores
del sistema convertidor trifásico de media tensión de dos niveles utilizado bipolares de puerta aislada (IGBT) de icono de silicio (Si) tienen una limitación en el
como el sistema convertidor de front-end activo. Funcionamiento fiable de la
voltaje máximo y están limitados a 6,5 kV [3]. Para
El sistema convertidor de voltaje medio requiere el desarrollo de módulos de
aplicaciones conectadas a la red, a un nivel de voltaje de distribución, más de
alto voltaje confiables y piezas auxiliares, como controladores de puerta,
barras colectoras, inductores, sensores de voltaje y corriente, y diseño adecuado 4,16 kV, el uso de convertidores de dos niveles no es posible con un
del sistema controlador. Pruebas exitosas que demuestran continua dispositivo semiconductor de potencia basado en silicio [4]. Se vuelve necesario
operación de campo del convertidor de frente activo de media tensión en considerar un punto neutro de tres niveles/cinco niveles
se demuestra una capacidad nominal de voltaje de enlace de CC de 7,2 kV para el
convertidores (NPC) o convertidores sujetos a condensador flotante para
primera vez en la literatura. Los resultados indican que estos dispositivos
manteniendo un voltaje de <4 kV a través de los dispositivos considerando el área de
puede acelerar el crecimiento y el despliegue de SiC de media tensión
operación segura de estos IGBT de Si [5]. Lo seguro
voltaje de operación (definido por el área de operación segura) de un Si
Manuscrito recibido el 21 de marzo de 2021; revisado el 14 de junio de 2021 y octubre
El módulo IGBT se reduce drásticamente con un aumento en la corriente,
15, 2021; aceptado el 20 de noviembre de 2021. Fecha de publicación 30 de noviembre de
2021; fecha de la versión actual 19 de enero de 2022. Este trabajo fue apoyado por el que no permite una operación de alto voltaje de bloqueo a niveles de potencia
Oficina de Investigaciones Navales a través del programa SPAWAR ESTEP. el desarrollado aumentados. Estos dispositivos también tienen una limitación en
El transformador de estado sólido basado en equipo de soporte de utilidad móvil es actualmente
la frecuencia de conmutación a menos de 1 kHz debido a su más lento
desplegado en la base naval de Port Hueneme, CA, EE. UU. Este trabajo hizo uso de la
Instalaciones compartidas de FREEDM ERC apoyadas por la National Science Foundation velocidades de conmutación Además, para alto voltaje a base de silicio
bajo el Laudo EEC-0812121. Recomendado para publicación por el editor asociado Convertidores IGBT o IGCT, la refrigeración con agua desionizada es imprescindible
F Wang. (Autor para correspondencia: Anup Anurag.)
para aplicaciones de alta potencia (>2 MVA) debido a limitaciones en
Anup Anurag trabajaba en el Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática de la
Universidad Estatal de Carolina del Norte, Raleigh, NC 27606, EE. UU. Él es la temperatura máxima de unión de funcionamiento, así como alta
ahora con Milan M. Jovanovi´c Power Electronics Laboratory, Delta Elec tronics (Americas), pérdidas de conmutación [6].
Ltd., Research Triangle Park, NC 27709 EE. UU. (correo electrónico:
Con el avance de los semiconductores de banda prohibida ancha,
aanurag2@ncsu.edu).
Sayan Acharya está con GE Global Research Center, Niskayuna, NY 12309 dispositivos de potencia, como el óxido de metal de carburo de silicio (SiC)
EE. UU. (correo electrónico: sachary@ncsu.edu). transistores de efecto de campo de semiconductores (MOSFET) y SiC IG BT, ahora
Nithin Kolli y Subhashish Bhattacharya están en el Departamento de
están disponibles con voltajes de bloqueo de hasta 15 kV [7].
Ingeniería Eléctrica e Informática, Universidad Estatal de Carolina del Norte, Raleigh,
NC 27606 EE. UU. (correo electrónico: nkolli2@ncsu.edu; sbhatta4@ncsu.edu). Los dispositivos basados en SiC pueden operar a frecuencias de conmutación más altas
Todd R. Weatherford trabaja en el Departamento de Electricidad e Informática (>5 kHz) sin pérdidas de conmutación significativas [8]–[10]. Más alto
Ingeniería, Escuela de Posgrado Naval, Monterey, CA 93943 EE. UU. (correo electrónico:
frecuencia de conmutación permite una reducción en el tamaño de la pasiva
trweathe@nps.edu).
Andrew A. Parker estaba en la Escuela Naval de Posgrado, Monterey, CA 93943 filtros, mejorando la densidad de potencia del sistema convertidor.
EE.UU. Ahora trabaja en Pebble Beach, CA 93953 EE. UU. (e-mail: parker.pe@ Con los sistemas convertidores basados en SiC, es posible construir convertidores
Earthlink.net).
incluso de hasta 7 MVA sin refrigeración líquida debido a las menores pérdidas.
Las versiones en color de una o más figuras de este artículo están disponibles en
https://doi.org/10.1109/TPEL.2021.3131262. y mayor capacidad máxima de unión operativa de los basados en SiC
Identificador de objeto digital 10.1109/TPEL.2021.3131262 dispositivos. Estos MOSFET de SiC exhiben un área de operación segura para todos

0885-8993 © 2021 IEEE. Se permite el uso personal, pero la republicación/redistribución requiere el permiso de IEEE.
Consulte https://www.ieee.org/publications/rights/index.html para obtener más información.

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ANURAG et al.: SISTEMA AFEC TRIFÁSICO HABILITADO POR MOSFET SIC DE 10 KV DIRIGIDO A UNA APLICACIÓN SST
Fig. 1. Esquema de la implementación de hardware de la arquitectura general del sistema. El MUSE-SST consta de tres partes: MV AFEC, DAB y LV AFEC.
valores dentro de sus valores nominales de voltaje y corriente, lo que evita cualquier
reducción en aplicaciones de mayor potencia. Estos sistemas convertidores de
media tensión basados en MOSFET de SiC encuentran aplicaciones en
convertidores de potencia para integración renovable (integración fotovoltaica),
filtros activos, sistemas de potencia de barcos y transformadores de estado sólido,
donde la densidad de potencia es uno de los factores más importantes que se
tienen en cuenta [ 11]–[15].
En [11] y [16] se demuestra una subestación eléctrica inteligente sin
transformador (TIPS) de estado sólido de media tensión habilitada por IGBT de
SiC de 15 kV. El TIPS tiene como objetivo la integración de una red de distribución
de MT (13,8 kV) con una red de baja tensión (BT) (480 V).
Se utiliza una estructura NPC de tres niveles como bloque de construcción para
los sistemas convertidores de MT. El uso de IGBT de 15 kV garantiza una menor
pérdida de conducción que los MOSFET de clasificación similar [8]. Sin embargo,
la frecuencia de conmutación para el convertidor de frente activo (AFEC) está
limitada a 5 kHz, debido a la gran corriente de cola de los IGBT. En [17] se diseña
y demuestra un transformador de estado sólido de 6,6 kV/400 V CA-CC de extremo
frontal aislado. Sin embargo, emplea una disposición en paralelo de entrada en
serie y salida de múltiples celdas convertidoras de BT. Recientemente, en [9] se
demuestra un transformador de CC-CC de 7 kV a 400 V basado en MOSFET de
SiC de 10 kV. En [18] se presenta un diseño de convertidor CC-CA conectado a la
red sin transformador (13,8 kV). General Electric presenta una subestación de
energía de estado sólido de 1 MVA basada en MOSFET de SiC de 10 kV , que
tiene la mitad del tamaño y una cuarta parte del peso de un transformador
convencional comparable de 60 Hz [19].
En [20] y [21] se presenta un transformador de estado sólido (MUSE-SST)
basado en equipos de soporte de servicios públicos móviles habilitados para SiC-
MOSFET Gen3 de 10 kV para conectar una red de 4,16 kV a una red de 480 V. El
MUSE-SST consta de tres etapas de conversión de energía, como se muestra en
la Fig. 1:
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1) Etapa de CA-CC de media tensión: conexión frontal activa de media tensión
verter (MV-AFEC); 2)
Etapa MV CC/LV CC: puente activo dual (DAB); 3) Etapa LV dc-
ac: convertidor de frente activo de bajo voltaje (LV-AFEC).
En el sistema MUSE-SST, la tensión de red trifásica de 4,16 kV se rectifica
mediante un inversor trifásico de dos niveles a un nivel de tensión de CC de 7,2
kV. Para el lado de MT, una tensión nominal de red de 4,16 kV requiere una tensión
de fase pico de 3,4 kV, que, a su vez, requiere un enlace de CC de aproximadamente
6,8 kV de bus de CC, suponiendo un índice de modulación operativo de 1 con una
modulación de ancho de pulso sinusoidal (PWM) técnica. Sin embargo,
considerando una caída del 5% en el filtro del lado de CA y operando un índice de
modulación de 0,8, el bus de CC está diseñado para operar a 7,2 kV con modulación
de vector espacial. Se utiliza una etapa de CC-CC en cascada con el rectificador
para proporcionar el aislamiento de voltaje galvánico requerido para la interconexión
de la red y para reducir el voltaje de niveles de MT a BT.
A la etapa de CC-CC le sigue una etapa de CC-CA para conectarse a la red de
menor voltaje (red de 480 V). La etapa de MT está aislada de la etapa de BT
mediante tres transformadores de alta frecuencia de MT, que forman parte de la
etapa de CC-CC. Cabe señalar que se utilizan tres transformadores de alta
frecuencia monofásicos conectados en configuración estrella/triángulo. La opción
de usar tres transformadores monofásicos en un transformador trifásico surge de
la clasificación de voltaje de aislamiento de impulso de rayo (BIL) básica requerida
de los transformadores. De acuerdo con el estándar IEEE para la coordinación del
aislamiento [22], BIL se define como la resistencia eléctrica del aislamiento
expresada en términos del valor de cresta de un impulso de rayo estándar en
condiciones atmosféricas estándar. El diseño del transformador trifásico tiene un
requisito más alto en la clasificación BIL en comparación con tres transformadores
monofásicos.
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5608
TABLA I
REQUISITOS DE CLASIFICACIÓN BIL DE TRANSFORMADORES
TABLA II
PARÁMETROS DEL SISTEMA CONVERTIDOR MT
transformadores debido a los voltajes más altos (voltaje de línea) vistos por
el transformador trifásico en comparación con el transformador monofásico,
donde experimenta el voltaje de fase. La Tabla I proporciona las
clasificaciones BIL requeridas por los transformadores individuales según lo
determinado por IEC 60076-1 [23], [24]. La clasificación de voltaje para los
transformadores se proporciona en función del voltaje máximo en los
transformadores de alta frecuencia. Para un voltaje de enlace de CC de
7200 V, el voltaje de línea a neutro es de 4800 V y el voltaje de línea a línea
es de 7200 V. Además, los transformadores monofásicos presentan una Sección IV proporciona desafíos de hardware asociados con el desarrollo
mayor modularidad en comparación con los transformadores trifásicos. transformadores
del sistema MV-AFEC, incluidos los problemas en la implementación del
Los sistemas convertidores de potencia de MT y BT se construyen como
sistemas trifásicos para cada una de las etapas de conversión de potencia,
que sirven como componentes básicos para el MUSE-SST. La Tabla II
presenta los parámetros importantes para el sistema convertidor de MT. El
sistema está habilitado por MOSFET basados en SiC Wolfspeed Gen3 de
10 kV en un módulo de voltaje extra alto (XHV) en el lado primario y módulos
Wolfspeed de alto rendimiento de 1200 V 325-A CAS325M12HM2 en el lado
secundario [25].
El uso de MOSFET de SiC de 10 kV en convertidores simples de dos
niveles conlleva muchos desafíos en términos de aislamiento de MT, gestión
térmica y consideraciones de dv/dt alto. Esto requiere una cuidadosa
consideración del diseño de los convertidores de potencia de media tensión
basados en MOSFET de SiC de 10 kV. En [26], la metodología de diseño y
evaluación de un módulo de medio puente basado en MOSFET-SiC de 10
kV se lleva a cabo considerando el efecto del aislamiento de alto voltaje y el
alto dv/dt exhibido por los dispositivos en los controladores de compuerta.
Sin embargo, no se discute el efecto de este alto dv/dt en otras partes del
sistema, que incluye la implementación del controlador y el diseño magnético. XHV, como se muestra en la Fig. 2. Actualmente hay dos paquetes XHV
Este artículo se centra en las consideraciones de diseño, las ventajas y
los desafíos asociados con el diseño y la operación de la etapa MV-AFEC
del sistema MUSE-SST. Esto incluye el diseño de los controladores de
puerta, barras colectoras y otros sistemas auxiliares.
La eficiencia del sistema también se estima mediante simulaciones y se
mide mediante pruebas consecutivas. También se proporcionan
consideraciones térmicas que son esenciales para el sistema.
El resto de este artículo se organiza como sigue. La Sección II presenta
el módulo de potencia XHV de 10 kV utilizado para construir los sistemas
convertidores de MT. Los datos de pérdida de conducción y conmutación
también se proporcionan mediante la caracterización estática y dinámica de
los dispositivos. La sección III se centra en el diseño y desarrollo
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TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022
Fig. 2. (a) Imagen de un dado desnudo. Reproducido de [27]. (b) Seis troqueles MOSFET
SiC de 10 kV en paralelo empaquetados en forma de medio puente en un módulo XHV
que permite una clasificación de corriente RMS total de 50 A a 150 ÿC. (c) MOSFET SiC
de 10 kV empaquetado en un módulo XHV-6. El primer submódulo se llena y los otros
dos submódulos se mantienen vacíos. (d) MOSFET SiC de 10 kV empaquetado en un
módulo XHV-9.
de un sistema convertidor trifásico de dos niveles, que actúa como bloque
de construcción para el lado MV-AFEC y el lado MV de la etapa CC-CC. La
filtro inductivo y problemas en la detección de voltajes y corrientes en un
entorno de alto dv/dt. La Sección V da una breve idea sobre el diseño del
controlador para el sistema MV-AFEC.
La verificación experimental del funcionamiento del sistema convertidor
trifásico de MT de dos niveles se valida en la Sección VI.
La estimación de la eficiencia del sistema convertidor de MT se proporciona
en la Sección VII. Finalmente, la Sección VIII concluye este artículo. Se
proporcionan los Apéndices A y B, que muestran una breve derivación de
las funciones de transferencia del sistema convertidor. También se
proporciona un análisis de estabilidad del convertidor de media tensión con
una carga activa. Los apéndices van seguidos de referencias.
II. MÓDULOS DE POTENCIA XHV BASADOS EN
MOSFET SIC DE 10 KV GEN3
El bloque de construcción para el sistema convertidor de media tensión
es el MOSFET SiC Gen3 de 10 kV empaquetado en un módulo de potencia
disponibles, a saber, XHV-6 y XHV-9. XHV-6 consta de tres medios puentes
en un solo paquete, mientras que el paquete XHV-9 es una configuración
de medio puente. Cada posición del interruptor puede acomodar hasta seis
troqueles MOSFET SiC de 10 kV en paralelo. Sin embargo, el número de
troqueles que podrían llenarse se selecciona de acuerdo con los requisitos
del usuario. El esquema interno del módulo se muestra en la Fig. 2(b). Los
sistemas convertidores de MT emplean módulos XHV-6/XHV-9. Cada
posición del interruptor se llena con seis troqueles (valor nominal de corriente
RMS total de 50 A a 150 ÿC).
La caracterización estática de los dispositivos se realiza en laboratorio a
diferentes temperaturas con un Analizador de Dispositivos de Potencia
B1505A de Keysight Technologies. La resistencia en estado ON del módulo
MOSFET se mide para un
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ANURAG et al.: SISTEMA AFEC TRIFÁSICO HABILITADO POR MOSFET SIC DE 10 KV DIRIGIDO A UNA APLICACIÓN SST 5609

Fig. 3. (a) Características I-V medidas del módulo MOSFET SiC de 10 kV a temperatura ambiente (T = 25 ÿC). (b) Variación de la resistencia en estado ON con la temperatura. (c)
Energía de conmutación del dispositivo a varias corrientes y temperaturas para un voltaje de enlace de CC de 3,5 kV. (d) Energía de conmutación del dispositivo a varias corrientes y
temperaturas para un voltaje de enlace de CC de 7,2 kV.

tensión de puerta de +15 V según lo recomendado por el fabricante. La Fig. TABLA III
LÍMITES TÉRMICOS CON DISTINTAS FRECUENCIAS DE CONMUTACIÓN PARA
3(b) muestra la variación de la resistencia en estado ON con la temperatura.
UNA TENSIÓN DC-LINK DE OPERACIÓN DE 7,2 KV PARA UN MOSFET SIC 10 KV

Se llevan a cabo pruebas de doble pulso para estimar la energía de

conmutación de encendido y apagado de los módulos MOSFET de SiC de 10
kV [28]. Las pruebas de doble pulso se llevan a cabo en el mismo sistema
convertidor para garantizar que la inductancia del bucle de conmutación
durante las pruebas de doble pulso no varíe significativamente en comparación
con la operación real del convertidor, proporcionando así una estimación de
pérdida precisa. La única diferencia entre ambas configuraciones de prueba
*Los datos se basan en las pérdidas del dispositivo de la Fig. 3(d) y el diseño actual del disipador térmico,
es la adición de una derivación de baja corriente inductiva, SSDN 005, M4× 8 que tiene una resistencia térmica del disipador térmico al ambiente de 0,026 ÿC/W. La clasificación de

mm, entrada de espárrago de T&M Research Products, Inc. (para medir la corriente RMS del dispositivo de 10,7 A se traduce en una operación de 100 kW del sistema MV.

corriente durante las pruebas de doble pulso). Esto provoca una variación
menor en la inductancia del bucle de conmutación (< 20 nH) para ambas
configuraciones. Sin embargo, para los MOSFET de 10 kV , dado que el
voltaje de operación es alto y la corriente es baja, un ligero cambio en la
inductancia del bucle de conmutación no afecta significativamente las pérdidas,
a diferencia de los dispositivos de alta corriente de BT [29].
La medición de voltaje para las pruebas de doble pulso se lleva a cabo
utilizando una sonda diferencial de alto voltaje basada en CIC Research
(DP10-10K-16kV-C), que ofrece medición de voltaje de hasta 16 kV RMS y
pico de 20 kV y un ancho de banda de 120 MHz [30].
La variación de la energía de conmutación de encendido y apagado con
respecto a la temperatura y la corriente de drenaje se muestra en la Fig. 3 (c)
y (d) para un voltaje de enlace de CC de 3,5 y 7,2 kV, respectivamente.
El voltaje de la puerta en estado ON se mantiene en +15 V (según lo
recomendado por el fabricante) y la resistencia de la puerta se mantiene en
20 ÿ para garantizar un dv/dt máximo de 40 kV/ÿs [31]. Cabe señalar que la
velocidad máxima de conmutación está limitada a 40 kV/ÿs debido al hecho
de que un aumento en la velocidad de conmutación no disminuye las pérdidas
de conmutación efectivas del dispositivo más allá de un cierto valor debido a
la corriente adicional a través de la capacitancia parásita presente en diseños
prácticos de inductores [32]. Esto se explica con más detalle en la Sección IV.
Cabe señalar que los valores altos de pérdida de energía de conmutación
limitan la corriente máxima durante las aplicaciones de conmutación dura.
Con una resistencia térmica del disipador a la temperatura ambiente de 0,026
ÿC/W (como se explica más adelante), una temperatura máxima de unión de
150 ÿC y una temperatura ambiente de 25 ÿC, el rango de funcionamiento
máximo para los módulos MOSFET SiC de 10 kV es calculado en la Tabla III
para un voltaje de enlace de CC operativo de 7,2 kV. Esto demuestra que
incluso si los dispositivos están clasificados para corrientes más altas, la
corriente máxima debe limitarse para tener en cuenta la pérdida de
conmutación en los dispositivos, especialmente en aplicaciones de conmutación
dura. La resistencia térmica de unión a caja para estos MOSFET de SiC de
10 kV (con seis troqueles paralelos) es de 0,078 ÿC/W para cada MOSFET
de SiC de 10 kV [33]. En [33] se muestra la resistencia térmica de 18 troqueles
paralelos. El valor se ajusta para seis troqueles paralelos.
tercero DISEÑO Y DESARROLLO DE LA MV
SISTEMA CONVERTIDOR
El sistema convertidor de media tensión se denomina bloque de potencia
de media tensión (MVPB) y consta de un sistema convertidor trifásico de dos
niveles. Con un convertidor de MT de dos niveles, cada uno de los

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Fig. 4. Representación esquemática de la ruta de corriente CM para el controlador de compuerta del lado
alto y el disipador de calor en una configuración de medio puente [34]. (x puede ser cualquier componente,
incluido el transformador de aislamiento del controlador de compuerta, el aislador de señal o el disipador
de calor).
los dispositivos semiconductores de potencia experimentan el voltaje completo del enlace
de CC. El funcionamiento de estos dispositivos a niveles de alto voltaje requiere que los
dispositivos de SiC de media tensión funcionen de manera confiable y requiere consideraciones
de diseño cuidadosas de los sistemas auxiliares.
A. Consideraciones actuales de modo común
Los convertidores de MT generalmente están plagados de problemas actuales de modo
común (CM), que deben tenerse en cuenta al diseñar y ejecutar el sistema [31], [34]. Debido
al alto dv/dt exhibido por estos dispositivos, la capacitancia parásita a través de varios
componentes es de suma importancia. Estas corrientes de CM fluyen a través de la tierra y
pueden provocar interrupciones en la tierra de control, ya que el controlador y la placa de
protección están conectados a la misma tierra. Esto puede comprometer la integridad de la
señal [31], [34]. Dado que los dispositivos de media tensión exhiben un alto dv/dt, el control
de la capacitancia parásita efectiva reduce las corrientes de CM, manteniendo así la integridad
de la señal.
Se deben llevar a cabo consideraciones de diseño especiales para diseñar controladores
de compuerta que tengan un acoplamiento capacitivo ultrabajo en el transformador de
aislamiento. Se debe tener una consideración cuidadosa para lograr esto, ya que el
controlador de puerta requiere aislamiento de alto voltaje y una huella pequeña para que el
diseño sea utilizable.
De acuerdo con los requisitos de MT, se diseña un controlador de puerta optimizado y se
realizan extensas pruebas para validar su funcionamiento en convertidores, como se muestra
en [31]. La ruta de corriente CM en el sistema MV se muestra en la Fig. 4. Para eliminar la
corriente CM a través del ventilador, se proporcionan espaciadores de nylon no conductores
entre el disipador de calor y el ventilador para interrumpir la ruta de las corrientes CM.
Además, la conexión a tierra eléctrica del ventilador está adecuadamente aislada de la
conexión a tierra de la señal del controlador de compuerta al proporcionar rutas discretas
para estas corrientes de CM.
B. Consideraciones de diseño de barras colectoras
Las consideraciones de diseño para la barra colectora comienzan con la ubicación de los
capacitores y los dispositivos. Para los convertidores de MT, es un desafío construir
condensadores con un alto valor de capacitancia y una alta densidad de energía [35].
Además, es imperativo tener una inductancia en serie baja para los capacitores para evitar
el repiqueteo debido a las oscilaciones del LC [11], [35]. En el MVPB, los condensadores de
película se utilizan debido a su mayor fiabilidad sobre los condensadores electrolíticos.
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Fig. 5. (a) Diagrama CAD de la barra colectora utilizada en el sistema convertidor de MT. (B)
Colocación de los condensadores del enlace de CC en la barra colectora junto con los dedos para
conectarlo con los módulos de potencia XHV.
(que generalmente tienen una mayor densidad de energía). Para acomodar una capacidad
de voltaje de bloqueo de 10 kV y para formar el capacitor de bus de CC principal, se conectan
en serie dos capacitores de película de ICAR (5 kV; 50 ÿF; LNK-P4X-50-500).
Los condensadores amortiguadores adicionales se conectan directamente a los terminales
de CC. La corriente de conmutación de alta frecuencia instantánea es suministrada por estos
capacitores amortiguadores adicionales (3300 pF; 6 kV; FKP1Y013305H00JSSD) y no
proviene de los capacitores de bus de CC principales y, por lo tanto, se minimiza el efecto de
la inductancia del bucle de conmutación de la barra colectora. Se selecciona una combinación
en serie-paralelo de estos capacitores, en la que dos capacitores están conectados en serie
y cuatro de los capacitores conectados en serie están conectados en paralelo, para garantizar
la clasificación de voltaje requerida (12 kV) y la capacitancia de amortiguamiento requerida
(6,6 nF). ).
Estos condensadores tienen una clasificación dv/dt de 29 V/ns, individualmente, lo que
corresponde a una clasificación de corriente de pulso máxima de 95 A por condensador [36].
Para la combinación serie-paralelo, la corriente nominal efectiva es 95 A/2 × 4 = 190 A, que
es adecuada para el sistema. Por lo tanto, se puede usar el mismo diseño para ampliar aún
más los límites de los módulos MOSFET de SiC de 10 kV en términos de dv/dt más altos.
Los módulos MOSFET de SiC de 10 kV están conectados a través de dedos en las
barras colectoras que se muestran en la Fig. 5(a), lo que aumenta la inductancia del bucle
de conmutación. Debido a la estructura vertical de la configuración y la ubicación de las
terminaciones del módulo, no es posible construir la barra colectora sin los dedos. El diseño
vertical del embarrado se realiza teniendo en cuenta el diseño y colocación del disipador,
como se explica más adelante en este apartado.
Se fabrica una estructura de barra colectora intercalada con aislamiento Amron 6S y se
prueba hasta 17 kV CC en los terminales durante un período de 30 minutos, y no se observan
corrientes de fuga que demuestren las consideraciones de aislamiento. Se proporcionan las
distancias de aislamiento y de fuga necesarias entre los terminales de CC. La estructura de
sándwich, como se muestra en la Fig. 5 (b), se utiliza para minimizar
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CUADRO IV
INDUCTANCIA DE BUCLE DE LA BARRA

Fig. 7. (a) Temperatura y (b) distribución de corriente en la barra con una entrada de
corriente de 20 A y flujo de aire natural.
Fig. 6. Inductancias mutuas entre las distintas fases y trayectorias de los bucles de
conmutación para las tres distintas fases.

la inductancia del bucle de conmutación. El conductor de la barra está construido

con aluminio y el espesor de la placa conductora se mantiene en 1,5 mm para
una corriente de 30 A y cierto margen de estabilidad mecánica. También se
proporcionan las distancias de fuga necesarias entre los terminales del
condensador. Las simulaciones del método de elementos finitos (FEM) se llevan
a cabo en Ansys Q3D para estimar la inductancia del bucle de conmutación, y
los resultados se muestran en la Tabla IV. Para estimar la inductancia del bucle
de conmutación, se debe tener en cuenta que la inductancia mutua entre
diferentes fases no afecta la inductancia del bucle de conmutación ya que la Fig. 8. Imagen de la solución de termosifón de bucle utilizada para la disipación de calor
en el sistema convertidor de MT. El evaporador está diseñado para disipar hasta 10 kW
ruta de conmutación involucra solo una fase, como se muestra en la Fig. 6. simplemente cambiando el condensador sin ningún cambio en la huella total.
Como ejemplo, se puede ver que la inductancia del bucle de conmutación de la
fase A depende solo de LA+, LA- y MA+-, y no de las inductancias propias/
mutuas entre otras fases.
entre el condensador y el evaporador. En la Fig. 8 se muestra una fotografía de
la solución de termosifón de bucle. El diseño del sistema térmico se lleva a
También se estima la distribución de temperatura y corriente a través de la
cabo en colaboración con Advanced Cooling Technologies para la fabricación
barra colectora, como se muestra en la Fig. 7. La estimación se lleva a cabo en
de este disipador térmico [37]. Una de las principales ventajas de la solución de
un solo punto de operación, donde una de las fases (fase A) experimenta una
termosifón de bucle es la escalabilidad del sistema. El evaporador está diseñado
corriente completa de 20 A, y la las otras dos fases (fase B y fase C) conducen
para disipar hasta 10 kW con solo cambiar el condensador (intercambiador de
cada una la mitad de la corriente (10 A cada una). Esta estimación se realiza
calor).
en COMSOL Multiphysics.
Esto demuestra ser una gran ventaja cuando el sistema se escala a niveles de
Cabe señalar que el embarrado experimenta un mínimo aumento de
potencia más altos.
temperatura debido a su gran superficie, lo que minimiza la resistencia efectiva.
Teniendo en cuenta los límites de los MOSFET de SiC de 10 kV y 90 A, se
diseña un voltaje de enlace de CC de 7,2 kV y una corriente RMS de alrededor
de 70 A, lo que se traduce en un inversor de 500 kW. Extrapolando las curvas
C. Consideraciones térmicas
de pérdida de los dispositivos, una estimación aproximada muestra que la
El MVPB emplea una solución térmica eficiente que utiliza un disipador de pérdida total en todos los dispositivos es de alrededor de 9 kW (1,5 kW por
calor basado en termosifón de bucle. El calor generado por los dispositivos interruptor). Por lo tanto, los módulos MOSFET de SiC de 10 kV y 90 A y las
semiconductores de potencia durante su funcionamiento hace que el líquido del estructuras de barra colectora se pueden usar para hasta 500 kW simplemente
interior del evaporador cambie de fase, lo que, combinado con la condensación reemplazando la sección del intercambiador de calor del disipador de calor en
de líquido en el condensador, genera un desequilibrio de presión gravitacional el mismo espacio sin ningún otro cambio en el bloque de alimentación. La Fig.
que mantiene la circulación del fluido. 9 muestra una simulación FEM del bloque del evaporador, donde la temperatura del evaporad

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5612
Fig. 9. Simulación FEM de la solución de termosifón de bucle.
Fig. 10. Fotografía del montaje para probar y validar el funcionamiento del termosifón de
bucle antes de utilizarlo en el sistema convertidor de MT.
Fig. 11. Datos de prueba para la solución de termosifón de bucle. La potencia se
incrementa en pasos y se anota la temperatura en un punto particular (cerca de la
posición del troquel).
se muestra el bloque. Se supone una temperatura ambiente de 50 ÿC.
La simulación FEM se basa en dos condiciones límite: 1) potencia total:
2000 W; 2) temperatura del refrigerante: 60 ÿC.
La temperatura máxima del evaporador es de 68 ÿC. La pérdida de energía en
los disipadores de calor se emula al unir bloques de cobre y calentarlos con un
cartucho de calentador resistivo estándar. En la Fig. 10 se muestra una fotografía
de la configuración. Se utilizan sondas de termopar tipo T para medir la temperatura
en diferentes puntos del disipador de calor. La solución de termosifón de bucle se
prueba hasta un nivel de potencia de 1500 W y se anota la temperatura máxima
del evaporador. La resistencia térmica y la capacitancia del disipador de calor se
miden aplicando cambios de paso de potencia en el disipador de calor, como se
muestra en la Fig. 11. La resistencia térmica del disipador de calor es 0,026 ÿC/W,
y la capacitancia térmica se estima en 793 J/ÿ C. El cálculo de la resistencia
térmica y la capacitancia térmica se realiza según [38]. Se genera un modelo
térmico a partir de los datos extraídos, como se muestra
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TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022
Fig. 12. Modelo de red térmica de la solución de termosifón de bucle.
Fig. 13. Resultados de la simulación térmica realizada en PLECS para una operación de
7,2 kV 100 kW a partir de los parámetros medidos del disipador termosifón de bucle y
las características térmicas del dispositivo.
TABLA V
RESULTADOS DE SIMULACIÓN TÉRMICA PARA EL SISTEMA EN CONDICIONES NOMINALES DE 7,2
KV Y 100 KW
en la Fig. 12. Rth(ps-h) y Cth(ps) representan la resistencia térmica efectiva y la
capacitancia desde la fuente de calor (matriz) hasta el disipador de calor. Se
realiza una breve simulación térmica para validar el diseño del sistema termosifón
de bucle. Las pérdidas totales para el sistema que opera a 100 kW (a un voltaje
de enlace de CC de 7,2 kV) se extraen de la Fig. 3(b) y (d). La resistencia térmica
de la unión a la carcasa del módulo MOSFET de SiC de 10 kV , junto con los datos
del disipador de calor, se introducen en un modelo PLECS y el resultado se
muestra en la Fig. 13. Se toma una temperatura ambiente de 25 ÿC.
Puede verse que las pérdidas de conmutación totales en condiciones nominales
de 7,2 kV y transferencia de potencia de 100 kW dan como resultado una pérdida
de conmutación de un solo dispositivo de 276 W y pérdidas de conducción de 31 W.
Esto da una pérdida total de 307 W por interruptor, lo que genera una pérdida de
potencia total de 1843 W para un disipador térmico. Se observa una temperatura
máxima de unión de 110 ÿC, que está dentro de la temperatura máxima de unión
operativa de estos dispositivos y módulos. Esto se tabula en la Tabla V.
D. Diseño de la estructura de soporte
Una estructura de soporte está diseñada para sostener el termosifón de bucle
verticalmente para proporcionar una configuración de enfriamiento efectiva del
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ANURAG et al.: SISTEMA AFEC TRIFÁSICO HABILITADO POR MOSFET SIC DE 10 KV DIRIGIDO A UNA APLICACIÓN SST 5613

Fig. 14. Modelo CAD y fotografía de la estructura soporte del sistema convertidor
de MT.

Fig. 15. Fotografía del MVPB.

placas del evaporador. Además, la estructura de soporte debe proporcionar un

fácil acceso a las barras colectoras, los controladores de puerta, los condensadores
y también a los sensores montados. El diagrama de diseño asistido por
computadora (CAD) de la estructura de soporte y una imagen de la estructura de
soporte se muestran en la Fig. 14. La estructura de soporte proporciona una
solución efectiva para colocar todos los diferentes componentes en una estructura, Fig. 16. (a) Costo, (b) volumen y (c) distribución de peso de los componentes
haciéndola de naturaleza modular. . Está hecho de material de PVC y proporciona utilizados en el sistema MV-AFEC.

equilibrio estructural al sistema.

TABLA VI
ASPECTOS DE DISEÑO DEL SISTEMA MV-AFEC

E. Bloque de alimentación de media tensión

Teniendo en cuenta todas las consideraciones de diseño, se construye el

MVPB, como se muestra en la Fig. 15. Además, se conectan termopares a la placa
base del módulo para estimar la temperatura de la placa base. La placa base está
pintada de negro para estimar la temperatura del evaporador usando una cámara
térmica.
es de alrededor de 65 lb. En el sistema, el inductor del lado del convertidor está
Se realizan análisis de división de costo, volumen y peso del MVPB. Dado que
montado en un carro pequeño, y el tamaño total del inductor es de alrededor de
este bloque de potencia está dirigido a un MV-AFEC, el análisis tiene en cuenta el
500 mm × 700 mm × 500 mm, mientras que el peso es de aproximadamente 160
inductor del filtro. El costo/kW ($/kVA) del prototipo de laboratorio es de $550/kW.
lb. inductor lateral, que está construido como un solo inductor trifásico, tiene
Se realiza la división de costos de la MV-AFEC, como se muestra en la Fig. 16(a).
dimensiones de 620 mm × 316 mm × 405 mm y pesa aproximadamente 135 lb. La

Cabe señalar que, dado que estos MOSFET de SiC de 10 kV se encuentran en Tabla VI presenta el aspecto del diseño del sistema MV-AFEC en términos de
costo, volumen, y peso por kilovatio para la MT-AFEC.
una etapa incipiente de desarrollo y solo están disponibles como módulos hechos
a medida, el porcentaje del costo de los dispositivos de SiC de 10 kV no refleja el
costo operativo real de dichos dispositivos. un sistema en aplicaciones de campo
IV. DESAFÍOS DE HARDWARE PARA DESARROLLAR EL
generalizadas.
SISTEMA MV-AFEC
Similar a la división de costos, también se lleva a cabo una división de
volumen y peso del sistema convertidor, como se muestra en la Fig. 16 (b) y (c). El MVPB está diseñado para proporcionar un sistema modular trifásico de dos
Las dimensiones del MVPB vienen dadas por 520 mm × 490 mm × 820 mm. El niveles que se puede utilizar en cualquier sistema convertidor. Además de los
peso del bloque de potencia. desafíos de hardware mencionados en la sección anterior,

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5614 TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022

Fig. 17. Respuesta en frecuencia del filtro LCL.

El diseño de un convertidor frontal de media tensión requiere un diseño

cuidadoso y la implementación de componentes adicionales, como filtros de
corriente, sensores de tensión y corriente y un sistema de controlador de
hardware.

A. Consideraciones de diseño de filtros Fig. 18. (a) Resultados experimentales del inversor trifásico con un voltaje de entrada de
2500 V. (c) Versión ampliada donde se observa un pico en la corriente debido a la alta dv/
Como se mencionó anteriormente, se utiliza un filtro LCL con amortiguación dt en los 10 kV MOSFET de SiC y la capacitancia parásita a través de los inductores del
Rd-Cd en el sistema convertidor de front-end de MT. La corriente a través filtro. (Ch1: voltaje de línea a línea en la fase R; Ch2: voltaje de línea a línea en la fase Y;
Ch3: corriente de fase R; Ch4: corriente de fase Y) [32].
del condensador de filtro está diseñada al 10 % por unidad (pu), lo que
decide los valores de los condensadores de filtro.

0.1
Cf + Cd = (1)
2 × ÿ × 60 × Zp.u.
donde Zp.u. es la impedancia por unidad del sistema convertidor. Cf y Cd
denotan los valores de los condensadores de filtro. Para los inductores de
filtro, la caída total del inductor en condiciones nominales se considera del
5%. La frecuencia de resonancia efectiva (ÿres) está diseñada a 1,8 kHz,
que es más de cinco veces la frecuencia del séptimo armónico y menos de
una quinta parte de la frecuencia de conmutación.

Fig. 19. Fotografía de (a) inductores del lado del convertidor y (b) inductores del lado de
ls + lg .
ÿres = (2) la red. Se muestra una monofásica de los inductores del lado del convertidor.
Ls × Lg × (Cf + Cd)

El inductor del lado de la red y el inductor del lado del convertidor son 7,7
y 15,5 mH, respectivamente, y se calculan de acuerdo con [39]. En este
diseño se adopta una técnica de amortiguación pasiva para suprimir los
componentes de frecuencia de resonancia de la corriente. El valor de la
resistencia de amortiguamiento es de 20 ÿ y se calcula según [40]. El
procedimiento de diseño detallado para calcular los valores de los parámetros
del filtro se proporciona en [21]. En la Fig. 17 se muestra una respuesta de
frecuencia del filtro LCL diseñado, donde se puede ver la frecuencia de
esquina diseñada de 1,8 kHz. Físicamente, el inductor del lado del convertidor
debe diseñarse para soportar un componente de voltaje de frecuencia de
conmutación sobre el componente de frecuencia fundamental, así como una
ondulación de corriente de conmutación.
Por otro lado, el inductor del lado de la red es testigo solo del componente
de frecuencia fundamental de la corriente, ya que el filtro LCL proporciona
un filtrado de orden superior. Esto ayuda aún más a suavizar los voltajes a
través de los inductores del lado de la red. Esto hace que el diseño físico del
inductor del lado del convertidor sea más desafiante en comparación con el
inductor del lado de la red.
Además, el diseño de los inductores de filtro de MT del lado del
convertidor también requiere cuidadosas consideraciones de diseño con respectoMT
a la
requerido, como se muestra en la Fig. 19(a).
capacitancia parásita a través de ellos. Esto se debe a la alta dv/dt observada
a través de ellos durante las transiciones de conmutación [41].
La capacitancia parásita a través del inductor es perjudicial para el sistema
debido al hecho de que una corriente de modo diferencial (DM) fluye a través
de la capacitancia parásita, que, a su vez, fluye a través del dispositivo de
conmutación, creando pérdidas de conmutación adicionales y, por lo tanto,
disminuyendo la fiabilidad del sistema [32], [41]. Para validar esto, se realiza
un experimento en el sistema inversor trifásico de dos niveles, con una carga
RL. Se conecta una capacitancia externa de 1000 pF entre los inductores
para emular la capacitancia parásita. Se suministra un voltaje de bus de cd
de 2500 V y se usa una frecuencia de conmutación de 20 kHz. Se observa
un pico de corriente adicional de hasta 10 A, como se muestra en la Fig. 18.
La corriente adicional es el efecto de la alta dv/dt de estos dispositivos y la
capacitancia parásita efectiva a través de la ruta de corriente diferencial.
En el sistema convertidor frontal de MT, para los inductores del lado del
convertidor, se conecta una serie de inductores de BT para lograr el nivel de

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ANURAG et al.: SISTEMA AFEC TRIFÁSICO HABILITADO POR MOSFET SIC DE 10 KV DIRIGIDO A UNA APLICACIÓN SST
Fig. 20. Gráfico de impedancia de un solo inductor de BT.
Fig. 21. Voltaje en el inductor del lado del convertidor conectado en serie para demostrar
el voltaje máximo en la estructura conectada en serie.
Se realiza una caracterización frecuencial para medir la inductancia y
capacitancia de los inductores. A partir de la caracterización de frecuencia de
un solo inductor (ver Fig. 20), el valor de la inductancia a 10 kHz es de 1,75 mH
en comparación con 2,25 mH a 60 Hz.
Dado que el requisito de inductancia para el filtro del lado del convertidor es de
15,5 mH (consulte la Sección IV-A), nueve inductores en serie producen 9 ×
1,75 mH = 15,75 mH. El inductor del lado del convertidor experimenta un
voltaje máximo de casi 4 kV, como se muestra en la Fig. 21, para un voltaje de
red de 4,16 kV y un voltaje de enlace de CC de 7,2 kV. En el sistema, nueve
inductores están conectados en serie, cada uno con un voltaje nominal
recomendado de 600 V [42].
Una tensión nominal de 600 V para un inductor individual conduce a una
tensión nominal efectiva de 9 × 600 V = 5,4 kV. Dado que el voltaje máximo
experimentado por los inductores es de 4 kV, los inductores del lado del
convertidor pueden manejar el voltaje de manera suficiente.
Se realiza un breve análisis de la capacitancia parásita de estos inductores
para asegurar una corriente DM baja. Dado que estos son inductores de LV
comercialmente, se espera una alta capacitancia parásita de estos inductores.
La capacitancia parásita del inductor se evalúa a partir de la curva de
caracterización de frecuencia. Con una frecuencia de resonancia de 198 kHz y
una inductancia de 1,8 mH, se espera una capacitancia parásita de 0,36 nF.
Nueve de estos inductores están conectados en serie para reducir el efecto de
esta capacitancia parásita, así como para lograr la clasificación de voltaje
requerida. Bajo el supuesto de que los nueve inductores son
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5615
exactamente idénticos, la inductancia equivalente y la capacitancia equivalente
son
Leq = 9 × Lind = 9 × 1,8 mH = 15,75 mH (3)
1 1
Cp (eq) = × Cp (ind) = 9 × 0,36 nF = 0,04 nF. 9 (4)
Se llevan a cabo mediciones de la capacitancia parásita y la inductancia de
diferentes inductores, y se encuentra que la variación es mínima, lo que
garantiza la corrección de la suposición de la igualdad de los nueve inductores.
La conexión en serie de inductores de BT ofrece multitud de ventajas. La
conexión en serie de estos inductores ayuda a reducir la capacitancia parásita
efectiva a través de los inductores de filtro. Dado que se trata de estructuras
conectadas en serie, ofrece un nivel de modularidad al tiempo que amplía los
sistemas convertidores de MT. El inductor del lado de la red no necesita ninguna
consideración especial y está construido como un solo inductor trifásico, como
se muestra en la Fig. 19 (b).
B. Detección de voltaje y corriente
La detección de voltaje para el sistema convertidor de MT se lleva a cabo
utilizando un sensor LEM DV4200/SP4 disponible comercialmente, que puede
medir voltajes de hasta 4000 V, con un ancho de banda de 6,5 kHz. La mitad
del voltaje del enlace de CC se mide con el sensor, ya que el sensor tiene una
clasificación máxima de 4000 V. Se espera un error de medición total del 1 %
para este sensor de voltaje.
Esto genera un error de medición de voltaje máximo de 36 V para la medición
de voltaje del enlace de CC. Las mediciones de la tensión de la red se realizan
con sensores de tensión LEM LV100-4000/SP2V disponibles en el mercado.
La detección de corriente se lleva a cabo mediante componentes disponibles
en el mercado. Los sensores de corriente, LEM LA-55P, se utilizan en los
sistemas convertidores de MT ya que la corriente total medida es baja. Se
colocan cuatro vueltas de cables en cada sensor de corriente, midiendo así
cuatro veces la corriente, lo que ayuda a mejorar la precisión de la detección
de corriente.
Debido a la presencia de un alto dv/dt en el sistema, se ve mucho ruido en
la salida de detección, lo que conduce a una detección de retroalimentación
incorrecta y, por lo tanto, a la inestabilidad del controlador. Para evitar esto, se
proporciona un blindaje en el cableado de detección y se conecta directamente
a tierra. La presencia del blindaje reduce el ruido en la salida de detección ya
que la mayoría de las corrientes de CM, que viajan a través de los cables de
detección, se desvían directamente al terminal de tierra en lugar de a la tierra
de la placa de detección. Esto también asegura que todo el sistema esté
vinculado a un punto de referencia común. Como precauciones adicionales, se
colocan estranguladores CM en la fuente de alimentación para la placa de
detección. En la Fig. 22 se muestra un esquema del mecanismo de detección.
C. Tablero de retroalimentación de protección e implementación del controlador
La implementación del controlador se realiza utilizando un NI CRIO-9024 en
un entorno Labview, como se muestra en la Fig. 23(a).
En esta configuración, el sistema de NI se usa sobre una interfaz DSP+FGPA
más utilizada, teniendo en cuenta que es un controlador de grado industrial que
cumple con el estándar EMC EN61326 (IEC 61326) necesario y puede funcionar
con una humedad operativa de 10% RH para 90% HR, sin condensación (IEC
60068-2-56) y
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5616
Fig. 22. Esquema del mecanismo de detección de voltaje y corriente.
Fig. 23. Fotografía de (a) controlador NI CRIO-9024 utilizado para controlar el sistema convertidor
de media tensión y (b) placa ProFed-PWM utilizada para interconectar el sistema de convertidor
frontal de media tensión con el controlador.
un grado de contaminación de 2 (IEC 60664) [43]. Esto es necesario ya que el
sistema está orientado a la implementación en el campo real y la comercialización.
Además, la modularidad del sistema de NI en relación con la elección de los
módulos instalados lo convierte en la elección ideal para la implementación de
controladores.
Se utiliza una placa de protección-retroalimentación-PWM (ProFed-PWM) para
conectar el controlador al sistema y se muestra en la Fig. 23(b). La placa ProFed-
PWM tiene tres funciones esenciales.
1) Proporciona pulsos PWM ópticos a los controladores de puerta.
2) Convierte las señales de detección de corriente de los sensores de voltaje
y corriente en señales de voltaje para interactuar con el controlador.
3) Brinda un nivel de protección de hardware al sistema al deshabilitar los
pulsos PWM e informar al sistema del controlador cuando los voltajes/
corrientes detectadas exceden los valores predeterminados.
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TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022
TABLA VII
PARÁMETROS DEL CONTROLADOR
V. DISEÑO DE CONTROL DEL SISTEMA MV-AFEC
La estrategia de control para el MV-AFEC tiene como objetivo mantener el
voltaje del enlace de CC en un valor establecido. Para controlar el sistema MV-
AFEC se utiliza un control de corriente orientado a la tensión de bucle cerrado
basado en una trama dq síncrona. La Fig. 24 muestra la estrategia de control del
sistema MV-AFEC. Se utiliza un bucle trifásico síncrono de bloqueo de fase para
sincronizar la tensión del inversor con la tensión de la red. El controlador de voltaje
del enlace de CC genera la referencia de corriente para el eje d (i
ÿ
sd) controlador de corriente, y la referencia de
corriente para el eje q es controlada por el usuario. Se utiliza un controlador
integral proporcional (PI) en el circuito de control de corriente interno.
Los términos feedforward necesarios también se agregan a la ruta de control.
El ancho de banda del controlador de corriente interno está diseñado para ser
diez veces menor que la frecuencia de conmutación. Según estos criterios, se
determinan los parámetros del controlador Kp_cc y Ki_cc . La Fig. 25 muestra la
función de transferencia entre la corriente de la red y la tensión del inversor, con
y sin el controlador PI. Se implementa un lazo de control de voltaje externo para
regular el voltaje del bus de CC. Este controlador genera la referencia de corriente
del eje d a medida que la transferencia de potencia activa entre los lados de CC y
CA afecta la dinámica del bus de CC. El ancho de banda del controlador de bus
de CC está diseñado para ser diez veces más lento que el bucle de corriente
interno para garantizar que los controladores no interactúen entre sí. La Fig. 24
muestra el diagrama de bloques del sistema controlador. En el Apéndice A se
proporciona información adicional sobre diferentes retrasos. La Tabla VII
proporciona los parámetros del sistema del controlador. Además, el efecto de la
discretización del sensor se ha tenido en cuenta al diseñar los parámetros del
controlador para lograr un mejor rendimiento dinámico.
Se encuentra que el efecto de los retardos del sensor es insignificante para
diseñar el controlador para el rango de frecuencia bajo consideración. El
controlador de voltaje está diseñado para lograr una frecuencia de cruce de
ganancia objetivo de 100 Hz (una décima parte del ancho de banda del controlador
de corriente). La Fig. 26 presenta la función de transferencia entre el voltaje del
bus de CC a la corriente del eje d con y sin el controlador PI. En el Apéndice A se
proporciona información adicional que muestra la derivación de las funciones de
transferencia para el controlador.
VI. PRUEBAS EXPERIMENTALES DE LA MV
SISTEMA CONVERTIDOR
Con la disponibilidad limitada y el alto costo de los MOSFET de SiC de 10 kV,
las pruebas simples, que involucran pruebas de doble pulso, pruebas de
convertidores reductores y elevadores, pruebas de convertidores reductores y
elevadores, pruebas de puente completo, etc., se llevan a cabo a diferentes
voltajes. niveles para evaluar los módulos XHV [34]. Las operaciones del
controlador de compuerta, el disipador de calor y los módulos XHV se verifican en
estas pruebas. Una fuente de poder de 10 kV cd de Magna Power se construye conectando en
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ANURAG et al.: SISTEMA AFEC TRIFÁSICO HABILITADO POR MOSFET SIC DE 10 KV DIRIGIDO A UNA APLICACIÓN SST 5617

Fig. 24. Controlador de corriente del eje d y controlador de voltaje de bus de CC que muestran todos los retrasos en el sistema real. El controlador de corriente del eje q es similar al controlador de corriente
del eje d con un pequeño cambio en la entrada y los términos de avance.

Fig. 27. Esquema de una configuración de prueba de inversor trifásico espalda con espalda para
probar el control de voltaje.

unidades de Magna Power XR10000-0.8/480 y se usa para probar

propósitos
La prueba inicial del sistema del convertidor de media tensión, incluido el
control de tensión, se lleva a cabo mediante un sistema espalda con espalda,
como se muestra en la Fig. 27. MVPB#1 proporciona la señal de tensión de
CA trifásica requerida, que actúa como la red. tensión, para MVPB#2.
Esta prueba se parece mucho a la operación de un sistema inversor trifásico
Fig. 25. Diseño del controlador de corriente que muestra el diagrama de Bode del sistema con y sin
el controlador PI (PM: margen de fase).
conectado a la red, ya que el MVPB#2 funciona en el modo de operación de
control de voltaje con su puerto de CA conectado a una fuente de voltaje de
CA trifásico. Esto es más seguro que una operación conectada a la red
debido al hecho de que la etapa de conversión CC-CA (MVPB#1) es
controlable. La fuente de alimentación de CC tiene funciones de protección
integradas, que apagan el voltaje de entrada durante situaciones anormales.

Se realizan diversas pruebas experimentales para validar el

funcionamiento de estos dispositivos en un sistema MV-AFEC. Los resultados
de las pruebas experimentales a un voltaje de enlace de CC de 3000 V para
MVPB#2 para una corriente activa de 5 A y una corriente reactiva de 0 y 10
A se muestran en la Fig. 28(a) y (b), respectivamente. MVPB#1 funciona en
lazo abierto a una tensión de enlace de CC de 1200 V y un índice de modulación de 0,8.
Se realizan pruebas experimentales a una tensión de enlace de CC de
3500 V para una corriente activa de 7 A y una corriente reactiva de 5 A,
como se muestra en la Fig. 29, para garantizar el funcionamiento del sistema
MV-AFEC en esa CC. voltaje de enlace El voltaje de CC de MVPB#1 se
mantiene en 2000 V mientras se mantiene el índice de modulación en 0,8.
Cabe señalar que la tensión de red emulada para MVPB#2 no es una forma
de onda de tensión sinusoidal sino una forma de onda conmutada con una
frecuencia sinusoidal de 60 Hz y una tensión de fase fundamental máxima
Fig. 26. Diseño del controlador de voltaje que muestra el diagrama de Bode del sistema con y sin el
de 800 V (tensión del polo de salida de MVPB#1). Con la operación exitosa
controlador PI (PM: margen de fase).
del convertidor MV en un back-to-back

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5618 TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022

Fig. 30. (a) Funcionamiento conectado a red emulado del sistema MT-AFEC.
Fig. 28. Resultados experimentales de las pruebas consecutivas de control de voltaje a un Fotografía de (b) el inversor de LV utilizado para la emulación de red y (c) transformador elevador
de 60 Hz con una relación de vueltas de 1:15.
voltaje de enlace de CC de 3000 V para una corriente activa de 5 A y una corriente reactiva
de (a) 0 A y (b) 10 A. (Ch1: Voltaje de polo (VRY,OL); Ch2: Voltaje de enlace de CC de MV
(VDC); Ch3: Corriente a través de la fase R (IR); Ch4: Corriente a través de la fase Y (IY).

Fig. 29. Resultados experimentales de las pruebas consecutivas con control de voltaje a 3500 V.
(Ch1: voltaje de bus de CC (VDC); Ch2: voltaje de línea a línea YB del inversor de circuito cerrado
(VYB, CL); Ch3: cerrado -inversor de bucle (VRY,CL); Ch4: inversor de bucle abierto VYB,OL; Ch5:
inversor de bucle abierto VRY,OL; Ch6: corriente de fase R (IR); Ch7: corriente de fase Y (IY); Ch8:
Corriente de fase B (IB).)

sistema, se realizan pruebas para garantizar el funcionamiento de

MVPB#2 con una entrada trifásica sinusoidal en el puerto de CA. Se
utiliza un inversor de BT, junto con un transformador elevador de 60 Hz
(480 V/7200 V), para generar el voltaje de CA trifásico requerido, como
se muestra en la Fig. 30. Se realizan pruebas para validar la operación
en este escenario para varios voltajes de enlace de CC, como se
muestra en la Fig. 31. El espectro de frecuencia de la corriente del
inversor y la corriente de la red se mide para la Fig. 31 (b) y se muestra
en la Fig. 31 (c). La distorsión armónica total (THD) de la corriente del
inversor se mide según el estándar IEEE 519-2014 [44] y es del 2,75 %.
El funcionamiento del sistema convertidor de media tensión se valida
aún más cargando el sistema con una carga resistiva. Se conecta una
carga resistiva de 490 ÿ a través del enlace de CC para lograr una
transferencia de potencia de 25 kW. La Fig. 32 muestra el funcionamiento
Fig. 31. Resultados experimentales para la prueba MV-AFEC a (a) 3000 V y (b)
del sistema convertidor de MT a diferentes valores de tensión y niveles Enlace de 3500 V CC con una corriente activa de 5 A y una inyección de corriente reactiva de 3 A.
de potencia. Se ve que las corrientes son de naturaleza casi sinusoidal. (Ch1: voltaje de enlace de CC (VDC); Ch2: voltaje de polo (VRY, CL); Ch3: voltaje de polo (VYB,
CL) Ch4 : Corriente del inversor a través de la fase R (IR,INV) Ch5: Corriente del inversor a través
El espectro de frecuencia de la corriente del inversor y la corriente de la
de la fase Y (IY,INV).) (c) Espectro de frecuencia de la corriente del inversor de la Fig. 31(b) para
red se mide para la Fig. 32(b) y se muestra en la Fig. 33. El THD de la un rango de frecuencia hasta 3 kHz (RMS de frecuencia fundamental: 7,3 A).
corriente del inversor y la corriente de la red es 2,67 % y 2,31 %, respectivamente.

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ANURAG et al.: SISTEMA AFEC TRIFÁSICO HABILITADO POR MOSFET SIC DE 10 KV DIRIGIDO A UNA APLICACIÓN SST
Fig. 32. Resultados experimentales para el sistema MV-AFEC con carga activa a (a) 3000 V y (b)
3500 V. Se conecta una carga resistiva de 490 ÿ en el enlace de CC y, por lo tanto, una potencia
activa de 18,5 y Se transfieren 25 kW, respectivamente.
(Canal 1: voltaje del enlace de CC (V CC); Canal 2: voltaje del polo (VRY, CL); Canal 3: voltaje del
polo (VYB, CL); Canal 4 : corriente del inversor a través de la fase R (IR, INV); Canal 5: corriente del
inversor a través fase Y (IY,INV); Canal 6: corriente de red a través de la fase R (IR, RED); Canal 7:
corriente de red a través de la fase Y (IY, RED).)
Fig. 33. (a) Espectro de frecuencia de la corriente del inversor para un rango de frecuencia de hasta
3 kHz (RMS de frecuencia fundamental: 13,48 A). (b) Espectro de frecuencia de la corriente de red
para un rango de frecuencia de hasta 3 kHz (RMS de frecuencia fundamental: 12,64 A).
El THD está dentro de los límites IEEE de 5% THD y 3% THD
componente para armónicos individuales. La Fig. 34 muestra las formas
de onda de voltaje y corriente para el sistema inversor de BT utilizado
para la emulación de red.
Con la operación exitosa de los MOSFET de SiC de 10 kV a un nivel
de voltaje de 3500 V, los resultados experimentales demuestran
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Fig. 34. Resultados experimentales para el emulador de red de BT que acciona el sistema MV-AFEC
con carga activa a (a) 3000 V y (b) 3500 V. Se transfiere una potencia activa de 18,5 y 25 kW,
respectivamente, en los dos casos . (Canal 1: Voltaje de polo a través de la fase R y la fase Y; Canal
2: Voltaje a través del capacitor de filtro del filtro LCL; Canal 3: Corriente a través de la fase R de BT;
Canal 4: Corriente a través de la fase Y de BT).
Fig. 35. Resultados experimentales que muestran el funcionamiento del sistema MV-AFEC a una
tensión de enlace de CC de (a) 6 kV y (b) 7,2 kV. (Canal 1/Canal 4: voltaje del polo de MT (vRY-MV/
vYB-MV); Canal 2 : corriente de la red a través de la fase R; Canal 3/Canal 7: corriente del inversor
a través de la fase R/Y de MT; Canal 8: voltaje del enlace de CC de MT (vdc -MV).)
se demuestra el funcionamiento del MV-AFEC a niveles de voltaje más
altos. La Fig. 35 muestra el funcionamiento del MV-AFEC con una
tensión de enlace de CC de 6 y 7,2 kV y una corriente máxima de 12 y
17 A, respectivamente. La Fig. 36 muestra el resultado de la medición
térmica durante el funcionamiento continuo del sistema MV-AFEC
después de 30 min de funcionamiento. Dado que el sistema convertidor
de MT está destinado a una aplicación SST, la validación final del
funcionamiento del convertidor, incluido el controlador, se realiza mediante el uso de u
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5620
Fig. 36. Resultado de la medida térmica durante el funcionamiento continuo del sistema MV AFEC tras 30
min de funcionamiento.
Fig. 37. Resultados experimentales que muestran el funcionamiento en cascada del sistema MV AFEC con
el sistema convertidor DAB (a) MV-AFEC. (Canal 1: voltaje del enlace de CC de MT (vdc-MV); Canal 2/Canal
3: voltaje del polo de MT (vRY-MV/vYB-MV); Canal 4/Canal 5: Corriente del inversor a través de la fase R/Y
de MT; Canal 6/Canal 7/Canal 8: corriente de la red a través de la fase R/Y/B de MT), y (b) sistema DAB
(Canal 1: voltaje del enlace de CC de BT (vdc-LV); Canal 2 : voltaje del polo de MT (vRY-MV); Canal 3:
voltaje del polo de BT ( vRY-LV); Ch4/Ch5: corriente a través de la fase R/Y de MV; Ch6/Ch7: corriente a
través de la fase R/Y de LV).
carga activa (es decir, el convertidor DAB). Dado que el DAB forma una carga
activa, la estabilidad del sistema se ve afectada de manera diferente en
comparación con los casos anteriores. Se realiza un análisis de estabilidad
para asegurar el correcto funcionamiento del sistema MV-AFEC para una
aplicación SST y se muestra en el Apéndice B. Resultados experimentales
que muestran el funcionamiento del sistema MV-AFEC en cascada con la
etapa dc-dc (sistema convertidor DAB ) se muestran en la Fig. 37. El
funcionamiento del convertidor DAB a una tensión de enlace de CC de 7,2 kV
también se muestra en la Fig. 38, validando el diseño y desarrollo del sistema
convertidor de potencia de media tensión. Todo el sistema se opera con éxito
y se demuestra en un contenedor móvil, instalado en la base naval de Port
Hueneme, CA, EE. UU., como se muestra en la Fig. 39. Los resultados
demuestran el funcionamiento continuo exitoso del sistema en el laboratorio,
así como contenedor móvil.
VIII. ANÁLISIS DE EFICIENCIA DEL MVPB
Se realiza una estimación y medición de la eficiencia del MVPB. Con los
datos obtenidos de la caracterización estática y dinámica se desarrollan
modelos de pérdida de dispositivos en PLECS
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TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022
Fig. 38. Resultados experimentales que demuestran el funcionamiento del sistema DAB del MUSE-SST a
una tensión de enlace de CC de 7,2 kV y una transferencia de potencia activa de 30 kW. (Canal 1/Canal 6:
Tensión del polo de MT/BT (vRY-MV/vRY-LV); Canal 2/Canal 4: Corriente a través de la fase R/Y de BT;
Canal 3/Canal 8: Corriente a través de la fase MV R/Y; Canal 5/ Canal 7: voltaje de enlace de CC de LV/MV
(vdc-LV/vdc-MV).)
Fig. 39. Fotografía de todo el sistema SST en un contenedor móvil (a) fuera del contenedor móvil y (b) dentro
del contenedor móvil.
Fig. 40. Esquema de una configuración de prueba de inversor trifásico espalda con espalda para estimar la
eficiencia de los bloques de potencia. Los enlaces de CC de ambos bloques de alimentación están en
cortocircuito y el enlace de CA está conectado a través de inductores de media tensión.
para estimar la eficiencia del bloque de potencia. Esto se verifica
experimentalmente utilizando la prueba consecutiva, similar a [45], con el
enlace de CC de los bloques de potencia individuales conectados entre sí y el
enlace de CA conectado a través de un inductor trifásico, como se muestra en
la Fig. 40. En la prueba consecutiva, un bloque de alimentación (MVPB#1)
regula la tensión del enlace de CA con un cierto índice de modulación y el otro
bloque de alimentación (MVPB#2) controla la alimentación que circula entre
ellos. La fuente de alimentación de CC de entrada solo proporciona las
pérdidas del sistema y, por lo tanto, la eficiencia de los bloques de alimentación
se puede estimar en diferentes condiciones de funcionamiento. La Fig. 41
muestra la eficiencia simulada y medida del MVPB para varios valores de
potencia transferida. La Fig. 42 muestra el desglose de las pérdidas por
conmutación y conducción para cada uno de los casos a una potencia
transferida de 2500 W y 35 kW. Se observa que la mayoría de las pérdidas se
observan como pérdidas por conmutación, y solo una pequeña fracción de la
pérdida de potencia total se debe a la pérdida por conducción.
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Fig. 41. Eficiencia medida y simulada del MVPB a un voltaje de enlace de CC de 7200 V.
Fig. 42. Desglose de pérdidas medidas de un solo dispositivo en el MVPB para diferentes
frecuencias de operación y transferencia de potencia.
Esto es de esperar ya que las pérdidas de energía de conmutación de los
MOSFET de SiC de 10 kV son del orden de decenas de milijulios (20–100 mJ). la operación en la base naval de Port Hueneme, CA, EE. UU.
Sin embargo, el porcentaje de pérdidas por conducción aumenta con el
aumento de potencia transferida a través del convertidor debido al aumento
de corriente a través de los dispositivos. También debe tenerse en cuenta
que las pérdidas totales y, en consecuencia, la eficiencia, disminuyen en una
cantidad significativa para una frecuencia de conmutación de 20 kHz. Según
las mediciones, se observa una eficiencia máxima del 95,5 % con una
transferencia de potencia de 35 kW. Se puede ver que las eficiencias
experimentales son ligeramente inferiores a las obtenidas una vez mediante
simulaciones. Esto se atribuye a que las pérdidas en el inductor no se
consideran en los resultados de la simulación.
Las pérdidas adicionales en el inductor disminuyen las eficiencias
experimentales.
VIII. CONCLUSIÓN
Este artículo demuestra el funcionamiento continuo de los módulos
MOSFET de SiC Gen3 de 10 kV en un sistema AFEC trifásico con un voltaje
de enlace de CC de 7,2 kV por primera vez en la literatura.
Los desafíos de diseño asociados con la operación exitosa de estos
dispositivos SiC de 10 kV también se analizan en detalle. Está
identificó que la reducción de la corriente CM a través de los controladores
de compuerta y de la corriente DM a través de los inductores de filtro
demuestra ser el desafío de diseño más crítico para operar los módulos
MOSFET SiC de 10 kV de manera continua y confiable. Estos problemas
principales se atribuyen directamente al alto dv/dt de los MOSFET de SiC de
10 kV y no suelen estar presentes en los sistemas de BT. Se proponen
soluciones para mitigar el efecto dv/dt en el funcionamiento del sistema
convertidor. Se presenta una solución térmica compacta basada en una
solución de termosifón de bucle, teniendo en cuenta
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Fig. 43. Representación esquemática del circuito equivalente por fase que muestra un modelo
simplificado del filtro LCL, que es esencialmente un filtro L.
su escalabilidad para diseños de mayor potencia. Basándose en las pérdidas
medidas, la gestión térmica puede proporcionar una solución para un sistema
de hasta 500 kVA con el mismo espacio y simplemente cambiando el
condensador. Se proporciona una metodología de prueba y resultados
experimentales de los módulos MOSFET SiC de 10 kV , que validan el
funcionamiento confiable de estos dispositivos SiC de 10 kV y la corrección
de las consideraciones de diseño. También se muestra el funcionamiento de
la AFEC en cascada con el sistema DAB, lo que demuestra la validez del
desarrollo del MVPB. También se mide la eficiencia del MVPB diseñado y se
observa una eficiencia máxima del 95,5 %. Las consideraciones de diseño y
las pruebas experimentales consecuentes están destinadas a servir como un
procedimiento estandarizado para diseñar e implementar sistemas
convertidores de MT.
Se prevé que la operación exitosa de estos dispositivos MV SiC allanaría el
camino para su despliegue en operaciones de campo real, como lo demuestra
APÉNDICE A
FUNCIONES DE TRANSFERENCIA DEL CONVERTIDOR
Dado que el sistema considerado es un sistema trifásico balanceado, un
circuito equivalente por fase es suficiente para modelar el sistema.
Los condensadores de filtro en el filtro LCL están diseñados para transportar
el 5 % de la corriente nominal y, por lo tanto, la corriente a través del
condensador,
red. Elsisistema
el total puede,
es muypor
bajoloen
tanto,
comparación
simplificarse
conalaun
corriente
circuito,de
como
la
se muestra en la Fig. 43. Para simplificar, se definen las siguientes relaciones:
iinv = ig (5)
L = Linv + Lg (6)
(7)
r = rinv + rg.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la Fig. 43, y transformando en
el marco de referencia giratorio del vector de voltaje de la red, obtenemos
vinv, dq = r ig, dq + +LdÿgL
ig, ig,
dq qd + vg, dq (8)
DT
donde ÿg representa la frecuencia de la red. La ecuación (8) puede
transformarse en el dominio de Laplace y representarse en diagramas de
bloques tanto para el eje d como para el eje q, como se muestra en la Fig. 44.
La figura 44 representa la relación dinámica entre la tensión del inversor,
vinv,dq, y la corriente de la red, iinv,dq.
Para la dinámica del voltaje de CC, suponiendo que el inversor y el filtro
LCL tienen cero pérdidas de potencia, la corriente de CC idc puede ser
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5622 TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022

Fig. 44. Representación (a) eje q y (b) eje d del modelo simplificado de la
filtro LCL.

Fig. 45. Modelo de pequeña señal del puerto de CC. Fig. 47. Impedancias de entrada y salida en lazo cerrado del AFEC y el DAB,
respectivamente.

el controlador. Se incorpora una función de transferencia de retención de

orden cero en la ruta de retroalimentación para emular el efecto de la
discretización del controlador digital.

1
RetrasoZOH = s
. (13)
1+ fsw

Fig. 46. Representación simplificada del puerto de enlace de CC de media tensión que muestra
la impedancia de salida de bucle cerrado del AFEC y la impedancia de entrada de bucle cerrado del
sistema DAB.
Además del retraso inherente causado por la discretización,
el retardo del sensor, tdel, también debe tenerse en cuenta y puede
ser representado como

1
derivado del análisis de la ecuación de balance de potencia presentada en Retraso = 1 . (14)
+ estándar
(9). Además, como el sistema convertidor está equilibrado y tres
fase en la naturaleza, la potencia de CA instantánea es constante Además de estos retrasos, la función de transferencia del inversor
también se tiene en cuenta, que puede ser representado por el
3vg,d(t)ig,d(t) siguiente función de transferencia de primer orden:
idc(t) = f(vg,d(t), ig,d(t), vdc(t)) = 2vdc(t) . (9)
1
RetardoINVERSOR = s
. (15)
El modelo de pequeña señal del puerto de CC AFEC se puede obtener mediante 1+ 2fsw
perturbando y linealizando (9) alrededor de cualquier punto de operación; el
se pueden derivar las siguientes relaciones: Este retraso está presente inherentemente y surge del retraso
entre la tensión de referencia del inversor (vÿ) y la salida real
3Vg, excavación, d tensión del sistema inversor. La Fig. 24 muestra el control completo
Idc = (10)
2Vcc sistema, incluidos todos los retrasos. Para el diseño del controlador, es
observó que el efecto de los retrasos del sensor es insignificante para
3Ig,d 3Vg,d 3Vg, excavación, d
ˆidc(t) = ˆig,d + vˆg,d + 2 vdc (11) el rango de frecuencia considerado. Sin embargo, el efecto
2Vcc 2Vcc 2V CC
del retardo de discretización y el retardo PWM se ha tomado
donde X y xˆ dan el punto de operación y la perturbación del en consideración al diseñar el sistema de control. el augurio
parámetro, respectivamente. La representación de pequeña señal de la gráficos para el sistema se muestran en las Figs. 25 y 26, donde una fase
El puerto de CC de un sistema AFEC no terminado se muestra en la Fig. 45. margen de 80ÿ y 85ÿ muestra la estabilidad del sistema.
De la Fig. 45, la relación entre la corriente de rejilla del eje d, ˆigd,
y vˆdc se puede derivar como APÉNDICE B

ESTABILIDAD DEL SISTEMA CONVERTIDOR CON UN

2
vdc 2Vcc_
= ÿ3Vgd × . (12) CARGA ACTIVA
2
2Vcc 2V CCCCCC + 3VgdIgd
igd
El MV-AFEC, cuando está interconectado con una carga activa,
A partir de la dinámica de la corriente alterna y la dinámica del voltaje de cd, DAB, con un enlace de CC común, se puede representar, como se muestra en
se puede diseñar el sistema de controlador completo. Además, Fig. 46. La estabilidad del sistema en cascada se puede determinar mediante
el efecto de la discretización se tiene en cuenta al diseñar analizar estas impedancias de bucle cerrado. De la Fig. 46, la CC

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ANURAG et al.: SISTEMA AFEC TRIFÁSICO HABILITADO POR MOSFET SIC DE 10 KV DIRIGIDO A UNA APLICACIÓN SST
voltaje visto por el DAB vˆdc,DAB se puede determinar como
Zin,DAB-CL(s)
vˆdc,DAB = ˆvdc,AFEC
Sal,AFEC-CL(s) + Zin,DAB-CL(s)
1 trifásica habilitada por un IGBT SiC de 15 kV", IEEE Power Electron. Mag., vol. 2, núm.
= ˆvdc,AFEC (dieciséis)
1 + Zout,AFEC-CL(s)/Zin,DAB-CL(s)
donde vˆdc,AFEC es la tensión continua de salida no terminada del
sistema AFEC. Por lo tanto, para que vˆdc,DAB sea estable e igual a
vˆdc,AFEC, se debe cumplir la siguiente condición: Zin,DAB-CL(s) .
Sal,AFEC-CL(s) (17)
Esta es una condición suficiente para que la etapa del convertidor
DAB se desacople del sistema AFEC [46]. La Fig. 47 muestra la
impedancia de entrada de bucle cerrado del convertidor DAB y la
impedancia de salida de bucle cerrado del MV-AFEC. Un estudio
detallado del análisis de estabilidad del sistema convertidor de MT con
carga activa se lleva a cabo en [35].
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[34] A. Anurag, S. Acharya y S. Bhattacharya, "Evaluación del módulo de alimentación de voltaje
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[35] S. Acharya, A. Anurag y S. Bhattacharya, “Análisis de estabilidad de un sistema convertidor
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5624 TRANSACCIONES IEEE SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA, VOL. 37, núm. 5, MAYO 2022

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en filtro LCL", IEEE Trans. Ind. Appl., vol. 41, núm. 5, págs. 1281–1291, septiembre/octubre.
Subhashish Bhattacharya (Miembro sénior, IEEE) recibió el título
2005.
de BE del Instituto Indio de Tecnología Roorkee, Roorkee, India, en
[40] W. Wu, Y. He, T. Tang y F. Blaabjerg, "Un nuevo método de diseño para el inversor monofásico
1986, el título de ME del Instituto Indio de Ciencias, Bengaluru,
conectado a la red basado en filtros LCL y LLCL con amortiguación pasiva", IEEE Trans. Ind.
India, en 1988, y el Ph.D. título de la Universidad de Wisconsin–
Electron., vol. 60, núm. 10, págs. 4339–4350, octubre de 2013.
Madison, Madison, WI, EE. UU., en 2003, todo en ingeniería
eléctrica.
[41] S. Acharya, A. Anurag, Y. Prabowo y S. Bhattacharya, “Consideraciones prácticas de diseño
para el filtro MV LCL en condiciones de dv/dt alto considerando los efectos de los elementos De 1998 a 2005, estuvo en la división FACTS y Power Quality,
parásitos”, en Proc. noveno IEEE internacional. Síntoma Electrón de potencia. Distribuir
Westinghouse/Siemens Power T&D. En agosto de 2005, se unió al
genero Syst., junio de 2018, págs. 1 a 7.
Departamento de Ingeniería Eléctrica e Informática de la Universidad
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Estatal de Carolina del Norte, Raleigh, NC, EE. El Centro de
http://www.hammondmfg.com/195.htm
Sistemas de Gestión y Suministro de Energía Eléctrica Renovable del Futuro de la Fundación y EE.
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14 de marzo de 2020. [En línea]. Disponible: https://www.ni. com/pdf/manuals/375233f.pdf
[44] Requisitos y prácticas recomendadas de IEEE para el control de armónicos en sistemas
de energía eléctrica, estándar IEEE 519-2014 (revisión del estándar IEEE 519-1992), 2014, págs. 1
Instituto PowerAmerica del Departamento de Energía. Una parte de su Ph.D. York Corporation
a 29.
comercializó investigaciones sobre filtros de energía activa para enfriadores de aire acondicionado.
Sus intereses de investigación incluyen transformadores de estado sólido, convertidores de potencia
[45] X. She et al., "Bloque de alimentación de carburo de silicio de alto rendimiento para aplicaciones
de media tensión, sistemas flexibles de transmisión de CA, aplicaciones de servicios públicos,
industriales", IEEE Trans. Ind. Appl., vol. 53, núm. 4, págs. 3738–3747, julio/agosto. 2017.
magnetismo de alta frecuencia y aplicaciones de conversión de potencia de dispositivos SiC.

[46] R. Middlebrook, “Consideraciones sobre el filtro de entrada en el diseño y la aplicación de

reguladores de conmutación”, en Proc. Aplicación industrial IEEE Soc. año Reunión, 1976,
págs. 366–382.

Anup Anurag (miembro estudiante, IEEE) recibió el B.Tech. grado Todd R. Weatherford (Senior Member, IEEE) recibió el título de
en ingeniería eléctrica del Instituto Nacional de Tecnología,
BSEE de la Universidad de Rutgers, New Brunswick, NJ, EE. UU.,
Rourkela, India, en 2013, el M.Sc. grado en ingeniería eléctrica y en 1983, y el MSEE y Ph.D. grados de la Universidad Estatal de
tecnología de la información del Swiss Federal Institute of
Carolina del Norte, Raleigh, NC, EE. UU., en 1986 y 1992,
Technology, Zürich, Suiza, en 2015, y el Ph.D. título de la
respectivamente.
Universidad Estatal de Carolina del Norte, Raleigh, NC, EE. UU.,
en 2021.
Ha ocupado cargos en Edmund Scientific, Barrington, NJ; RCA
Broadcast Systems, Camden, Nueva Jersey; Laboratorios de
Actualmente es miembro del personal de I+D del laboratorio de
Tecnología Avanzada RCA, Camden; y el Laboratorio de
electrónica de potencia Milan M. Jovanovi´c, Delta Electronics
Investigación Naval, Washington, DC, EE. UU. En 1995, se
(Americas) Ltd., Research Triangle Park, NC, EE. UU. Fue
incorporó a la Facultad de Ingeniería Eléctrica, Escuela Naval de
estudiante invitado en la Universidad de Aalborg, Aalborg, Dinamarca, desde septiembre de 2014
Posgrado, Monterey, CA, EE. UU., donde actualmente es profesor con más de 100 tesis de
hasta febrero de 2015. Desde diciembre de 2015 hasta mayo de 2016, fue ingeniero de proyectos en
estudiantes de posgrado. Es autor de más de 80 publicaciones sobre efectos de radiación, electrónica
el Instituto Indio de Tecnología de Kanpur, Kanpur, India, donde participó en el diseño e
y confiabilidad de dispositivos.
implementación de inversores para aplicaciones fotovoltaicas. Sus intereses de investigación actuales
El Dr. Weatherford es miembro de IEEE Reliability Society y de IEEE
incluyen la integración en la red de sistemas de energía renovable, el control de convertidores de CC-
Sociedad de Ciencias Nucleares y del Plasma.
CC, convertidores de alta potencia de voltaje medio, aplicaciones de dispositivos de potencia de
banda prohibida amplia, transformadores de estado sólido y confiabilidad de sistemas electrónicos
de potencia.

Sayan Acharya (Miembro sénior, IEEE) recibió la Licenciatura en

Ingeniería Eléctrica de la Universidad de Jadavpur, Kolkata, India,
Andrew A. Parker recibió el título de BME del Instituto de
en 2008, la Maestría en Tecnología del Instituto Indio de Tecnología
Tecnología de Georgia, Atlanta, GA, EE. UU., en 1979, el título de
Kharagpur, Kharagpur, India, en 2010, y el Ph. .D. título de la
MSES de la Escuela de Posgrado Naval, Monterey, CA, EE. UU.,
Universidad Estatal de Carolina del Norte (NCSU), Raleigh, NC,
en 1992 y el título de MSEM de la Universidad de Maryland
EE. UU., en 2019, todo en ingeniería eléctrica.
University College, College Park, MD, EE. UU., en 1994.

De 2010 a 2013, estuvo en Emerson Net work Power Pvt., Ltd.,

Fue oficial de ingeniería a bordo de un submarino de propulsión
India. De 2014 a 2019, fue asistente de investigación en el Centro
de Sistemas de Gestión y Suministro de Energía Eléctrica nuclear y enseñó en el Departamento de Física y el Departamento
de Ingeniería Eléctrica de la Academia Naval de EE. UU., Annapolis,
Renovable del Futuro de la Fundación Nacional de Ciencias, NCSU. Desde junio de 2019 hasta
MD. En 1996, se incorporó a la Facultad de Ingeniería Eléctrica de
febrero de 2021, fue científico investigador en ABB US Corporate Research Center, Raleigh.
la Escuela Naval de Posgrado, donde enseñó y realizó investigaciones sobre interferencia
Actualmente es ingeniero principal (electrónica de potencia) en GE Global Research Center,
electromagnética/compatibilidad electromagnética en todo el mundo en apoyo de las comunicaciones
Niskayuna, NY, EE. UU. Sus intereses de investigación incluyen convertidores de electrónica de
de defensa como investigador asociado hasta 2020. Actualmente es consultor.
potencia basados en dispositivos de banda prohibida amplia, diseño de controladores de compuertas,
técnicas de activación de compuertas activas para dispositivos de SiC, interruptores automáticos de
El Dr. Parker es un ingeniero profesional con licencia en ingeniería eléctrica y mecánica.
estado sólido, control y topologías de convertidores de alta potencia e interruptores automáticos de
estado sólido.

Licencia de uso autorizada limitada a: IT DE MORELIA. Descargado el 31 de enero de 2022 a las 18:50:40 UTC desde IEEE Xplore. Se aplican restricciones.