UNIDAD 3

EL IGBT

Tanto el BJT y el MOSFET se pueden emplear en aplicaciones de conmutación de alta

potencia. El MOSFET tiene la ventaja de una mayor velocidad de conmutación y el
BJT tiene menores perdidas de conducción.
Un conmutador ideal sería poder combinar las cualidades de los 2 anteriores. Este
dispositivo hibrido existe ; es el IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor); el IGBT
combina las características del MOSFET y el BJT que lo hacen útil en aplicaciones de
conmutación de alto voltaje y alta corriente. Este dispositivo procede esencialmente de
la tecnología MOSFET de potencia.
La figura 3.22 muestra la estructura básica de un IGBT de canal N; como puede
observarse tiene terminales de compuerta, emisor y colector.

Estructura básica del IGBT

Figura 3.22

Hay disponibles 2 versiones de este dispositivo:

IGBT PT (Punch – Through)
IGBT NPT (NonPunch – Through)

La figura 3.22 muestra la estructura de un IGBT PT formado por una capa de

separación n+ entre las regiones p+ y n– .
El dispositivo IGBT NPT no tiene la capa de separación n+ . La versión NPT tiene
valores de conducción VCE(on) mayores que las de los PT y un coeficiente de
temperatura positivo; este coeficiente de temperatura positivo hace que el NPT sea mas
adecuado para montaje en paralelo.

La versión PT que tiene la capa n+ adicional , presenta mayor velocidad de

conmutación y un coeficiente de temperatura negativo.

La figura 3.23 muestra los símbolos esquemáticos de un IGBT de canal N .

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IGBT. (a) y (b) Símbolos esquemáticos. (c) Circuito equivalente simplificado

Figura 3.23

Se observa que el IGBT es principalmente un MOSFET de potencia en el lado de la

entrada y un BJT en el lado de la salida.
El IGBT es un dispositivo normalmente en corte, con una alta impedancia de entrada;
por tanto los IGBT son soluciones efectivas para aplicaciones de alta tensión y corriente
a frecuencias moderadas.

Los IGBT son superiores al MOSFET porque pueden manejar voltajes en el colector
respecto del emisor de más de 200v y además conmutan más rápidamente que un BJT.
La siguiente tabla refleja una comparación de sus características:

CARACTERISTICAS IGBT MOSFET BJT

Tipo de excitación de entrada voltaje voltaje corriente
Resistencia de entrada alta alta baja
Frecuencia de operación media alta baja
Velocidad de conmutación media rápida(ns) lenta( s)
Voltaje de saturación bajo alto bajo

TIRISTORES

2
Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentación interna para
activar un mecanismo de conmutación.
Los tiristores más importantes son el SCR (Silicon Controlled Rectifier) y el TRIAC.

Al igual que los FET de potencia; el SCR y el TRIAC pueden conmutar corrientes altas.
Por esta razón se pueden utilizar como mecanismos de protección contra sobretensiones,
en controles de motores , en sistemas de iluminación y calefacción y como cargas que
soportan corrientes grandes.

EL DIODO SCHOCKLEY

La figura 3,24 muestra un dispositivo originalmente llamado diodo Schockley ; pero

también se le conoce como diodo de 4 capas (PNPN) y SUS (Silicon Unilateral
Switch). Este dispositivo solo permite que la corriente fluya en una dirección.

DIODO DE 4 CAPAS (Diodo Latch)

1N5158
El funcionamiento de un tiristor se puede explicar en términos de su circuito equivalente
mostrado por la figura 3.24 donde el transistor superior es un PNP y el transistor
inferior es un NPN.

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 a) Diodos de 4 capas

b) Circuito Latch

c) Función de transferencia
Figura 3.24

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FUNCIONAMIENTO
De la figura 3.24b, el colector de Q1 excita la base de Q2 y de forma similar el colector
de Q2 excita la base de Q1 en un arreglo conocido como Realimentación Positiva.
Esta realimentación positiva continúa variando la corriente de base de Q 2 hasta que
ambos transistores entran en saturación o en corte.

EL SCR (Silicon Controlled Rectifier)

2N6504
2N4441

El SCR es el tiristor más ampliamente utilizado. Puede conmutar corrientes muy altas ,
razón por la que se emplea para controlar motores, hornos, calefactores de inducción y
aparatos de aire acondicionado. Actualmente algunos SCR son capaces de controlar
corrientes de hasta 1.5 KA y tensiones por encima de 2 KV.
La figura 3.25 muestra la estructura de un SCR. El control del disparo es la compuerta,
en la parte superior está el ánodo y en la inferior el cátodo.

(A) (B) (C) (D)

SCR ( Silicon Controlled Rectifier).

Figura 3.25

El SCR es equivalente a un Diodo Latch con una entrada de disparo. Cuando ambos
transistores están saturados, se comportan idealmente como corto circuito y el Latch se
cierra. Idealmente en condición de cerrado el Latch presenta una tensión de cero y el
punto de trabajo se sitúa en el extremo superior de la recta de carga.

Puesto que la compuerta de un SCR está conectada a un transistor interno, se necesitan

al menos 0.7v para dispararlo; esta es la tensión de disparo de compuerta VGT (Gate
Trigger Voltge) y la hoja de características especifica la corriente mínima de entrada

5
para poner al SCR en conducción como corriente de disparo de compuerta IGT (Gate
Trigger Current).

Un SCR como el de la figura 3.26 tiene una tensión de compuerta VG ; cuando esta
tensión es mayor que VGT , el SCR conducirá y la tensión de salida caerá de +VCC a
un valor más bajo.

Circuito basico del SCR.

Figura 3.26

La resistencia de compuerta RG limita la corriente de compuerta a un valor seguro:

Vin = VGT + IGT RG

Si no se utiliza una resistencia de compuerta, RG es la resistencia de Thevenin del
circuito que excita la compuerta .

Después que el SCR ha entrado en conducción (on) permanece en este estado aunque se
retire la alimentación de compuerta Vin o se haga igual a cero.

Para reiniciar el SCR hay que reducir la corriente de ánodo a cátodo a un valor menor
que su corriente de mantenimiento IH. Esto se puede hacer reduciendo VCC a un valor
bajo.
Dado que la corriente IH fluye a través de la resistencia de carga RL en el circuito de la
figura 3.26 la tensión de la alimentación para producir el bloqueo (off) tiene que ser
menor que:
VCC = 0.7v + IH RL

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Otro método utilizado para reiniciar el SCR es la conmutación forzada que se muestra
en la figura 3.27-c .

Como reiniciar el SCR.

Figura 3.27

Cuando el interruptor se cierra se aplica momentáneamente una tensión VAK; esto

reduce la corriente directa ánodo-cátodo por debajo del valor de IH y el SCR se apaga.

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EJEMPLO 1: De la figura 3.27 ; el SCR tiene una tensión de disparo de 0.75v y
una corriente de disparo de 7 mA , RG = 1K y RL = 100 .

a).- Cual es la tensión de entrada que pone al SCR en conducción ?.

b).- Si la corriente de mantenimiento es igual a 6 mA , cual es la tensión de

alimentación que bloquea al SCR ? .

SOLUCIÓN:

a).- La tensión de entrada minima necesaria para disparar el SCR es:

Vin = VGT + IGT RG
 = 0.75v + (7 mA) (1K) = 7.75v

b).- Calculando la tensión de alimentación que bloquea al SCR tenemos:

VCC = 0.7v + IH RL
 = 0.7v + (6 mA) (100) = 1.3v

EJEMPLO 2:

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 (A)

(B) (C )
Figura 3.28
a).- Que función realiza el circuito de la figura 3.28 .
b).- Cual es la tensión de pico de salida.
c).- Cual es la frecuencia de la onda de diente de sierra si su periodo es
aproximadamente 20 % de la constante de tiempo ?.

SOLUCIÓN:

a).- Cuando la tensión del condensador aumenta, el SCR se dispara (conduce) y

rápidamente el condensador se descarga. Cuando el SCR se apaga el condensador
comienza de nuevo a cargarse. Por tanto la onda es similar a un diente de sierra.

La figura 3.28-b muestra el circuito de Thevenin visto desde la compuerta :

RTH =900 // 100 = 90

La tensión de entrada para disparar el SCR :

Vin = VGT + IGT RG

 = 1v + (200 A ) (90) =1.018v

A causa del divisor de tensión 10:1, la tensión de compuerta es la décima parte de la

tensión de salida; por lo tanto la tensión de salida en el punto de disparo es :
V(pico) = 10v (1.018v) = 10.18v

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 UNIDAD 4 A
RECTIFICACIÓN

El rectificador es un circuito que convierte una señal de CA en una señal unidireccional.

Dependiendo del suministro en la entrada, los rectificadores se clasifican en
monofásicos y trifásicos.
Por comodidad se hace la consideración que los diodos son ideales, esto es que:
El tiempo de recuperación en sentido inverso trr = 0.
La caída de voltaje en sentido directo VD = 0.
Un rectificador ideal debe tener una eficiencia n = 100%.
Vca = 0
RF = 0
TUF = 1
HF = THD = 0

Un rectificador es un procesador de potencia que debe producir un voltaje de salida

(Vout) de CD con un contenido mínimo de armónicas; al mismo tiempo debe mantener
la corriente de entrada (Iin) tan sinusoidal como sea posible y en fase con el voltaje de
entrada (Vin) para que el factor de potencia sea cercano a la unidad.

RECTIFICADOR MONOFASICO DE MEDIA ONDA

El rectificador monofásico de media onda es el tipo más simple; en el caso normal no se
utiliza para aplicaciones industriales, pero nos auxiliara para comprender el principio de
funcionamiento del circuito rectificador.
El diagrama ilustra un circuito rectificador con una carga resistiva.

Durante el ciclo positivo del voltaje de entrada Vin, el diodo D1 conduce y el voltaje de
entrada Vin aparece a través de la carga.
Durante el ciclo negativo del Vin, el diodo esta en condición de bloqueo y el Vout será
igual a cero.

PARAMETROS DE RENDIMIENTO
Los rendimientos de un circuito rectificador, en el caso normal, se evalúan en función
de los siguientes parámetros:
Vcd = valor promedio del Vout (o de carga)
Vrms = valor de raíz cuadrada media rms del Vout
Icd = valor promedio de la Iout (o de carga)
Irms = valor rms de la corriente Iout
Pcd = Icd Vcd = potencia en corriente directa o potencia de salida en CD.
Pca = Vrms Irms = potencia de salida en CA.
n = Pcd / Pca = razón de rectificación que es una figura de merito, y permite comparar
la eficiencia de un rectificador.

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El Vout se puede determinar como formado por 2 componentes:
1º.- el valor de CD
2º.- la componente de CA o rizo.
El valor rms (efectivo) de la componente de CA en el Vout será :
Vca = ¯Vrms ²–Vcd ²

El factor de forma FF , es una medida del Vout.

FF = Vrms / Vcd
El factor de rizo RF , es una medida del contenido alterno residual
RF = Vca / Vcd
=¯(Vrms / Vcd) ² – 1
=¯ FF ² – 1
El factor de utilización de transformador TUF , se define como:
TUF = Pcd / Vs Is donde:
Vs = voltaje rms del secundario del transformador
Is = corriente rms del secundario del transformador.

Considerando las formas de onda de la grafica, donde Vs es el voltaje sinusoidal de

entrada; Is es la corriente instantánea de entrada e Is1 es su componente fundamental; en
donde es el ángulo de desplazamiento entre las componentes fundamentales de la
corriente y el Vin.
(DF = cos ). El factor de desplazamiento con frecuencia es llamado factor de
potencia de desplazamiento DF = DPF
El factor armónico de la corriente de entrada Iin , es una medida de la distorsión de la
forma de onda, también se le llama THD (total harmonic distortion).
HF = =¯(Is / Is1) ² – 1
donde Is1 es la componente fundamental de la corriente de entrada Is , expresados en
valores rms.
Factor de potencia PF = (Vs Is1 /Vs Is) cos
= ( Is1 / Is) cos
Nota: Si la corriente de entrada Is es puramente sinusoidal, Is1 = Is y el factor de
potencia es igual al factor de desplazamiento.
PF = cos = DF
El ángulo de desplazamiéntoviéne a ser el ángulo de impedancia (para una carga
RL):
 = tan-1 ( w L / R)
El factor de cresta CF es una medida de la I pico de entrada en comparación con Is ; su
valor rms, interesa a menudo para especificar las capacidades de I pico.
CF = Is (pico) / Is

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EJEMPLO: (ojo va circuito con fuente Vcc=10v)
Determinar los parámetros de rendimiento del circuito rectificador de media onda que
tiene una carga puramente resistiva.
Encuentre: a) la eficiencia n
a) el factor de forma FF
b) el factor de rizo RF
c) el factor de utilización de transformador TUF
d) el voltaje inverso de pico PIV
e) El factor de cresta CF
f) El factor de potencia PF

SOLUCIÓN: El valor promedio del voltaje de salida esta dado por:

T = 1/ f
Vcd =1/T VL (t) dt ; VL (t) =0 para T/2  t  T entonces

=1/T Vm sen w t dt  – (Vm / w t) (cos w t / 2 – 1)

= Vm /  = 0.318 Vm

Icd = Vcd /R  = 0.318 Vm/ R

El valor rms de una forma de onda periódica se define como:
Vrms = ¯1/T  VL 2
(t) dt

Para un valor sinusoidal 

Vo (t) = Vm sen w t para 0  t  T/2
El valor rms del voltaje de salida es:

Vrms = ¯1/T (Vm sen w t) 2 dt
= Vm / 2 = 0.5 Vm
Irms = Vcd /R  = 0.5 Vm/ R
Pcd = Icd Vcd = 0.318 Vm (0.318 Vm/ R) = (0.318 Vm) 2 / R
Pca = Vrms Irms = 0.5 Vm (0.5 Vm/ R) = (0.5 Vm) 2 / R

a) n = Pcd / Pca (0.318 Vm) 2 / (0.5 Vm) 2 = 40.5 %

b) FF = Vrms / Vcd 0.5 Vm / 0.318 Vm = 1.57 157 %
c) RF = ¯ FF ² – 1 ¯1.57 ² – 1 = 1.21 121 %
d) El valor rms del secundario del transformador es:
Vs = ¯1/T  (Vm sen w t) 2
dt
= Vm /  = 0.707 Vm

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El valor rms de la corriente del secundario del transformador es igual que el de la carga:
Irms = Vrms /R  Vm / 2 = 0.5 Vm
Is = 0.5 Vm /R

La capacidad en Volt-Amperes (VA) es:

VI = Vs Is = 0.707 Vm (0.5 Vm /R )
TUF = Pcd / Vs Is  = (0.318 Vm) 2 / R / 0.707 Vm (0.5 Vm /R )
= (0.318 ) 2 / 0.707 (0.5 ) = 0.286
Haciendo el inverso para encontrar la relación: 1 / 0.286 = 3.5
Esto nos indica una gran pérdida en el aprovechamiento del transformador.
e) El Vpico de bloqueo en sentido inverso esta dado por:
PIV = Vm
f) Is (pico) = Vm /R ; Is = 0.5 Vm /R
CF = Is (pico) / Is 1 / 0.5 = 2
g) PF = Pca / V I = (0.5 ) 2/ 0.707 (0.5 ) = 0.707
Nota: para cargas puramente resistivas.

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