Tiristores

Un tiristor es un dispositivo semiconductor que utiliza realimentación interna para activar un

mecanismo de conmutación.

Los tiristores más importantes los podemos dividir en: el SCR (Silicon Controlled Rectifier,
rectificador controlado de silicio), el DIAC y el TRIAC. Al igual que los FET de potencia,los
tiristores pueden conmutar corrientes altas. Por esta razón, se pueden utilizar como
mecanismo de protección contra sobretensiones, en controles de motores, en sistemas de
calefacción e iluminación y como cargas que soportan corrientes grandes. El transistor IGBT
(Insulated-Gate Bipolar Transistor, transistor bipolar de puerta aislada) no se incluye dentro de
la familia de los tiristores, pero lo estudiaremos en esta clase, ya que es un importante
dispositivo de conmutación de potencia.

SCR (Rectificador controlado de silicio)

Este tiristor puede conmutar corrientes muy altas, razón por la que se emplea para controlar
motores, hornos eléctricos, aparatos de aire acondicionado y calefactores eléctricos.
La siguiente figura muestra la estructura interna

O sea que un SCR lo podríamos formar con dos transistores de la siguiente forma
El símbolo de un SCR es el siguiente

Como la puerta de un SCR está conectada a un transistor interno se necesitan al menos 0,7 V
para disparar un SCR. Las hojas de datos especifican esta tensión como la tensión de disparo de
puerta (gate trigger voltage) VGT. En lugar de especificar la resistencia de entrada de la puerta,
un fabricante proporcionará la corriente mínima de entrada necesaria para poner al SCR en
conducción. Las hojas de datos características especifican esta corriente como la corriente de
disparo de puerta (gate trigger current) IGT.
Por ejemplo la hoja de datos característica del SCR 2N6504, los valores típicos de tensión y de
corriente de disparo son: VGT 1 V e IGT 9 mA
Esto significa que la fuente que excita la puerta de un SCR típico de la serie 2N6504 tiene que
suministrar 9 mA a 1V para “cebar” el SCR.

Circuito practico
Un SCR como el mostrado en la figura anterior tiene una tensión de puerta VG. Cuando esta
tensión es mayor que VGT, el SCR conducirá y la tensión de salida caerá a un valor más bajo que
Vcc. En ocasiones, se utiliza una resistencia de puerta RG, la cual limita la corriente de puerta a
un valor seguro. La tensión de puerta necesaria para disparar un SCR tiene que ser mayor que:

Si no se utiliza una resistencia de puerta, RG es la resistencia de Thevenin del circuito que excita
a la puerta. A menos que se satisfaga la ecuación anterior, el SCR no podrá conducir.
Después de que el SCR ha entrado en conducción (estado on), permanece en dicho estado
incluso aunque la alimentación de puerta, Vin, se haga igual a cero. En este caso, la salida
permanece indefinidamente a nivel bajo (cero). Para reiniciar el SCR, hay que reducir la
corriente del ánodo al cátodo a un valor menor que su corriente de mantenimiento (IH). Esto se
puede hacer reduciendo VCC a un valor bajo. La hoja de características del 2N6504 especifica
una corriente de mantenimiento típica de 18 mA. Dado que la corriente de mantenimiento
fluye a través de la resistencia de carga (RL) en el circuito de la figura anterior, la tensión de
alimentación para producir el bloqueo (estado off) tiene que ser menor que:

Ejercicio: el siguiente SCR tiene una tensión de disparo de 0,75 V y una corriente de disparo de
7 mA. ¿Cuál es la tensión de entrada que pone al SCR en conducción? Si la corriente de
mantenimiento (IH) es igual a 6 mA, ¿cuál es la tensión de alimentación que bloquea al SCR?
Tiristores Diac y Triac

El SCR es un tiristor unidireccional porque la corriente sólo puede fluir en una dirección. En
cambio, el diac y el triac son tiristores bidireccionales. Estos dispositivos pueden conducir en
ambas direcciones.

Diac
Símbolo

Este dispositivo es como conectar dos diodos en paralelo. El diac no comienza a conducir hasta
que la tensión que cae en él (tensión de cebado) excede la tensión de ruptura en cualquier
dirección y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico para ese
dispositivo.
Triac

Símbolo

El triac se comporta como dos SCR conectados en paralelo e invertidos. Por lo tanto, el triac
puede controlar la corriente en ambas direcciones. Si v tiene la polaridad indicada en la figura
anterior, un disparo positivo hará que el diodo de la izquierda se cierre. Cuando v tiene la
polaridad opuesta, un impulso de disparo negativo hará que el diodo de la derecha se cierre.

Ejercicio:

La hoja de datos del Triac del circuito anterior me dice que tiene una tensión de disparo de 1V y
una corriente de disparo de 10 mA. La hoja de datos del Diac me dice que tiene una tensión de
cebado de 32V. Cuando se cierra el interruptor: a) que tensión del capacitor disparara el triac b)
Cual es la corriente que circula por la R de 22 ohm
a)

b)
IGBT
El IGBT procede esencialmente de la tecnología MOSFET de potencia. Su estructura y
funcionamiento son muy similares a los del MOSFET de potencia.

Símbolo

Los IGBT tienen una tensión de ruptura colector-emisor mucho más grande comparada con el
valor máximo de VDSS en los MOSFET. Esto es importante en aplicaciones que utilizan cargas
inductivas de alta tensión. Comparados con los BJT, los IGBT presentan una impedancia de
entrada mucho más grande y precisan requisitos de excitación de puerta mucho más simples.
Aunque el IGBT no puede adoptar la velocidad de conmutación del MOSFET, se están
desarrollando nuevas familias de dispositivos IGBT para aplicaciones de muy alta frecuencia.
Por tanto, los IGBT son soluciones efectivas en aplicaciones de alta tensión y corriente a
frecuencias moderadas.