Circuitos de Control

CAPTULO 6
TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL

6.1 Introduccin
En los temas anteriores, se han estudiado entre otros dispositivos de cuatro capas, los tiristores y los triacs, habiendose analizado sus principios de funcionamiento y sus formas de cebado. En este tema se analizarn los diferentes sistemas de disparo mediante la aplicacin de distintas seales a la puerta de los mismos, as como los diversos elementos semiconductores utilizados en el disparo de estos dispositivos como el UJT o el PUT.
6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios

Dependiendo del tipo de seal que se aplique a la puerta del tiristor o del triac, se pueden distinguir las siguientes modalidades de disparo:
Disparo por corriente continua. Disparo por corriente alterna. Disparo por impulsos o trenes de ondas.
6.2.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA

Las condiciones requeridas por el dispositivo se pueden encontrar en grficos tpicos, como el de la figura 6.1, en el cual se representa la tensin puerta ctodo en funcin de la corriente de puerta, para una corriente nula de nodo. La curva est referida al 1er cuadrante. En el tercer cuadrante, la tensin de puerta no debe nunca exceder los valores lmites impuestos por el fabricante, pues una corriente inversa de puerta podra daar al tiristor.
2 ELECTRNICA DE POTENCIA.
VFG (V)
10
VFGM mx = 10 V
C
8
PGM mx = 5W
6
D
4
Zona preferente de cebado
B Fig 6.1 Tensin puerta - ctodo en funcin de la corriente de puerta. Hoja de caractersticas del tiristor 2N681. Cortesa de General Electric.
0 .5
1 .5
IFG (A)
Para todos los tiristores de una misma familia, los valores lmites estn comprendidos entre las curvas A y B. La parte C, de la curva representa la tensin directa de pico mxima admisible por la puerta, VGT mientras que la parte D, indica la potencia de pico mxima admisible por el dispositivo, PGM max En la figura 6.2 se representa un circuito tpico de disparo por C.C. La recta de carga definida por el circuito de disparo, debe cortar a la caracterstica de puerta en la regin marcada "zona preferente de cebado", lo ms cerca posible de la curva D, como se puede apreciar en la figura 6.1. La variacin de la corriente de puerta, IG respecto al tiempo, debe de ser del orden de varios amperios por segundo con el fin de reducir al mnimo el tiempo de respuesta. En la figura 6.3 se puede observar con mayor claridad la zona de funcionamiento del circuito en la regin de puerta.
CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 3
RL Circuito de disparo RG IG
VI
VG
Fig 6.2 Circuito de disparo de SCR por corriente continua.
En el clculo prctico de los circuitos de mando se deben tener muy en cuenta las consideraciones hechas anteriormente. Para una mejor comprensin de este apartado, en el ejemplo 6.1 se realiza el clculo real de un sencillo circuito de disparo con corriente continua.
VG
Curva de mxima dispersin Punto mximo de trabajo Caracterstica del Tiristor Mxima disipacin de potencia Recta de carga
E0C
Fig 6.3 Punto de funcionamiento del Tiristor en el cebado.
ISC =
E 0C RG
IG
Ejemplo 6.1
En el circuito de la figura, determinar si la fuente de tensin continua de 6V, es apropiada para el disparo del tiristor BTY79.
La resolucin del ejercicio requiere examinar las hojas de caractersticas del tiristor BTY79. Para establecer el intervalo de valores admisibles para VS , se calculan los valores mximos y mnimos admisibles para el disparo del elemento, segn la caracterstica de puerta del dispositivo.
RA
.
VA
RS VS
SCR
IG VG
V
VG (V)
Vs (max)
Vs (min)
RG
(m
PG
ax )
AV
=3
= 0. 5
Rs (m
x )= 30
R G (min )
RS (m n) =2 4
IG (A)
0.1
0.2
0.3
0.4
La potencia media mxima de puerta que no se debe sobrepasar es PGAV = 0.5W, Los valores mnimos de disparo, son: Vo = 2V e Io = 75mA. El valor mnimo para la tensin del generador, VS viene dado por:
VS min = R Smx I o + Vo = 4.25V

donde, segn la grfica, RSmx = 30 El valor VSmx se obtiene para un valor de PGAV = 0.5W. La potencia mxima disipada en la puerta del dispositivo, cuando RGMAX > RSMIN ser:
E6.1
PGM
VS(mx) = R G (mx) R + R G (mx) S(mn)
E6. 2
Haciendo PGM = PGAV y despejando VSmx
P VSmx = GAVmx R Gmx
(R Smn + R Gmx ) = 7V
E6. 3
Donde, segn la grfica, RSmn = 24 y RGmx = 32 La impedancia mxima de puerta del tiristor, RGmx se corresponde con el valor de la pendiente media, dV/dI de la caracterstica de puerta del tiristor Se puede afirmar que la fuente de 6V es apropiada para el correcto funcionamiento del circuito.
6.2.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA
RG + VS D
SCR
Ra
Va
VG
V
Fig 6. 4 Circuito bsico para el disparo por corriente alterna.
Se debe prestar atencin a dos parmetros importantes
La excursin inversa de la tensin de puerta, VG que debe permanecer por debajo del valor mximo admisible, lo cual justifica la presencia del diodo de proteccin. La potencia de pico mxima, PGM que puede aumentarse a condicin de no sobrepasar la potencia media de puerta permitida por el fabricante.
Ejemplo 6.2
Para el circuito de la figura, en el que se representa un control bsico de potencia con disparo por corriente alterna; Calcular el ngulo de disparo y la tensin media entregada a la carga para distintos valores de R; 5K, 8K y 10K. Comparar estos clculos con los datos obtenidos simulando el circuito con PsPice.
1
+ Ve RL SCR
Datos: Ve (RMS) = 28.4 V RL = 20 IGT = 2mA VGT = 0.7 V VD = 0.7 V D 1N4148 SCR 2N1595
2
R D
Aplicando las leyes de Kirchoff se calcula Ve para cada valor de R
Ve = (R L + R ) I G + VD + VGK
Para cada valor de Ve se calcula el ngulo de disparo a partir de las expresiones
Ve = 2 Ve(RMS) senwt wt = arcsen Ve 2 Ve( RMS)
La tensin media entregada a la carga, depende del ngulo de disparo
VDC =
1 180 V wt Vmsenwt = m ( cos180 + coswt ) 2 2
Aplicando las ecuaciones anteriores se obtienen los siguientes valores para cada valor en la carga
RL = 5K RL = 8K RL = 10K
Ve = 11.44 V Ve = 17.44V Ve = 21.44 V
wt 16 Wt 26 wt 32
VDC = 12.51 V VDC = 12.14 V VDC = 11.82 V
Descripcin del circuito EJ6_2.CIR

*EJ6_2.CIR * E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA * CONTROL BASICO DE POTENCIA. DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA VE 1 0 SIN (0 40.16V 50HZ) RL 1 2 20 *DEPENDIENDO DE LA SIMULACION QUE SE DESEE REALIZAR EL LECTOR DEBERA *CAMBIAR EL ASTERISCO R 2 3 5K *R 2 3 8K *R 2 3 10K D 3 4 D1N4148 XT1 2 4 0 2N1595 .LIB NOM.LIB *ANALISIS .TRAN 100US 40MS .PROBE V(2) V(1,2) V(1) .END
RL = 5 K Seal de entrada, ve Tensin nodo ctodo, vAK Tensin en la carga, vRL

1 40V 2 80V
ve vAK
11.1 V
0V 40V
vRL
>> 0V 0s 1
- 40V
0.9ms
V( 2 ) V( 1 )
1 0 ms 2 V( 1 , 2 )
2 0 ms Ti me
3 0 ms
4 0 ms
El valor de la tensin media en la carga se obtiene segn la expresin AVG(V(1,2)) Valores obtenidos en la simulacin.
RL = 5K RL = 8K RL = 10K
Ve = 11.10 V Ve = 16.12 V Ve = 20.30 V
wt 16 Wt 25 wt 31
VDC = 11.96 V VDC = 11.65 V VDC = 11.35 V
Cuestin didctica 6.1

El circuito de la figura, utiliza un Tiristor para realizar el control por ngulo de fase, de la potencia aplicada a una carga. Determinar el valor del ngulo de disparo del SCR, el valor instantneo de la tensin de entrada que produce el apagado del SCR. Dibujar las formas de onda asociadas al circuito y compararlas con las obtenidas con Pspice.
1
R1
+
Ve R2
5 2 4
D
RL
SCR
Vd VGT
DATOS VE = 17 V RL = 100 R1 = 5.5 K R2 = 500 VD = 0.7 V SCR: IGT = 2mA VGT = 0.7V VTM = 1.1V IH = 5mA
Descripcin del circuito CD6_1.CIR

*CD6_1.CIR *E.P.S. JAEN ( DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA ) *CONTROL DE POTENCIA POR ANGULO DE FASE VE 1 0 SIN (0 24V 50HZ) R1 1 5 5.5K R2 5 4 500 RL 1 2 100 D 4 3 D1N4148 XT1 2 3 0 2N1595 .LIB NOM.LIB .TRAN 100US 20MS .PROBE V(2) V(1) V(1,2) .END
6.2.3 DISPARO POR IMPULSOS O TRENES DE ONDAS

En el proceso de paso de corte a conduccin de Tiristores y Triacs, se podr aplicar un nico pulso o un tren de impulsos a la puerta del dispositivo. Una ventaja al introducir un pulso frente a introducir una seal continua, ser la menor potencia que deba disipar la puerta, as como poder ampliar las tolerancias entre las que se puede mover, aunque lo ms apropiado es realizarlo mediante la introduccin de un tren de impulsos, como posteriormente se ver. La seal de puerta debe ser aplicada el tiempo necesario hasta que la corriente por el semiconductor alcance el valor de la corriente de enganche. De entre los distintos tipos de generadores de pulso que se pueden encontrar, destacan los denominados osciladores de relajacin, que se introducen ahora y se analizarn posteriormente.
Osciladores de relajacin
En este circuito si se aplica una seal continua a la entrada, se obtiene una seal pulsante a la salida. Al conectar la fuente de continua a la entrada, el condensador (C) comienza a cargarse, hasta que el dispositivo de disparo alcanza el voltaje de ruptura. En este punto el dispositivo de disparo pasa a conducir haciendo que el condensador se descargue sobre la resistencia colocada a la salida. Una vez que el condensador se descarga, el dispositivo de disparo vuelve a bloquearse, repitindose de nuevo el ciclo. El tiempo que transcurre entre un pulso y el siguiente vendr determinado por la constante de tiempo del circuito, as como por el voltaje de ruptura del dispositivo de disparo.
Vc Vcs= 20 V R t
VG 3V t Dispositivo de disparo 20 VG
V = 40 V
VC
C = 0.1 uf
Fig 6. 5 Oscilador de relajacin. Circuito tpico
Posteriormente se analizar los distintos dispositivos de disparo (DIAC, UJT, PUT, Diodo SHOCKLEY, Disparador Asimtrico y Acopladores pticos con Tiristores) , as como la estructura de los mismos y los osciladores de relajacin tpicos realizados a partir de estos dispositivos de disparo.
Disparo por impulso nico

Cuando se utilizan impulsos de una o varias decenas de microsegundos de duracin (segn el tiristor), se suele considerar que el disparo se hace por corriente continua. Por tanto, lo que se va a estudiar aqu, ser el caso de impulsos de corta duracin. Esta modalidad de disparo, proporcionar a la vez una disminucin en la potencia disipada, as como un aumento de la precisin de disparo. El disparo por impulso nico, como se podr ver seguidamente, presenta tres razones que explican la preferencia que se le concede, cuando es posible su utilizacin.
El cebado por impulsos, permite una potencia de pico superior a la potencia media de puerta admisible, pudiendo aplicarse criterios de tolerancia ms amplios al circuito de disparo. Es posible reducir a un valor mnimo el retardo que existe entre la seal de puerta y la subida de la corriente de nodo, lo que permite obtener una sincronizacin muy precisa. Se reduce la disipacin de potencia debida a la corriente residual en las proximidades del nivel de cebado.
El tiempo de retardo, td disminuye cuando se aumenta la amplitud del impulso de mando y tiende a 0.2 o 0.5 s para impulsos de 500 mA o ms.
IG 5 IGT
IGT
0.1 a 0.5 s 1 Fig 6. 6 Impulso de corriente de puerta. IGT = Corriente de mando, mnima
t (s)
En la prctica, es conveniente tener en cuenta los siguientes principios para obtener unos resultados ptimos.
El circuito de puerta debe ser atacado, preferentemente, con un generador de corriente. La corriente de mando, debe ser mayor que la corriente especificada como mnima. El tiempo de subida, debe ser lo ms corto posible, entre 0.1s y 1s, sobre todo si el tiristor debe soportar una fuerte rampa de corriente tras el cebado. La duracin del impulso debe ser tal que la corriente de mando permanezca por encima de IGT, en tanto no se alcance la corriente de enganche andica. Conviene adems reservar un margen de seguridad en el caso de circuitos con carga inductiva, en los que los fenmenos son ms complejos.
Disparo por trenes de ondas

En el funcionamiento para corriente alterna con cargas inductivas y un Triac (o dos Tiristores montados en antiparalelo), la corriente en el elemento inductivo persiste algn tiempo despus del paso por cero de la primera semionda de tensin en la que se produjo el cebado del semiconductor. Puede suceder entonces que esa corriente no se anule hasta despus de pasado el siguiente impulso de disparo del Triac, por consiguiente, el Triac permanecer cortado, no existiendo entonces posibilidad alguna de un nuevo disparo antes de la llegada de la siguiente semionda, de igual polaridad que la primera. Resulta pues, una rectificacin de corriente que puede llegar a deteriorar los circuitos conectados en la rama. Ver figura 6.7. Para evitar este fenmeno, se tendrn dos opciones:
Ampliar la duracin de cada pulso. Curva C. Enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el termino de cada semiciclo. Curva D.
Esta segunda opcin, presenta la ventaja de consumir poca energa, en valor medio, del circuito de mando. Adems de facilitar el ataque del triac (o del tiristor) colocando un transformador de impulsos, con lo que se consigue aislar el circuito de control de la parte de potencia (separacin galvnica). Ver figura 6.8
V I (A)
(B)
(C)
(D)
Fig 6. 7 Curvas de disparo por trenes de ondas.
VA RC D1 DZ Rs P T D2 T.I. R2 RG SCR
VCE
Fig 6. 8 Circuito de transferencia de pulsos a la puerta del tiristor, basado en un amplificador con transformador de impulsos
La duracin mxima, tmax del impulso transmitido por el transformador de impulsos puede calcularse a partir de la ley de induccin.
U2 = N S
dB dt
E6. 4
N = Nmero de espiras (igual para los arrollamientos primario y secundario). S = Seccin del circuito magntico. B = Induccin.
Despejando el valor de la induccin de la ecuacin anterior
B=
U U2 dt 2mx t N S N S
E6. 5
La induccin de saturacin, Bmax se alcanza despus de un periodo de tiempo, tmax La duracin mxima de un impulso ser:
t mx =
N S B mx U 2mx
E6. 6
No obstante, los fabricantes en sus hojas de caractersticas indican el siguiente valor, expresado en Vs
t mx U 2mx = N S B mx
E6. 7
6.3 Circuitos de mando

Los circuitos con Tiristores y Triacs se emplean en aplicaciones en las que el elemento realiza funciones de conduccin todo o nada y en control de fase. En el caso en que el Tiristor ( Triac) trabaje en el modo todo o nada, se presentan dos posibilidades:
Que trabajen como rels estticos. Que trabajen como variadores de potencia en la carga.
Para ello, conducen un cierto nmero de semiciclos completos (semiciclos positivos el Tiristor y semiciclos positivos y negativos el Triac), permaneciendo bloqueado otro determinado nmero de semiciclos
Entrega de paquetes de semiondas (Todo o Nada)
Control por ngulo de fase

Fig 6. 9 Distintas formas de trabajo del Tiristor
Fig 6. 10 Control todo o nada
Fig 6. 11 Control por ngulo de fase
Fig 6. 12 Control por ngulo de fase (SCR mediaonda)
Fig 6. 13 Control por ngulo de fase (TRIAC onda completa)
6.3.1 CIRCUITOS TODO O NADA

En un gran nmero de ocasiones, los rels son sustituidos por Tiristores por Triacs, debido a las grandes ventajas que presentan frente a stos
Mayor rapidez de repuesta. Menor tamao. Ausencia de chispas entre contactos.
Hay circuitos que permiten a un Tiristor Triac funcionar como un interruptor aleatorio, es decir, circuitos que permiten que el elemento permanezca cerrado en tanto que dure una orden de cierre aplicada al mismo, y que se abra al desaparecer dicha orden. Esta funcin es similar a la que desempea un rel electromagntico (de aqu el nombre de rel esttico, con el que se designa frecuentemente a estos circuitos). El montaje de interruptores aleatorios es el descrito a continuacin: la orden de cierre para el dispositivo de mando aleatorio se aplica mediante un pequeo interruptor, S segn el montaje de la figura 6.14
Carga Z S SCR VIN

Fig 6. 14 Rel esttico con Tiritor alimentado con c.a.
En el caso del Tiristor, la tensin de mando ha de ser positiva con relacin al ctodo. Si la tensin de alimentacin que se pretende interrumpir procede de una rectificacin, el Tiristor se extinguir por s mismo una vez abierto el interruptor, S en cuanto se anule la corriente. Si la tensin de alimentacin es continua, o si no se anula en cada perodo la corriente de carga, habr que incorporar un circuito de extincin (denominado E en la figura 6.15), el cual forzar al tiristor a pasar a corte cuando se abra el interruptor S.
Carga
SCR
Tensin rectificada Fig 6. 15 Rel esttico con tiristor alimentado con Corriente continua y circuito de extincin..
Mando sncrono
Si permanece la corriente de puerta, el semiconductor se cebar de nuevo en cuanto empiece el semiperiodo siguiente, sin crear tampoco parsitos de conmutacin. No obstante, existe un cierto riesgo de generacin de parsitos en el instante de cierre del interruptor, S si se hace de forma aleatoria (riesgo de poner al triac en conduccin en el momento en que la tensin presenta un valor importante). En la figura 6.16 se representa el esquema de un circuito de uso muy corriente, el cual permite realizar la funcin de mando sncrono. El circuito consta de las siguientes partes:
P = Detector de tensin cero, conectado a la entrada de la red (posicin I) o bien al nodo A2 del triac (posicin II). Q = Comparador, cuya salida solo se activa cuando el detector indica un paso por cero de la tensin (o un paso por debajo de una cierta tensin umbral, VS de un valor de algunos voltios). S = Interruptor de mando, con el que se puede inhibir la salida del comparador si se coloca en la posicin de reposo. Generador de corriente de puerta, controlado por la salida del comparador.
Mientras S permanece cerrado, el comparador Q estar inhibido y la corriente de puerta ser nula (el semiconductor no conduce). La apertura de S pone en servicio a Q, pero la salida de este ltimo se activar en las proximidades del instante "t" de paso por cero de la tensin de red (detectado por P). El condensador C1, situado a la entrada del detector, introduce un ligero desfase con el fin de asegurar el disparo efectivo del triac, haciendo llegar el impulso de mando cuando ya existe alguna tensin en los extremos del dispositivo (tensin mayor que la tensin de enganche o de encendido del triac). Las formas de onda obtenidas en el circuito estn representadas en la figura 6.17
Carga I II Mando de puerta Detector Paso por cero Comparador Q S X A2 TRIAC A1
R Vin VE
Fig 6. 16 Diagrama de bloques de un interruptor sncrono con triac.
Tensin de red Umbral del detector
VS
Impulsos de mando X en modo I
Impulsos de mando X en modo II
Corriente en la carga
APERTURA DE S
CIERRE DE S
Fig 6. 17 Curvas del circuito con carga resistiva y con dbil componente inductiva
Si la alimentacin del detector, V1 se toma directamente de la red (modo I), los impulsos de puerta cesarn poco despus del paso por cero de la tensin, la duracin del impulso de puerta viene fijada por el condensador C1. Este modo de disparo es vlido cuando se trata de una carga resistiva o ligeramente inductiva, es decir, cuando cos=1
Si la carga es fuertemente inductiva resulta indispensable prolongar el impulso de puerta durante una importante fraccin de tiempo en cada semionda. Para lograr esto bastar con tomar la seal V1 para el detector a partir del nodo A2 del triac. (modo II de la figura). Mientras que el Triac no conduzca, el detector estar alimentado a travs de la carga y funcionar al paso por cero de la tensin de red tras la apertura del interruptor S. Una vez cebado el Triac se anula la tensin aplicada al detector con lo que la corriente de puerta se mantiene durante todo el tiempo que permanezca abierto el interruptor. Finalmente otra posible solucin para el funcionamiento sobre la carga inductiva es la de usar como generador de corriente de puerta un Tiristor o un Triac auxiliar, que permanecer cebado hasta el termino del semiperiodo.
Control por paquetes de semiondas (todo o nada)

Cuando el tiempo de respuesta del sistema a controlar supere ampliamente al perodo de la c.a. de alimentacin es cuando se utiliza el control por paquetes de semiondas o de perodos completos. Como circuito, se podr utilizar un interruptor sncrono aadiendo un multivibrador en lugar del interruptor S de la figura del apartado anterior. As, sea cual sea la fase o perodo del multivibrador se puede hacer pasar siempre un nmero entero de semiondas debido al funcionamiento sncrono del interruptor con Triac.
Circuitos integrados de disparo

Como se ha comentado anteriormente, cuando la conmutacin se realiza a tensiones distintas de cero, se producen transitorios que generan interferencias a altas frecuencias. Lo mismo ocurre al bloquearse los triacs y los tiristores si la carga es inductiva. Por eso es conveniente realizar las conmutaciones en los puntos de cruce por cero. Actualmente, la mayor parte de los fabricantes ofrecen soluciones a este problema comercializando distintos circuitos integrados: CA3059 / CA3079 de RCA, GEL 300 FI de GENERAL ELECTRIC, A 742 de FAIRCHILD, L120 / L121 de SGS, TCA 785 de SIEMENS, etc... La misin de todos los circuitos anteriores, es conseguir que la conmutacin se realice antes de que la tensin de lnea exceda de un determinado valor. Debido a su mayor difusin en el mercado, se va a realizar un desarrollo ms pormenorizado de los circuitos integrados: CA3059 / CA3079 de RCA y TCA 785 de SIEMENS
Circuitos integrados CA 3059 / CA 3079 de RCA

12 Rs 5 Cx Limiter
0 crossing detec
Power supply 3
RL
VAC
MT 2
Triac geting circuit
2 1 Rp
100 F 15V
INV. Fall safe

On/Off sensing amp
MT 1
14 13 8 7
NTC sensor
9 10 11
Fig 6. 18 Circuito Integrado CA3059: Diagrama de bloques (Cortesa RCA).
Estos dos circuitos tienen una gran importancia en la conmutacin de tiristores a tensin nula. Por tanto, se puede denominar a los circuitos integrados CA 3059 / CA 3079, conmutadores a tensin cero. Son utilizados para el control de tiristores en aplicaciones de conmutacin de potencias en C.A. comprendidas entre 24 y 227V y frecuencias entre 60 y 400Hz. El circuito integrado consta de 4 bloques funcionales, ver figura 6.18
Limitador de potencia: Permite alimentar al circuito integrado directamente de una lnea de C.A. Amplificador diferencial: Recibe las seales de un sensor externo u otro tipo de seal de mando. Detector de cruce cero: Sincroniza los pulsos de salida del circuito en el momento en que la tensin alterna pasa por cero. Circuito de disparo: Proporciona impulsos de una elevada corriente con la suficiente potencia para disparar el tiristor de control.
6.3.2. CONTROL DE DISPARO POR NGULO DE CONDUCCIN. (CONTROL DE FASE).

La forma ms simple de disparo de un Tiristor o de un Triac, es por medio de corriente continua, como ya se estudi al principio del tema. Este tipo de control, presentaba el inconveniente de que, la puerta estaba disipando energa constantemente y el control solo se poda realizar entre 0 y 90. Para evitar estos inconvenientes, se recurre al control de disparo por ngulo de conduccin.
Circuitos de control de puerta.

Para disparar un tiristor, es necesario aplicar una serie de impulsos a su puerta. Estos impulsos deben tener un cierto ngulo de retardo del disparo, respecto al paso por cero de las tensiones alternas que alimentan el convertidor. Para poder variar este ngulo, ser necesaria la ayuda de una tensin de control continua, Ucm La tensin de control, Ucm se compara con una tensin de referencia senoidal. Los impulsos de disparo tendrn la misma frecuencia que la tensin de referencia, Ur y estn desplazados un ngulo respecto al paso por el valor de pico de Ur, como se puede ver en la figura 6.19
U r = Valor de pico de U r U r cos = U cm
E6. 8
= arccos
U cm
E6. 9
Ur
A fin de que el angulo obtenido en la ecuacin [E6.9] se corresponda con el ngulo de retardo del disparo, es indispensable que la tensin de referencia, Ur posea una posicin de fase bien determinada respecto a las tensiones de alimentacin del convertidor. Muy a menudo debe filtrarse la tensin de referencia cuando la tensin representa armnicos superpuestos. Un ejemplo de este tipo de circuitos est representado en la figura 6.20 A veces, en lugar de una tensin de referencia senoidal se utiliza una tensin en dientes de sierra producida con la ayuda de un generador de dientes de sierra que debe estar sincronizado con la red de alterna que alimenta al convertidor. En este caso existe una relacin lineal entre el ngulo de retardo y la tensin de control Ucm. Ver figura 6.21
U ^ U r Ucm wt
C wt
Fig 6. 19 Funcionamiento de un dispositivo de control de puerta.
Vmax Sen wt
K Vmax Cos wt
INTEGRADOR
COMPARADOR
AMPLIFICADOR
Fig 6. 20 Circuito de control de puerta con tensin de referencia senoidal.
Siempre es necesario limitar el campo de variacin de la tensin de control, Ucm en correspondencia con una limitacin del ngulo entre los lmites min y max. Se puede ver que entre y Ucm existe una relacin, es decir, se comprueba que min corresponde con Ucm max y que max corresponde con Ucm min. Un ejemplo de este tipo de circuitos es el circuito representado en la figura 6.22
UR UC wt
wt
Fig 6. 21 Generador de dientes de sierra para la sincronizacin con la red de alterna.
Tr COMPARADOR Y
555
MULTIVIBRADOR
Fig 6. 22 Circuito de control de puerta con tensin de referencia de dientes de sierra.
Circuito integrado TCA 785 de SIEMENS Este circuito es muy empleado en el control de fase, por lo que se utiliza para el control de Tiristores, Triacs y Transistores. Los pulsos de disparo pueden variar entre 0 y 180. Los circuitos ms tpicos en los que se utiliza son: convertidores, control de corriente alterna, etc. Sus caractersticas principales son: Control preciso de paso por cero. Gran campo de aplicacin Puede operar con tres fases. Corriente de salida de 250mA.
Alto rango de temperatura.
GND Q2 QU Q1 VSYNC I QZ VSTAR
1 2 3 4 5 6 7 8
16 15 14 13 12 11 10 9
VS Q2 Q1 L C12 V0 C10 R0
Fig 6. 23 Patillaje del circuito integrado TCA 785. (Cortesa SIEMENS).
C12
PULSE EXTENSION
12 V SYNC 5 ZERO DETECTOR VS 16 DISCHARGE MONITOR LOGIC SYNCHRON REGISTER 14 4 15 2 3 7 Q1 Q1 Q2 Q2 QU QZ
CONTROL COMPARATOR GND 1 T68 DISCHARGE TRANSISTOR 9 8 VSTAB R9 C10 10 V 11 11 6 13
INHIBIT LONG - PULSE CONMUTATION CONTROL VOLTAGE
Fig 6. 24 Diagrama de bloques del integrado TCA 785. (Cortesa de SIEMENS).
VS Synchronization voltage 0 V V10 Ramp peak voltage V10 Ramp voltage V11 Control voltage V10 Min. ramp voltage = Vsat 0 V V15 . Q2 V14 . Q1 V15 . Q2, Pin 12 to GND
V14 . Q1, Pin 12 to GND V2 . Q2, Pin 13 to GND V4 . Q1, Pin 13 to GND
V3 . QU V7 . QZ
180
Fig 6. 25 Formas de onda en cada una de las patillas del C.I TCA 785
La seal de sincronismo es obtenida a travs de una resistencia desde la patilla de voltaje, V5. El detector de voltaje cero evala el paso por cero y la transferencia hacia el registro de sincronismo. El registro de sincronismo controla el generador de rampa. Si el voltaje de rampa obtenido de la patilla V10 excede del voltaje de control obtenido de la patilla, V11 (determina el ngulo de disparo), la seal es procesada por el control lgico. Dependiendo de la magnitud del voltaje de control, V11 el ngulo de disparo puede controlarse dentro de un rango comprendido entre 0 y 180. Para cada media onda, un
pulso positivo de aproximadamente 30s de duracin aparece en la salida Q1 (patilla 14) y en la salida Q2 (patilla 15). La duracin del pulso puede ser prolongada por encima de 180 a travs del condensador C12. Si la patilla 12 se conecta a masa, se obtendrn pulsos con una duracin entre un valor de y 180. Las salidas Q1 y Q2 (invertidas), suministran la seal inversa de Q1 y de Q2. Una seal de valor +180 puede ser usada para controlar por lgica externa al dispositivo. Esta seal puede ser tomada de la patilla 3. La entrada inhibidora es usada para desconectar las salidas Q1, Q2, Q1 (invertida), Q2 (invertida). La patilla 13 es usada para ampliar el valor de las salidas Q1 (invertida) y Q2 (invertida).
Cuestin didctica 6.2

Se propone estudiar un ejemplo de circuito de control de puerta. Concretamente, se trata de un puente rectificador monofsico totalmente controlado. Dado el circuito rectificador en puente totalmente controlado de la figura, obtener mediante PsPice las formas de onda en el rectificador V(3), en el circuito acondicionador de la seal de reset V(5), en el integrador V(8), la seal de referencia V(11), seal tras el diodo V(13), seal en la carga y seal aplicada al optoacoplador.
CIRCUITO DE CONTROL
+18V R2 10K Q1 R1 18K D1 D2 R3 100K Rp2 -18V 5K Rp1 20K Q2 C1 100 F +18V -18V D3 + -18V +18V +18V 12V R7 100 R8 100 R4 180
CIRCUITO DE POTENCIA
+ -
CARGA
R5 100
R6 100
Circuito rectificador en puente totalmente controlado
El esquema general del circuito de control de puerta es el siguiente.
TRANSFORMADOR INTEGRADOR ACONDICIONADOR SEAL DE RESET
DISPARADOR DE SCHMITT CIRCUITO DE POTENCIA
Descripcin del circuito CD6_2.CIR

* CD6_2.CIR *E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA * RECTIFICADOR CON TRANSFORMADOR DE TOMA INTERMEDIA V1 1 0 SIN(0 16.97V 50Hz) V2 0 2 SIN(0 16.97V 50Hz) R1 3 4 18K D1 1 3 D1N4148 D2 2 3 D1N4148 .LIB C:\PS50\DIODE.LIB VCC1 6 0 18V VCC2 7 0 -18V R2 6 5 10K Q1 5 4 0 Q2N5818 Q2 8 5 9 Q2N5818.MODEL Q2N5818 NPN(IS=650.6E-18 CJC=14.7P CJE=19.82P VJE=0.7 TF=761.3P TR=114.4N) C1 8 9 100N RP1 9 10 20K R3 10 7 100K X1 0 9 6 7 8 LM324 .LIB C:\PS50\LINEAR.LIB X2 8 11 6 7 12 LM324 .LIB C:\PS50\LINEAR.LIB VCC3 11 0 DC 9 .STEP LIN VCC3 D3 12 13 D1N4148 .LIB C:\PS50\DIODE.LIB R4 13 14 180HM X7 14 0 25 26 17 A4N25 .LIB C:\PS50\OPTO.LIB X3 21 25 24 2N6394 .LIB C:\PS50\THYRISTR.LIB R5 26 21 100 R 24 22 10HM V12 21 22 SIN( 0 16.97V 50HZ) .TRAN 200.00U 0.02 0 .END
+BF=127
6.4 DISPARO MEDIANTE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES

Los circuitos de disparo RC presentan la ventaja de la sencillez, pero tambin tienen dos inconvenientes importantes
La red debe ser adaptada a cada tipo de Tiristor. Toda la corriente de cebado pasa por la resistencia, disipando una potencia que no siempre ser despreciable.
Ejemplo 6.3
En el circuito de disparo mediante red RC de la figura, el condensador se carga a travs de las resistencias R1 y R2 retardando el momento en que se alcanza la tensin de cebado. El diodo, D descarga al condensador durante el semiperiodo negativo evitando la aplicacin de una fuerte tensin negativa a la puerta. Calcular, suponiendo que no estuviera conectada la puerta del semiconductor al diodo, el ngulo de retardo introducido por el condensador.
RL + Ve
Datos:
R1 R2 SCR C D
Ve = 220V/50Hz R1 = 200K R2 = 500 C = 0.1F
La impedancia del condensador
XC = XC =
La resistencia equivalente
1 C
1 = 31830.9 2 50 0.1 10 6
R = R 1 + R 2 = 200.5K
Por tanto el desfase introducido por el condensador ser
= arctg
XC = 9 R
Una solucin consiste en ir acumulando la energa til para as suministrarla en forma de impulso en el momento deseado. Esto permite ventajas tales como las que se enuncian a continuacin.
Cuando se trabaja en rgimen de impulsos se puede sobrealimentar la puerta. Como consecuencia, se pueden aceptar tolerancias muy amplias para las caractersticas del circuito de disparo. Reducir la potencia consumida al valor de la potencia estrictamente necesaria. Solo ser necesario el uso de componentes modestos, incluso para el caso en el que los tiristores del circuito conmuten altos valores de corriente.
Este funcionamiento se logra acumulando la energa necesaria en un condensador que se descargar sobre el circuito de puerta del tiristor. Por lo general, este ltimo circuito ser un oscilador de relajacin que aprovecha los fenmenos de resistencia negativa. Se considerar pues que el circuito oscilador de relajacin de la figura 6.26 en el que el dispositivo semiconductor tiene una tensin de disparo, VS una corriente de disparo, IS una tensin de mantenimiento, VH y una corriente de mantenimiento, IH.
V Rt
Dispositivo de disparo
Vi C
IF R2
Impulso de salida Fig 6. 26 Esquema de un circuito oscilador de relajacin.
Posteriormente se explicar con detalle el funcionamiento del circuito oscilador de relajacin as como la implementacin del mismo con dispositivos semiconductores de disparo.
6.4.1 DISPARO POR UJT.

El Transistor Uniunin, UJT es un popular dispositivo usado en los osciladores de relajacin para el disparo de Tiristores. El UJT est constituido por una resistencia de silicio tipo N, terminada en dos electrodos o bases denominadas B1 y B2. El valor de esta resistencia est comprendido entre
4 y 9 K. En un punto de ella se crea un diodo PN que realiza la funcin de emisor del UJT. Para que el UJT trabaje correctamente, es necesario polarizarlo de forma adecuada. Si los terminales B1 y B2 estn polarizados en directo con una tensin VBB, se crea un divisor de tensin entre el contacto de la regin P y los terminales B1 y B2, tal que el voltaje entre la regin P y el terminal B1 ser:
VRB1 =
donde
R B1 VBB = VBB R B1 + R B2 R B1 R B1 + R B2
E6.19
E6.20
El valor tpico del coeficiente, lo suministra el fabricante y est comprendido entre 0.5 y 0.8
VBB B2 E UJT Ve B1 B1
Fig 6. 27 Esquema de polarizacin y circuito equivalente del UJT.
B2 RB2 C RB1 Vc
Ie E
Ve
Si con esta configuracin se aplica una tensin VE < VC, el diodo se polariza en inverso y no conducir. Pero si por el contrario, se aplica una tensin VE tal que se verifica que VE VP, (siendo VP = VC + VD y VD la tensin directa de saturacin del diodo), el diodo quedar polarizado en sentido directo, circulando una corriente entre el emisor E y la base B1. Esta corriente inyecta en la zona de resistencia R1 una corriente de portadores (huecos). La nueva concentracin de portadores en esa zona hace que la resistencia R1 disminuya haciendo a su vez que baje el voltaje VC, con lo que aumentar la intensidad IE. De esta manera, se crear una zona de resistencia negativa inestable. Esta zona de resistencia negativa as como los dems parmetros est representada en la figura 6.28
Si se disminuye la tensin VEB1, entonces disminuye IE. Cuando el dispositivo alcance un valor inferior a la corriente de valle, IV aumentar el valor de VEB1 pasando a polarizar el diodo en sentido inverso.
IE
REGION DE SATURACIN
IV
REGION DE RESISTENCIA NEGATIVA
IP VV VP VEB1
Fig 6. 28 Caracterstica V-I del UJT
VEB1 (SATUR)
La secuencia de trabajo del oscilador de relajacin con UJT se puede comprender mejor observando la figura 6.29 El condensador se carga a travs de la fuente hasta alcanzar un valor que depende de la constante de tiempo aproximada del circuito, T
T R T CT
E6. 10
La frecuencia del oscilador depende del valor del condensador, CT y de la resistencia, RT Cuando la tensin del condensador se iguala al valor VE (VE = VC + VD), se llega a la tensin de pico VP. La resistencia entre el emisor y la base B1 baja rpidamente descargndose el condensador a travs de la resistencia R1, apareciendo un pulso en la puerta del tiristor. Esta R1 proporciona el paso de la corriente IBB que circula instantes antes de producirse el disparo. Si a esta corriente se le permitiese circular hacia la puerta del tiristor, se podra producir un disparo indeseado. Una desventaja asociada con la inclusin de R1 es que la mxima excursin de VB1 queda limitada por el valor IBBR1, como se puede ver en la figura anterior. Debe cumplirse que IBBR1 < VGT para evitar el disparo indeseado del SCR
VBB
C.A. C.C.
VE VP VE = VCT
RT B2 E IBB CT
R2 UJT B1 G R1
RL A SCR K
VE (min) 0 VB1 IBB R1 0 t VB1 = VGT
Fig 6. 29 Circuito y formas de onda de un oscilador de relajacin con UJT
Es importante escoger una tensin VBB de alimentacin adecuada, y un UJT con la suficiente capacidad de impulso VOB1. Si el pulso cae hasta alcanzar un valor cero, el UJT recupera el estado de bloqueo, volviendo el condensador a cargarse para repetir de nuevo el ciclo. La resistencia R2 se incluye para mejorar la estabilidad del UJT frente a la temperatura. En la mayora de los casos, el valor de esta resistencia puede ser calculado aproximadamente utilizando la siguiente expresin
R 2 = 0.15 rBB
El UJT es un dispositivo muy utilizado para el disparo de los tiristores.
IA (mA)
20 IE = 45 mA 15 IE = 30 mA IE = 15 mA IE = 0 mA
E6. 11
10
10
20
30
40
VBB (V)
Fig 6. 30 Caracterstica interbase del UJT para distintos valores de IE
Nomenclatura del UJT

A la hora de manejar las hojas de caractersticas para aplicaciones prcticas y durante el desarrollo de problemas, es muy importante conocer la nomenclatura especifica usada para determinar los parmetros principales del UJT IE Corriente de emisor. IEO Corriente inversa de emisor. Medida entre el emisor y la base 2 para una tensin dada y la base 1 en circuito abierto. IP Intensidad de pico de emisor. Mxima corriente de emisor que puede circular sin que el UJT alcance la zona de resistencia negativa. IV Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el emisor cuando el dispositivo est polarizado en el punto de la tensin de valle. rBB Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2 medida para una tensin interbase dada. VB2B1 Tensin entre la base 2 y la base 1, tambin llamada tensin interbase. VP Tensin de pico de emisor. Mxima tensin vista desde el emisor antes de que el UJT alcance la zona de resistencia negativa. VD Cada de tensin directa de la unin de emisor. Tambin llamada VF(EB1) VF. VEB1 Tensin de emisor en al base B1. VEB1(sat.) Tensin de saturacin de emisor. Cada de tensin directa entre el emisor y la base B1 con una corriente mayor que IV y una tensin interbase dada.
VV Tensin de valle de emisor. Tensin que aparece en el punto de valle con una VB2B1 dada. VDB1 Tensin de pico en la base B1. Tensin de pico medida entre una resistencia en serie y la base B1 cuando el UJT trabaja como un oscilador de relajacin. Relacin intrnseca.
=
rBB
VP VD VB2B1
E6. 12
Coeficiente de temperatura de la resistencia interbase. Variacin de la resistencia B2 y B1 para un rango de temperaturas dado y medido para una tensin interbase y temperatura con emisor a circuito abierto dadas.
Simulacin con Pspice 6.1

Simular con Pspice el circuito de la figura , obtener las formas de onda de la tensin en el condensador y en la salida.
VCC RT 20K 1
15 V RB2 100 3
2 4 VSALIDA CT 0.2F 0 RB1 20
Descripcin del circuito SIM6_1.CIR

*SIM6_1.CIR * E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA * OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT VCC 1 0 DC 15V;TENSION DE ALIMENTACION RT 1 2 20K CT 2 0 .2U IC=0V RB2 1 3 100 RB1 4 0 20 XT1 3 2 4 2N4851; SEMICONDUCTOR UJT .LIB NOM.LIB .TRAN 0.2ms 12ms .PROBE V(2) V(4) .END
Tensin en el condensador, vCT Tensin de salida, vsal

1 10V 2 10V
vCT
0V
5V
vsal
- 10V >> 0V 0s 1
4 ms V( 2 ) 2 V( 4 ) Ti me
8 ms
1 2 ms
En el siguiente ejemplo se disea un oscilador de relajacin con UJT.
Ejemplo 6.4
Para el circuito oscilador de relajacin con UJT de la figura. Calcular los valores mximo y mnimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta oscilacin del circuito, calcular tambin el valor de los dems componentes del circuito y simularlo mediante PsPice. Datos: VBB = VCC = 20V UJT: = 0.6; CA = 1F RB1 = 100 IP = 5A TD = 0.01... 0.1s
IV = 10mA
VV = 2V
VBB R1 R2 CA RB2 UJT RB1 V S
A partir de la grfica V-I del UJT se pueden determinar los lmites mximo y mnimo de la resistencia de carga del condensador, R1 + R2. Estas expresiones representan la condicin de oscilacin
IB
IV
R
IP 0 VV
min
R1 m ax
VP
VBB
VEB1
R max
VBB VP IP VBB VV IV
E6. 13
R min
E6. 14
V VV VBB VP R BB IP IV
E6. 15
La tensin de disparo, VP
VP = VBB + VD
VP = 12.5V.
E6. 16
Sustituyendo valores en las expresiones anteriores
Rmx = R1 + R2 = 1.5 M ;
Estos valores de resistencia aseguran la oscilacin.
Rmn = R1 = 1.8 K
Determinando la expresin de carga de un condensador, se podr calcular el valor de la resistencia que falta. Para los requerimientos de oscilacin
TD = 0.01 0.1s
Si se llama ttotal al periodo de carga y descarga del condensador, se puede descomponer en:
ttotal = tON + tOFF

donde tOFF = Tiempo o periodo de carga del condensador, el tiristor est bloqueado. tON = Tiempo o periodo de descarga del condensador. Normalmente, tOFF >> tON, por tanto se puede despreciar el valor de tON (comprobndolo posteriormente). Si se parte de la solucin de la ecuacin diferencial de carga de un condensador a partir de una tensin continua
VC (t) = VC (final) + [VC (inicial) VC (final)] e

Resolviendo la ecuacin anterior Para
t R C
E6. 17
t = tOFF
Vc (t) = VP
Vc(0) = Vv
Vc() = VBB
E6. 18
t OFF = R C ln
VBB VV VBB VP
Para las especificaciones del ejemplo, se van a determinar los valores de Rmin y Rmx:
TD = 0.01s TD = 0.1s
Rmn = 11.4 K Rmx = 113.6 K
Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente Sabiendo que
VBB >>> Vv;

La expresin anterior queda definitivamente
VP = VBB + VD VBB
t OFF = T = R C ln
1 1
E6. 19
Esta es la aproximacin para el clculo del periodo de oscilacin del circuito con UJT. Se debe hacer notar que cuando > 0.6, la ecuacin anterior queda reducida
T = R C
E6. 20
A continuacin se facilita el listado para la simulacin con Pspice, se recomienda al lector que lo simule y analice los resultados.

*EJ6_4.CIR *E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA *OSCILADOR DE RELAJACION VBB 1 0 DC 20V R1 1 2 10K * Seleccionar valores del potenciometro *R2 2 3 10K ;R1+R2 mnima R2 2 3 100K ;R1+R2 mxima CA 3 0 1UF ic=2V RB1 5 0 100 RB2 1 4 500 XT1 4 3 5 2N4851; UJT .LIB NOM.LIB .TRAN .2ms 0.4 .PROBE .END
En muchas aplicaciones, en las que se utilizarn Tiristores, no se dispone de una fuente de alimentacin de C.C para alimentar el circuito de disparo, y la nica fuente es la de C.A correspondiente a la etapa de potencia del circuito. En la figura 6.31, aparece un circuito de control de fase de media onda con UJT y SCR, en el cual la alimentacin VBB se toma de la lnea de C.A Como en todo circuito de control de fase, se desea controlar el tiempo de retardo en el disparo del SCR y por tanto la potencia en la carga. El SCR acta como un interruptor y una vez cerrado, aplica la tensin de la lnea a la carga. Antes de que se dispare el SCR la corriente de la lnea pasa por la resistencia de carga, por la resistencia RD y por el zner, debindose cumplir que el valor de RD >> RCARGA La resistencia, RD es necesaria para adaptar los 220 V a un nivel ms razonable para el funcionamiento de UJT. Esto significa que RD debe disipar una gran potencia, que se pierde. El diodo zner se emplea para obtener la tensin de alimentacin continua del UJT.
CARGA RD R2 Vin A K G R1 B1 CT RT VE DZ
Fig 6. 31 Circuito de control de fase de media onda con UJT y SCR Observese que el circuito de disparo es un oscilador de relajacin alimentado por ca.
El funcionamiento del circuito de la figura anterior puede ser el mismo en onda completa, obtenindose la tensin de UJT de un rectificador en puente de onda completa y aadiendo otro SCR como se ver ms adelante. Los UJT tienen muchas aplicaciones entre las que se puede destacar su empleo como temporizadores, divisores de frecuencia, sensores de tensin, multivibradores, etc...
Ejemplo 6.5
Mediante el circuito de la figura, se trata de controlar la potencia entregada al motor de un limpiaparabrisas. Calcular la variacin del nmero de movimientos del limpiaparabrisas por minuto y el tiempo de descarga aproximado del condensador. Suponer que cada oscilacin del UJT produce un movimiento del motor y que el SCR vuelve al estado de corte mediante algn procedimiento adecuado no representado en este circuito. Datos: VBB = Vcc = 20V UJT IP = 16A VD = 0.5V RB1 = 100 C = 50F = 0.6 rBBo = 5K
IV = 0.4mA
VV = 1V
M VBB R UJT C RB2 SCR RB1
Ve
Utilizando la expresin [E6.16] y considerando despreciable VD, se obtiene el valor, VP
VP VBB = 0.6 20 = 12V

Sustituyendo en las expresiones [E6.13 y E6.14], se obtienen los valores de resistencia mxima y mnima
R mx =
20 12 = 500K 16 10 6
R mn =
20 1 = 47.5K 0.4 10 3
El periodo de oscilacin, se calcula a partir de la expresin [E6.19]
TDmx = 500 103 50 10 6 ln TDmn
1 = 22.9 S 1 0.6 1 = 50 103 50 10 6 ln = 2.29 S 1 0.6 n mn = n mx = 60s = 2.62 22.9s 60s = 26.2 2.29s
Llamando, n al nmero de movimientos por minuto, se tiene que:
En definitiva, el rango de ajuste de variacin del movimiento es:
2.62 < n < 26.2

El tiempo de descarga de un condensador se ajusta a la expresin:
VC = V e
VC = VV
Despejando el tiempo
t RC
t = ton
V = VP
R = RB1
VP t ON R B1 C ln V V Sincronizacin de los circuitos de disparo
= 12.4ms
Los impulsos de disparo que se apliquen a la puerta de un tiristor, deben estar relacionados con la tensin que se tenga aplicada entre nodo y ctodo, de forma que para un ngulo de disparo determinado, los impulsos guarden la misma posicin relativa con respecto a la tensin de alimentacin. Si los impulsos de disparo son generados por un oscilador de "mando libre", hay que prever algn mtodo de sincronizacin de dicho oscilador con el generador de la tensin de alimentacin del circuito nodo - ctodo. Sincronizacin por pulsos negativos aplicados a la base B2
VE VP VE (max)
Vi
t Vo
t
Fig 6. 32 Formas de onda del circuito sincronizado por pulsos negativos aplicados a B2.
Al aplicar un impulso negativo a la base B2 se reduce VB1B2 y por consiguiente VP, provocndose el disparo del UJT. Este proceso se puede observar en la figura 6.32 Sincronizacin con la red de C.A.
R1 DZ R2 C R4 B1 SCR B2
Vi
VBB
R3 VAA
Fig 6. 33 Circuito de sincronizacin de pulsos con la red c.a.
Vi
VBB ( MAX)
2 3
4 5
8 9
10 11
12
VAA V
Fig 6. 34 Formas de onda del circuito de sincronizacin de pulsos con la red
El circuito bsico para conseguir el sincronismo del oscilador con UJT, con la red de alimentacin est representado en la figura 6.33. En la figura 6.34 se pueden observar las distintas formas de onda obtenidas del circuito de sincronizacin con la red. Los impulsos marcados con 1 y 9, son los impulsos que provocan el disparo del tiristor en perodos sucesivos. Los impulsos marcados con 2, 3, 4, 10, 11, 12, que se producen al final de cada semiperiodo, aunque son aplicados a la puerta del tiristor, en principio no provocan ninguna perturbacin puesto que el tiristor se encuentra en estado de conduccin. Estos impulsos indeseados podran ser eliminados mediante el diseo de un circuito auxiliar. Otra forma de eliminar estos impulsos indeseados, sera tomando la tensin Vi directamente entre el nodo y el ctodo del tiristor. En el siguiente ejemplo se realizar un estudio ms detallado de este tipo de circuitos de sincronizacin, mediante el diseo de un oscilador con UJT
Ejemplo 6.6
En la figura, se muestra el esquema de un regulador de corriente alterna de onda completa. Observar como en este montaje es posible controlar una seal alterna con un SCR mediante la configuracin del puente y del propio SCR. Disearlo y simular el circuito mediante PsPice.
2 D1N4007 11 Ve 0 2N4443 3 RL 1N5253 25 V R3 5 R1 R2 6 C 7 2N4851 8 RB1 RB2
Datos
Ve = 220V RB1= 20 Vz = 25V
f = 50Hz RB2= 100 IF = 2mA;
PL = 180W C = 0.2F fOSCILAC. = 100 . . . 900Hz
ZENER
Inicialmente ser necesario estudiar las grficas de la intensidad de pico, IP intensidad de valle, IV y tensin de valle, VV Para un valor VB1B2 = VZ = 25V,
IP = 1A;
IV = 8.5mA;
VV = 1.72V
El valor de la tensin de pico, VP se determinar aplicando la ecuacin [E6.16]
VP = VBB + VD = 19.75V
Sustituyendo en las expresiones [E6.14] y [E6.13] se calculan los valores mximo y mnimo de la resistencia, R = R1 + R2 que garantizan la oscilacin del circuito
R mn = 2.74K
Planteando la ecuacin de la constante de tiempo, [E6.19]
R mx = 5.25M
TD = 1.5 R C
Para los mrgenes de frecuencia especificados
TD1 =
1 = 1.5 R C R mx = R 1 + R 2 = 33.3K f1 1 TD2 = = 1.5 R C R mn = R 1 = 3.7K f2

R1 = 4K; R2 = 30K
Tomando valores normalizados
El diseo del circuito adaptador de tensiones se resume en el clculo de la resistencia R3. La tensin de salida del rectificador debe estar siempre por encima de la tensin marcada por el diodo zener, ocurriendo esto para un determinado ngulo de conduccin. Fijando ste en unos 15 aproximadamente
Ve = V0 senwt = 311 sen15 = 80.5V

El valor de la tensin a travs de la resistencia R3 ser el valor necesario para la correcta polarizacin del diodo zener (IZ = 2mA) y para el UJT IUJT = 4mA. El valor de la intensidad ser, por tanto, 6mA. Calculando el valor de R3, se tiene:
R3 =
V0 VZ 80.5 25 = = 9.25K I 6mA
Para la simulacin de circuitos con elevado nmero de nudos, se hace imprescindible la utilizacin de la versin ntegra de PsPice.

* EJ6_6.CIR * E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA * CIRCUITO DE DISPARO SINCRONIZADO CON LA RED DE C.A. VEN 1 0 SIN(0 311V 50Hz) D1 1 2 D1N4007 D2 3 2 D1N4007 D3 4 1 D1N4007 D4 4 3 D1N4007 RL 3 0 270 XT1 2 8 4 2N4443 ; TIRISTOR RLIM 2 5 9K DZ 4 5 D1N5253 ; ZENER *C1 5 4 100UF ic=25V RP 5 6 4K *RP 5 6 30K C 6 4 0.2UF ic=1.72V RB2 5 7 100 RB1 8 4 20 XT2 7 6 8 2N4851 ; UJT .LIB NOM.LIB .TRAN .001ms 40ms .OPTIONS LIBRARY .PROBE .END
[1] Tensin zener, vZ [2] Tensin en el condensador, vC

1 26V 2 34V
vZ
0V
17V
vC
- 26V
>> 0V 0s 1
6.35 ms
V( 5 ) - V( 4 ) 2 V( 6 ) - V( 4 ) Ti me
4 0 ms
El condensador tiende a cargarse hasta alcanzar un valor de tensin fijado por el diodo zener. sin embargo, cuando C alcanza el valor de la tensin de disparo del UJT, hace que ste se dispare. En este preciso momento se obtiene en la base 1 del UJT un impulso que provoca el disparo del tiristor haciendo que pase del estado de bloqueo al de conduccin.
[1] Impulsos de disparo, vG [2] Tensin en el SCR, vSCR

10V 312V
vSCR
0V
vG
0V >> - 312V 0s 1
6.35 ms
V( 8 ) - V( 4 ) 2 V( 2 ) - V( 4 ) Ti me
4 0 ms
En el circuito se puede observar que la disposicin del SCR, es tal que se puede controlar una potencia alterna, es decir los dos semiciclos con un solo SCR. En este caso se ha de tener en cuenta que por el puente de diodos va a circular la misma intensidad que por la carga. El proceso de disparo se repetir cada semiciclo de la seal de entrada, puesto que, gracias al puente de diodos, en extremos del tiristor siempre se tendr aplicada una seal positiva. Por tanto la seal estar controlada y en la carga se tendr una seal como la representada en la pantalla obtenida con Pspice.
[1] Impulsos de disparo, vG [2] Tensin en el SCR, vSCR
10V 312V
vSCR
0V
vG
0V >> - 312V 0s 1
6.35 ms
V( 8 ) - V( 4 ) 2 V( 2 ) - V( 4 ) Ti me
4 0 ms
Si se vara el potencimetro al valor mnimo de resistencia se observa como el disparo del tiristor se produce mucho antes con lo que la potencia entregada a la carga es mucho mayor, se invita al lector a comprobarlo utilizando Pspice.
Circuito de control de potencia por "Rampa - Pedestal"
Amplitud de la rampa
Tensin de umbral de disparo
Nivel del escaln Fig 6. 35 Principio de control de potencia por rampa pedestal o rampa - escaln.
Angulo de disparo
180
En el control de potencia por "rampa pedestal", el valor del escaln es fijado por una tensin de referencia, de nivel ajustable, siendo la rampa una tensin de referencia que se superpone al valor del escaln necesario para disparar al tiristor en un punto umbral fijo. Si se hace una breve descripcin del funcionamiento del circuito de disparo, figura 6.36 se puede decir que cuando el valor de tensin VE es mayor que la tensin VD, el condensador C, se carga a travs del potencimetro R fundamentalmente ya que se verifica que el valor de R es menor que el valor de R2, y por tanto con una constante de tiempo muy pequea. Cuando el nudo D alcanza un valor de tensin, tal que VD VE, el diodo D1 deja de conducir y el condensador C pasa a cargarse a travs de la resistencia R2 con una constante de tiempo de valor R2C mayor, hasta que alcance el valor de disparo del UJT.
R2 R E D1 VE C VD D
R4 B1 B2
Fig 6. 36 Circuito de disparo por el mtodo de rampa pedestal.
DZ
RL R2 R1 R3 D1 D2 D4 D5 D6 UJT T R5 T1 C R7 R8 TRIAC R6
RED
D3
Fig 6. 37 Sistema de control de temperatura.
El voltaje para el cual VD = VE se denomina voltaje pedestal y la variacin del voltaje a partir de este momento se denomina rampa. De aqu surge el nombre de este sistema de control Rampa Pedestal. En la figura 6.37 se muestra un ejemplo de aplicacin de un circuito de control de disparo por rampa - pedestal para un sistema de control de temperatura interior recubierto de papel de aluminio. Se hace un agujero en la caja y se inserta un tubo de cartulina (tal y como se representa en el circuito). La fotoclula se monta en el otro extremo del tubo de forma que no reciba luz del ambiente. La resistencia de la fotoclula es la resistencia de realimentacin del circuito denominada RF.
6.4.2 DISPARO POR PUT

El Transistor Uniunin Programable, PUT es un dispositivo de disparo muy usado en los circuitos de disparo por puerta para los Tiristores. Tiene tres terminales que se identifican como: ctodo (K), nodo (A) y puerta (G). El PUT, es un pequeo Tiristor con puerta de nodo, presentando unas caractersticas de disparo parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los osciladores de relajacin, pero presenta la ventaja de poder ser programado para determinar el valor de los parmetros , VP e IV mediante un sencillo circuito externo de polarizacin. (En el caso del UJT, viene predeterminado; VP = VBB + VD una vez fijada la tensin de alimentacin tambin es cte; IV es cte.) El PUT permite variar estos parmetros y por tanto se pueden obtener periodos de mayor duracin.
VBB IA A K GA RA VGA RS VA IA RG
VA
VS
Fig 6. 38 Montaje y circuito equivalente de un PUT
La operacin del PUT, depende de la tensin que se tenga aplicada entre el nodo y la puerta del dispositivo, figura 6.38 El voltaje de puerta es fijado por un divisor de tensin que es utilizado para programar el disparo del dispositivo. Si el voltaje de puerta es mayor que el voltaje de nodo, el PUT queda en estado de corte. Si se incrementa el voltaje de nodo hasta un punto alrededor de 0.7V (Voltaje de barrera de la unin P-N), el voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en un periodo de tiempo muy corto (menos de 1s). La tensin de nodo (VP) que hace que el dispositivo se dispare, es ajustada cambiando el voltaje de puerta, es decir, alterando la relacin:
RB RA + RB
En la figura 6.39 se representa un circuito oscilador con PUT. Las resistencias RA, RB y el condensador C, actan ajustando el retraso del voltaje de pico VP. En el paso de corte a conduccin, aparece un pulso de tensin VG (mayor de 6 V) en el ctodo del PUT. Este ser el pulso que apliquemos a la puerta del tiristor. El condensador se descargar a travs de la resistencia de ctodo haciendo que la corriente caiga hasta cero, cortando de esta manera al PUT. En este momento el voltaje de nodo se hace menor que el voltaje de puerta, comenzar a cargarse de nuevo el condensador hasta alcanzar un voltaje VP, repitindose de nuevo el ciclo. Cuando la tensin de nodo (VA) es superior a VG + VGA, comienza a conducir y tiene una caracterstica similar a la del UJT como se puede observar en la curva caracterstica V-I del PUT Tanto IP como IV dependen del valor de las resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG, siendo:
RG =
RA RB RA + RB
E6. 21
Es especialmente importante el hecho de que IP pueda reducirse hasta valores muy bajos usando valores grandes de RG. Esta caracterstica es muy til en circuitos con tiempos de retardo largos. (No hay que olvidar que se vio en el caso del UJT que Rmx dependa de IP). Los lmites de resistencia de carga del condensador RT se determinan de la misma forma que para el UJT. En el problema siguiente se tratar de disear el oscilador de relajacin con PUT a partir de las caractersticas dadas por el fabricante y para una determinada frecuencia.
V R1 RA R2 A C R K VG RS G VF VV 0 IP IV IF IA VAK Vp VS
ZONA DE RESISTENCIA NEGATIVA
Fig 6. 39 Oscilador de relajacin con PUT. Curva caracterstica V-I del PUT
Ejemplo 6.7
Disear el circuito oscilador de relajacin con PUT, representado en la figura. Datos: VBB = VCC = 10V PUT: VD = 0.6V C = 10nF fosc. = 1.5KHz
VV = 1V
VBB
RT
R1
C RK
R2
Para un periodo completo de oscilacin, el tiempo viene dado por la suma del tiempo de corte, toff y el tiempo de conduccin, ton
TD = toff + ton
El condensador se carga exponencialmente desde la tensin de valle a la tensin de pico, con una constante de tiempo dada por el producto RT C
t off = C R T ln
Donde
VBB VV VBB VP
VP = VD + VS = VD + VBB VS = VG
Sustituyendo en la ecuacin anterior:
t off = C R T ln
Si se cumple que
VBB VV VBB (1 ) VD
VBB >> VD
VBB >> VV
t off = C R T ln
Si se puede decir que
1 R + R2 C R T ln 1 (1 ) R2
ton <<< toff TD toff.
Considerando que R1 = R2
t off 0.7 C R T
Despejando el valor de RT
RT =
El valor de la resistencia de puerta se fija en
t off = 100 K 0.7 C

RG = 10 K.
RG =
Tambin se fijan valores para
R1 R 2 R1 + R 2
R1 = R2 = 20K y para VS = VBB = 5V
En la caracterstica V-I del PUT, se determinan los lmites entre los que puede oscilar el valor de la resistencia de carga.
R Tmx = R mn =
VBB VP IP VBB VV IV
Las intensidades de pico y de valle se determinan con ayuda de las curvas VS - IP y de las curvas VS - IV
IP = 5A;
VAK VBB VP RMIN
IV = 100A
Vv IP
Sustituyendo en las expresiones de RT
RMAX
IV
IA
RT > 430K
RT < 900K
Ip
10
15
20
25
30
35
Iv
100 mA
5 Ip
10 RG
15
20
25
30
35
R G = 200 . 10 A RG = 1 K 10 K R = 10 K 1 M 1A R G = 100 K 1.000 A . 10 mA
Vs
=
0 20
200
1K RG =
R G = 1 M 0.1 A 100 A RG Vs 10 A 0.01 A 0 5 10 15 20 25 30 35 5 A 0 5 10
R G = 10
10 K 1 M
Ip
0K R G = 10
RG = 1 M
R G
15 20
25
30
35
Vs
Bajo condiciones de operacin fijas, la variacin en el voltaje de valle respecto a la corriente de valle es bastante pequea para asegurar el apagado. Por ello, la resistencia RT deber ser dos o tres veces mayor que el valor mnimo.
RT 3 RTmn
El valor de la resistencia RT debe encontrarse entre estos dos lmites, lo que implica que para mantener las especificaciones dadas, se debera disminuir la capacidad del condensador. Otra alternativa es reducir el valor de la resistencia de puerta. Por tanto, si se fija el valor de esta resistencia en RG = 1K, Las resistencias R1 y R2 toman el valor 2K. Tomando valores normalizados Recalculando
R1 = R2 = 2.2K IV = 400A RT > 75K RT < 300K
IP = 15A;
El valor de la resistencia RT se ajusta a las condiciones antes impuestas.
75K < RT < 300K
6.4.3 DISPARO POR DIAC A1

El DIAC (Diode Alternative Current) es un dispositivo formado por tres capas de silicio con la estructura (npn pnp) y dos terminales principales de conduccin. No tiene terminal de control.
La caracterstica V - I del dispositivo no es lineal, aunque es simtrica en ambos sentidos de circulacin, Es decir, se trata de un dispositivo bidireccional y simtrico. En la figura 6.40 puede verse que, cuando el voltaje es positivo o negativo, pero inferior a un voltaje VS, llamado tensin de ruptura, el elemento se comporta como un circuito abierto. Sin embargo cuando se sobrepasa esta tensin, la pendiente de la caracterstica se hace negativa, aumentando la intensidad y disminuyendo el voltaje hasta el punto en que llega a comportarse casi como un cortocircuito.
A2
Fg 6. 40 Caracterstica V-I del Diac
La figura 6.41 muestra un circuito de disparo por DIAC. Cuando se conecta la fuente de tensin, el condensador comienza a cargarse a travs del potencimetro y de la resistencia en serie. Cuando el condensador alcanza el valor de la tensin de disparo de DIAC (aproximadamente 30V) este se hace conductor y el condensador se descarga sobre el circuito de puerta del TRIAC, que se dispara alimentando a la carga. Cuanto ms baja es la resistencia en serie con el condensador, ms rpidamente se alcanzar la tensin de 30V, y antes se disparar el TRIAC. Inversamente, cuanto mayor sea la resistencia en serie, menor ser la potencia recibida por la carga. Este circuito sufre un fenmeno de histresis: para una misma potencia, el ajuste del potencimetro difiere segn se est reduciendo o aumentando la potencia en la carga. Este fenmeno es producido por la carga residual del condensador.
RL P 220 V R Vc C DA4
Fig 6. 41 Circuito de disparo de TRIAC con Diac: Oscilador de relajacin.
DIAC
TRIAC
En la curva representada en la figura 6.43, el desfase existente entre la tensin de red y la tensin del condensador, se debe a la constante de tiempo RC; si el valor de esta constante de tiempo es elevado, el disparo del TRIAC se produce al final del semiperiodo en el punto A (VBO del DIAC). La pequea superficie marcada en la figura representa la potencia aplicada a la carga.
VTRIAC VBO VC
Fig 6. 42 Formas de ondas en extremos del condensador y del TRIAC en el oscilador de relajacin.
VRed Vc
B C
Fig 6. 43 Ciclo de carga del condensador del oscilador de relajacin de la figura 6.41
La descarga brusca del condensador, permite que el siguiente semiperiodo negativo de carga empiece a partir de un nivel diferente. El segundo punto de disparo (punto B) se alcanzar antes. Si se hubiese seguido la curva de trazos, el disparo debera haberse producido sobre el punto C.
1 punto de conmutacin
2 punto real de conmutacin
2 punto terico de conmutacin Fig 6. 44 Curva de carga del condensador con doble constante de tiempo.
La diferencia entre los puntos de disparo regulado y punto de disparo real, constituye el fenmeno denominado histresis. Para evitarlo sera necesario que el punto de partida de la carga se mantenga constante como se puede observar en la figura 6.44 Las curvas representadas en la figura anterior se han obtenido con el circuito de disparo de TRIAC con DIAC por el mtodo de la doble constante de tiempo de la figura 6.45 Ntese la presencia de los componentes que proporcionan la segunda constante
de tiempo, de forma que cuando C2 dispara al DIAC, C1 le suministra un refuerzo de tensin que acerca los puntos de disparo deseado y real.
RL R1 + R 2
R C1 C2
DIAC TRIAC
Fig 6. 45 Circuito de disparo de TRIAC con DIAC, mtodo de la doble constante de tiempo.
Para el diseo de una red de temporizacin se deber calcular el valor de los componentes R1 R2 C para que el ngulo de conduccin C pueda variar entre los lmites deseados. La resolucin analtica de este tipo de circuitos es laboriosa, por lo que se han confeccionado una serie de curvas para poder llevar a cabo el diseo. Un ejemplo de estas curvas se muestra en la figura 6.46 Estas curvas de diseo, expresan la relacin existente entre el nivel de tensin con que se carga el condensador C, normalizada respecto al valor eficaz de la tensin de lnea en funcin del ngulo de conduccin y del parmetro = 2RCf, siendo f la frecuencia (expresada en hercios) de la tensin de lnea. En el ejemplo 6.8 se hace un estudio sobre este tipo de curvas. Conocida la tensin de disparo VP del elemento de disparo, se obtendr la relacin existente entre la diferencia VP Vq(0) y la tensin eficaz de lnea. Con el valor obtenido y conocidos los ngulos de conduccin deseados, se obtendr los valores de , (C1) y (C2). Teniendo en cuenta estos valores y fijando un determinado valor para el condensador, C se podr determinar el valor de R1 y el valor de R2, partiendo de las siguientes relaciones:
( C1 ) = 2 (R 1 + R 2 ) C f ( C 2 ) = 2 R 1 C f
E6. 22
E6. 23
1.80 1.40 1.20 1.00 0.80 0.60 0.40 0.20 0 0 180 20 160 V
R C Vc 0.1 0.2 Capacitor voltage, Vc 0.3 0.4 0.5 0.7 1 1.5 2 3 5
Applied voltage, V
NORMALIZED VOLTAGE AS A FRACTION OF rms CHARGING SOURCE VOLTAGE
40 140
60 120
80 100
100 80
120 60
140 40
160
180
0 20 DELAY ANGLE CONDUCTION ANGLE
Fig 6. 46 Tensin del condensador en funcin del ngulo de conduccin cuando se carga a partir de una tensin ca.
Ejemplo 6.8
Disear el circuito de control de potencia de onda completa con DIAC de la figura, sabiendo que presenta doble constante de tiempo. Datos
TRIAC (MAC3020) VDRM = 400V MT2 (+), G(+) IGT = 30mA DIAC ( DB3 )
IDRM = 2mA IGT = 30mA VGT = 2V V(BR)

12
VTM = 2V VGT = 2V = 32V;
IH = 40mA; MT2 (-), G(-)
= V(BR)
21
V12 = V21 = 5V
El control de la luminosidad de la lmpara se realiza a travs de R2 y de C2. La misin de la red formada por R1 - C1, es cargar al condensador C2 a travs de la resistencia variable R, de forma que se compense la cada de tensin que se produce en el condensador C2 al dispararse el DIAC, mantenindose as unos potenciales constantes, tanto positivos como negativos, desde los cuales el condensador C2 se carga hasta que se produce el prximo disparo. Fijando un valor para el condensador C2 de 0.1 F, y siendo la tensin de disparo del DIAC VBO = 32V, con V = 5V, se obtiene:
VP [ VP + V ] 32 [ 32 + 5] = = 0.268 VEF(lnea) 220
Si los ngulos de conduccin C1 = 30 y C2 = 150, se llevan a la curva de la figura 6.46, se tiene:
(C1) 3.5
El valor de la resistencia R2 ser
(C2) 0.25
R2 =
3.5 ( C1 ) = = 350K 2 C 2 f 2 (0.110 6 ) 50
R2 =
( C2 ) 0.25 = = 25K 2 C 2 f 2 (0.1 10 6 ) 50
El potencimetro R2, debe variar hasta 350K para alcanzar un ngulo de conduccin final de 150. Como se desea que en el momento del disparo la carga del condensador C1 sea un poco mayor que la carga del condensador C2, se elige C1 = C2 = 0.1F. El valor de R1 debe ser menor que la valor mximo de R2, por lo que R1 tomar un valor de 100 K.
0.35 NORMALIZED VOLTAGE AS A FRACTION OF rms CHARGING SOURCE VOLTAGE 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 1.5 2 2.5
0.30
0.25
0.223
0.20
4 5
0.15 7 0.10 10 15 0.05 20 0 0 180 20 160 40 60 120 80 100 100 80 120 60 140 40 50 160 180 0
150
140
30
20
DELAY ANGLE CONDUCTION ANGLE
6.5 Utilizacin de optoacopladores

Un acoplador ptico, est constituido por la asociacin dentro de una misma cpsula de un fototiristor o fototransistor y un diodo LED. Este tipo de dispositivos va a permitir un buen aislamiento entre el circuito principal (circuito de potencia) y el circuito de control. La intensidad de disparo necesaria es del orden de 50 mA, obtenindose aislamientos de unos 2000V En algunos casos se puede encontrar por separado el fototiristor y el diodo luminiscente con el fin de poder usarlo como detector de posicin o un captador.
1 Anodo 2 Catodo 6
Terminal principal
5 Subtrato (no conectar) 4

Detector de tensin cero
3 NC
Terminal principal Fig 6. 47 Esquema de un acoplador ptico con tiristores.
Los optoacopladores MOC3040 y MOC3041 de Motorola son un claro ejemplo de este tipo de dispositivos.
ITM
+800 +600 +400 +200 0 -200 -400 -600 -800 -4.0 -3.0 -2.0 -1.0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 Fig 6. 48 Grfica de un optoacoplador Caracterstica V-I
Anchura de pulso 80 s IF = 30 mA F = 60 Hz TA = 25 C
VTM
En la curva caracterstica representada en la figura, se muestra la relacin que existe entre el voltaje de pico VTM y la corriente de pico ITM en el estado de conduccin del detector, cuando por el diodo circula una corriente IF = 30mA. Observando esta curva, se puede ver como hay una zona comprendida entre los valores 1.5V < VTM < 1.5V en la cual el valor de la intensidad ITM toma un valor cero, zona en la cual es muy propicio el disparo del dispositivo. Para valores superiores, el detector impide que el Triac se dispare, evitando as los disparos indeseados de ste.
Aplicaciones en C.A.
Una de las aplicaciones de los Optoacopladores es el control de disparo de Tiristores y Triacs de potencia que conmutan cargas que consumen una gran potencia, puesto que con el empleo de este tipo de dispositivos se garantiza un perfecto aislamiento entre el circuito de disparo y el circuito de potencia. Un caso usual de aplicacin, es la conmutacin de cargas resistivas puras tales como lmparas incandescentes y elementos calefactores, como se puede ver en la figura 6.49 El dispositivo semiconductor de potencia debe ser elegido de tal modo que soporte los picos de potencia originados en la conmutacin de estas cargas, que con frecuencia suelen ser elevados.
RS RL
VS
220 V
Fig 6. 49 Circuito de control de potencia, para una carga resistiva pura, con optoacoplador.
Para los Optoacopladores que se est tratando (MOC3040 y MOC3041), Motorola presenta los Triacs de potencia de las series MACXXXX para que se usen conjuntamente en el control de potencia. Para el diseo de un circuito de control de potencia utilizando un Optoacoplador y un Tiac, se estudia el circuito de la figura 6.50 La resistencia denominada RC en el circuito, limita la corriente a travs del Optoacoplador. El mximo valor de la corriente permitida a travs del Optoacoplador, es decir,
la corriente de pico ITSM , determina el valor mnimo de RC. Considerando una tensin de red de 110V, cabe esperar un pico de tensin VIN(pk).
VIN(pk) = 1.2 110V 2 = 187V

Con lo cual, se obtiene el valor de RC (min)
R Cmn =
VIN(pk) I TSM
187 = 155.8 1.2
E6. 24
El valor ITSM = 1.2 A se obtiene en las hojas de caractersticas

Rin IFT 2 3 1 OPTO ACOPLADOR 6 RC CARGA MT1 RS
5 4
CS RGK
Fig 6. 50 Circuito de control de potencia utilizando optoacoplador con triac.
El valor mximo de RC se calcula de forma que permita el paso de la corriente de disparo del triac IGT, asegurando entre los extremos de este, la tensin mxima de pico en estado de conduccin, VTM y para la tensin por encima de la cual no se produce el disparo del dispositivo VIH. En las caractersticas dadas para el optoacoplador MOC3040 y para el triac MAC3030 - 25, se tiene que el valor de VIH = 40V, VTM = 1.8V y que IGT = 40mA. Por lo tanto:
R C (mx) =
VIH VTM = 957.75 I GT
E6. 25
En la prctica, el valor de la resistencia RC suele estar comprendido entre los valores 310 y 460 . La tensin de lnea necesaria para que se produzca el disparo es:
VL = R C I GT + VTM (Optoacoplador) + VGT (Triac)
E6. 26
Para este caso, de las hojas de caractersticas se tomarn los siguientes datos: VGT = 2V, IGT = 40mA, VTM = 1.8V, RC = 310V. Sustituyendo los valores en la ecuacin anterior, se tiene VL = 16.5V En el caso de optoacopladores con triac, el uso de cargas inductivas tales como motores, rels e imanes, crearn ciertos problemas para el funcionamiento correcto del circuito. El problema mayor reside en que la corriente de carga a travs del Triac est retrasada con respecto a la tensin de red un determinado ngulo. Despus de la desactivacin de las seales de potencia permanece en conduccin hasta que la corriente de carga haya cado por debajo del valor de su corriente de mantenimiento. Por otro lado, al dejar de conducir el triac (turn - off), se genera en la carga un pico de tensin que acta sobre el triac. Si la velocidad de subida de esta tensin excede a la velocidad de conmutacin del triac dV/dt o al valor de dV/dt esttico del acoplador, el triac vuelve al estado de conduccin, es decir, la carga no puede ser conmutada. Cuando el valor de dV/dt del circuito excede la capacidad del optoacoplador o del triac, se coloca una red Snubber formada por RC y por CS entre los extremos del triac para protegerlo. El clculo de la red se realiza teniendo en cuenta que la velocidad de subida crtica de la tensin de conmutacin de triac (dV/dt (C)), tiene que ser igual a la relacin entre la tensin de apagado (Vturn - off) respecto de la constante de tiempo de la red formada por los elementos RS y por CS.
VTURN OFF dV (C) = dt R S CS
R S CS =
VTURN OFF dV (C) dt
E6. 27
Como no se conoce el valor del ngulo de desfase entre la tensin y la intensidad (factor de potencia), para una tensin de red de 110V suele tomarse un valor de 0.1, de forma que:
VTURN OFF = Vpk sen Vpk = 187V
E6. 28
Para el triac MAC3030-25, y observando las tablas anteriores, se obtendr los siguientes valores: dV/dt = 5V/s y tomando un condensador de valor CS = 0.1s, sustituyendo se tendr que RS tomar el valor
RS =
187 = 347 5 0.1 10 6
Bibliografa.
AGUILAR PEA, J. D.; RIVERA JUREZ, R; SNCHEZ GONZALEZ, J. L.: Tiristores: Fundamentos y Elementos de Disparo. Universidad de Jan. Servicio de Publicaciones e Intercambio Cientfico, Jan 1994. RASHID, MUHAMMAD H.: Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall Hispanoamericana, S.A., Mxico 1995. DANIEL W. HART: Electrnica de Potencia. Ed. Prentice Hall, Madrid 2001. BRADLEY D. A.: Power Electronics. Ed. Chapman & Hall, Londres 1995 AGUILAR PEA, J. D.; DOMENECH MARTNEZ, A.; GARRIDO SNCHEZ, J.: Simulacin Electrnica con PsPice. Ed. RA-MA, Madrid 1995.
Indice. 6.1 Introduccin ______________________________________________________ 1 6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios ______________________________ 1 6.2.1 Disparo por corriente continua ____________________________________ 1 6.2.2 Disparo por corriente alterna ______________________________________ 5 Cuestin didctica 6.1 _______________________________________________ 8 6.2.3 disparo por impulsos o trenes de ondas ______________________________ 9 Osciladores de relajacin ___________________________________________ 9 Disparo por impulso nico _________________________________________ 10 Disparo por trenes de ondas ________________________________________ 11 6.3 Circuitos de mando________________________________________________ 13 6.3.1 circuitos todo o nada ___________________________________________ 16 Mando sncrono _________________________________________________ 17 Control por paquetes de semiondas (todo o nada) _______________________ 19 Circuitos integrados de disparo _____________________________________ 19 6.3.2. Control de disparo por ngulo de conduccin. (Control de fase). ________ 21 Circuitos de control de puerta. ______________________________________ 21 Cuestin didctica 6.2 ______________________________________________ 26 6.4 Disparo mediante circuitos semiconductores __________________________ 28 6.4.1 Disparo por UJT. ______________________________________________ 29 Nomenclatura del UJT ____________________________________________ 33 Sincronizacin de los circuitos de disparo _____________________________ 41 Circuito de control de potencia por "Rampa - Pedestal" __________________ 48 6.4.2 disparo por put________________________________________________ 49 6.4.3 disparo por diac _______________________________________________ 55 6.5 Utilizacin de optoacopladores ______________________________________ 61 Aplicaciones en C.A. _____________________________________________ 62 Bibliografa. ________________________________________________________ 65

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CAPTULO 6

TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL

6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios

6.2.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA

Zona preferente de cebado

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 3

Fig 6.3 Punto de funcionamiento del Tiristor en el cebado.

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 5

VS min = R Smx I o + Vo = 4.25V

VS(mx) = R G (mx) R + R G (mx) S(mn)

Haciendo PGM = PGAV y despejando VSmx

P VSmx = GAVmx R Gmx

6.2.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA

Se debe prestar atencin a dos parmetros importantes

Aplicando las leyes de Kirchoff se calcula Ve para cada valor de R

Ve = 2 Ve(RMS) senwt wt = arcsen Ve 2 Ve( RMS)

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 7

La tensin media entregada a la carga, depende del ngulo de disparo

1 180 V wt Vmsenwt = m ( cos180 + coswt ) 2 2

Ve = 11.44 V Ve = 17.44V Ve = 21.44 V

VDC = 12.51 V VDC = 12.14 V VDC = 11.82 V

Descripcin del circuito EJ6_2.CIR

RL = 5 K Seal de entrada, ve Tensin nodo ctodo, vAK Tensin en la carga, vRL

Ve = 11.10 V Ve = 16.12 V Ve = 20.30 V

VDC = 11.96 V VDC = 11.65 V VDC = 11.35 V

Cuestin didctica 6.1

Descripcin del circuito CD6_1.CIR

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 9

6.2.3 DISPARO POR IMPULSOS O TRENES DE ONDAS

Fig 6. 5 Oscilador de relajacin. Circuito tpico

Disparo por impulso nico

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 11

Disparo por trenes de ondas

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 13

Despejando el valor de la induccin de la ecuacin anterior

6.3 Circuitos de mando

Entrega de paquetes de semiondas (Todo o Nada)

Control por ngulo de fase

Fig 6. 10 Control todo o nada

Fig 6. 11 Control por ngulo de fase

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 15

Fig 6. 12 Control por ngulo de fase (SCR mediaonda)

Fig 6. 13 Control por ngulo de fase (TRIAC onda completa)

6.3.1 CIRCUITOS TODO O NADA

Mayor rapidez de repuesta. Menor tamao. Ausencia de chispas entre contactos.

Carga Z S SCR VIN

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 17

Carga I II Mando de puerta Detector Paso por cero Comparador Q S X A2 TRIAC A1

Fig 6. 16 Diagrama de bloques de un interruptor sncrono con triac.

Tensin de red Umbral del detector

Impulsos de mando X en modo I

Impulsos de mando X en modo II

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 19

Control por paquetes de semiondas (todo o nada)

Circuitos integrados de disparo

Circuitos integrados CA 3059 / CA 3079 de RCA

INV. Fall safe

Fig 6. 18 Circuito Integrado CA3059: Diagrama de bloques (Cortesa RCA).

CAPTULO 6. TIRISTORES. CIRCUITOS DE CONTROL 21

6.3.2. CONTROL DE DISPARO POR NGULO DE CONDUCCIN. (CONTROL DE FASE).

Circuitos de control de puerta.

U r = Valor de pico de U r U r cos = U cm

Fig 6. 19 Funcionamiento de un dispositivo de control de puerta.