Diodos Schottky

El diodo Schottky es otro tipo de diodo semiconductor que puede utilizarse en

una gran variedad de aplicaciones de rectificación, conmutación y
conformación de ondas, al igual que cualquier otro diodo de unión. La principal

Ventaja es que la caída de tensión directa de un diodo Schottky es

sustancialmente menor que los 0.7 voltios del diodo de unión PN de silicio
convencional.

Los diodos Schottky tienen muchas aplicaciones útiles, desde la rectificación, el

acondicionamiento de la señal y la conmutación, hasta compuertas lógicas TTL
y CMOS, debido principalmente a su bajo consumo y su rápida velocidad de
conmutación.
También pueden utilizarse en muchas de las mismas aplicaciones que los
diodos de unión PN convencionales y tienen muchos usos diferentes,
especialmente en la lógica digital, la energía renovable y las aplicaciones de
paneles solares.
El diodo Schottky (también conocido como diodo de barrera schottky o diodo de
barrera superficial) es otro tipo de diodo semiconductor formado por la unión de
un metal con un semiconductor. A esta unión se le conoce como unión
metal-semiconductor o unión M-S. Esta unión tiene una baja caída de tensión
directa (de 0.15 a 0.45 V) que el diodo de unión P-N y puede utilizarse en
aplicaciones de radiofrecuencia (RF) y conmutación de alta velocidad.

Pero un diodo de unión PN de silicio tiene una tensión directa típica de 0.6-0.75
V, mientras que la tensión directa de Schottky es de 0.15-0.45 V.
Esta menor necesidad de tensión directa permite que los diodos Schottky
puedan encenderse y apagarse mucho más rápido que el diodo de unión p-n.
Además, el diodo schottky produce menos ruido no deseado que el diodo de
unión p-n. Estas dos características del diodo schottky lo hacen muy útil en los
circuitos de potencia de conmutación de alta velocidad.
La unión en un diodo Schottky está formada por el metal (como el oro, el
tungsteno, el cromo, el platino, el molibdeno o ciertos siliciuros) y un
semiconductor de silicio dopado de tipo N.
Aquí, el ánodo es el lado metálico y el cátodo es el lado semiconductor.

Símbolo del Diodo Schottky

El símbolo del diodo Schottky se basa en el símbolo básico del diodo. El

símbolo de Schottky se diferencia de otros tipos de diodos por la adición de dos
patas extras en la barra del símbolo.

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Construcción del Diodo Schottky

A diferencia de un diodo de unión pn convencional, que está formado por una
pieza de material de tipo P y otra de tipo N, los diodos Schottky se construyen
con un electrodo metálico unido a un semiconductor de tipo N. Al estar
construidos con un compuesto metálico en un lado de la unión y silicio dopado
en el otro, el diodo Schottky no tiene capa de agotamiento y se clasifica como
dispositivo unipolar, a diferencia de los típicos diodos de unión pn, que son
dispositivos bipolares.
El metal de contacto más común utilizado para la construcción de diodos
Schottky es el «siliciuro», que es un compuesto de silicio y metal altamente
conductor. Este contacto silicida de metal-silicio tiene un valor de resistencia
óhmica razonablemente bajo, lo que permite que fluya más corriente y produce
una menor caída de tensión directa de alrededor de Vƒ<0.4V cuando se
conduce. Diferentes compuestos metálicos producirán diferentes caídas de
tensión directa, normalmente entre 0.3 y 0.5 voltios.

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Arriba se muestra la construcción simplificada en el que un semiconductor de

silicio de tipo n ligeramente dopado se une con un electrodo metálico para
producir lo que se denomina una «unión metal-semiconductor».
La anchura, y por tanto las características eléctricas, de esta unión
metal-semiconductor dependerán en gran medida del tipo de compuesto
metálico y del material semiconductor utilizado en su construcción, pero cuando
está en polarización directa, los electrones se mueven desde el material de tipo
n hacia el electrodo metálico permitiendo que fluya la corriente. Por lo tanto, la
corriente a través del diodo Schottky es el resultado de la deriva de los
portadores mayoritarios.
Como no hay material semiconductor de tipo p y, por lo tanto, no hay
portadores minoritarios (huecos), cuando se pone en polarización inversa, la
conducción de los diodos se detiene muy rápidamente y pasa a bloquear el
flujo de corriente, como en el caso de un diodo de unión pn convencional. Por
lo tanto, un diodo Schottky tiene una respuesta muy rápida a los cambios de
polarización y demuestra las características de un diodo rectificador.

Cuando el metal se une al semiconductor tipo n, los electrones de la banda de

conducción (electrones libres) del semiconductor tipo n se desplazarán del
semiconductor tipo n al metal para establecer un estado de equilibrio.

Sabemos que cuando un átomo neutro pierde un electrón se convierte en un

ion positivo y que cuando un átomo neutro gana un electrón extra se convierte
en un ion negativo.

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Los electrones de la banda de conducción o los electrones libres que cruzan la

unión, proporcionarán electrones adicionales a los átomos del metal. Como
resultado, los átomos de la unión del metal ganan electrones extra y los átomos
de la unión del lado n pierden electrones.
Los átomos que pierden electrones en la unión del lado n se convertirán en
iones positivos, mientras que los átomos que ganan electrones adicionales en
la unión del metal se convertirán en iones negativos. Así, se crean iones
positivos en la unión del lado n e iones negativos en la unión del metal. Estos
iones positivos y negativos no son más que la región de agotamiento.
Como el metal tiene un mar de electrones libres, la anchura sobre la que estos
electrones se mueven hacia el metal es insignificante en comparación con la
anchura dentro del semiconductor tipo n. Por lo tanto, el potencial incorporado
o la tensión incorporada están presentes principalmente en el interior del
semiconductor de tipo n. La tensión incorporada es la barrera que ven los
electrones de la banda de conducción del semiconductor tipo n cuando intentan
pasar al metal.
Para superar esta barrera, los electrones libres necesitan una energía mayor
que la tensión incorporada. En un diodo schottky no polarizado, sólo un
pequeño número de electrones fluye desde el semiconductor tipo n hacia el
metal. La tensión integrada impide el flujo de electrones desde la banda de
conducción del semiconductor hacia el metal.
La transferencia de electrones libres del semiconductor de tipo n al metal da
lugar a la flexión de la banda de energía cerca del contacto.

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Si el terminal positivo de la batería está conectado al metal y el terminal

negativo de la batería está conectado al semiconductor de tipo n, se dice que el
diodo schottky está en polarización directa.
Cuando se aplica una tensión de polarización directa al diodo schottky, se
genera un gran número de electrones libres en el semiconductor de tipo n y en
el metal. Sin embargo, los electrones libres en el semiconductor tipo n y en el
metal no pueden cruzar la unión a menos que la tensión aplicada sea superior
a 0.2 voltios.
Si la tensión aplicada es superior a 0.2 voltios, los electrones libres ganan
suficiente energía y superan la tensión integrada de la región de agotamiento.
Como resultado, la corriente eléctrica comienza a fluir a través del diodo
schottky.
Si la tensión aplicada aumenta continuamente, la región de agotamiento se
vuelve muy fina y finalmente desaparece.

Si el terminal negativo de la pila está conectado al metal y el terminal positivo

de la pila está conectado al semiconductor de tipo n, se dice que el diodo
schottky tiene polarización inversa.
Cuando se aplica una tensión de polarización inversa al diodo schottky, el
ancho de la región de agotamiento aumenta. Como resultado, la corriente
eléctrica deja de fluir. Sin embargo, fluye una pequeña corriente de fuga debido
a los electrones excitados térmicamente en el metal.
Si se aumenta continuamente la tensión de polarización inversa, la corriente
eléctrica aumenta gradualmente debido a la debilidad de la barrera.

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Si la tensión de polarización inversa aumenta mucho, se produce un aumento

repentino de la corriente eléctrica. Este aumento repentino de la corriente
eléctrica hace que la región de agotamiento se rompa, lo que puede dañar
permanentemente el dispositivo.

Como podemos ver, la forma general de las características I-V del diodo
Schottky es muy similar a la de un diodo de unión PN estándar, excepto que
la esquina a la que el diodo Schottky comienza a conducir es mucho más baja,
alrededor de 0.4 voltios.

Debido a este menor valor, la corriente directa de un diodo Schottky de silicio

puede ser muchas veces mayor que la de un típico diodo de unión pn,
dependiendo del electrodo metálico utilizado. Recuerde que la ley de Ohm nos
dice que la potencia es igual a los voltios por los amperios, (P = V*I) por lo que
una menor caída de tensión directa para una corriente de diodo dada,
ID producirá una menor disipación de potencia directa en forma de calor a
través de la unión.

Esta menor pérdida de potencia hace que el diodo Schottky sea una buena
opción en aplicaciones de baja tensión y alta corriente, como los paneles
solares fotovoltaicos, donde la caída de tensión directa (VF) en un diodo de
unión pn estándar produciría un efecto de calentamiento excesivo.

Sin embargo, hay que tener en cuenta que la corriente de fuga inversa (IR) de
un diodo Schottky suele ser mucho mayor que la de un diodo de unión pn.

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Ventajas del Diodo Schottky

● Capacitancia de Unión Baja: Sabemos que la capacitancia es la capacidad de

almacenar una carga eléctrica. En un diodo de unión P-N, la región de
agotamiento está formada por cargas almacenadas. Por lo tanto, existe una
capacitancia. Esta capacitancia está presente en la unión del diodo. Por lo
tanto, se conoce como capacitancia de unión. En el diodo schottky, las cargas
almacenadas o la región de agotamiento son insignificantes. Por lo tanto, un
diodo schottky tiene una capacitancia muy baja.
● Tiempo de Recuperación Inversa Rápido: El tiempo que tarda un diodo en
pasar del estado ON al estado OFF se denomina tiempo de recuperación
inversa.
● Para pasar del estado ON (conductor) al estado OFF (no conductor), las cargas
almacenadas en la región de agotamiento deben descargarse o eliminarse
antes de que el diodo pase al estado OFF (no conductor).
● El diodo de unión P-N no pasa inmediatamente del estado ON al estado OFF
porque tarda algún tiempo en descargarse o eliminar las cargas almacenadas
en la región de agotamiento. Sin embargo, en el diodo schottky, la región de
agotamiento es insignificante. Por tanto, el diodo schottky pasa inmediatamente
del estado ON al OFF.
● Densidad de Corriente Alta: Sabemos que la región de agotamiento es
insignificante en el diodo schottky. Por lo tanto, la aplicación de un pequeño
voltaje es suficiente para producir una gran corriente.
● Caída de tensión directa baja o tensión de encendido bajo: La tensión de
encendido del diodo schottky es muy pequeña en comparación con la del diodo
de unión P-N. La tensión de encendido del diodo schottky es de 0.2 a 0.3
voltios, mientras que la del diodo de unión P-N es de 0.6 a 0.7 voltios. Por
tanto, basta con aplicar una pequeña tensión para producir corriente eléctrica
en el diodo schottky.
● Alta eficiencia
● Los diodos Schottky funcionan a altas frecuencias.
● El diodo Schottky produce menos ruido no deseado que el diodo de unión P-N.

Las ventajas del diodo Schottky hacen que su rendimiento pueda superar con
creces a los otros diodos en muchos ámbitos.

Desventajas del Diodo Schottky

● Gran corriente de saturación inversa: El diodo Schottky produce una corriente

de saturación inversa mayor que el diodo de unión p-n.

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Aplicaciones del Diodo Schottky

Los diodos Schottky se utilizan ampliamente en la industria electrónica,

encontrando muchos usos como diodos rectificadores. Sus propiedades únicas
permiten su uso en una serie de aplicaciones en las que otros diodos no
podrían ofrecer el mismo nivel de rendimiento. En particular, se utiliza en áreas
como:

● Diodo mezclador y detector de RF: El diodo Schottky es un componente muy

útil para aplicaciones de radiofrecuencia por su alta velocidad de conmutación
y su capacidad de alta frecuencia. Por ello, los diodos de barrera Schottky se
utilizan en muchos mezcladores de anillo de diodos de alto rendimiento.
Además, su baja tensión de conexión y su baja capacidad de unión hacen que
este tipo de diodo sea ideal para su uso en detectores de RF.
● Rectificador de potencia: Los diodos Schottky también se utilizan como
rectificadores de alta potencia. Su alta densidad de corriente y su baja caída de
tensión de avance hacen que se desperdicie menos energía que si se utilizaran
diodos de unión PN ordinarios. Este aumento de la eficiencia significa que hay
que disipar menos calor y que se pueden utilizar disipadores de calor más
pequeños, con lo que se ahorra peso y costes.
● Circuitos de potencia: Los diodos Schottky pueden utilizarse en aplicaciones
en las que una carga es accionada por dos fuentes de alimentación distintas.
Un ejemplo puede ser una fuente de alimentación de red y otra de batería. En
estos casos es necesario que la energía de una fuente no entre en la otra. Esto
puede conseguirse utilizando diodos. Sin embargo, es importante minimizar la
caída de tensión en los diodos para garantizar la máxima eficacia. Como en
muchas otras aplicaciones, este diodo es ideal para ello por su baja caída de
tensión hacia delante.
Los diodos Schottky suelen tener una elevada corriente de fuga inversa. Esto
puede provocar problemas en los circuitos de detección que se utilicen. Las
vías de fuga en circuitos de alta impedancia pueden dar lugar a lecturas falsas.
Por lo tanto, esto debe tenerse en cuenta en el diseño del circuito.
● Aplicaciones en paneles solares: Las paneles solares suelen estar
conectadas a baterías recargables, a menudo baterías de plomo-ácido, porque
la energía puede ser necesaria las 24 horas del día y el Sol no está siempre
disponible. A los paneles solares no les gusta que se les aplique la carga
inversa, por lo que se requiere un diodo en serie con los paneles solares.
Cualquier caída de tensión provocará una reducción de la eficiencia y, por
tanto, se necesita un diodo de baja tensión. Al igual que en otras aplicaciones,
la baja caída de tensión del diodo Schottky es especialmente útil, por lo que es
la forma de diodo preferida en esta aplicación.

El diodo Schottky se utiliza en muchas aplicaciones. Su particularidad es que

se utiliza tanto para la detección de señales de muy baja potencia como para la
rectificación de alta potencia. Las propiedades del diodo Schottky lo hacen
idóneo para su uso en ambos extremos del espectro.
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El diodo Schottky también se utiliza en otros dispositivos, desde fotodiodos

hasta MESFET. De este modo, esta forma de diodo no sólo se utiliza en
muchos circuitos en su formato discreta, sino que también es una parte
esencial de muchos otros componentes y tecnologías.

Objetivo

Reconocer y comprender el funcionamiento de diodos Schottky

Indicador de logros

Utiliza adecuadamente según la necesidad.

Actividades

1. Realiza un cuadro comparativo ( igualdades y diferencias) entre diodos

PN & Schottky.Respecto a la tensiones , constitución, barrera de
separación.
2. De acuerdo al PDF ¿Cómo es la conexión desde la fuente (borne
positivo) al diodo PN y en el diodo Schottky?
3. ¿Cómo funciona un diodo Schottky en polarización directa e inversa?
4. ¿Qué sucede con barrera de agotamiento si aumenta gradualmente la
tensión?
5. Mencione y explique al menos tres aplicaciones de los diodo Schottky

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