Semiconductores y diodos: aspectos básicos

•Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

•La unión pn en equilibrio

•Efecto de la polarización

•Región de ruptura

•Otros tipos de diodos

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 Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

• Resistencia de un conductor:
depende de sus dimensiones y del material

• Ley de Ohm: propiedad aplicable a L

R=r L
todo el dispositivo  V = IR S
S
• Aplicable también en todos los puntos
con los cambios: S: secci ón; L: longitud
R: resistencia; r : resistividad ((W∙cm)

Voltaje V (V)  campo eléctrico E (V/m, V/cm)

1 s : conductividad
s =
Corriente I (A)  densidad de corriente J (A/m2, A/cm2) r
Unidades: mho/cm,
/cm S/m …
Resistencia R (W)  resistividad r (W ·m, W ·cm ) 1 S = 1 mho = 1 W-1

E = rJ J = sE

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Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

plata
107 cobre
Conductores
grafito • Plata: s = 6.30×107 S/m
103
Cobre: s = 5.96×107 S/m
100 germanio
Teflón: s < 10-13 S/m
Semiconductores → 21 órdenes de magnitud de diferencia entre las
10-3 silicio
conductividades de conductores y aislantes

• Semiconductores (silicio, germanio):

10-7 conductividad intermedia entre la de aislantes y
metales (en el rango 10-3 - 103 S/m)
10-9 caucho

Aislantes
10-12 vidrio

10-14 teflón

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 Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

Bandas de valencia y conducción

• La mayor o menor capacidad de conducir la corriente está relacionada con la estructura electrónica del
material. Sabemos que los electrones de los átomos aislados ocupan unos determinados niveles energéticos.

• En el caso de los materiales sólidos, la energía de los electrones más externos puede tomar valores dentro
de un cierto rango. Este rango de valores se conoce con el nombre de banda de valencia (porque los
electrones más externos se conocen como electrones de valencia).

• Si a un electrón se le comunica una energía suficiente, puede abandonar el enlace al que pertenecía y circular
libremente por el material. Se dice entonces que ha pasado a la banda de conducción. El intervalo que separa
la banda de valencia de la banda de conducción se denomina banda prohibida o gap.

Banda de conducción

Banda prohibida (gap)

Banda de valencia
Metal
Semiconductor

Aislante
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Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

Bandas de valencia y conducción

Banda de conducción

Banda prohibida (gap)

Banda de valencia
Metal
Semiconductor

Aislante

• Aislantes: los electrones están confinados en la banda de valencia.

• Conductores: se solapan las dos bandas. Los electrones pueden circular
con facilidad.

•Semiconductores: gap más estrecho que en los aislantes.

Conducen con menor aportación de energía.
La conductividad aumenta con la temperatura.
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Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

Semiconductores intrínsecos

Estructura del silicio cristalino

Electrón térmico

Si Si
Hueco térmico

Si Si Si Si Si Si

Si Si

Semiconductor a muy baja temperatura Semiconductor a temperatura ambiente

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Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

Conducción debida a huecos

Hueco Electrones en
(estado vacío) enlaces covalentes

Incremento en - - - - - -
el tiempo
- - - - - -
- - - - - -
- - - - - -

Los electrones se desplazan a la izquierda para llenar un hueco,

con lo que el hueco se desplaza a la derecha.

Fuente: A. R. Hambley, Electrónica, Prentice Hall, 2001.

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Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

Electrón extra

Si Electrón extra Si Electrón térmico

Hueco térmico

Si P Si Si P Si

El fósforo (P) es una impureza pentavalente

Si Si (con cinco electrones de valencia)

Semiconductor n a muy baja temperatura Semiconductor n a temperatura ambiente

Sentido convencional Sentido de desplazamiento

de la corriente de los electrones

Por el conductor solo

circulan electrones

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Introducción: semiconductores intrínsecos y dopados

Electrón térmico

Si Si
Hueco térmico
Hueco extra Hueco extra

Si B Si Si B Si

Si Si El boro (B) es una impureza trivalente

(con tres electrones de valencia)

Semiconductor p a muy baja temperatura Semiconductor p a temperatura ambiente

Sentido convencional Sentido de desplazamiento

de la corriente de los electrones

Por el conductor solo

circulan electrones

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 La unión p-n en equilibrio Semiconductores p y n
P N una vez creada la unión
P - + N
E0
-- ++
-- ++
-- ++
-- ++
-- ++
-- ++
Semiconductores p y n -- ++

•Unión de materiales p y n: electrones y huecos tienden a difundirse Potencial

y ocupar todo el volumen.

•Cerca de la unión electrones y huecos tienden a recombinarse (los

electrones ocupan los huecos).
Barrera de
•Se crea una zona en la que las cargas predominantes son las de los potencial
iones, que no pueden desplazarse. Esta zona se conoce como región (V0)
de vaciamiento (región de carga espacial, o región de deplexión).
x
•El campo eléctrico creado por los iones, o la barrera de potencial
correspondiente, impiden a que pasen más electrones de n a p (o
huecos en sentido contrario).

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Efecto de la polarización

P N P N
E0 E0
d d
Eg E EEg

electrones

Vg Vg

Polarización directa: el campo aplicado

(Eg) se opone al campo interno
Polarización inversa: el campo aplicado
(Eg) refuerza el campo interno
 la región de vaciamiento es más
estrecha
 aumenta la altura de la barrera de
potencial.
 se reduce la altura de la barrera de
potencial
 predomina el flujo de minoritarios
 se ve favorecida la difusión de
mayoritarios

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Efecto de la polarización

 vVD 
Relación entre la corriente (polarización directa e inversa): iD = I S e  1 
 T

 
 
P N Polarización directa:

h+ -difusión de huecos de P a N
I I

-difusión de electrones de N a P
e-

-arrastre de electrones y huecos

minoritarios en sentido contrario (por
la acción del campo eléctrico)

- iD crece exponencialmente con vD

Polarización inversa:

• corriente debida al arrastre de minoritarios por el campo eléctrico

• iD ≈ -IS (|vD| >> VT)

La Unión PN. ¿Cómo funcionan los diodos?: https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4

Versión en inglés: https://www.youtube.com/watch?v=JBtEckh3L9Q 12

 Efecto de la polarización
iD
iD

IS

vD vD

(a) (b)

Curva característica del diodo de unión; (b) La misma representación que en (a), pero ampliando
la escala de corrientes negativas.

iD
Región de ruptura
vD
Si el diodo se polariza en la región de
ruptura (o disrupción), la corriente aumenta
rápidamente con la tensión

Región de Polariz. Polarización

ruptura inversa directa

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 Región de ruptura

• Diodos zener: pueden operar en la zona de ruptura.

• Se emplean en los reguladores de tensión.

(dentro de ciertos márgenes, la tensión se mantiene casi cte. en la región de ruptura). Símbolo

• Circuitos rectificadores: se emplean diodos que operan en directa e inversa, fuera de la región de ruptura.
Deben tener una tensión de ruptura superior que la mayor tensión inversa que vayan a soportar en el circuito.

• La ruptura puede ocasionarse por dos mecanismos:

-ruptura por avalancha (tensiones de ruptura por encima de 6 V): los electrones de conducción se aceleran al aplicar un campo
eléctrico; y colisionan con electrones de valencia, que pasan a ser electrones de conducción, que colisionan con otros electrones de
valencia, y así sucesivamente.

- efecto túnel (tensión de ruptura inferior a 6 V) en el caso de los diodos zener.

Los llamados diodos de avalancha presentan tensiones de disrupción más altas y los zener presentan tensiones de disrupción en el
margen inferior. Pero en la práctica ambos términos se emplean para referirse a todos los diodos de ruptura.

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 Otros tipos de diodos

• Diodos varicap (varactores)

- Aprovechan el hecho de que una unión p-n en inversa se comporta como una capacidad dependiente de la tensión.

-Aplicación: circuitos de sintonía. Símbolo:

• Diodos LED (light emitting diodes):

- Emiten luz cuando se polarizan directamente.

- Aplicando una tensión por encima del valor umbral los electrones se recombinan con los huecos, liberando energía
en forma de fotones.

-La energía que pierde cada electrón al pasar de la banda de conducción a la de valencia se corresponde con la del
fotón emitido.
Símbolo:

• Fotodiodos:

- Convierten luz visible o infrarroja en corriente eléctrica.

- Operan con polarización inversa (punto de trabajo está en el tercer cuadrante del plano I-V).

-Aplicación: por ejemplo, en los lectores de CD para procesar los datos grabados (captan la luz del haz láser reflejada
en los surcos del CD, proporcionando impulsos eléctricos) .

-Las células solares (o células fotovoltaicas) también convierten la luz en electricidad, pero tienen que operar en el
cuarto cuadrante.
Símbolo:

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