UNIDAD 1

En la arquitectura Harvard está separada la memoria de datos y la memoria de programa, cada

memoria tuene su propio bus de datos y bus de direcciones.
En la arquitectura Von Newman los datos y el programa se almacena en la misma memoria, pero
en el diagrama pueden estar separadas en bloque, al estar alojadas en la misma memoria solo
poseen un bus de direcciones y bus de datos
Microprocesador: es un circuito integrado que contenga todos los elementos de control de una
maquina de calcular: ALU o unidad de control o registros internos.
Circuito constituido por millares de transistores integrados en un chip, que realiza alguna
determinada función de las computadoras y otros dispositivos electrónicos.
Arquitecturas:
Von Newman
Se caracteriza por disponer de una sola memoria principal donde se
almacenan datos e instrucciones de forma indistinta. A dicha memoria
se accede a través de un sistema de buses únicos (direcciones, datos y
control). Es la más común en nuestras computadoras

Harvard
La arquitectura Harvard dispone de dos memorias
independientes: una, que contiene solo
instrucciones y otra, solo datos. Ambas disponen
de sus respectivos sistemas de buses de acceso y es
posible realizar operaciones de acceso (lectura o escritura) simultáneamente en ambas memorias.
Algunos modelos:
Características:
VELOCIDAD INTERNA: Velocidad de trabajo del microprocesador con sus elementos internos. Es la
velocidad que conocemos cuando vamos a cualquier tienda o entramos en cualquier web y vemos
las características de un micro que nos interese, 1,2 GHz, 2 GHz, 3,5 GHz etc.
VELOCIDAD EXTERNA O DE BUS (FSB-Front Sise Bus): Esta velocidad es la de del bus que comunica
el microprocesador con el resto de elementos de la placa Esta velocidad oscila entre los 33, 66,
100, …,800 MHz. El bus FSB actualmente es sustituido por tecnologías como HyperTransport.
VELOCIDAD DE EJECUCIÓN DE LAS INSTRUCCIONES: Esta característica dependerá del juego de
instrucciones que posea el microprocesador. Si estas instrucciones se ejecutan en pocos ciclos de
reloj, la velocidad de ejecución será elevada. Las instrucciones pasan por varias fases a la hora de
ser ejecutadas. Primero se buscan, luego se interpretan, se ejecutan y se almacena el resultado.
Debido a esto es posible que varias instrucciones estén ejecutando alguna de sus fases al mismo
tipo, ya que no comparten recursos de hardware.(HILOS)
JUEGO DE INSTRUCCIONES: Nos indica el número de instrucciones de que dispone el
microprocesador para llevar a cabo todo lo que se le pida. Esta característica va en relación con la
anterior, ya que, si el juego de instrucciones es RISC, más simples, sus instrucciones se ejecutarán
 en menor tiempo. En caso de juego de instrucciones CISC, las instrucciones serán más complejas y
precisarán de otras simples para ser ejecutadas y harán mermar la velocidad del microprocesador.
ANCHO DEL BUS DE DIRECCIONES: El bus de direcciones nos permite acceder a la memoria, a una
posición(dirección) concreta para extraer una información (dato o instrucción). A mayor bus de
direcciones, mayor será el número de direcciones de memoria de que disponemos. El ancho del
bus viene indicado por el número de bits que utiliza para nombrar una dirección de memoria. A
mayor número de bits, mayor número de direcciones, mayor espacio de memoria direccionable.

NÚMERO DE REGISTROS INTERNOS: Característica a tener en cuenta. Cada arquitectura de

microprocesador dispone de mayor o menor número de registros. Cuanto mayor sea este, mayor
número de datos «tendrá cerca» el microprocesador y mejorará su funcionalidad.
NÚCLEOS: Los Cores son, como veremos más adelante, como un subprocesador en sí mismo.
Antes, los procesadores eran de un solo núcleo (single Core), por lo que no podían realizar más
que una tarea al mismo tiempo. Como un núcleo es un procesador en sí mismo, una CPU
multinúcleo de dos núcleos pueda ejecutar dos tareas al mismo tiempo.
HILO DE PROCESAMIENTO: son otra cosa totalmente distinta a los núcleos, se puede definir como
el flujo de control de datos de un programa. Es un medio que permite administrar las tareas de un
procesador y de sus diferentes núcleos de una forma más eficiente.
Aplicaciones:
Microcontroladores: es un chip que, además de tener un Microprocesador, contiene: o Memoria o
Dispositivo de E/S. Generalmente siguen la arquitectura Harvard porque la memoria de programa
es de tipo flash y la memoria de datos puede ser SRAM o DRAM
Arquitectura: HARVARD
Características:
Cantidad de bits: Familia de pic (Microchip) 4 bits a 32 bits. Según la dificultad de programa se
puede elegir un microcontrolador que conviene.

 RISC: set de instrucciones reducido, las instrucciones son simples y generalmente se ejecutan en
un ciclo de clock.
 CISC set de instrucciones complejo, dispone más de 80 instrucciones, pero algunas pueden
necesitar mas de un ciclo de clock para ejecutarse
 SISC: están desarrollados para hacer algo específicamente
Alimentación:
Se necesita una fuente regulada para tener una tensión sin variaciones, sin ruido, sino esto puede
generar algunos problemas en la ejecución. La mayoría se alimenta con 5v y otros de tecnologías
AVR se alimentan con 3.3v(pensados para dispositivos portátiles). hay que tener cuidado por que
esto tiene que ver con el uno lógico.
Frecuencia de trabajo (clock):
Los pics necesitan un reloj oscilador que marca la frecuencia de trabajo, a veces creado con un
cristal (más precisos) y otras con un puente rc (puede variar por la temperatura) dependiendo la
frecuencia y el microcontrolador.

 HC: se utiliza un cristal de cuarzo o resonador cerámicos (Hasta 10 MHz)

 XT Cristal o resonador hasta 4 MHZ
  LP Bajo consumo hasta 200Khz
 Los osciladores se colocan entre las patillas OSC1 y OSC2
Puertos E/S: por ellas enviaremos o introducimos señales digitales TTL(5V) de forma que
podamos comunicar el microcontrolador con el exterior.
Básicamente un microcontrolador tiene: Procesador, SRAM, EEPROM/FLASH (memoria del
programa), modulo de timer, controlador de interrupciones (ej. botón de emergencia), Modulo
analógico (conversor D/A O A/D), interfaz serial para comunicación con otro microcontrolador
o dispositivo y Modulo de entrada y salida.
Para determinar un microcontrolador es importante tener en cuenta la cantidad de pines de
entrada y salidas digitales y/o analógicos.
Cada puerto puede manejar cierta cantidad de pines E/S, generalmente los puertos son de 8
bits. Estos se pueden configurar como entrada o salida.
Lógica puede ser positiva o negativa.
Los pines pueden tener otras funciones alternativas. Ej. Ser mod de interrupción (por
hardware), puede ser TX (transmisión serie), Conversos AD, Clock, etc, eligiendo solo una
función para el programa.
Cada puerto se controla mediante 2 o 3 registros como mínimo, dependiendo del
microcontrolador. (registros son memorias internas de nuestro microcontrolador). Un puerto
puede tener un

 Data Direction Register (DDR): hay uno por cada puerto y cada bit determina la
dirección de un pin. (salida o entrada)
 Port Register (PORT): uno por cada puerto y cada bit controla el estado del puerto (si es
de salida)
 Port Input Register (PIN): uno por cada puerto y cada bit da el estado de su respectivo
pin
Internamente se tiene una resistencia pull-up/Down: puede (debe) programarse su conexión/
desconexión mediante algún registro al efecto.
Memorias: el micro posee dos memorias una para el programa y otra para los datos (Arq. Harvard)
Ventajas de los microcontroladores con respecto a los microprocesadores.

 Aumentos de prestaciones: contiene todo en un mismo integrado, mejorando la etapa de

diseño.
 Aumento de la fiabilidad: Al remplazar el microcontrolador por un elevado numero de
elementos disminuye el riesgo de averías y se precisan menos ajustes.
 Reducción de tamaño.
 Mayor flexibilidad: las características de control están programadas por lo que su
modificación solo necesita cambios en el programa de instrucciones.
Aplicaciones: Electrodomésticos, Equipos portátiles, juguetes, instrumentación, Automóviles,
Control Industrial, Robótica, Medicina, Sistema de seguridad.
La distribución de las ventas según su aplicación es la siguiente:

 Una tercera parte se absorbe en las aplicaciones relacionadas con los computadores y sus
periféricos.
 La cuarta parte se utiliza en las aplicaciones de consumo (electrodomésticos, juegos, TV, video,
etc.)
 El 16%de las ventas mundiales se destinó al área de las comunicaciones.
 Otro 16% fue empleado en aplicaciones industriales.
 El resto de los microcontroladores vendidos en el mundo, aproximadamente el 10% fueron
adquiridos por las industrias de automoción.
Algunos modelos: Microchip PICS, Texas instruments DSP, National semiconductor, ATMEL
Arduino.
Aplicación. Antes de seleccionar un microcontrolador es imprescindible analizar los requisitos de la
aplicación:

 Procesamiento de datos. Velocidad y cantidad.

 Cantidad de entradas y salidas.
 Cantidad de entradas analógicas y salidas PWM.
 Consumo.
 Memoria. Aunque se puede utilizar unidades de almacenamiento externas.
 Ancho de palabra.
 Diseño de placa
Los principales recursos específicos incorporan los microcontroladores son:

 Temporizadores o TIMERS
 Perro guardián o WATCHDOG.
 Protección ante fallo de alimentación o Brownout.
 Estado de reposo de bajo consumo.
 Conversor A/D.
 Conversor D/A.
 Comparador analógico.
 Modulador de anchura de impulso o PWM
 Puertas de E/S digitales.
 Puertas de comunicación. TX-TR

UNIDAD 2
Núcleo del procesador:
ALU: Unidad de cálculo para operaciones aritméticas y lógicas.
Control de interrupciones: Son interrupciones producidas por hardware. Por lo tanto, son
producidos por los periféricos (Controlador de memoria, puerto de entrada o salida, conector
serial, placa de video, teclado, etc).
*se ve en el firmware*Interrupciones por software: Cuando se las llama se hacen determinados
procesos. Ejemplo: la placa de video puede tener varis interrupciones para su manejo y una de
esas puede ser una para establecer un modo gráfico, otra para mover bloques de memoria RAM a
bloques de memoria de video RAM. Dentro de un programa se pueden llamar y cuando se
ejecutan hacen determinados procesos o rutinas.
Buffers: poseen en la salida controladores de estado de salido, Latch que congelan un valor y a su
vez se pueden poner en triestade.
Triestate: Es un estado de alta impedancia (circuito abierto). Aplicación: En un bus de datos
tenemos muchos dispositivos conectados, pero únicamente necesitamos q el procesador se
conecte con un puerto de salida y se quiere desconectar todo el resto de dispositivos que están
conectados a ese bus de datos, con el triestade el circuito detecta una alta impedancia y es como
si no estuvieran conectados en el bus, logrando una mejor eficiencia con menos perdidas y ruido.
Buffers de datos:
Es uno de los canales de información que conecta la CPU con el resto de los sistemas externos. Por
el circula información de distinto tipo de datos, códigos de instrucciones, direcciones (parte alta y
parte baja), líneas de control, etc. Constructivamente no es más que una serie de 8 cables aislados
entre sí, que posibilita la interconexión de los elementos, es bidireccional y todos los elementos
colgados a el que ingresan información, deberán ser fabricados con lógica Triestate.
Con el triestate controlamos que solo un dispositivo se encuentre en el bus.
Una cosa es la cantidad de direcciones que yo puedo direccionar (bus de direcciones) y otra es
cuantos bits puedo guardar en cada dirección. Con una línea de control, se puede guardar 8 bit en
un bloque de memoria para los bits menos significativos y en el bloque de memoria guardar 8bis
más significativos ¿?? En un bus de 8 bits puedo guardar información de 16 bits si cada lugar de
memoria permite almacenar 16 bits. (¿¿Multiplexor??)
Buffers de direcciones:
Este canal compuesto generalmente por 16 líneas unidireccionales (paralelas, luego se
implementaron los seriales) (después del 8086 vinieron los de 32 bits), le permiten a la CPU
direccionar 65.536 (64Kbytes) de memoria y/o dispositivos de entrada salida, en la mayoría de los
casos las líneas más significativas se utilizarán para seleccionar un determinado dispositivo y las
otras se utilizarán para seleccionar elementos internos dentro de estos como puede ser algún
registro.
Registro de memoria de datos o MDR (Memory Data Register o Buffer de datos):
Es un registro de 8 bits transparente al usuario, puerta obligada de toda información que entra y
sale por el bus de datos. Es bidireccional, por lo tanto, se comporta como un buffer latch
TRIESTATE hacia el bus de datos y hacia la CPU.
El MDR está conectado directamente al bus de datos, en el procesador lo que escriba en el mdr se
copia en el bus de datos y lo que venga del bus de datos se copia en el mdr. Se comporta como
lach, guarda un dato hasta que es leído y el triestate nos permite desconectar del bus de datos al
procesador. En un microcontrolador seria su registro de un puerto, lo que escribamos ahí se copia
en la salida, o bien lo que reciba el puerto y copia en el mdr,
Registro de instrucciones IR (Instructions Register):
Es un registro transparente al usuario, de 8 bit. En él se copia automáticamente, el contenido del
registro MDR, cuando la información que posee corresponde al Código de Operación de una
instrucción, esto lo detecta por medio de la línea d control.
Decodificador: Es un sistema que se encuentra íntimamente ligado al registro de instrucciones
cuando este almacene un nuevo código de operación, luego decodifica ese código analizándolo y
genera internamente las acciones de control para lo cual pondrá activas las líneas de control
necesarias para la ejecución de la instrucción en curso. La instrucción que produce es una que
pertenece al set de instrucciones del procesador
Registro temporario o intermedio
En general son registros de 8 bits transparentes al usuario, inaccesibles, que la unidad de control
utiliza para almacenar transitoriamente información durante la ejecución de una instrucción, esta
información puede ser de datos o direcciones según se requiera.
Formas directas o indirectas de direccionar/completar/ejecutar los operandos
Obtener el valor que se quiere incorporar a la ALU directamente de la dirección o bien que sacar
de la dirección de memoria el contenido y ese contenido introducir a la ALU
Cargar la dirección de memoria en un registro general y este direccione y traiga el valor de esa
dirección de memoria.
NOTA
Registros intermedios o temporales es en donde se alojan operandos cuando se realiza alguna
instrucción. Cuando una instrucción tiene dos operandos uno se carga en el registro temporal y el
otro en el acumulador y la ALU se encarga de hacer la operación entre esos dos operandos
Registro de direcciones de memoria, MAR (Memory Adress Register).
MAR: Es un registro de 16 bits, puerta obligada entre el CPU y el bus de direcciones, y debe tener
la misma longitud que el bus de direcciones. Es transparente al usuario y dispone a su salida de un
LATCH. Actualmente se tiene registros temporarios de 64 bits.
Cargar la dirección de memoria en un registro general y este direccione y traiga el valor de esa
dirección de memoria.
Acumulador AC (bloque de una entrada de la ALU):
Es un registro de 8 bits, accesible al usuario. Es el operando obligado para todas las instrucciones
aritméticas lógicas que realiza la ALU, en todos los sistemas de una dirección. Es el registro más
potente de que dispone la CPU y forma parte del denominado grupo de Registros de propósitos
generales. Naturalmente, tiene una longitud de palabra de datos, algunos procesadores disponen
de más de un acumulador.
Registros de Propósitos Generales
Es un conjunto de seis registros (más o menos), de 8 bits, accesibles al usuario. Con ellos se
pueden realizar algunas operaciones aritméticas, en general contienen datos, aunque en algunos
casos pueden concatenarse de a dos, formando registros de 16 bits que podrían contener
direcciones de memoria donde se encuentra algún operando, en este caso a estos registros se los
suele llamar punteros.
 Registro de estado SR (Status Register) o TAMBIEN LLAMADO Registro de códigos de condición o
Registro de indicadores (Flag Register) (en el bloque de registros de uso general y específico):
Mas que un registro de carga en paralelo, como lo son los anteriores es una colección de FlipFlops
independientes entre sí, el número de bits no guarda ninguna relación un con una palabra de
instrucción, ni de datos depende del diseño realizado por el fabricante. En efecto cada bit de
registro cumple la función de indicador (bandera flag) de algo que ha sucedido como consecuencia
de una operación anterior.

 CF (Acarreo) Esta bandera indica el acarreo o préstamo después de una suma o resta.
 OF (Sobre flujo) Esta bandera indica cuando el resultado de una suma o resta de numero con
signo sobrepasa la capacidad de almacenamiento de los registros.
 SF (Signo) Esta bandera indica si el resultado de una operación es positivo o negativo.
 SF=0 Es positivo, SF=1 es negativo
 DF (Dirección) Indica el sentido en el que los datos serán transferidos en operaciones de
manipulación de cadenas. DF=1 Es derecha a izquierda y DF=0 es de izquierda a derecha. El DF
se usa mucho para multiplicaciones y divisiones por 2 trasladándose 1001=9 10010=18
 ZF(Cero) Indica si el resultado de una operación de la ALU fue cero o diferente de cero. 0 Dif y 1
es cero. Ej. se usa una operación de comparación para seguir ejecutando o saltar a otro
programa.
 IF (Interrupción) Activa y desactiva la terminal INTR del microprocesador.
 PF (Paridad) indica la paridad de un número. PF=0 es impar y PF=1 es par. Se utiliza para
corregir errores. ¿Cantidad de 1?
 AF (Acarreo auxiliar) Indica si después de una suma o resta ha ocurrido un acarreo de los bits 3
al 4.
 TF (Trampa) Esta bandera controla la ejecución paso por paso de un programa con fines de
depuración.
Descripción de pines de un 8080

Deno Sen Descripción

m
A15- S BUS DE DIRECCIONES: es el encargado de proveer la Dir. De memoria (64K de 8 bit) o
A0 direccionar un dispositivo de entrada/salida de los 256 posibles
D7-D0 E/S BUS DE DATOS: permite realizar la comunicación bidireccional entre la CPU, con
memoria y dispositivo I/O para instrucciones y transferencias de datos. Además,
durante el primer ciclo de reloj de cada ciclo de maquina el 8080 pone sobre el bus
de datos una palabra de estado, que describe el tipo de ciclo de máquinas que VA A
EJECUTAR
SYNC S SEÑAL DE SINCRONISMO
READY E Un uno lógico sobre la señal de READY indica al 8080 que la memoria que los datos
de entrada están disponibles en el bus de datos. Esta señal se utiliza para sincronizar
la CPU con memorias o dispositivos de I/O más lentos. Si después de transmitir una
dirección sobre el bus de direcciones, el 8080 no recibe un uno lógico en la entrada
READY, el microprocesador entra en un estado de espera tanto tiempo como la línea
READY este en cero lógico. Esta entrada podría también usarse para accionar paso a
paso a la CPU.
*Se quiere leer una posición de memoria, manda la Dir. De memoria al registro de
datos y este al registro de direcciones, de aquí se copia en el bus de direcciones se
activa la memoria para lectura, y la señal de ready le avisa al procesador que ya esta
disponible el lugar de memoria del dato.
WR S Indica a los dispositivos externos, memorias o periféricos que puedan capturar el
dato presente en el bus de datos. Es parte del bus de control avisa si el dato q esta en
 el bus es de lectura o escritura.
WAIT S Cuando este pin se encuentra en uno lógico, la CPU se encuentra en un estado de
espera.
Detener la CPU hasta que se determine cosa
HOLD E Esta entrada requiere que la CPU entre en el estado de HOLD, el cual permite a un
dispositivo externo ganar el control de los buses de datos y de direcciones tan pronto
como la CPU termine el uso de estos buses para el ciclo de maquina corriente. Una
vez que la CPU entra en este estado, el bus de datos y el bus de direcciones estarán
en su estado de alta impedancia. La CPU reconoce el estado HOLD con el pin de
salida HLDA o HOLD ACKNOWLEDGE (HDLA)
El HOLD se reconoce bajo dos condiciones
a) La CPU está en estado HALT
b) La CPU esta en estado T2 o Tn y la señal READY esta activa
Es el que pone dice poner en triestade
ETC

Operaciones frecuentes de un procesador:

 CPU o Memoria: Los datos son transferidos de a memoria a la CPU o viceversa.

 CPU o E/S: Los datos son transferidos de los dispositivos de Entrada al CPU o DEL CPU a los
dispositivos de Salida.
 Procesamiento de Datos: El CPU debe realizar operaciones aritméticas o lógicas usando la
ALU
 Control: Una instrucción puede especificar que la secuencia de operaciones sea alterada,
por ejemplo: cambiar el IP para apuntar a una nueva dirección.
Ciclo de una instrucción
En su operación básica todos los computadores modernos siguen un proceso que ha permanecido
sin muchos cambios desde que Von Neumann introdujo su modelo. A este proceso lo llamamos
Ciclo de Instrucción.
Componentes básicos de una computadora: CPU y Memoria.
La función del CPU es ejecutar programas que están almacenados en la memoria principal, eso se
logra siguiendo los siguientes pasos:

 Fase de búsqueda: El CPU lee la instrucción desde la memoria

 Fase de decodificación: Decodifica el OPCODE de la instrucción.
 Fase de Ejecución: ejecuta la instrucción (Alu).
Se puede hacer porque el decodificador esta por un lado y el registro de instrucciones por otro. Se
encuentra relacionado con los hilos de ejecución.
En el ciclo 1 Extrae la primera instrucción y en el ciclo 2 lo paso al decodificador y extraigo la
siguiente instrucción al registro de instrucciones. Ejecuto una y 2 ya están próximas a finalizarse.
Pipeline: significa tubería
 UNIDAD 3
Un registro de desplazamiento es un tipo de dispositivo de almacenamiento, es una memoria a pequeña
escala.

Los dispositivos de memoria se utilizan generalmente para almacenamientos a más largo plazo y cantidades
más grandes de datos.

Principios de la memoria semiconductora

La memoria es la parte de un sistema que almacena datos binarios en grandes cantidades. Las memorias
semiconductoras están formadas por matrices de elementos de almacenamiento que pueden ser latches o
condensadores.

Unidades de datos binarios: Bits, bytes, nibbles y palabras

Las memorias almacenan datos en unidades que tienen de uno a ocho bits. La unidad menor de datos
binarios es el bit. La unidad de 8 bits se denomina byte. La unidad de 4 bits se denomina nibble.
Una unidad completa de información se denomina palabra y está formada por uno o más bytes.
Algunas memorias almacenan datos en grupos de 9 bits; un grupo de 9 bits consta de un byte más un bit de
paridad.

Matriz de memoria semiconductora básica

Cada elemento de almacenamiento en una memoria puede almacenar un 1 o un 0 y se denomina celda. Las
memorias están formadas por matrices de celdas.
Cada bloque de la matriz de memoria representa una celda de almacenamiento y su situación se puede
especificar mediante una fila y una columna.
Una matriz de 8 × 8, que se puede entender como una memoria de 64 bits o como una memoria de 8 bytes.

Dirección y capacidad de las memorias

La posición de una unidad de datos en una matriz de memoria se denomina dirección.
La dirección de un bit en la matriz de dos dimensiones se especifica mediante la fila y columna en que está.
La dirección de un byte se especifica únicamente mediante la fila (matriz 8x8).
La capacidad de una memoria es el número total de unidades de datos que puede almacenar.

Operaciones básicas de la memoria.

La operación de escritura coloca los datos en una posición específica de la memoria y la operación de
lectura extrae los datos de una dirección específica de memoria. La operación de direccionamiento, que
forma parte tanto de la operación de lectura como de la de escritura, selecciona la dirección de memoria
específica.
Las unidades de datos se introducen en la memoria durante la operación de escritura y se extraen de la
memoria durante la operación de lectura a través de un conjunto de líneas que se denominan bus de datos.
El bus de datos es bidireccional. En el caso de una memoria organizada en bytes, el bus de datos tiene al
menos ocho líneas, de manera que los ocho bits de una dirección seleccionada se transmiten en paralelo.
En una operación de escritura o de lectura, se selecciona una dirección introduciendo un código binario,
que representa la dirección deseada, en un conjunto de líneas denominado bus de direcciones.
Ej escritura

Memorias RAM y ROM

Las dos principales categorías de memorias semiconductoras son las memorias RAM y ROM. La memoria
RAM (Random-Access Memory, memoria de acceso aleatorio) es un tipo de memoria en la que se tarda lo
mismo en acceder a cualquier dirección de memoria y éstas se pueden seleccionar en cualquier orden,
tanto en una operación de lectura como de escritura. Debido a que las memorias RAM pierden los datos
almacenados cuando se desconecta la alimentación, reciben el nombre de memorias volátiles.

La memoria ROM (Read-Only Memory, memoria de sólo lectura) es un tipo de memoria en la que los datos
se almacenan de forma permanente o semipermanente. Los datos se pueden leer de una ROM, pero no
existe la operación de escritura. La ROM, al igual que la RAM, es una memoria de acceso aleatorio. Debido a
que las ROM mantienen los datos almacenados incluso si se desconecta la alimentación, reciben el nombre
de memorias no volátiles.

Memorias de acceso aleatorio RAM

Las RAM son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden escribir o leer en cualquier
dirección seleccionada en cualquier secuencia. La RAM se utiliza habitualmente para almacenamiento de
datos a corto plazo.

La familia de memorias RAM

Las dos categorías de memorias RAM son la RAM estática (SRAM) y la RAM dinámica (DRAM). Las RAM
estáticas utilizan generalmente latches (flip-flop) como elementos de almacenamiento y, por tanto, pueden
almacenar datos de forma indefinida siempre que se aplique una alimentación continua. Las RAM dinámicas
utilizan condensadores (capacitores) como elemento de almacenamiento y no pueden mantener los datos
mucho tiempo sin recargar los condensadores mediante el proceso de refresco. Las 2 memorias son del
tipo volátil.
Los datos pueden leerse mucho más rápidamente en una SRAM que en una DRAM. Sin embargo, las DRAM
pueden almacenar muchos más datos que las SRAM para un tamaño físico y coste dados, ya que la celda de
las DRAM es mucho más sencilla y se pueden incluir muchas más celdas en un área determinada que en
una memoria SRAM.

RAM estática (SRAM)

Todas las RAM estáticas se caracterizan por las celdas de memoria latch. Cuando se aplica alimentación
continua a una celda de memoria estática se puede mantener un estado 1 o 0 indefinidamente. Si se retira
la alimentación, el bit de datos almacenado se perderá.

La celda se selecciona mediante un nivel activo en la línea Selección de bit y un bit de datos (1 o 0) se
escribe en la celda colocándolo en la línea Entrada de datos. Un bit de datos se puede leer extrayéndolo de
la línea Salida de datos.

Todas las celdas de una misma fila comparten la misma línea Seleccionar Fila. Cada conjunto de líneas
Entrada de datos y Salida de datos van a cada celda situada en una determinada columna y se conectan a
una única línea de datos, que sirve como entrada y salida (E/S datos), a través de los buffers de entrada y
salida de datos.
Organización de la SRAM asíncrona básica
Una SRAM asíncrona es aquélla en la que su funcionamiento no está sincronizado con un reloj de sistema.

*Salidas tri-estado y buses. Los buffers tri-estado en una memoria permiten que las líneas de datos actúen
como líneas de entrada o salida y conectan la memoria con el bus de datos en una computadora. Estos
buffers tienen tres posibles estados de salida: ALTO (1), BAJO (0) y ALTA-Z (alta impedancia, abierto)*.

SRAM síncrona de ráfaga

A diferencia de la SRAM asíncrona, una SRAM síncrona está sincronizada con el reloj del sistema. Por
ejemplo, en un sistema informático, la SRAM síncrona opera con la misma señal de reloj que el
microprocesador, de modo que el microprocesador y la memoria están sincronizados para conseguir una
operación más rápida.

La SRAM síncrona es muy similar a la SRAM asíncrona, en términos de la matriz de memoria, del
decodificador de direcciones y de las entradas de lectura/escritura y activación. La diferencia fundamental
es que la SRAM síncrona utiliza registros con señal de reloj para sincronizar todas las entradas con el reloj
del sistema.

Operación en modo ráfaga: las memorias SRAM síncronas tienen normalmente una función de ráfaga de
direcciones, que permite a la memoria leer o escribir en hasta cuatro posiciones utilizando una única
dirección.

Memoria cache
Una de las principales aplicaciones de las memorias SRAM es la implementación de memorias caché en
computadoras. La memoria caché es una memoria de alta velocidad y relativamente pequeña que
almacena los datos o instrucciones más recientemente utilizados de la memoria principal, más grande pero
más lenta.

Memoria dinámica RAM (DRAM)

Las celdas de las memorias dinámicas almacenan un bit de datos en un condensador en lugar de en un
latch. La ventaja de este tipo de celda es que es muy sencilla, lo que permite construir matrices de memoria
muy grandes en un chip, a un coste por bit más bajo que el de las memorias estáticas. La desventaja es que
el condensador de almacenamiento no puede mantenerse cargado más que un período de tiempo, y el
dato almacenado se pierde a no ser que su carga se refresque periódicamente. La operación de refresco
requiere circuitería de memoria adicional y complica el funcionamiento de la DRAM.

La principal aplicación de las DRAM se encuentra en la memoria principal de las computadoras. La celda de
la memoria DRAM está formada por un transistor y un condensador.

Tipos de memoria DRAM (no hace falta saber esto)

La idea básica de la FPM DRAM se basa en la probabilidad de que las siguientes direcciones de memoria a
las que haya que acceder se encuentren en la misma fila (en la misma página). Afortunadamente, esto
sucede en un gran porcentaje de las veces. El modo FPM ahorra tiempo.

EDO DRAM. La memoria DRAM con salida de datos extendida, algunas veces denominada DRAM con modo
hiperpágina, es muy similar a la FPM DRAM. La diferencia fundamental es que la señal en la EDO DRAM. no
desactiva los datos de salida cuando pasa a su estado de inactividad, porque se pueden mantener los datos
válidos correspondientes a la dirección actual hasta que vuelva a activarse. Esto significa que se puede
acceder a la siguiente dirección de columna antes de que el sistema externo acepte los datos válidos
actuales. La idea es acelerar el tiempo de acceso.

BEDO DRAM. La DRAM con salida de datos extendida en ráfaga es una EDO DRAM con la capacidad de
generar ráfagas de direcciones. Recuerde, de nuestra explicación sobre la SRAM síncrona de ráfaga, que la
función de ráfaga de direcciones permite generar internamente hasta cuatro direcciones a partir de una
única dirección externa, lo que ahorra tiempo de acceso. Este mismo concepto se aplica a la BEDO DRAM.

SDRAM. Para poder estar a la altura de la siempre creciente velocidad de los microprocesadores, son
necesarias memorias DRAM más rápidas. La DRAM síncrona es uno de los esfuerzos más recientes en este
sentido. Al igual que la RAM estática síncrona explicada anteriormente, la operación de la memoria SDRAM
está sincronizada con el reloj del sistema, con el que también opera el microprocesador de un sistema
informático. Las mismas ideas básicas descritas en relación con la SRAM síncrona de ráfaga se pueden
aplicar a la memoria SDRAM.

Memorias de solo lectura (ROM)

Una ROM mantiene de forma permanente o semipermanente los datos almacenados, que pueden ser
leídos de la memoria pero, o no se pueden cambiar en absoluto, o se requiere un equipo especial para ello.
Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en las aplicaciones. Mantienen los datos
almacenados cuando se desconecta la alimentación y son, por tanto, memorias no volátiles.

Familia de las memorias ROM

La ROM de máscara es un tipo de memoria en la que los datos se almacenan permanentemente en la
memoria durante el proceso de fabricación. La PROM, o ROM programable, es aquel tipo de ROM en la que
el usuario, con ayuda de equipos especializados, almacena eléctricamente los datos. Tanto la ROM de
máscara como la PROM pueden ser de cualquier tecnología MOS o bipolar. La EPROM, o memoria PROM
borrable (erasable PROM) es exclusivamente un dispositivo MOS. La UV EPROM puede ser programada
eléctricamente por el usuario, pero los datos almacenados deben borrarse mediante la exposición a la luz
ultravioleta durante un período de varios minutos. La PROM borrable eléctricamente (EEPROM o E2PROM,
Electrically Erasable PROM) se puede borrar en unos pocos milisegundos.
Memorias Flash
Las memorias flash son memorias de lectura/escritura de alta densidad (alta densidad equivale a gran
capacidad de almacenamiento de bits) no volátiles.

Esta alta densidad se consigue en las memorias flash con una célula de almacenamiento compuesta por un
único transistor MOS de puerta flotante. El bit de datos se almacena como una carga o una ausencia de
carga en la puerta flotante, dependiendo de si se desea almacenar un 0 o un 1.

Posee 3 operaciones principales: programación, lectura y borrado.

Expansión de memorias
Las memorias pueden multiplicarse para incrementar su número de bits en cada dirección (longitud de
palabra), y/o su número de direcciones diferentes (capacidad de palabra). Esto se hace añadiendo el
apropiado número de chips de memoria a los buses de dirección, datos y control.

Módulos de memoria

Los módulos de memoria suelen venir en forma SIMM (single in line memory module, módulo de memoria
de terminal simple) o DIMM (dual in line memory module, módulo de memoria de terminal doble), en
forma de tarjetas de circuito impreso en las cuales se montan los chips de memoria, con las entradas y
salidas conectadas a un conector de borde situado en la parte inferior de las tarjetas.
Las memorias DIMM son similares en aspecto, pero tiene mayor densidad de memoria con pequeño
incremento en el tamaño físico. La diferencia entre DIMM y SIMM, es que los primeros distribuyen los pines
de entrada y salida en ambos lados de la tarjeta. Estos módulos son de 72, 100, 144 y 168 pines,
empleando buses de 32 y 64 bits. La capacidad de los módulos va de 4 a 512 MB.

Memorias FIFO (First in- First out)

El nombre, primero en entrar primero en salir, hace alusión al funcionamiento de estas memorias,
formadas por una disposición de registros de desplazamiento. En estas memorias el primer bit que se
escribe es el primero que se lee.

Cuando un bit de datos se desplaza mediante un impulso de desplazamiento de salida, los demás en los
registros automáticamente se mueven a a la posición siguiente a la salida. En una FIFO asíncrona, los datos
se desplazan hacia fuera independientemente de la entrada de datos, utilizando relojes separados.

Aplicaciones de una FIFO

Estas memorias pueden emplearse en el caso donde hay dos sistemas con velocidades diferentes tratando
de que comunicarse. Los datos de una entran a la FIFO a cierta velocidad y salen con otra diferente.
Memorias LIFO

Estas memorias se encuentran en aplicaciones que utilizan microprocesadores y otros sistemas de

computación. Almacenan datos y los extraen en orden inverso, el ultimo bit ingresado es el primero en ser
leído.

Pilas de registro: Comúnmente una memoria LIFO se denomina pila push-down, implementada en algunos
sistemas con un grupo de registros. Una pila puede estar formada por cualquier número de registros,
siendo el superior el tope de la pila.

En estas memorias, se carga en paralelo un byte de datos al tope de la pila. Cada sucecivo byte empuja al
anterior al registro siguiente, entonces cada nuevo dato se carga en el registro superior, y los bytes
anteriores son empujados hacia abajo en la pila.

Memorias CCD

La memoria CCD (charge-coupled device, dispositivo de almacenamiento de carga) almacena los datos con
cargas de condensador, como las DRAM, pero a diferencia de estas la celda consiste únicamente de un
condensador, haciéndolas de alta densidad.
Las cargas deben refrescar periódicamente, desplazando las cargas en serie a través de circuito de refresco.
Las matrices CCD se usan en algunas cámaras modernas, para captura de imágenes de video en forma de
carga de luz inducida.
 ALMACENAMIENTOS MAGNETICOS
Disco duro magnético: Los discos duros son “placas” rígidas de aleación de aluminio o de una mezcla de
vidrio y cerámica recubiertos con una capa magnética

Normalmente, se apilan dos o más discos sobre un eje o pivote común, que hace que el conjunto gire a una
velocidad de miles de revoluciones por minuto (rpm). Existe una separación entre cada disco, con el fin de
permitir el montaje de un cabezal de lectura-escritura en el extremo del brazo accionado

Principios básicos del cabezal de lectura-escritura: El disco duro es un dispositivo de acceso aleatorio, ya
que puede recuperar datos almacenados en cualquier lugar del disco, La dirección o polarización de las
partículas magnéticas sobre la superficie del disco se controla mediante la dirección de las líneas de flujo
magnético (campo magnético) producidas por el cabezal de escritura, según la dirección de un impulso de
corriente en el devanado. Este flujo magnético magnetiza un pequeño punto de la superficie del disco en la
dirección del campo magnético. Un punto magnetizado con una cierta polaridad representa un 1 binario, y
uno de polaridad opuesta representa un 0 binario. Una vez que se ha magnetizado un punto de la
superficie, permanece en dicho estado hasta que se escribe sobre él un campo magnético opuesto. Cuando
un cabezal de lectura pasa por una superficie magnetizada, los puntos magnetizados generan campos
magnéticos en el cabezal de lectura, lo que provoca impulsos de tensión en el devanado. La polaridad de
estos impulsos depende de la dirección del punto magnetizado e indica si el bit almacenado es un 1 o un 0

Formato del disco duro: Un disco duro está organizado en pistas y sectores. Cada pista está dividida en una
serie de sectores, y cada pista y sector tienen una dirección física que el sistema operativo utiliza para
localizar un determinado registro de datos, hay un número constante de pistas por sector, utilizando los
sectores externos una superficie mayor que los sectores internos. La disposición de pistas y sectores en un
disco se denomina formato
Funcionamiento del disco duro: El rendimiento de una unidad de disco duro específica viene determinado
por varios parámetros básicos. Una operación de búsqueda consiste en el movimiento del cabezal de
lecturaescritura hasta la pista deseada. El tiempo de búsqueda es el tiempo medio de realización de dicha
operación.

El período de latencia es el tiempo que tarda el sector deseado en colocarse debajo del cabezal, una vez
que éste se ha posicionado en la pista deseada y El período de latencia medio supone que el disco debe
recorrer media revolución.

La suma del tiempo medio de búsqueda y del período medio de latencia es el tiempo de acceso de la
unidad de disco.

TIPOS DE ALMACENAMIENTOS MAGNETICOS

Discos flexibles: El nombre de disco flexible se debe a que este tipo de discos está hecho de un material de
poliéster flexible, cubierto por ambas caras con una capa magnética. Los actuales discos flexibles o
disquetes disponen de una funda de plástico rígida. Se formatean en pistas y sectores de forma similar a los
discos duros, excepto por el número de pistas y sectores.

Zip TM: el cartucho del disco Zip es un disco flexible incluido en una carcasa rígida aproximadamente del
mismo tamaño que el disquete, aunque más grueso. La unidad Zip es mucho más rápida que la unidad de
disquetes, dado que tiene una velocidad de giro de 3.000 rpm frente a las 300 rpm de la unidad de
disquete. La unidad Zip tiene una capacidad de almacenamiento de 250 MB, lo que es aproximadamente
173 veces mayor que la capacidad de 1,44 MB del disquete

Jaz TM: similar a una unidad de disco duro excepto en que las dos placas se encuentran dentro de un
cartucho extraíble protegido por un obturador a prueba de polvo. Los cartuchos Jaz están disponibles con
capacidades de almacenamiento de 1 o 2 GB.

Disco duro extraíble.

Cinta magnética: La cinta se utiliza para realizar copias de seguridad de datos desde dispositivos de
almacenamiento masivo y, normalmente, es mucho más lenta en términos de tiempo de acceso, ya que se
accede a los datos en serie en lugar de mediante una selección aleatoria.

Almacenamiento magneto-óptico

los dispositivos de almacenamiento magneto-óptico combinan las tecnologías magnética y óptica (láser).

La diferencia básica entre un disco puramente magnético y un disco magneto-óptico es que la capa
magnética utilizada en los discos magneto-ópticos requiere calor para alterar la polarización magnética. Por
tanto, el disco magneto-óptico es extremadamente estable a temperatura ambiente, haciendo que los
datos no cambien.

Para escribir un bit de datos, se enfoca un haz láser de alta potencia sobre un punto muy pequeño del
disco, y la temperatura de dicho punto se eleva por encima de un nivel de temperatura denominado punto
de Curie (aproximadamente 200ºC). Una vez caliente, las partículas magnéticas en dicho punto pueden
fácilmente ver cambiada su dirección (polarización) debido al efecto del campo magnético generado por el
cabezal de escritura.
La información se lee del disco mediante un láser de menor potencia que el que se emplea para escribir,
utilizando el efecto de Kerr, según el cual la polaridad de la luz del láser reflejado se altera dependiendo de
la orientación de las partículas magnéticas. Los puntos con cierta polaridad representan los ceros y los
puntos con la polaridad opuesta representan los unos

Almacenamiento óptico

CD-ROM. (La memoria de sólo lectura de disco compacto): es un disco con tres capas dispuestas en forma
de sandwich: la capa inferior de plástico de policarbonato, una hoja delgada de aluminio para la
reflectividad y una capa superior de laca para protección. El disco CD-ROM se formatea con una única pista
en forma de espiral.

Los datos se pre graban en fábrica en forma de agujeros microscópicos denominados muescas y el área
plana que rodea a estos agujeros se denomina planicie

Un reproductor de CD-ROM lee los datos en la pista espiral mediante un haz láser de infrarrojos de baja
potencia. Los datos están codificados mediante las muescas y planicies. La luz del láser reflejada desde una
muesca tiene un desfase de 180º respecto de la luz reflejada desde las planicies. Cuando el disco gira, el
estrecho haz de láser incide sobre las muescas y planicies de longitudes variables, y un fotodiodo detecta la
diferencia en la luz reflejada. El resultado es una serie de unos y ceros, que corresponde a la configuración
de las muescas y de las planicies a lo largo de la pista.

DVD-ROM: los datos se pre graban en el disco, pero el tamaño de las muescas es menor que en el CD-ROM,
lo que permite almacenar más datos en una pista. La diferencia principal entre el CD-ROM y el DVD-ROM es
que el CD-ROM tiene una única cara mientras que el DVD almacena datos por las dos caras
 UNIDAD 4
Se tiene dos tipos de señales, analógicas, relacionadas con la naturaleza y digitales utilizan los
procesadores
Diferencia: cantidad de valores, continuos para las analógicas y discretos en los digitales
DAC: Convierte un numero binario en una señal analógica, puede ser un voltaje o una corriente
eléctrica. El numero binario es proporcional al fondo de escala voltaje Max), si es de 5v y de 8 bit el
255 representaría un 5v y 0v 0. La entrada de bit puede ser serie o paralela.
Son circuitos rápidos debido a que constan de 2 etapas

 Una formada por una matriz de llaves que permiten conmutar señales provenientes de una
fuente de corriente o de tensión de referencia
 Posteriormente un amplificador operacional encargado de realizar operaciones como suma
de esas señales y/o conversión de salida en corriente a tensión. Alguno no posee

CLASIFICACIÓN DE DAC:
Formato -> Serie o paralelo
Tecnología:

 Resistencia pesada (obsoleto): malla de resistencia con diferentes valores

 r-2r con fuente de tensiono corriente:
Resistencias iguales con bajo porcentaje de error
ventajas: alta linealidad y bajo ruido
Desventajas: Carga variables con el código, Alto Settling Time (tipo de conversión lento),
Alto glitch (estabilización)
Aplicaciones: Instrumentación de precisión, Automatización y Control, Equipo de test
VOUT=Vref+ (código (255) /2^8) Vout aproximado a Vref

 CON MULTIPLICADOR DE CORRIENTE:

La malla r2r nos permite cambiar la corriente de entrada del conversor que se encuentra en modo
multiplicador (inversor).
Se suman linealmente las corrientes

Los amplificadores operacionales constan de una alta impedancia de entrada, prácticamente un

circuito abierto. Toda la corriente que circula por R1 es igual a la que circula por R2.

Ventajas: alta linealidad, bajo ruido, bajo glitch (oscilaciones), carga de Vref constante
Desventajas: Requiere Amplificador, Señal invertida
Aplicaciones: Generador de Formas de Onda, Uso en PLCs, Aplicaciones de Corriente Alterna.
Errores, de offset (error en 0) o ganancia (% de variación)
Errores no lineales: ganancia y error de glitch (oscilaciones antes de estabilizar la salida)