Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
RAM
Introducción
A lo largo de este documento estaremos dando solución a los planteamiento de la segunda entrega del trabajo grupal del módulo
de Sistemas digitales y ensambladores, por lo tanto para dar solución a cada uno de los planteamientos, inicialmente se estará
diseñando una celda de almacenamiento de un bit que luego se estará utilizando para montar una celda de cuatro bits (nibble),
más adelante se diseña un módulo de dos palabras de 4 bits, posteriormente se monta una matriz de memoria de 64 palabras de
4 bits y finalmente se utiliza el decodificador de binario a 7 para la visualización de los datos. En cada uno de los puntos
desarrollados se presenta el proceso para el diseño de los componentes y con la ayuda de la herramienta Logisim se diseñaron
los respectivos circuitos.
I. DISEÑO
1. Una celda de almacenamiento de un bit para una memoria RAM utilizando cerrojos (latches).
Un Latch S-R (set-reset): Es un tipo de dispositivo lógico biestable o multivibrador. Un latch S-R (Set-Reset) con entrada activa
a nivel ALTO se compone de dos puertas NOR acopladas, tal como se muestra en la Figura 4(a), un latch con entrada activa a
nivel BAJO está formado por dos puertas NAND conectadas tal como se muestra en la Figura 4(b). Observe que la salida de
cada puerta se conecta a la entrada de la puerta opuesta.
Teniendo en cuenta las versiones anteriores de Latches, se diseña la siguiente celda de memoria Latch para una memoria RAM.
Con la celda para un bit diseñada anteriormente se conecta en cascada tres más para obtener otra celda de 4 bits.
Figura 3: Celda de memoria de 4 bits (Nibble).
Nota: No se entendió el punto por lo que se diseñó un módulo de dos palabras de 4 bits.
4. Montar una matriz de memoria de 64 palabras de 4 bits, es decir de 8 x 8 nibbles, utilizando los elementos de control
de la entrega uno, diseñe un circuito que le permita la lectura/escritura de los datos de cada una de las celdas.
Con los diseños del punto 1 y 2 se procede a conectar las celdas para lograr una matriz de memoria RAM de 64 palabras de 4
bits cada una.
Finalizado el punto 4, se coloca los diseños de la primera parte, para visualizar los datos guardados en cada una de las celdas de
la matriz de memoria RAM.
Elementos:
• Control.
• Celda de un Nibble.
• Decodificador
• Matriz de 64 palabras
II. REFERENCIAS
https://es.scribd.com/document/295916342/Bit-Byte-Nibble-Word-Algebra-Booleana
https://wilaebaelectronica.blogspot.com/2017/01/hola-en-display-7-segmentos.html
https://www.studocu.com/es/document/universidad-complutense-madrid/ced-circuitos-electronicos-
digitales/apuntes/ced-circuitos-electronicos-digitales/2483077/view
https://es.wikipedia.org/wiki/Visualizador_de_siete_segmentos
https://www.electronicafacil.net/foros/PNphpBB2-viewtopic-t-7301.html
https://www.youtube.com/watch?v=V7g9MuLj-lo
https://www.youtube.com/watch?v=l39YpfWrO9o
http://bibing.us.es/proyectos/abreproy/4740/fichero/6.+Electronica+de+control.pdf
https://es.wikipedia.org/wiki/Nibble