SISTEMAS DIGITALES II

INFORME DE LABORATORIO #8
MEMORIA RAM

DOCENTE: ING. JOSE MARIN THAMES

SEMESTRE: QUINTO

SAGA
ESTUDIANTES: OSCAR RONALD GUTIERREZ LUQUE A-16584-0
KEVIN JOEL LAURA HUANCA A-20086-7

GESTIÓN: II/2021

LAPAZ- BOLIVIA
Memoria RAM
1. OBJETIVO GENERAL:

Desarrollar en el estudiante las habilidades para escribir y leer en la memoria de tipo

RAM estática.
2. FUNDAMENTO TEORICO

Una memoria es un conjunto de celdas conformadas por capacitores o transistores

capaces de almacenar información binaria. Cada celda de memoria tiene asignada una
dirección que la permite diferenciar de las otras y en cada celda somos capaces de
almacenar un bit, byte o palabra.

Para acceder a cada celda de memoria se utilizan decodificadores que permiten recibir
un código digital y activar un determinada línea que se conectará a su vez a las líneas
de dirección de la memoria.

La memoria RAM es una memoria semiconductora a la que se puede acceder en forma

aleatoria, esto significa que el tiempo de acceso para leer o escribir en cualquiera de
las celdas de memoria es el mismo no importando su posición en la matriz de memoria.
La RAM es volátil esto supone que si la tensión de alimentación del C.I. es cortada
todos los datos de la memoria se borran en forma irreversible.
La utilidad de las memorias RAM se debe a que almacenan información en forma
temporal de otros dispositivos de memoria (ROM, unidades de disco o cinta, etc.) y
esta información es procesada por el microprocesador que coloca los resultados en la
misma RAM.
Ciclo de lectura de la memoria RAM
La primera fila del siguiente diagrama de tiempos indica que las direcciones de la
posición de memoria que se va a leer pueden estar en nivel lógico alto o bajo
indistintamente. La abreviación t rc indica tiempo de ciclo de lectura, el cual debe cumplir
un cierto tiempo mínimo para que se realice la lectura en forma correcta. La siguiente
línea es la de Chip Enable que debe habilitar el C.I. para que se ejecuten las
operaciones de lectura y escritura. La última fila indica el contenido del bus de datos, el
cual estará disponible para ser leído en sus salidas una vez que se cumpla t ra (tiempo
de acceso a la lectura).

Ciclo de escritura de la memoria RAM

Este tiempo se denomina twc y es el tiempo que necesita la memoria para que se pueda
escribir información en ella. El tiempo de establecimiento de la dirección, tAS, es el
tiempo en que la dirección tiene que estar establecida antes de que se aplique el pulso
WRITE. El tiempo de establecimiento es el de los datos, t DS, con un mínimo de 600 ns,
el cual es el intervalo entre la aplicación de los datos de entrada y la des habilitación de
la línea WRITE.
El tiempo de sostenimiento tH (hold time), definido como el tiempo durante el cual un
nivel lógico es sostenido en una entrada después de que una transición toma lugar en
otra entrada. Se identifican en el ciclo de escritura el tiempo de sostenimiento de la
dirección, tAH. Por el intervalo que dure el tiempo de sostenimiento la línea WRITE es
deshabilitada, la dirección no debe cambiar para evitar que los datos se escriban en
otra celda.

3. MATERIALES, EQUIPOS, REACTIVOS, OTROS (Si Corresponde)

3.1. MATERIALES:

 Memoria RAM 2114

 DIP switch de 8 y 16 interruptores
 Resistores de 330 Ohms
 LEDs.
 FLIP FLOPS .
 Oscilador astable
 Protoboard
 Multímetro digital.
 Protoboard

3.2. EQUIPOS:

 Fuente de poder.
 Multímetro digital.

4. PROCEDIMIENTO
1. Realice el armado del siguiente circuito utilizando una memoria RAM 2114.
2. Realice una tabla de diez direcciones diferentes donde se graben se escriban
distintos datos binarios.
3. Cumpla los ciclos de lectura y escritura que se especifican para una memoria
RAM código 2114.
4. Es recomendable que se cuente con la hoja de datos completa de la memoria
2114.
5. Para realizar el proceso de escritura siga los siguientes pasos en forma
ordenada:

a) Establecer una dirección en las líneas A0 - A9.

b) Ponga el pin 10 (Write Enable) de la memoria en 0 lógico.
c) Ponga un dato en las líneas D0 - D3.
d) Ponga el pin 8 (Chip Select) de la memoria en 0 lógico.
5. BIBLIOGRAFIA

 Ronald Tocci Widmer , Sistemas digitales 11° edición

 Floyd Thomas, Fundamentos de sistemas digitales, 9° edición
 Wakerly John, Diseño digital principios y prácticas, 3° edición.
 Data sheet memoria RAM 2114
 https://www.ingmecafenix.com/electronica/memorias-electronicas/