UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

INGENIERÍA ELECTRÓNICA
LABORATORIO ELECTRÓNICA DIGITAL
PREINFORME PRACTICA #1
APLICACIONES DE LAS COMPUERTAS UNIVERSALES
Juan Diego Coronado Yucuma COD: 20192182431
Jose Luis Perdomo Ardila COD: 20192183910
GRUPO 01-01
Equipo 01
1. Análisis teórico.

a) Para la función lógica dada obtener el respectivo circuito digital con la compuerta
universal
indicada y escribir la tabla de verdad lógica y de tensiones para dicho circuito.

función lógica:
𝑋 = (𝐴 + 𝐵)
𝑋 = 𝐴𝐵
𝑋 = 𝐴𝐵

Circuito Digital Con Compuertas NAND:

b) Cálculo de las resistencias

Nota: Para los cálculos de las resistencias se usan perfiles de tensión típicos.

–Circuito TTL (74LS00)

Circuito B

Primero se calcula la resistencia de protección para el led que es la misma RC teniendo en

cuenta que la corriente del led es la misma corriente de colector en saturación 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 15𝑚𝐴
 (5−1.9−02)𝑉
𝑅𝐶 = 15𝑚𝐴
= 193, 33Ω
Valor comercial: 180Ω

Como hfe es mayor a 100 se puede hacer la siguiente aproximación:

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 15𝑚𝐴
𝐼𝐵 ≈ ℎ𝑓𝑒
= 100
= 150µ𝐴

Para asegurar la saturación del transistor se propone una corriente de 160µ𝐴

Se halla RB , teniendo en cuenta los perfiles de salida en alto de la compuerta:

𝑉𝑂𝐻 = 3. 4𝑉
𝐼𝑂𝐻 = − 0. 4𝑚𝐴
(𝑣𝑂𝐻−0.7)𝑉
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
(3.4−0.7)𝑉
𝑅𝐵 = 160µ𝐴
= 16. 875𝑘Ω
Valor comercial: 18𝑘Ω

Circuito C
𝑉𝑜ℎ = 3. 4𝑉
− 𝑉𝑜ℎ + 𝑉𝑅𝐻 + 1. 9𝑉 = 0
𝑉𝑅𝐻 = 3. 4𝑉 − 1. 9𝑉 = 1. 5𝑣
𝑅ℎ = 1. 5𝑉/15𝑚𝐴
𝑅ℎ = 100Ω

Valor comercial: 100Ω

Circuito D

Se hace análisis con el voltaje de salida en bajo porque si es en alto el diodo no enciende

− 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑅𝐿 + 𝑉𝐷 + 𝑉𝑜𝐿 = 0

− 5𝑉 + 𝑉𝑅𝐿 + 1. 9𝑉 + 0. 35𝑉 = 0
𝑉𝑅𝐿 = 5𝑉 − 2. 25𝑉 = 2. 75𝑉
𝑅𝐿 = 2. 75𝑉/15𝑚𝐴
𝑅𝐿 = 183. 33Ω

Valor comercial: 180Ω

Resistencias pull-up

𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐼𝐻 (5−2)𝑉
𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑖𝐻
= 40𝑢𝐴
= 75𝑘Ω

Valor comercial de 68𝑘Ω

– Circuito CMOS (4011)

Circuito B

Primero se calcula la resistencia de protección para el led que es la misma RC teniendo en

cuenta que la corriente del led es la misma corriente de colector en saturación 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 15𝑚𝐴
(5−1.9−02)𝑉
𝑅𝐶 = 15𝑚𝐴
= 193, 33Ω
Valor comercial: 180Ω

Como hfe es mayor a 100 se hace la siguiente aproximación

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 15𝑚𝐴
𝐼𝐵 ≈ ℎ𝑓𝑒
= 100
= 150µ𝐴

Para asegurar la saturación del transistor se propone una corriente de 160µ𝐴

Se halla RB , teniendo en cuenta los perfiles de salida en alto de la compuerta:

𝑉𝑂𝐻 = 5𝑉
𝐼𝑂𝐻 = − 3. 2𝑚𝐴
(𝑣𝑂𝐻−0.7)𝑉
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵
(5−0.7)𝑉
𝑅𝐵 = 160µ𝐴
= 26. 875𝑘Ω
Valor comercial: 27𝑘Ω

Circuito C

𝑉𝑜ℎ = 5𝑣
− 𝑉𝑜ℎ + 𝑉𝑅𝐻 + 1. 9 = 0
𝑉𝑅𝐻 = 5 − 1. 9 = 3. 1𝑣
𝑅ℎ = 3. 1/15𝑚𝐴
𝑅ℎ = 206. 66Ω

Valor comercial es 220Ω

Circuito D

Se hace análisis con el voltaje de salida en bajo porque si es en alto el diodo no enciende

− 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑅𝐿 + 𝑉𝐷 + 𝑉𝑂𝐿 = 0

− 5 + 𝑉𝑅𝐿 + 1. 9 + 0 = 0
𝑉𝑅𝐿 = 5 − 1. 9 = 3. 1𝑉
𝑅𝐿 = 3. 1/15𝑚𝐴
𝑅𝐿 = 206. 66Ω
Valor comercial es 220Ω

Resistencias pull-up

𝑉𝑐𝑐−𝑉𝐼𝐻 5−3.5
𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑖𝐻
= 0.2𝑢𝐴
= 7. 5𝑀Ω

Valor comercial: 100𝑘Ω

c)

Diodo Led Rojo

Voltaje 1.9v

Corriente 15mA

Transistor 2N3904

hfe 100-300

PD(disipación de potencia) 625mW

Tensiones TTL CMOS

VOH 3.4 5

VIH 2 3.5

VOL 0.35 0

VIL 0.8 1.5

d)

Circuito TTL (74LS00)

Salida en bajo:

Salida en alto:
Circuito CMOS (4011)

Salida en bajo

Salida en alto
e)

TABLA I

ENTRADAS SALIDAS PARCIALES SALIDA FINAL

A B 𝐴 𝐵 𝐴(𝐵) 𝐴(𝐵)

TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS

0 0 1 1 1 1 0 0 1 1

0 1 1 1 0 0 1 1 0 0

1 0 0 0 1 1 1 1 0 0

1 1 0 0 0 0 1 1 0 0

TABLA II

ENTRADAS SALIDAS PARCIALES SALIDA FINAL

A B 𝐴 𝐵 𝐴(𝐵) 𝐴(𝐵)

TTL CMOS TTL CMOS TTL CMO TTL CMO TTL CMO TTL CMO unidades
S S S S

0.8 1.5 0.8 1.5 2.7 4.95 2.7 4.95 0.5 0.05 2.7 4.95 v

0.8 1.5 2 3.5 2.7 4.95 0.5 0.05 2.7 4.95 0.5 0.05 v

2 3.5 0.8 1.5 0.5 0.05 2.7 4.95 2.7 4.95 0.5 0.05 v

2 3.5 2 3.5 0.5 0.05 0.5 0.05 2.7 4.95 0.5 0.05 v
 TABLA III

Circuito Vx(V) VB(V) VC(V) VD(V)

TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS

Circuito a 2.7 4.95

en alto

Circuito a 0.5 0.05

en bajo

Circuito b 2.7 4.95 0.7 0.707 0.2 0.2 2.1 2.1

en alto

Circuito b 0.5 0.05 0.35 0 5 5 5 5

en bajo

Circuito c 2.7 4.95 1.9 1.9

en alto

Circuito c 0.5 0.05 0.35 0

en bajo

Circuito d 2.7 4.95 5 5

en alto

Circuito d 0.5 0.05 1.95 1.9

en bajo

VX: se colocan los voltajes límites de las compuertas

Para los cálculos se utilizan los valores típicos de los perfiles de tensión y corriente.

CIRCUITO B En bajo
𝑉𝐶 = 5𝑉
VB(V) TTL VC(V) CMOS
En alto: En alto:
𝑉𝐵 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑅𝐵(𝐼𝐵) 𝑉𝐶 = 0. 2𝑉
𝑉𝐵 = 3. 4𝑉 − 18𝐾Ω(150𝑢𝐴) = 0. 7𝑉 En bajo
En bajo 𝑉𝐶 = 5𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑅𝐵(𝐼𝐵)
𝑉𝐵 = 0. 35𝑉 − 18𝐾Ω(0𝐴) = 0. 35𝑉 VD(V) TTL
VB(V) CMOS En alto:
En alto: 𝑉𝐷 = 𝑉𝑙𝑒𝑑 + 𝑉𝑠𝑎𝑡
𝑉𝐵 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑅𝐵(𝐼𝐵) 𝑉𝐷 = 1. 9𝑉 + 0. 2𝑉 = 2. 1𝑉
𝑉𝐵 = 5𝑉 − 27𝐾Ω(159𝑢𝐴) = 0. 707𝑉 En bajo
En bajo 𝑉𝐷 = 5𝑉
𝑉𝐵 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑅𝐵(𝐼𝐵) VD(V) CMOS
𝑉𝐵 = 𝑂𝑉 − 27𝐾Ω(0𝐴) = 0𝑉 En alto:
𝑉𝐷 = 𝑉𝑙𝑒𝑑 + 𝑉𝑠𝑎𝑡
VC(V) TTL 𝑉𝐷 = 1. 9𝑉 + 0. 2𝑉 = 2. 1𝑉
En alto: En bajo
𝑉𝐶 = 0. 2𝑉 𝑉𝐷 = 5𝑉
 CIRCUITO D
CIRCUITO C
VDV) TTL
VD(V) TTL En alto:
En alto: 𝑉𝐷 = 5𝑉
𝑉𝐷 = 1. 9𝑉 En bajo
En bajo 𝑉𝐷 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐿 − 𝑉𝑂𝐿
𝑉𝐷 = 0. 35𝑉 𝑉𝐷 = 5𝑉 − 2. 7𝑉 − 0. 35𝑉 = 1. 95𝑉

VD(V) CMOS VD(V) CMOS

En alto: En alto:
𝑉𝐷 = 𝑉𝑙𝑒𝑑 = 1. 9𝑉 𝑉𝐷 = 𝑉𝑙𝑒𝑑 = 5𝑉
En bajo En bajo
𝑉𝐷 = 0𝑉 𝑉𝐷 = 1. 9𝑉

TABLA IV

Circuito Ib(uA) Ic(mA) IOH(mA) IOL(mA) VLED(V) VCE(SAT)(V)

TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS TTL CMOS

Circuito 150 159.24 16.1 16.1 1.92 1.92 0.2 0.2

b en alto

Circuito 15 14.09 1.9 1.9

c en alto

Circuito 17.2 14.09 1.55 1.9

d en bajo

CIRCUITO B EN ALTO 𝑉𝐿𝐸𝐷 = (5 − 2. 88 − 0. 2)𝑉 = 1. 92𝑉

IB CMOS:
TTL: 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝑂𝐻/𝑅𝐵 = (3. 4𝑣 − 0. 7)/18𝐾 = 150𝑢𝐴 𝑉𝐿𝐸𝐷 = ( 5 − 2. 88 − 0. 2)𝑉 = 1. 92𝑉
CMOS:
𝐼𝐵 = (𝑉𝑂 − 𝑉𝐵)/(𝑅𝐵) VCE
𝐼𝐵 = (5 − 0. 7)𝑉/27𝐾Ω = 159. 25𝑢𝐴 TTL:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐷
IC 𝑉𝐶𝐸 = (5 − 2. 88 − 1. 92)𝑉 = 0. 2𝑉
TTL: CMOS:
𝐼𝐶 = (5𝑉 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐷𝐿𝐸𝐷)/𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐷
𝐼𝐶 = (5 − 0. 2 − 1. 9)𝑉/180Ω = 16. 1𝑚𝐴 𝑉𝐶𝐸 = (5 − 2. 88 − 1. 92)𝑉 = 0. 2𝑉
CMOS:
𝐼𝐶 = (5 − 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐷𝐿𝐸𝐷)/𝑅𝐶 CIRCUITO C EN ALTO
𝐼𝐶 = (5 − 0. 2 − 1. 9)𝑉/180Ω = 16. 1𝑚𝐴 IOH
TTL:
VLED 𝐼𝑂𝐻 = (𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐿𝐸𝐷)/𝑅𝐻
TTL:Se usó la corriente calculada de Ic 𝐼𝑂𝐻 = (3. 4 − 1. 9)𝑉/100Ω = 15𝑚𝐴
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 CMOS:
𝐼𝑂𝐻 = (𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝐿𝐸𝐷)/𝑅𝐻 𝐼𝑂𝐿 = (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷)/𝑅𝐿
𝐼𝑂𝐻 = (5 − 1. 9)𝑉/220Ω = 14. 09𝑚𝐴 𝐼𝑂𝐿 = (5 − 1. 9)𝑉/180Ω = 17. 2𝑚𝐴
CMOS:
VLED 𝐼𝑂𝐿 = (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷)/𝑅𝐿
TTL: 𝐼𝑂𝐿 = (5 − 1. 9)𝑉/220Ω = 14. 09𝑚𝐴
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝑅𝐻
𝑉𝐿𝐸𝐷 = (3. 4 − 1. 5)𝑉 = 1. 9𝑉 VLED
CMOS: TTL:
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 𝑉𝑂𝐻 − 𝑉𝑅𝐻 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 5𝑉 − 𝑉𝑅𝐿
𝑉𝐿𝐸𝐷 = (5 − 1. 5)𝑉 = 1. 9𝑉 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 5𝑉 − 180Ω(17. 2𝑚𝐴) − 0. 35𝑉 = 1. 55𝑉
CMOS:
CIRCUITO D EN BAJO 𝑉𝐿𝐸𝐷 = 5𝑉 − 𝑉𝑅𝐿
𝑉𝐿𝐸𝐷 = 5𝑉 − 220Ω(14. 09𝑚𝐴) = 1. 9𝑉
IOL
TTL:

TABLA V

Resistor RB Rc RH RL RA RB R1 R2 R3 R4
(Ω)

Valor 18k 180 100 180 8k 68k 68k 68k

(TTL)

Valor 27k 180 220 220 100k 100k

(CMOS)

f)
CIRCUITO TEMPORIZADOR 555:
FÓRMULA DE DISEÑO PARA EL CIRCUITO ANTERIOR

1 1.44
𝐹 = 𝑇
= (𝑅𝐴+2𝑅𝐵)𝐶
1 1.44
𝐹 = 𝑇
= (8𝐾+2*68𝐾)*0.01𝑢𝐹
1 1.44
𝐹 = 𝑇
= (8𝐾+2(68𝐾))𝐶
𝐹 = 1𝐾𝐻𝑧
1
𝑇 = 1𝐾𝐻𝑧
= 1𝑚𝑠

CIRCUITO LÓGICO CON LA SEÑAL DE RELOJ CONECTADA A LA ENTRADA DE UNA

COMPUERTA NAND

DIAGRAMA DE TEMPORIZACIÓN
PERFILES DE TENSIÓN DE PULSOS :

PULSOS PULSO ROJO PULSO VERDE PULSO AZUL

TENSIONES Alto Bajo Alto Bajo Alto Bajo

TTL 5 0 3.4 0.35 3.4 0.35

CMOS 5 0 5 0 5 0