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Dispositivos y Componentes Electrónicos Ok
Dispositivos y Componentes Electrónicos Ok
Componentes
Electrónicos
Código: 89001619
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
INTRODUCCIÓN
Sin embargo, por muy complejo y sofisticado que sea un equipo, todo se inicia
a nivel de componentes o dispositivos; por lo tanto, en este Manual se ha
tratado de dar los fundamentos o principios de tales dispositivos electrónicos.
Los fundamentos no cambian con el tiempo y por eso son muy importantes; sin
embargo, tratar sólo los fundamentos resta emoción a un curso; ahí entramos
en sintonía con la visión de la filosofía del SENATI: “Aprender haciendo”.
El reto del nuevo técnico está en que cada día hay una oferta mayor de
nuevos circuitos integrados y componentes discretos con buenas y mejores
prestaciones, tanto en su rapidez de respuesta, como en sus consideraciones
de potencia, además del abaratamiento de los costos de producción masiva,
por lo que debe tener la capacidad de adaptación y uso de estos dispositivos.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 5
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ÍNDICE
Introducción Página
HT1 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PASIVOS: LA RESISTENCIA. 9
Circuito eléctrico simple. 10
HO-01 Montar dispositivos en el protoboard. 12
HO-02 Interpretar las resistencias usando el código de colores. 14
HO-03 Medir resistencias usando el multímetro digital. 15
HO-04 Operar fuente de alimentación programable. 17
HO-05 Medir corriente promedio usando el multímetro digital. 20
HO-06 Medir voltaje promedio usando el multímetro digital. 22
HO-07 Montar circuito de aplicación de la resistencia. 24
HIT-01 Hoja de Información Tecnológica 01. 26
HITC-01 Hoja de Información Tecnológica Complementaria 01. 27
HT2 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PASIVOS: EL CONDENSADOR 38
HO-08 Medir voltaje rms con el multímetro digital. 39
HO-09 Medir condensadores usando el multímetro digital. 40
HO-10 Verificar las características de un condensador. 41
HO-11 Medir voltaje pico a pico usando el osciloscopio digital. 43
HO-12 Medir tiempo usando el osciloscopio digital. 46
HO-13 Medir voltaje pico a pico usando el osciloscopio digital y voltaje 47
RMS con el multímetro digital.
HO-14 Montar circuito de aplicación del condensador. 48
HIT-02 Hoja de Información Tecnológica 02. 49
HITC-02 Hoja de Información Tecnológica Complementaria 02. 51
HT3 DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PASIVOS: LA INDUCTANCIA. 58
HO-15 Probar inductancias con el multímetro digital. 59
HO-16 Verificar la energía almacenada en una inductancia. 59
HO-17 Montar circuito de aplicación de la inductancia. 64
HIT-03 Hoja de Información Tecnológica 03. 65
HITC-03 Hoja de Información Tecnológica Complementaria 03. 67
HT4 CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES. 75
HO-18 Verificar la condición de un diodo semiconductor. 76
HO-19 Probar diodos con el multímetro digital. 78
HO-20 Obtener la curva característica de un diodo semiconductor. 82
HO-21 Verificar la condición de un diodo zener. 83
HO-22 Determinar la tensión zener de un diodo zener. 85
HO-23 Obtener la curva característica de un diodo zener 86
HIT-04 Hoja de Información Tecnológica 04. 87
HITC-04 Hoja de Información Tecnológica Complementaria 04. 90
HT5 CIRCUITOS CON RELÉS Y CONTACTORES. 100
HO-24 Verificar estado de un relé. 101
HO-25 Verificar estado de un contactor. 103
HO-26 Montar circuito de aplicación de un contactor. 105
HIT-05 Hoja de Información Tecnológica 05. 106
HITC-05 Hoja de Información Tecnológica Complementaria 05. 110
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 6
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 7
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 8
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
DENOMINACIÓN
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PASIVOS: LA RESISTENCIA HT:T1aDCE
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 9
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
1. Una fuente de energía eléctrica, por ejemplo una batería química, generador
o celda solar.
2. Una carga o dispositivo de salida como una lámpara, un parlante o un motor
eléctrico.
3. Conductores, tales como alambres de cobre o de aluminio, para transportar
la energía eléctrica desde la fuente hacia la carga.
4. Un dispositivo de control, que puede ser un interruptor, termostato o relay;
para controlar el flujo de energía a la carga.
La f.e.m. es medida en Voltios (V) y se refiere al trabajo que una fuente puede
hacer para mover cargas eléctricas a través de un circuito.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 10
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los diagramas esquemáticos son mucho más fáciles de dibujar que los
diagramas pictóricos.
Cuando el interruptor está abierto (OFF) como lo indica la figura, no hay flujo de
corriente y la lámpara se encuentra apagada. Cuando el interruptor es cerrado
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 11
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 12
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 13
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 14
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
1. Insertar las puntas de prueba en los terminales de medición; la punta de
color rojo debe ir en el borne indicado
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 15
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
RT o R equivalente
Calculado Medido
RT o R equivalente
Calculado Medido
RT o R equivalente
Calculado Medido
RT o R equivalente
Calculado Medido
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 16
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
RCD RDA
Calculado Medido Calculado Medido
RAB RBC
Calculado Medido Calculado Medido
PROCESO DE EJECUCIÓN.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 17
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
5V/3.3V (2). Con esta tecla se selecciona que la tensión de salida en los
bornes 5V/3.3V y COM2 sea 5 Voltios o 3.3 Voltios.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 18
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
OBSERVACIÓN:
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 19
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 20
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Corriente Corriente
Resistencia Fuente de Corriente
medida en la medida en la
equivalente tensión E calculada
Fig. 16 Fig. 17
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 21
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
Fig. 18. Conexión del voltímetro DC para medir la caída de tensión en la resistencia R1 (VR1) y
la resistencia R2 (VR2).
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 22
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 23
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
I I1 I2
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 24
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
La finalidad de la resistencia
limitadora R es producir una
“caída de tensión”, una “pérdida
de tensión”; en este caso debe ser
de 16 Voltios, de tal modo que a la
bobina del relé se le aplique 24
Voltios que es el voltaje de trabajo
de dicha bobina.
PROCESO DE EJECUCIÓN.
Vbobina 24V
I= =
Rbobina R.bobina
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 25
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
2. SÍMBOLO.
Tenemos la simbología Americana y la Europea. (Fig 20).
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 26
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
4. EL OHMÍMETRO.
Es un instrumento electrónico cuya finalidad es medir resistencia eléctrica en
ohmios.
1. EL PROTOBOARD.
El protoboard, como se ve en la Fig. 21a y b, es un tablero de experimentos
para prototipos o modelos de circuitos, nos permite realizar el montaje de
diversos dispositivos electrónicos sin usar soldadura. Además la modificación
de la circuitería es relativamente rápida y sencilla.
En la vista frontal se aprecian los agujeros por donde se colocan los terminales
de los dispositivos electrónicos.
Platinas de conexión
Fig. 21b. Vista inferior del protoboard luego de retirarle su cubierta protectora.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 27
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En la zona central, sin embargo se observa que las platinas son pequeñas y
permiten el conexionado en sentido vertical.
2. UNIDAD DE MEDIDA.
La unidad de medida de la resistencia es el OHM y se representa por la letra
griega omega (Ω). (Georg Simón Ohm. Alemania 1787-1854).
3. CLASES DE RESISTENCIAS.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 28
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 29
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
El término resistencia deriva del hecho que este dispositivo se opone al flujo de
la corriente; donde, a mayor resistencia, menor será la corriente que fluirá por
ella y viceversa.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 30
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
CIFRAS
COLOR MULTIPLICADOR TOLERANCIA
SIGNIFICATIVAS
NEGRO 0 x1
MARRON 1 x 10 ±1%
2
ROJO 2 x 10 ±2%
3
NARANJA 3 x 10
4
AMARILLO 4 x 10
5
VERDE 5 x 10 ± 0.5 %
6
AZUL 6 x 10 ± 0.25 %
7
VIOLETA 7 x 10 ± 0.1 %
8
GRIS 8 x 10
9
BLANCO 9 x 10
DORADO x 0.1 ±5%
PLATEADO x 0.01 ± 10 %
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 31
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 32
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
8. ASOCIACIÓN DE RESISTENCIAS.
En los circuitos electrónicos las resistencias son conectadas en serie, en
paralelo y en combinaciones serie-paralelo. Cuando se analizan estos circuitos,
con frecuencia, es necesario reducir estas combinaciones de resistencias a
una simple resistencia equivalente.
R1 R2
R equivalente = RT = R1 + R2
EJEMPLO:
RT = R1 + R2
RT = 1KΩ + 3,3,KΩ
RT = 4,3 KΩ
R1 x R 2
R equivalente = RT =
RT R1 R2 R1 + R 2
EJEMPLO:
R1 x R 2
RT =
R1 + R 2
3,3KΩ x 4,7 KΩ
RT = = 1,93KΩ
3,3KΩ + 4,7 KΩ
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 33
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
1
RT =
1 1 1
RT R1 R2 R3 + +
R1 R 2 R3
Ejemplo:
1
RT =
1 1 1
+ +
R1 R 2 R3
1
RT = = 2,63KΩ
1 1 1
+ +
10 KΩ 15 KΩ 4,7 KΩ
R 2 x R3
RT = + R1
R 2 + R3
RT R2 R3
Ejemplo:
R 2 x R3
R1 RT = + R1
R 2 + R3
10K
R2 R3 3,3K x 4,7 K
RT
3,3K RT = + 10 K = 11,93K
4,7K 3,3K + 4,7 K
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 34
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
1 3
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 35
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Watts observó este efecto y propuso lo que se conoce como la ley de Watt: En
un circuito, la potencia es igual a producto del voltaje aplicado por la corriente
que circula por él.
Por ejemplo :
Calcular la máxima corriente que una resistencia de 100 ohms, ½ Wattio
puede disipar sin sobrecalentarse.
P 0,5W
I= = = 22 mA
R 100
PREGUNTAS:
1. En el siguiente circuito, calcular el
valor de la tensión de la fuente V.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 36
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Secadora de cabello
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 37
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
DENOMINACIÓN
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PASIVOS: EL CONDENSADOR HT:T1bDCE
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 38
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN
1.- Conectar las puntas de prueba en los terminales de medición; la punta de
color rojo debe ir en el borne indicado
función en la posición
3.- Presionar el botón
SELECTOR hasta que
aparezca el símbolo de
tensión A:C: :
En la pantalla LCD deberá
aparecer lo siguiente:
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 39
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
HOJA DE OPERACIÓN 09
MEDIR CONDENSADORES USANDO EL MULTÍMETRO DIGITAL
Al igual que las resistencias, el instrumento que mide la capacidad de un
condensador se llama capacímetro.
PROCESO DE EJECUCIÓN
1.- Conectar las puntas de prueba en los terminales de medición; la punta de
color rojo debe ir en el
borne
indicado
Valor indicado Valor indicado en Valor indicado Valor indicado Valor medido
en el microfaradios en nanofaradios en picofaradios con el
condensador (µF) (ηF) (pF) capacímetro
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 40
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
C1 C2 C3 C4 C5
Aspecto
Físico
Valor medido
con Multímetro
digital
Valor medido
con Medidor LCR
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 41
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 42
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Posición
horizontal
Ambos
canales
Seg/div
Ambos
canales
Volt/div Entrada Entrada Volt/div
Canal 1 Canal 1 Canal 2 Canal 2
PROCESO DE EJECUCIÓN.
1.- Montar el siguiente circuito.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 43
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
El número 1 ubicado en la
parte central izquierda
indica que el canal activo
es el canal 1. Además
señala la línea de base de
tiempo del mismo canal, es
decir, todo lo que está
encima del número 1
tendrá valores positivos y
lo que está debajo tendrá
valores negativos.
En la esquina inferior
izquierda se observa un
valor de 5 V, ello nos indica
el rango de voltaje por
división. Es decir, en estas
condiciones el osciloscopio estará graduado en 5 Voltios/división.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 44
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 45
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
Manteniendo el mismo circuito que empleó para medir Voltaje pico a pico,
vamos ahora a medir la variable tiempo, a su vez, ello nos permite calcular la
frecuencia de la onda que estamos visualizando.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 46
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Vm
Vpp = 2 Vm V rms = Vm = V rms 2 Vpp = 2Vrms 2
2
PROCESO DE EJECUCIÓN:
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 47
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. LA CAPACIDAD EN DC.
Los condensadores son elementos que
almacenan energía eléctrica temporal, en
forma de campo electrostático y están
constituidos por dos armaduras o placas
metálicas paralelas, separadas por un aislante
llamado dieléctrico, como se ve en la Fig. 34. Fig. 34.- Construcción de
un condensador de papel
Los condensadores son usados en, prácticamente, todos los circuitos
electrónicos para una variedad de propósitos. A diferencia de las resistencias,
ellos realizan sus funciones solamente cuando hay un cambio en el voltaje del
circuito.
Actúan como una clase de batería temporal para almacenar energía en forma
de campo eléctrico.
2. UNIDAD DE MEDIDA.
La unidad básica para la capacidad es el FARADIO, (Michael Faraday, físico
inglés 1791-1867), sin embargo, los condensadores de valores prácticos están
dados en MICROFARADIOS ( µF ) , NANOFARADIOS ( nF ) y PICO
FARADIOS ( pF ).
TOLERANCIA
LETRA MAYÚSCULA
C > 10 pF
J - D ± 5%
K ± 10 %
M ± 20 %
F ± 1%
Fig. 35. Condensadores típicos
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 49
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
−t
−t
Vc = E 1 − . C
R = E 1 − τ
Cuyo gráfico se muestra en la Fig. 37.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 50
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
1. EL CONDENSADOR.
Los condensadores son elementos que almacenan energía eléctrica temporal
en forma de campo electrostático y están constituidos por dos armaduras o
placas metálicas paralelas, separadas por un aislante, llamado dieléctrico.
3. UNIDADES.
La cantidad de energía que puede almacenar un condensador se conoce como
CAPACIDAD y la unidad de medida es el FARADIO, (Michael Faraday , físico
inglés 1791-1867). Sin embargo, frecuentemente se emplean los submúltiplos
(µF, ηF y pF).
1 Faradio = 1F
1 microFaradio (µF) = 10-6 F
1 nanoFaradio (ηF) = 10-9 F
1 picoFaradio (pF) = 10-12 F
10 µF x (10V )
2
C xV2
W= = = 500 µJoules
2 2
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 51
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
4. SÍMBOLO.
5. CLASES DE CONDENSADORES.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 52
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 53
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 54
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PREGUNTAS:
2. En el siguiente circuito. S1
R
30K
a. Calcule la constante de tiempo del circuito.
V +
15V 150uF C
b. Calcule la tensión de carga del
condensador 9 segundos después de
haber cerrado el interruptor S1.
8. CONVERSIÓN DE UNIDADES.
Para la conversión de unidades de capacidad es necesario recordar lo
siguiente:
1 Faradio = 1F
1 microFaradio ( µF ) = 10-6 F
1 nanoFaradio ( ηF ) = 10-9 F
1 picoFaradio ( pF ) = 10-12 F
Ejemplo:
a. Convertir un condensador de 0,01µF a pF.
1 pF
0,01 µF = 0,01 x 10− 6 F x −12 = 0,01 x 10− 6 x 1012 pF = 0,01 x 106 pF = 10 000 pF
10 F
b. Convertir un condensador de 1000 pF a µF.
1 µF
1000 pF = 1000 x 10−12 F x − 6 = 1000 x 10−12 x 106 µF = 1000 x 10− 6 µF = 0,001 µF
10 F
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 55
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los condensadores marcados 101, 103, 222, 471 etc. son codificados en pico
Faradios.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 56
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En tarjetas electrónicas.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 57
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
DENOMINACIÓN
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PASIVOS: LA INDUCTANCIA HT:T1cDCE
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 58
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN:
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 59
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 60
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 61
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
OBSERVACIÓN: USAR
VOLTÍMETRO C.A.
S1 ABIERTO S1 CERRADO
Voltaje en el Voltaje en el Voltaje en el
Voltaje en el primario
secundario primario secundario
valor medido valor medido valor medido valor medido
a. Solicitar un transformador de
tensión.
b. Montar el siguiente circuito.
OBSERVACIÓN: USAR
VOLTÍMETRO DC.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 62
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
S1 ABIERTO S1 CERRADO
Voltaje en el Voltaje en el
Voltaje en el primario Voltaje en el primario
secundario secundario
valor medido valor medido valor medido valor medido
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 63
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Cuando por una inductancia o bobina circula una corriente eléctrica, se genera
en ella un campo electromagnético, el cual permanece, mientras dure la
circulación de la corriente eléctrica.
PROCESO DE EJECUCIÓN.
INTERRUPTOR S1 CERRADO
CONDICIÓN DE LOS CONDICIÓN DE LA
CONDICIÓN DEL RELE
CONTACTOS 1 Y 4 LÁMPARA
INTERRUPTOR S1 ABIERTO
CONDICIÓN DE LOS CONDICIÓN DE LA
CONDICIÓN DEL RELE
CONTACTOS 1 Y 4 LÁMPARA
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 64
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
LA INDUCTANCIA.
La inductancia es un dispositivo conformado por un gran número de vueltas de
alambre enrollados sobre un núcleo y que almacena energía en forma de
campo electromagnético.
Fig. 44. Inductancia con núcleo Fig. 45. Inductancia con núcleo
de hierro. de aire.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 65
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 66
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Al abrir el interruptor S1, se elimina la corriente que circulaba por la bobina, ella
se desenergiza , pero, la bobina del relé invierte su polaridad (ahora será – al
terminal 2 y + positivo al terminal 10) el diodo se encuentra, en este momento,
directamente polarizado, se comporta como un interruptor cerrado y a través
de él se descarga toda la energía almacenada en la bobina, protegiendo de
esta manera al interruptor S1; los contactos 1 y 4 retornan a su posición inicial,
es decir, se abren y por lo tanto, deja de circular corriente por la lámpara y ella
se apagará.
INCREMENTO DE LA INDUCTANCIA.
La inductancia es un dispositivo conformado por un gran número de vueltas de
alambre enrollados sobre un núcleo, generalmente, de forma cilíndrica y que
almacena energía en forma de campo electromagnético.
Según la ley de LENZ (Heinrich Friedrich Emil Lenz, físico Alemán 1804-
1865), la inductancia origina un voltaje inducido que se opone al efecto creado
por ella y mantiene la corriente circulando en el mismo sentido original, es
decir, por ejemplo, al desconectar la fuente de energía o fuente de alimentación
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 67
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
di
El voltaje inducido está dado por la ecuación: V = − L
dt
El signo – indica que el voltaje inducido en la bobina es una fuerza contra
electro motriz.
Líneas arriba hemos dicho que la inductancia de una bobina depende del
núcleo de la misma, de la permeabilidad de las láminas de hierro silicoso del
núcleo; sin embargo, la permeabilidad del hierro varía ampliamente con la
densidad del flujo magnético y la corriente en la bobina. Esto significa que la
inductancia de cualquier bobina con núcleo magnético nunca es constante.
SÍMBOLO DE LA INDUCTANCIA.
El siguiente es el símbolo de la inductancia y se representa por la letra L.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 68
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
CLASES DE INDUCTANCIAS.
CAMPO ELECTROMAGNÉTICO.
El magnetismo es de gran importancia en muchos de los campos de la
electricidad y la electrónica, por ejemplo: en los relés, motores, generadores,
etc.
EL TRANSFORMADOR.
El transformador (Fig. 49) es una máquina eléctrica estática que consiste de
dos bobinas separadas eléctricamente, pero interacopladas magnéticamente,
sobre un núcleo de hierro común, conformado por láminas de hierro silicoso. A
una bobina, donde se aplica la energía eléctrica, se le denomina PRIMARIO, y
a la otra, donde se obtiene la tensión inducida, se le denomina SECUNDARIO.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 70
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
LEY DE FARADAY.
La ley de FARADAY ( Michael Faraday, físico Inglés 1791-1867)
Cuando en una bobina se modifica el flujo magnético, en sus extremos se
inducirá una tensión de valor directamente proporcional a la velocidad de
dφ
variación del flujo
dφ
y al número de espiras N. V =−N
dt dt
El signo menos es debido a la ley de LENZ (Heinrich Friedrich Emil Lenz ,
físico Alemán 1804-1865)
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 71
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Observe que el núcleo de hierro no tiene que ser de material magnético para la
inducción de las corrientes Eddy.
Cualquier buen conductor como el bronce u otro metal se calentará debido a
las corrientes Eddy. (Este es el principio de funcionamiento del método de
calentamiento industrial del llamado horno de inducción)
Los inductores con núcleo de aire, pueden operar a alta frecuencia, porque
ellos no tienen núcleo ferromagnético, por lo tanto no se saturan y su pérdida
por histéresis y corrientes Eddy son mínimas; sin embargo, los inductores con
núcleo de aire pueden irradiar energía electromagnética, la cual es transmitida
a otros componentes en el circuito. Usualmente se utilizan cajas metálicas que
actúan como un blindaje magnético.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 72
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Cuando la corriente en una bobina entra por un punto y en la otra bobina sale
por el punto, la inductancia mutua es sustractiva, en otras palabras, si la
polaridad instantánea del punto de la primera bobina es positiva +, en el punto
de la otra bobina tendremos una polaridad negativa -, como vemos en la Fig.
53.
Por ejemplo, cuando se conectan dos parlantes en paralelo, queremos que los
dos conos se muevan en la misma dirección, al mismo tiempo, para obtener
un reforzamiento del sonido. Haciendo una unión común de ambos puntos de
los parlantes lograremos que ellos trabajen en fase uno con el otro.
Fig. 53. Ejemplos de bobinas y transformadores con notación del punto de polaridad.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 73
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 74
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
DENOMINACIÓN
CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES HT:T2DCE
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 75
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN.
1. Solicitar un diodo 1N4007.
3. En base a sus mediciones, indique qué terminal del diodo (ánodo o cátodo)
representa a aquel marcado con una banda.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 76
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 77
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN:
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 78
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 79
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
OBSERVACIÓN. Use
Voltímetro DC.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 80
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Si, en polarización directa, el ohmímetro indica baja lectura, del orden de 0,65 y
en la polarización inversa indica alta lectura (OL), el diodo D1 estará operativo.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 81
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN:
7. Dibujar la curva
característica del diodo
semiconductor.
8. Usando el osciloscopio
digital, Canal 1, medir el
voltaje de codo del diodo
semiconductor.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 82
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Identificar sus terminales.
Tomar un diodo zener y completar la siguiente tabla.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 84
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN
a.- Montar el circuito, arriba mostrado.
b.- Variar el voltaje de la fuente V, según lo indicado, en la Tabla adjunta.
c.- Medir la tensión V zener empleando el voltímetro DC y completar la sgte.
Tabla.
Voltaje de
la fuente 3V 5V 7V 9V 10 V 12 V 14V 16V 18V
DC
Tensión
Zener
d.- ¿Cuánto vale la tensión zener del diodo utilizado en este circuito?
e.- Compruebe su resultado empleando el datasheet.
Tensión del diodo zener, obtenida en forma Tensión del diodo zener obtenida según el
experimental. Manual de semiconductores.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 85
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
PROCESO DE EJECUCIÓN:
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 86
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
EL DIODO SEMICONDUCTOR.
Cuando el potencial del ánodo es negativo con respecto al cátodo, se dice que
el diodo tiene polarización inversa. Bajo condiciones de polarización inversa,
fluye una pequeña corriente inversa (también conocida como corriente de fuga)
y el diodo se comporta como un elemento de alta resistencia. Para los fines
prácticos, un diodo se puede considerar como un interruptor ideal.
Observemos algunos tipos de diodos.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 87
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 88
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Si en la condición polarización
directa, el ohmímetro indica baja
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 89
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
lectura (0,5 ó 0,6) y en polarización inversa nos señala alta lectura (OL), el
diodo zener se encuentra en buenas condiciones.
LA JUNTURA PN.
Desde que en 1947 John Bardeen (Boston USA 1908 – 1991 ) Walter
Brattain (China 1902 – Washington 1987 ) y William Bradford Shockley (
Londres 1910 – California 1989 ) desarrollaron el primer transistor; se han
producido una enorme cantidad de diferentes componentes semiconductores
que se aplican, prácticamente, en todos los campos de la electricidad y
electrónica.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 90
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 91
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 92
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 93
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ECUACIÓN DE BOLTZMAN.
Mediante el uso de la física del estado sólido, se puede demostrar que la curva
característica del diodo está definida por la siguiente ecuación, llamada
ecuación de Boltzman. (Ludwing Boltzmann Viena, Austria 1844 – 1906).
Kq VT
I = Is − 1
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 94
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Donde:
I = Corriente en el diodo (Amperios)
Is = Corriente inversa de saturación (Amperios) = 1 pA
q = carga del electrón = 1,602 x10−19 Coulombs
V = tensión aplicada al diodo (Voltios)
K = Constante de Boltzman = 1,38 x10−23 Wattio-segundo/ºC
T = temperatura absoluta en ºK
Kq 0T
I = Is − 1 = 0
Kq VT
I = Is − 1
1, 602 x10− 23 x (−5V )
−19
I = Is 1, 38 x 10 x 298 º K
−1 = − Is = 1 pA
Consideremos el diodo polarizado directamente (por ejemplo V = 0,7V)
Kq VT
I = Is − 1
1, 602 x10− 23 x (0, 7V )
−19
I = Is 1, 38 x 10 x 298 º K
−1 = 6.9 x 1011 Is = 690 mA
Se observa que la corriente del diodo se incrementa grandemente.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 95
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
corriente que circule por él. En circuitos de baja corriente, ello es perfectamente
correcto; sin embargo, en circuitos de potencia, la tensión VF puede llegar
hasta 1,5V a 2.0V, sin embargo, la magnitud de esta caída de tensión es
pequeña comparada con los altos voltajes usados en circuitos de potencia.
EL DIODO ZENER.
El diodo zener es un diodo que mantiene entre sus terminales una tensión
estable conocida como tensión zener.
SÍMBOLO.
En la Fig. 75, se observa el símbolo del diodo
zener, debemos recordar que no hay diferencia
física entre un diodo rectificador y un diodo
zener
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 96
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
POLARIZACIÓN.
Bajo condiciones de polarización directa, el diodo zener responde de manera
idéntica a un diodo rectificador común. Sin embargo, cuando dicho diodo es
polarizado inversamente su corriente es extremadamente pequeña, hasta que
cuando el voltaje se incrementa mas allá de un cierto punto, hay un brusco y
rápido incremento de la corriente, que puede causar la destrucción del diodo.
En realidad, el diodo zener está diseñado para operar en dicha región y ello se
logra mediante un dopaje adecuado en el proceso de su fabricación. El voltaje
al cual el diodo conduce en ruptura se denomina voltaje zener, por eso existen
diodos con diversos valores de
tensión zener.
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 97
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En esta zona, el efecto estabilizador del diodo zener es muy deficiente pues, su
característica tiene muy poca pendiente.
Siempre que el fabricante no indique otra cosa puede tomarse como valor
aproximado:
IZ mínimo = 0,1 IZ máximo
IZ máximo = Potencia del zener / Voltaje del zener
VZ 12V
3.- Calcular IL. IL = = = 25,5 mA
RL 470Ω
Pot. zener 1W
4.- Calcular IZ máximo. IZ max = = = 83 mA
Volt. zener 12 V
5.- Calcular IZ mínimo. IZ min = 0,1 IZ max = 0,1 x 83 mA = 8,3 mA
Por seguridad, elegimos IZmin = 10 mA
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 98
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Vs VC VZ VR VRL
Medido Calculado Medido Calculado Medido Calculado Medido Calculado Medido
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 99
DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
DENOMINACIÓN
CIRCUITOS CON RELÉS Y CONTACTORES HT:T3DCE
PROCESO DE EJECUCIÓN.
1.- Solicitar un relé encapsulado de 11 pines, observar su cara lateral, donde se
encuentra el siguiente esquema, tal como se aprecia en la Fig. 79.
Resistencia
2 y 10 1y5 1y4 3y7 3y6 11 y 8 11 y 9
entre bornes
Valor medido
Defina el
elemento
(bobina o
contacto
NA/NC)
Resistencia
1y5 1y4 3y7 3y6 11 y 8 11 y 9
entre bornes
Valor medido
Defina el tipo de
contacto
Resistencia
1y5 1y4 3y7 3y6 11 y 8 11 y 9
entre bornes
Valor medido
Defina el tipo de
contacto
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1.- Solicitar un contactor, cuyo esquema genérico es el siguiente.
Resistencia
A2 y L1 y L2 y L3 y NO y NC y NO y NC y
entre bornes
A1 T1 T2 T3 NO NC NO NC
Valor medido
Defina el
elemento(bobina,
contacto)
Resistencia entre
bornes L1 y T1 L2 y T2 L3 y T3 NO y NO NC y NC NO y NO NC y NC
Valor medido
Defina el
elemento(bobina,
contacto)
PROCESO DE EJECUCIÓN:
3.- Conectar una lámpara incandescente al presente circuito, de tal modo que
ella se ilumine cuando el motor esté funcionando.
1.- La bobina
2.- El juego de contactos.
A continuación su símbolo
correspondiente al relé
encapsulado de 11 pines
En la Fig. 81 observamos el
símbolo del relé con su juego de
contactos. En este conjunto de
tres juegos de contactos,
tomemos uno de ellos;
observemos, por ejemplo, los
contactos 4, 1 y 5.
El terminal conectado al borne 1 viene a ser el contacto común, quien junto con
el contacto del borne 5 forma el par de contactos normalmente cerrados (par
1,5).
De modo similar, el contacto del borne 4 junto con el contacto común del borne
1 forman el par de contactos normalmente abiertos (par 1,4).
Cuando se aplica tensión a la bobina del relé, es decir conectamos una fuente
de tensión de 24 VDC entre el borne 2 y el borne 10, circula corriente por la
bobina, se produce un campo electromagnético y los contactos cambian de
posición.
Es decir, el interruptor del contacto común del borne 1 que conectaba al borne
5 ahora se conectará con el borne 4, lo que trae como consecuencia que el par
de contactos 5 y 1 formen ahora, el par de contactos normalmente abiertos y el
par de contactos 4 y 1 formen el par de contactos normalmente cerrados.
PARTES DE UN CONTACTOR.
Veamos el aspecto físico de un contactor en la Fig 82.
Aunque los bornes de la bobina están marcados con las letras A1, A2, sin
embargo, en algunas ocasiones, por el uso frecuente, estas letras no se
aprecian claramente, luego habrá que hacer uso de un ohmímetro para
determinar los terminales de la bobina.
Resistencia
A1 y NO y NC y NO y NC y
entre bornes L1 y T1 L2 y T2 L3 y T3
A2 NO NC NO NC
Valor medido 300Ω 0L 0L 0L 0L 0.0 0L 0.0
Defina el Contact Contact Contact Contact Contact Contact Contact
Bobin
elemento(bobin o o o o o o o
a
a, contacto) abierto abierto abierto abierto cerrado abierto cerrado
EL CONTACTOR.
CONSTITUCIÓN DE UN CONTACTOR.
Un contactor está compuesto por un electroimán, la bobina y los contactos.
EL ELECTROIMÁN.
El electroimán, es el elemento motor del contactor y se compone de su circuito
magnético y de una bobina.
LA BOBINA.
La bobina produce el flujo magnético necesario para la atracción de la
armadura móvil del electroimán.
Según el modelo del contactor, se monta sobre una o dos partes del circuito
magnético. Está concebida para resistir a los choques mecánicos provocados
por el cierre y la apertura de los contactos, así como a los choques
electromagnéticos debido al paso de la corriente por sus espiras.
Se componen de una parte fija y de otra móvil, esta última provista de resortes
que transmiten una buena presión a los contactos. A menudo están provistos
de un dispositivo para facilitar la extinción del arco que se genera entre la parte
fija y la parte móvil, cuando el contactor “corta en carga”.
APLICACIONES.
Los contactores se utilizan en el arranque, parada, inversión de giro y
regulación de velocidad de toda clase de motores eléctricos.
PROCESO DE EJECUCIÓN.
BE BC EB CB CE EC
Medido Medido Medido Medido Medido Medido
Una vez identificada la base, aunque no es una regla normalizada, sin embargo
para la gran mayoría de transistores, se cumple que la menor lectura obtenida
en las mediciones BE y BC, el colector es aquel terminal conectado al terminal
negativo del multímetro.
Así en un transistor BJT del tipo NPN, tal como el transistor BD135, nos indica
la siguiente lectura:
BE BC EB CB CE EC
Medido Medido Medido Medido Medido Medido
PROCESO DE EJECUCIÓN:
2. En la pinza amperimétrica
digital, presionar el pulsador
INRUSH
PROCESO DE EJECUCIÓN:
3. Energizar el circuito.
4. Comprobar si el funcionamiento coincide con su análisis realizado en el paso
2.
5. Medir la corriente de arranque y corriente de trabajo del motor completando
la siguiente Tabla.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
PROCESO DE EJECUCIÓN.
1. Montar el siguiente circuito.
EL TRANSISTOR BJT.
IE = IB + IC
IC = β IB IC = hFE IB donde:
β = hFE = Ganancia de corriente del transistor.
OBSERVACION.- Consideremos
únicamente el transistor NPN; para el
caso del transistor PNP se debe invertir
la polaridad de todas las mediciones.
Por ejemplo en la Fig. 93 vemos que para llevar al transistor al corte y, que se
comporte como un interruptor abierto entre colector y emisor, sólo es necesario
que la corriente de base IB sea igual a cero. De modo similar para que
transistor se comporte como un interruptor cerrado entre colector y emisor y
trabaje en saturación,se requiere aplicarle una gran corriente de base IB.
Observamos que esta corriente que requiere la bobina del relé, coincide con la
corriente de colector (IC) del transistor.
IC 80 mA VRB 24 V − 0,7 V
IB = = = 0,84 mA RB = = = 27,7 KΩ
β 95 IB 0,84 mA
Una vez en el tope, los electrones se mueven fácilmente a través del material P
(base) a la unión PN (base – colector). Cuando se acercan a esta unión, los
electrones se encuentran bajo la influencia de la fuente de tensión positiva y se
mueven con mucha rapidez conforme descienden en la barrera de potencial.
PARÁMETROS IMPORTANTES.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Solicitar un transistor IRF840.
2. Haciendo uso del datasheet, identificar sus terminales Gate, Drenador y
Surtidor.
3. Colocar el multímetro digital en la posición “probar diodos”.
4. Efectuar las mediciones indicadas y completar la siguiente tabla.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente circuito.
4. Calcular la tensión que debe llegar entre Gate y Surtidor cuando se acciona
el pulsador ON.
5. Haciendo uso del data sheet del transistor IRF840 determinar si el transistor
está en corte o en saturación y completar la siguiente Tabla.
6. Energizar el circuito.
Luego del invento del transistor BJT o transistor bipolar, continuaron las
investigaciones hasta que en 1952 W.Shockley (William Bradford Shockley,
Londres 1910, Palo Alto 1989) propuso el transistor de efecto de campo (FET
:Field Effect Transistor).
Los transistores FET, al igual que los transistores BJT se usan como
amplificadores de una señal proveniente, por ejemplo, de un micrófono en un
equipo de audio, o de una termocupla, en un sistema de control de
temperatura, o de cualquier otro tipo de sensor; finalmente, con el avance
tecnológico existen, en la actualidad, transistores MOSFET de potencia.
SÍMBOLO.
En la Fig 100 vemos el símbolo del MOSFET y su estructura física.
Por ejemplo:
Un transistor IRF840 o
Un transistor MOSFET de canal N, Corriente de drenador: 8 A, VDS: 500 V,
RDS (on): 0,75 Ω
Como se aprecia, y era de esperarse, las lecturas indican “OL”, es decir cuando
se desea probar un MOSFET, lo único aceptable es el reemplazo directo.
Una buena práctica es recordar que los MOSFET se pueden dañar con
facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es
muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay
electricidad estática producida durante el manipuleo del transistor.
Esta curva de transferencia nos permite obtener el voltaje VGS (th) que es el
voltaje aplicado entre gate y surtidor que determina el pase de bloqueo a
conducción del MOSFET.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Solicitar un transistor UJT 2N2646.
2. Empleando el datasheet identifique sus terminales Emisor, Base 1 y Base
B2.
PROCESO DE EJECUCIÓN.
1. Verificar, empleando el multímetro digital, el estado del UJT.
2. Efectuar el montaje del siguiente circuito
EL OSCILADOR DE RELAJACIÓN.
El oscilador de relajación es un circuito electrónico que produce un tren de
pulsos de corta duración pero, de la suficiente amplitud que puede excitar y
“disparar” a un SCR.
Cuando el voltaje del condensador alcanza el valor del voltaje de encendido del
UJT, éste se activa y se produce “un cortocircuito” entre Emisor y Base 1 del
UJT, lo que trae como consecuencia la descarga del condensador a través de
la resistencia de 100 Ω conectada en la Base1.
DENOMINACIÓN
CIRCUITOS CON SCR Y TRIACS HT:T5DCE
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Solicitar un SCR BT151.
2. Identificar sus terminales Cátodo, Ánodo y Gate.
3. Colocar el multímetro digital en la posición “probar diodos”.
4. Efectuar las mediciones indicadas y completar la siguiente tabla.
6. Haciendo uso del datasheet del SCR BT151-500R determinar los siguientes
valores:
a. Máxima corriente promedio de ánodo que puede soportar el SCR.
b. Máximo voltaje inverso que puede aplicarse entre ánodo y cátodo.
c. Mínimo valor de corriente de ánodo que hará que el SCR pase de la
condición de conducción, a la condición de bloqueo.
d. Voltaje entre los bornes ánodo y cátodo cuando el SCR está en
conducción.
e. El valor de la velocidad de elevación de tensión al estado ON (dv/dt).
f. El valor de la velocidad de elevación de la corriente al estado ON ( di/dt )
g. Mínimo valor de corriente de ánodo que hará que el SCR pase de la
condición de bloqueo, a la condición de conducción.
h. Corriente de disparo de la compuerta.
i. Voltaje de disparo de la compuerta.
j. Corriente transitoria que puede soportar en 10 milisegundos.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
Vpromedio = VDC =
V max
(1 + Cos α )
2π
PROCESO DE EJECUCIÓN:
Cuando la tensión del ánodo se hace positiva con respecto al cátodo, las
uniones J1 y J3 tienen polarización directa. La unión J2 tiene polarización
inversa, y sólo fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo.
La corriente de ánodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de
enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida del flujo de portadores a
través de la unión; de lo contrario, al reducirse la tensión ánodo-cátodo, el
dispositivo regresará a la condición de bloqueo.
Sin embargo, si se reduce la corriente directa del ánodo por debajo de un nivel
conocido como corriente de mantenimiento IH, el SCR estará, entonces, en
estado de bloqueo.
Debe observarse que los SCR pueden ejercer un control de corriente promedio
hasta de 1200 Amperios.
Fig 106.- Símbolo del SCR Fig 107. Curva característica del SCR
Observe que en este circuito es necesario sincronizar los pulsos de salida con
la tensión de línea.
Vpromedio = VDC =
V max
(1 + Cos α )
2π
A este tipo de control se le denomina control de fase de un SCR.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Solicitar un TRIAC BT136.
2. Identificar sus terminales Ánodo1, Ánodo 2 y Gate.
3. Colocar el multímetro digital en la posición “probar diodos”.
4. Efectuar las mediciones indicadas y completar la siguiente tabla.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
PROCESO DE EJECUCIÓN:
PROCESO DE EJECUCIÓN:
EL TRIAC.
TRIAC es un término genérico (TRIODE ALTERNATING CURRENT), el cual
basado en el éxito del SCR, indujo a los investigadores a desarrollar otro SCR
más apto para conducción controlada en circuitos de corriente alterna, posee
tres terminales : Ánodo 1 ( A1), Ánodo 2 ( A2 ) y Gate o compuerta ( G ).
Después del disparo, como en el caso del SCR, se requiere una corriente de
mantenimiento mínima IH, para mantener la conducción del TRIAC.
V max 1 1
VRL = VRMS = π − α + Sen 2 α
2 π 2
Es necesario recordar que el multímetro a usar debe ser del tipo TRUE RMS,
de lo contrario, habrá un error entre el valor medido y el valor calculado.
DENOMINACIÓN
CIRCUITOS CON DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS HT:T6DCE
El diodo LED es una juntura PN, luego tiene el mismo comportamiento que un
diodo rectificador, por lo tanto, mediante el multímetro digital indicará en una
posición BAJA LECTURA y al invertir los terminales indicará ALTA LECTURA.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
10 V − VF led
I led =
470
8. Cambiar la resistencia de 470 ohmios
por otra de 1KΩ y luego por 220 ohmios
y completar la siguiente Tabla.
Resistencia Intensidad de brillo del led Corriente que circula por el led
470 Ohms
1K Ohms
220 Ohms
PROCESO DE EJECUCIÓN:
PROCESO DE EJECUCIÓN:
A B C D E F G
H 0 0 0 0 0
O 0 0 0 0 0 0
L 0 0 0
A 0 0 0 0 0 0
Por ejemplo, para la letra H, coloque los terminales que corresponden a los
segmentos B, C, E, F y G a tierra o GND (el borne negativo de la fuente de 5
Voltios).
PROCESO DE EJECUCIÓN:
Entre los display numéricos del tipo LED tenemos de un dígito, de dos dígitos y
de 1½ dígitos con indicador de polaridad.
Así mismo los hay con el punto decimal a la derecha (RHDP) y con el punto
decimal a la izquierda (LHDP).
Sin embargo, en los display de cátodo común, los cátodos de todos los diodos
LED van conectados a un punto común a donde se le conectará un potencial
negativo; los terminales de entrada de los respectivos segmentos deberán
conectarse a un potencial positivo cuando se desea lograr la iluminación de
alguno de ellos.
Para probar el aislador óptico con foto transistor es necesario excitar al LED
mediante una tensión DC y luego con el multímetro digital comprobamos si el
foto transistor conmuta de bloqueo a conducción, es decir, de circuito abierto a
circuito cerrado.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente circuito.
1. EL AISLADOR ÓPTICO.
El detector, puede ser un foto diodo, foto transistor, foto SCR, foto TRIAC etc.
2. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.
Observemos, por ejemplo, un aislador óptico con foto transistor, como el que se
muestra en la Fig. 123.
En un circuito real de tipo industrial, el diodo led o emisor forma parte del
circuito de mando y el detector forma parte del circuito de fuerza. El
acoplamiento entre ambos se realiza mediante un haz de luz.
3. AISLAMIENTO GALVÁNICO.
OBSERVACIÓN. LA NUMERACIÓN DE
LOS PINES O PATITAS ES MIRANDO AL
CIRCUITO INTEGRADO DESDE LA
PARTE SUPERIOR.
En cambio, al cerrar el interruptor S1, circula corriente por el diodo led, éste
emite luz, que, al incidir sobre el fototransistor, lo lleva a la saturación
comportándose como un circuito cerrado entre colector y emisor.
Al abrir el interruptor S1, el diodo led deja de emitir luz, el fototransistor pasa a
la condición de bloqueo o circuito abierto y la lectura del voltímetro DC será 0
Voltios. Si el aislador óptico, en este caso con fototransistor, cumple lo indicado
líneas arriba, indica que está en buen estado de funcionamiento.
Los pulsos de voltaje de salida del circuito detector pueden ser alimentados a
algún tipo de contador electrónico y a su vez ser decodificados en un display
para mostrar las RPM del motor.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
Una de las aplicaciones del aislador óptico es en el rele de estado sólido SSR,
(Solid State Relay) que es un dispositivo que combina el principio de operación
del aislador óptico con el TRIAC.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
Cuando el interruptor S1 está abierto, no hay emisión de luz del diodo led, por
lo tanto el fototriac estará bloqueado y la lectura del voltímetro ac será cero. Sin
embargo al cerrar el interruptor S1, el diodo led emite luz, el fototriac se
encuentra en saturación y por lo tanto habrá una caída de tensión en la
resistencia de 1K, la cual será indicada por el voltímetro ac.
Al igual que los reles y los fototransistores, los aisladores ópticos con fototriac
proporcionan aislamiento galvánico entre el bajo nivel de tensión de control y el
alto potencial existente en la carga de salida.
Una ventaja del SSR controlado por DC está en el rango del voltaje de
entrada, variable, generalmente entre 3 a 20 Voltios; es decir, el SSR puede
trabajar con cualquier voltaje dentro de ese rango, mientras que el relé
electromagnético está diseñado para trabajar con un voltaje fijo de entrada.
Los relés de estado sólido con encendido en cero, sin embargo, utilizan un
detector de cruce por cero que sensa la magnitud de la onda senoidal todo el
tiempo y solamente permitirá que el triac, inicie la conducción, cuando la onda
DENOMINACIÓN
CIRCUITOS CON CKTOS INTEGRADOS LINEALES Y DIGITALES HT:T7DCE
PROCESO DE EJECUCIÓN.
.
8. Dibujar las formas de
onda obtenidas.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente circuito.
Vo + Vo -
Calculado Medido Calculado Medido
PROCESO DE EJECUCIÓN:
REGULADORES DE VOLTAJE.
Los reguladores de voltaje comprenden una clase de circuitos integrados
ampliamente usados. Ofrecen la regulación de un voltaje positivo, negativo y
voltaje ajustable.
Fig 133.Diagrama en bloques de una fuente de alimentación con sus formas de onda.
Fig 136. Distribución de los pines de los reguladores 7812, 7912 y LM317.
2,4 K Ω
Vo = 1,25V 1 + + 100 µA x 2,4 K Ω = 21,49 V
150 Ω
Es decir, este circuito nos entregará un voltaje de salida desde 1,2 Voltios
hasta 21 Voltios DC.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente circuito.
2. Observar la condición del led, al variar el
potenciómetro.
3. Calcular el periodo mínimo y máximo de la
iluminación del led.
Período mínimo Período máximo
PROCESO DE EJECUCIÓN:
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente circuito.
R C calculado medido
12KΩ
47KΩ
100KΩ
EL TIMER 555.
El LM555 es un circuito integrado de baja potencia capaz de realizar una
variedad de funciones de temporización. Una de estas funciones es trabajar
como multivibrador astable y monoestable.
MULTIVIBRADOR ASTABLE.
Un circuito típico multivibrador astable
se aprecia en la figura adjunta.
MULTIVIBRADOR
MONOESTABLE.
Un circuito típico multivibrador
monoestable se observa en la Fig.
140.
La resistencia R y el condensador C
determinan la red RC que cargará al
condensador C y luego se
descargará a través del 555 en el
pin 7 (discharge).
T(alto) = R . C . Ln 3
T (alto) = 1,1 . R . C
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente circuito.
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente circuito.
PROCESO DE EJECUCIÓN
1. Montar el siguiente circuito.
2. Dibujar, en la cuadrícula
mostrada a continuación, la
forma de onda obtenida con el
canal 1 y canal 2 del
osciloscopio. Al variar el
potenciómetro de 10KΩ.
EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.
Esta muy alta ganancia hace que, si los terminales de entrada son
cortocircuitados a GND, el voltaje de salida debería ser cero. Sin embargo, los
amplificadores operacionales prácticos tienen un voltaje offset de salida, es
decir, un voltaje pequeño en la salida cuando Vid = 0, como se ve en la Fig.
141.
El amplificador operacional es
ampliamente usado en las
computadoras para efectuar
operaciones matemáticas tales como
suma, resta, integración,
diferenciación etc. También se le usa
como amplificadores de audio, de video, en circuitos osciladores etc., en
circuitos de instrumentación y de control PID así como en la comunicación
electrónica.
Son múltiples las aplicaciones del amplificador operacional, así se usa por
ejemplo en los siguientes circuitos:
A diferencia del transistor, quien tiene una sola entrada (la base), El
amplificador operacional tiene dos entradas de señal. Estas dos entradas se
conocen como entrada no inversora ( + ) y entrada inversora ( - ).
CIRCUITO COMPARADOR.
El circuito comparador es la configuración más simple del amplificador
operacional, porque no requiere resistencias de realimentación, su conexión es
en lazo abierto, tal como se ve en la Fig 146.
Este circuito tiene elevada ganancia de voltaje y su tensión de salida está dada
por la ecuación Vout = AVol (V (+ ) − V (− )) .
Veamos ahora, desde π hasta 2π, la entrada es una comba negativa de valor
igual a −6 2 Voltios y observamos que en la salida se obtiene una onda
cuadrada con un voltaje igual a +Vsat, es decir aproximadamente +10 Voltios.
Otra vez se produce la inversión de la tensión de entrada.
CIRCUITO SUMADOR.
Ahora analizamos aplicando la tensión
continua que se obtiene en el punto
medio del potenciómetro de 100KΩ.
2, 3 y 4.
En el punto 3, tenemos:
Vo = -(5V + -3V) = -2V
En el punto 4, finalmente tenemos:
Vo = -(0V + -3V) = 3V
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Montar el siguiente
circuito.
2. Completar la siguiente
tabla.
A B A.B
0 0
0 1
1 0
1 1
2. Completar la siguiente
tabla.
A B A+B
0 0
0 1
1 0
1 1
CIRCUITO DE APLICACIÓN.
CANTIDAD ANÁLOGA.
Muchas cantidades naturales que vemos frecuentemente son análogas y
varían continuamente. Los sistemas análogos pueden manejar potencias más
altas que los sistemas digitales.
SEÑAL DIGITAL.
Los sistemas digitales pueden procesar, almacenar y transmitir datos más
eficientemente, pero sólo pueden asignar valores discretos en cada punto.
Asimismo, muchos sistemas análogo-digitales usan una mezcla de la
electrónica análoga y la digital para aprovechar la ventaja de ambas
tecnologías.
.
COMPUERTAS LÓGICAS.
El amplificador operacional es un ejemplo de circuito integrado analógico y se
denomina así porque trabaja con infinitos valores de entrada y salida.
Las compuertas lógicas clásicas son las compuertas NOT, AND y OR, que son
las piedras angulares de la lógica digital.
Se observa lo siguiente:
Finalmente, en la compuerta
lógica NOT, en la salida
tendremos el complemento
de la entrada.
DENOMINACIÓN
CIRCUITOS CON LDR Y TERMISTOR HT:T8DCE
PROCESO DE EJECUCIÓN:
1. Solicitar una foto resistencia (LDR) e insertarla en el protoboard.
2. Utilizar una lámpara como la fuente de luz que va a incidir sobre la foto
resistencia.
3. Montar el siguiente circuito y completar la Tabla adjunta.
Sin luz sobre la LDR Con luz sobre la LDR Sin luz sobre la LDR
Condición del Condición del Condición del Condición del Condición del Condición del
contactor motor contactor motor contactor motor
PROCESO DE EJECUCIÓN.
1. Solicitar un termistor e insertarlo en el protoboard.
2. Montar el siguiente circuito.
Condición de la
Resistencia del Lectura del Lectura del Condición de la
lámpara al
termistor a Voltímetro a voltímetro al lámpara a
acercarle la
temperatura temperatura acercarle una temperatura
fuente de calor
ambiente ambiente fuente de calor ambiente
al termistor
Medido Medido Medido Observado Observado
Condición de la
Resistencia del Lectura del Lectura del Condición de la
lámpara al
termistor a Voltímetro a voltímetro al lámpara a
acercarle la
temperatura temperatura acercarle una temperatura
fuente de calor
ambiente ambiente fuente de calor ambiente
al termistor
TRANSDUCTORES.
Un transductor es cualquier dispositivo que convierte algún tipo de parámetro
físico, mecánico o estimulo en una corriente, voltaje o resistencia cuya
magnitud está en proporción a la magnitud del estímulo. Por ejemplo, un
transductor de flujo convierte la presión de un dispositivo neumático o
hidráulico en un pequeño voltaje o corriente.
LA FOTORESISTENCIA O LDR.
La LDR (Light Depending Resistance) o foto resistencia es un semiconductor
cuyo valor óhmico varía inversamente con la intensidad de luz incidente.
TERMISTORES.
El termistor es un semiconductor de materiales cerámicos hechos por mezclas
de óxidos metálicos tales como manganeso, níquel, cobalto, cobre, hierro y
uranio.
BIBLIOGRAFÍA CONSULTADA
12.- www.alldatasheet.com
www.irf.com
ELECTRÓNICA INDUSTRIAL 251