Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
Apuntes clase 7
1
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
Gv AM
RB r
RB r Rseñal
g m ro RC RL (1)
BW f H f L (2)
Esta se define como la diferencia entre las frecuencias de -3dB por debajo de
la ganancia media AM , es decir:
20 log AM / 2 20 log AM log 2 20log AM 3dB (3)
BW f H (4)
GB BW AM (5)
2
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
I 2 rx I 2 r RB I 2 I1 0 (7)
vseñal I 2 RB
I1 (10)
Rseñal RB
I 2 rx I 2 r I 2 RB I1 RB (11)
3
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
I1 I 2
rx r RB (12)
RB
I1
vseñal I 2 RB r r RB
I2 x (13)
Rseñal RB RB
vseñal
I 2 RB r r RB
I2 x (14)
Rseñal RB Rseñal RB RB
vseñal r r RB RB
I 2 x (15)
Rseñal RB RB Rseñal RB
vseñal 1
I2 (16)
Rseñal RB rx r RB RB
RB Rseñal RB
RB
I 2 vseñal (17)
rx r RB Rseñal RB RB 2
Finalmente la tensión equivalente de Thevenin se obtiene multiplicando (17)
por r
v señal RB r
Vth (18)
rx r RB Rseñal RB RB 2
Para obtener la resistencia equivalente cortocircuitamos la fuente de señal en
el circuito de la figura 4
4
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
Rth Rseñal RB rx r (19)
RL ro RC RL (20)
Vo g m v RL (21)
I v g m v RL sC (23)
I 1 g m RL sC v (24)
5
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
En la entrada del emisor común se sabe de la existencia de la capacitancia C
por la existencia de la corriente I en frecuencias al borde de la banda media
por esta razón, podemos sustituir C por una capacitancia equivalente vista
desde el nodo B hacia la terminal de emisor común, es decir
I sCeqv (25)
Ceq 1 g m RL C (26)
Z ent
v Vth (27)
Z ent Rth
1
Z ent
s Ceq C
(29)
1 / sCeq C
v Vth
1 / sCeq C Rth
(30)
6
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
Vth
v
s / C Ceq Rth 1
(31)
Vth
v (32)
s / C 1
g m RL Vth
Vo (33)
s / C 1
g m RL vseñal RB r
Vo (34)
s / C 1 rx r RB Rseñal RB RB 2
Vo g m RL RB r
(35)
vseñal s / C 1 rx r RB Rseñal RB RB 2
Vo AM
(35)
vseñal s / C 1
Vo AM A
M (36)
vseñal s / C 1 2
Vo AM
(37)
vseñal j C / C 1
Vo A
M (38)
vseñal 1 1
7
ESCUELA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA
CIRCUITOS DISCRETOS
Prof: Ing. Leonardo Rivas Arce, M.Sc. I Semestre 2017
Por tanto la frecuencia de corte de -3dB es
1
fC
2 Ceq C Rth
(39)
Observaciones
3. Por lo general Cent Ceq y se hace grande por el efecto que experimenta
en la multiplicación de C por el factor 1 g m RL . Por tanto aunque C
es generalmente pequeña, su efecto en la respuesta de frecuencia del
amplificador puede ser importante.
4. El efecto de multiplicación que experimenta C es el resultado de la
conexión entre dos nodos (B` y C) cuya tensión se relaciona por una
gran ganancia negativa g m RL . Este efecto se le conoce como
“Efecto Miller” y 1 Av se conoce como multiplicador Miller.