UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
FACULTAD DE ING.ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y
TELECOMUNICACIONES.

Apellido y Nombre: Código:

Piscoya Andrade Luis Fernando 16190082

Curso: Tema:

RESPUESTA EN ALTA
LABORATORIO CIRCUITOS FRECUENCIA DE UN
ELECTRÓNICOS II AMPLIFICADOR DE UNA SOLA
ETAPA
Informe: Fechas: Nota:

PREVIO Realización: Entrega:

Numero:

Mayo del 2018 25 de mayo del 2018

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Grupo: Profesor:

Numero: 7
ING. CÓRDOVA RUIZ RUSSEL
Horario: Lunes 18:00 – 20:00
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RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR

DE UNA SOLA ETAPA

I. OBJETIVOS

 Estudiar el comportamiento en altas frecuencias de un

amplificador de audio.

II. MARCO TEÓRICO

La respuesta en baja frecuencia de los circuitos con transistores depende

de los capacitores externos utilizados para acoplamiento y paso. La
respuesta en alta frecuencia depende de la capacitancia interna del
transistor. Se amplía el circuito equivalente simplificado para incluir los
efectos de estos capacitores internos.
Estos capacitores, que afectan la respuesta en alta frecuencia, existen
entre las terminales del dispositivo. Cada uno de ellos se puede ver como
si estuviese en serie con la resistencia equivalente (Thevenin) de los
circuitos asociados. Por tanto se comienza con el examen del circuito RC
de la figura 5.1. Conforme aumenta la frecuencia de la señal de entrada,
la señal de salida disminuye en amplitud a razón de 20dB/década de
acuerdo con la expresión:

Se hace a la constante de tiempo

τ=RC. En general se ignoran las
capacitancias de alambrada y
distribuidas y se consideran sólo las
capacitancias parásitas entre
terminales. Figura 5.1

Efecto Miller aplicado a capacidades de realimentación

En la región de alta frecuencia, los elementos capacitivos de importancia

son las capacitancias entre electrodos (entre terminales) internas al
dispositivo activo y la capacitancia de alambrado entre los cables de
conexión de la red. Todos los grandes capacitores de la red que
controlaban la respuesta en baja frecuencia fueron reemplazados por su

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equivalente de
cortocircuito debido a sus
muy bajos niveles de
reactancia. Para
amplificadores inversores
(desfasamiento de 180°
entre la salida y la entrada,
que produce un valor
negativo de Av), la
capacitancia de entrada y
salida se incrementa en un
nivel de capacitancia
sensible a la capacitancia entre electrodos entre las terminales de entrada
y salida del dispositivo y la ganancia del amplificador. En la figura, esta
capacitancia de “realimentación” está definida por Cf.
Al aplicar la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos

Utilizando la ley de Ohm y sustituyendo valores el resultado es:

Pero entonces

El resultado es una impedancia

de entrada equivalente al
amplificador de la figura
anterior, que incluye Ri y un
capacitor de retroalimentación
aumentado por la ganancia del
amplificador. En general, la
capacitancia de entrada de efecto
Miller se define como:

El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de

salida, la que también hay que considerar cuando se determine la
frecuencia de corte superior, realizando un análisis similar al anterior se
obtiene la siguiente ecuación para la capacitancia de salida de efecto
Miller:

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Respuesta del EC en alta frecuencia

En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que definen el

punto de corte de -3dV: la capacitancia de la red (parásita e introducida)
y la dependencia de la frecuencia de hfe (𝛽).
En la figura 5.2 se incluyen las diversas capacitancias parásitas (Cbe, Cbc,
Cce) del transistor junto con as capacitancias de alambrado (CWi, CWo)
introducidas durante la construcción.

Figura 5.2

Para estimar la respuesta en alta frecuencia de los BJT se utiliza el

modelo 𝜋- híbrido, que es similar al modelo de parámetro h. Los
parámetros de los modelos están relacionados entre sí. En la siguiente
figura se muestra el equivalente de ca de alta frecuencia para la red de la
figura 5.2

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III. INFORME PREVIO

1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, Cb’e, Cb’c, gm, f 𝜷, fT.

En la figura 5.3 se muestra el modelo 𝜋 – híbrido en bajas frecuencias.

El símbolo B’ representa la unión en la base y B la terminal de la base.
Estas no son idénticas, ya que se conectan alambres a la unión en la
base, y la terminal de base se separa de la unión por medio de estos
alambres.

Figura 5.3

 Resistencia de difusión de la base (rbb’): La resistencia de

difusión de la base, rbb, se relaciona con el parámetro h, hie, que
es la resistencia de entrada con la salida en cortocircuito. Se
aplica un cortocircuito a la salida del circuito de la figura 5.3 con
el fin de encontrar hie. Esto da:

hie= rbb’ + rb’e||rb’c = rbb’ + rb’e ya que rb’c » rb’e. Un valor típico
para rbb’ es 100Ω a temperatura ambiente con IC aproximado a
1mA.

 Resistencia de entrada(rb’e): La resistencia de entrada, se

aproxima por la relación:

Vb′e
rb’e ≈ ib
, ya que rb’c » rb’e
La corriente de colector en cortocircuito, iC, se encuentra de la
figura 5.3 haciendo un cortocircuito en la salida.

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iC= gm vb’e ≈ gm×rb’e×ib.

Pero esta cantidad se relaciona con la corriente de base de

acuerdo con el parámetro hfe; es decir: iC= hfe×ib
iC hfe
Por tanto, se obtiene: rb’e= = , donde se puede estimar el
gm×ib gm
𝐼𝐶𝑄 1
valor de gm a partir de la siguiente ecuación: gm≈ =
26 ℎ𝑖𝑏
Por tanto:
rb’e= hfe×hib = hie
Un valor típico para rb’e es 2kΩ

 rb’c: Resistencia de realimentación entre la base y el colector, su

valor característico se encuentra en el valor de los 4 MΩ.

 rce: Es la resistencia entre el colector y el emisor se considera

como una resistencia de salida su valor característico se encentra
entre los 100kΩ.

 Cb’e: Capacitancia de difusión o almacenamiento, cuando se da

la polarización directa.

 Cb’c: Capacitancia de transición que se origina por la variación

de cargas en la región desértica base colector.

 gm: Transconductancia del transistor.

 fβ: Es la frecuencia en la cual el valor de beta empieza a variar

(ya no es constante).

 f’β: Es la frecuencia de corte a altas frecuencias debido a que a

altas frecuencias el valor de beta varia.

 fT: Frecuencia a la que el módulo de la ganancia de la corriente

en cortocircuito en emisor común vale la unidad.

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2. En el circuito de la figura 4.1, de acuerdo al modelo П del

transistor en altas frecuencias, encontrar una expresión para
f𝜷/fT.

Figura 5.4

3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los

circuitos equivalentes. Determine el ancho de banda del
amplificador.

Ci: El valor de la frecuencia de corte para Ci, viene dado por:

1
fLi = (1)
2π(Rs+Ri)Ci

En este caso el valor de Ri(impedancia de entrada) viene dado por:

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RTH//(hie)
Resultando: Ri = 2.05KΩ
Reemplazado este valor en la ecuación (10) la frecuencia de corte
para Ci, resulta:

fLi = 2.37 Hz

Co: El valor de la frecuencia de corte para Co, viene dado por:

1
fLo = (2)
2π(Ro+RL)Co

Para este caso el valor de Ro viene a ser igual a RC//ro, dado que el
valor de ro es demasiado grande, es despreciable al efectuarse
paralelamente a RC, por lo que la frecuencia de corte para Co
depende de las resistencia RC y RL.

Reemplazado estos valores en la ecuación (2), el valor de la

frecuencia de corte para Co resulta:

fLo = 0.63 Hz

Ce: La frecuencia de corte para Ce, viene dado por:

1
fLe = (3)
2π(Re′)Ce

Donde el valor de Re viene dado como sigue:

Rs’ = Rs//RTH

Haciendo el reflejado del circuito para obtener la impedancia de Re,

resulta:
Rs´+hie
Re’ = (( ))//Re= 17.5 Ω
hfe

Finalmente el valor de la frecuencia de corte para Ce resulta al

reemplazar los valores: fLe = 90.9 Hz

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Considerando que Cb´c [0.1 – 50 pF], Cb´e [100 – 1000 pF], rb’e
=Vt hfe / IEQ, encontrar el punto de corte superior aproximado de
nuestro circuito.

Hacemos el análisis en alterna para circuito de alta frecuencia

considerando que las capacitancias físicas se hacen corto circuito y
que rbc=  , rce=  , Cwo=0, Cwi=0, entonces tenemos:

Por dato sabemos que los valores:

0.1 pF  Cbc  50 pF y 100 pF  Cbe  1000 pF

Debemos usar el teorema de Miller,así hacemos que la capacitancia

Cb’c se convierta en una de entrada y una de salida, pero para esto
debemos de hallar la ganancia de voltaje a frecuencias medias.

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La ganancia de volatje para frecuencias medias en el circuito es:

Rc // RL
AV  
re

Para hallar esta ganancia de voltaje debemos hallar la corriente ICQ

entonces tenemos que:

La corriente ICQ es:

2.1v  0.7v
I CQ   1.92mA
9.9K
 0.68k
200
Por lo tanto podemos hallar la resistencia dinámica:
26mV 10k // 1.5k
re 
I CQ
=13.54Ω entonces AV= 13.54 = -96.33

Entonces tenemos que la capacitancia Miller de entrada y de salida

varía entre un rango de valores debido a que la capacitancia Cb’c está
entre un margen de valores, entonces las capacitancias son:
0.1pF (1  (96.33))  C MI  50 pF (1  (96.33))

9.733 pF  C MI  4860 pF

y
1 1
0.1 pF (1  ( ))  C Mo  50 pF (1  ( ))
 96.33  96.33

0.1 pF  C Mo  50.5 pF

rbe    re  2.7k
La resistencia rbe es:

10
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Con estos datos tenemos ahora el circuito equivalente resultante:

Entonces hallamos los valores de las frecuencias de corte:

Para la frecuencia de entrada:
CTENT  C MI  Cbe

Entonces la capacitancia de entrada se encuentra entre los valores de:

109.733 pF  CTENT  5850 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTENT  Ri // RB // rbe

RTENT  0.67k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:

1 2.375  10 4
FHi 
2RTENT  C TENT = CTENT

Como 109.733 pF  CTENT  5850 pF entonces:

1 1 1
 
109.733 pF C TENT 5850 pF
4
Multiplicando por 2.375  10 entonces:
0.0405MHz  FHI  2.164MHz

Para la frecuencia de salida:

CTSAL  C Mo

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Entonces la capacitancia de entra se encuentra entre los valores de:

0.1 pF  CTSAL  50.5 pF

Y la resistencia de entrada equivalente es:

RTSAL  Rc // R L

RTSAL  1.3k

Entonces la frecuencia de entrada de corte es:

1 1.22  10 4
FHo 
2RTSAL  C TSAL = CTSAL

Como 0.1 pF  CTSAL  50.5 pF entonces:

1 1 1
 
50.5 pF CTSAL 0.1 pF
4
Multiplicando por 1.22  10 entonces:
1
f ' 
2. .(Cb 'e  Cb 'c ). .re

2.415MHz  FH 0  1210MHz

Ahora encontraremos la frecuencia de corte debido a beta.

Tenemos que:

0.056 MHz  f '   0.59 MHz

100.1 pF  Cb' e  Cb' c  1050 pF

Por ultimo tomamos el valor más bajo de los tres valores que es
aproximadamente 0.0405 MHz.

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IV. CONCLUSIONES

 Cuando se trabaja a altas frecuencias las capacitancias que

intervienen en el proceso son las llamadas capacitancias parásitas,
las cuales incluyen a las capacitancias por efecto de Miller y las de
alambrado.
 La mejor manera de poder realizar el análisis en alta frecuencia es
utilizando el modelo de parámetro hibrido (π), puesto que aparecen
los parámetros deseados.
 Cuando la salida del amplificador cae en 0.707 de su valor en
frecuencias medias, observamos que se da a cierta frecuencia y en
ese momento ocurre la caída del ancho de banda hasta un valor casi
nulo.
 Cuando el valor de nuestro voltaje de salida es 0.707 del valor de
voltaje medido en las frecuencias medias, habremos pasado de
frecuencias medias a frecuencias altas; la frecuencia que marca esta
diferencia se denomina frecuencia de corte superior.

V. BIBLIOGRAFÍA

 Electrónica Teoría de Circuitos – Robert L. BOYLESTAD.

 Circuitos Electrónicos e Integrados – Schilling D.
 Dispositivos y Circuitos Electrónicos - Millman Halkias.
 Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas – Savant C.J.
 Principios de Electrónica – A.Malvino

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