Electrónica

Sistema de conocimientos:

Diodos Semiconductores
Transistores Bipolares de Unión
Modelaje de transistores bipolares
Transistores de efecto de campo
Modelaje de transistores de efecto
de campo
Texto:

Electrónica-teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos.

BOYLESTAD, ROBERT L. y NASHELSKY,

LOUIS
Textos de consulta:

Electrónica básica para ingenieros

Gustavo A. Ruiz Robredo

Electrónica básica: Curso de Electrónica Básica en Internet

Andrés Aranzabal Olea

Introduction to Electronic Engineering

Valery Vodovozov

Manual de electrónica: Básica

Miguel D'Addario
 Evaluación

Práctica Aprendizaje
Examen
Experimental Autónomo
35%
35% 30%
Introducción a la Electrónica y los Materiales
semiconductores

Fuente: Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. Robert

Boylestad, Louis Nashelsky
Introducción a la Electrónica

Los principios fundamentales cambian poco con el

tiempo.

Los sistemas son increíblemente más pequeños, las

velocidades de operación son extraordinarias.

La mayoría de los dispositivos en uso se inventaron

hace décadas y las técnicas de diseño datan de
1930 y se siguen utilizando
 Introducción a los Semiconductores
Un dispositivo electrónico discreto (individual) de estado sólido
(estructura de cristal duro) o circuito integrado, se construye con
un semiconductor de la más alta calidad.

Los semiconductores son elementos cuya conductividad está

entre la de un buen conductor y la de un aislante.

Los tres semiconductores más utilizados en la construcción de

dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
Los semiconductores son: de un solo cristal y
compuestos.

Los de un solo cristal como el germanio (Ge)

y el silicio (Si) tienen una estructura cristalina
repetitiva.
Se siguen fabricando dispositivos de germanio, aunque
para limitadas aplicaciones.

El Si tiene la ventaja de años de desarrollo y es

el semiconductor líder para componentes
electrónicos y circuitos integrados (CI).

El GaAs es más caro, pero si los procesos de

fabricación mejoran y las demandas de
mayores velocidades aumentan, comenzará a
desafiar al Si como el semiconductor
dominante.
 ENLACE COVALENTE Y MATERIALES INTRÍNSECOS

El Si tiene 14 electrones y el Ge 32
En los dos hay cuatro electrones en la capa
más externa, llamados electrones de
valencia.
Este enlace de átomos, reforzado por
compartir electrones, se llama enlace
covalente.
El galio tiene 31 electrones en órbita, el arsénico 33

El galio tiene 3 electrones de valencia y el arsénico

5.
Cada átomo está rodeado
por átomos del tipo
complementario.

Sigue la compartición de
electrones como en Ge y Si,
pero ahora el átomo de As
aporta cinco electrones y el
átomo de Ga tres.
Un electrón libre es aquel separado de la estructura fija y
es sensible a un campo eléctrico como el de las fuentes de
voltaje o una diferencia de potencial.

Las causas externas incluyen la energía luminosa y

térmica.

Un semiconductor intrínseco es el que ha sido refinado

para reducir las impurezas en fábrica.

Los electrones libres en un material debido sólo a causas

externas son portadores intrínsecos.
Un factor es la movilidad relativa (µn) de los portadores libres en el
material, es decir, la capacidad de los electrones libres de moverse
por el material.
Una importante diferencia entre semiconductores y
conductores es su reacción al calor.

En los conductores, la resistencia se incrementa con un

aumento de calor. Tienen un coeficiente de temperatura
positivo. T sube R sube

En semiconductores, la resistencia disminuye y la

conductividad se incrementa con un aumento de calor.
Tienen un coeficiente de temperatura negativo.
T sube R baja
MATERIALES EXTRÍNSECOS: MATERIALES TIPO n Y TIPO p

Como el Si es el material más utilizado en la construcción de

dispositivos de estado sólido, el análisis en ésta y en las
siguientes secciones se ocupa sólo de semiconductores de Si.

Las características de un semiconductor se modifican con la

adición de átomos de impureza específicos al semiconductor
puro. Formando un material dopado.

Un material semiconductor dopado es un material extrínseco.

Pueden ser: tipo n y tipo p.

MATERIALES TIPO n

Los materiales n se forman agregando átomos de impureza con 5

electrones de valencia al silicio

Tales como el antimonio, el arsénico y el fósforo.

MATERIALES TIPO p
El material tipo p se forma dopando silicio puro con impurezas
con tres electrones de valencia.

Los elementos más utilizados son boro, galio e indio.

Flujo de electrones contra flujo de huecos