UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO

CARRERA DE INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES

ELECTRÓNICA I

TERCER SEMESTRE

Nombre Completo: CALIFICACIÓN

Número de Cédula:

Fecha: Riobamba, 15 de julio del 2021

INSTRUCCIONES:

1. El estudiante cuenta con 120 minutos para resolver el examen.

2. Todas las respuestas deben estar escritas con esferográfico caso contrario no serán
consideradas para su calificación.
3. La copia o el intento de copia serán sancionados con la calificación de cero según el artículo
97 literales b y f del Reglamento de Régimen Académico Reformado.
4. Está prohibido la utilización de cualquier dispositivo electrónico, excepto calculadora de ser
estrictamente necesario.
5. Lea con atención las preguntas del siguiente cuestionario y encierre con un círculo la(s)
respuesta(s) correcta(s).

CUESTIONARIO:

1. Si se cuenta con 500 átomos de aluminio, ¿cuántos átomos de germanio se requiere para
formar cristales de germanio?
a) 500
b) 125
c) 2000
d) 2500

2. Un diodo Zener de 12V tiene un coeficiente de temperatura positivo de 0,075% / 0C.

¿Cuánto cambia el voltaje del zener cuando la temperatura de unión disminuye 50 0C?

3. ¿Cómo se llama un semiconductor dopado?

a) Semiconductor intrínseco
b) Semiconductor extrínseco
c) Semiconductor cristalino
d) Semiconductor tipo n

4. Un diodo Varactor presenta:

a) Una resistencia variable que depende del voltaje en inversa
b) Una capacitancia variable que depende de la corriente en directa
c) Una capacitancia constante sobre un rango de voltajes en inversa
d) Una capacitancia variable que depende del voltaje en inversa
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5. La capa de empobrecimiento se crea por:

a) Portadores mayoritarios
b) Difusión
c) Polarización en inversa
d) recombinación

6. La Regulación de Línea para un diodo zener está determinada por:

a) Cambios en el voltaje de salida y el voltaje de entrada
b) La corriente de carga
c) La corriente del zener y la corriente de carga
d) Cambios en la resistencia de carga y el voltaje de salida

7. Los huecos en un semiconductor tipo n son:

a) Portadores mayoritarios producidos por dopado
b) Portadores mayoritarios producidos térmicamente
c) Portadores minoritarios producidos térmicamente
d) Portadores minoritarios producidos por dopado

8. En comparación con un led de luz visible, un led infrarrojo produce

a) Luz de longitudes de onda más cortas
b) Luz de todas las longitudes de onda
c) Un solo color de luz
d) Luz con longitudes de onda más largas

9. Para formar cristales de silicio se tiene 100000 átomos de silicio y 30000 átomos con
impurezas pentavalentes. ¿Cuántos electrones libres se tendría a temperatura ambiente?
a) 6000
b) 25000
c) 20000
d) 30000

10. En un material semiconductor existe recombinación cuando:

a) Un electrón cae en un hueco
b) Un ion positivo y uno negativo se ligan mutuamente
c) Un electrón de valencia se vuelve un electrón de conducción
d) Se forma u cristal

11. ¿Qué ocurre cuando el voltaje de polarización en inversa en un diodo se vuelve

excesivamente alto?
a) Se tiene voltaje de zener
b) Produce ruptura de avalancha
c) Se tiene corriente de portadores minoritarios
d) Se produce ruptura inversa de pico

12. La ionización de un átomo se produce:

a) Cuando la temperatura es igual a 20 grados centígrados
b) Cuando un átomo está eléctricamente neutro
c) Por la fuerza de atracción del núcleo
d) Por la adición de una fuente calorífica
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13. La resistencia interna de un fotodiodo

a) Aumenta con la intensidad de la luz cuando está polarizada en directa
b) Disminuye con la intensidad de la luz cuando está polarizada en directa
c) Disminuye con la intensidad de la luz cuando está polarizada en inversa
d) Aumenta con la intensidad de la luz cuando está polarizada en inversa

14. El núcleo atómico atrae a los electrones orbitales, pero estos no caen hacia el núcleo
debido a:
a) La fuerza centrífuga
b) La fuerza centrípeta
c) La fuerza de atracción de los neutrones y protones en el núcleo
d) La fuerza de repulsión del núcleo

15. El diodo(s) que tiene(n) característica(s) de resistencia negativa se conoce(n) como:

a) Schottky
b) Láser
c) Túnel
d) De portadora caliente

DOCENTE ESTUDIANTE
Ing. Marco Nolivos MsC. Nombre: