CUESTIONES DEL TEMA 1 (FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO)

1. ¿Por qué los materiales aislantes son tan malos conductores de la electricidad y los
metales son tan buenos conductores?
La anchura de la banda prohibida de los metales aislantes es muy grande(>5eV), por lo que los
electrones necesitan mucha energía para pasar a la banda de conducción. La fracción de
electrones en los aislantes que pasan a la BC es muy pequeña.
2. ¿Por qué no tenemos en cuenta (por ejemplo, para la conductividad) los electrones en las
capas K y L en el caso del silicio (o en las capas K, L y M en el caso del germanio)? ¿Hay
alguna posibilidad de que esos electrones pasen a la banda de conducción gracias a la
agitación térmica?
Solo se tienen en cuenta los electrones de valencia, que son los que forman enlaces
covalentes. Éstos con energía crean pares electrón hueco. Hay posibilidades que pasen
electrones de otras capas pero es complicado porque se necesita mucha más energía.
3. Un SC que está en equilibrio termodinámico, ¿está necesariamente en estado
estacionario? ¿Y lo contrario? Si ambos estados no son lo mismo, ponga un ejemplo de un
semiconductor que no pertenezca a ninguno de los casos, otro que pertenezca sólo a uno y
otro que pertenezca a ambos casos.
Es necesario que esté en estado estacionario si está en equilibrio termodinámico.
4. ¿De qué formas puede cristalizar un semiconductor? Diga los símbolos en el caso del Si.
¿Cuál de las formas requerirá mayor control de temperatura, vibraciones y pureza de los
vapores presentes? ¿Qué método suele utilizarse para fabricar Si de la última forma?
Silicio monocristalino, silicio policristalino, silicio amorfo. De mayor a menor control de
temperatura, vibraciones y pureza.
5. Concentración intrínseca:
a. ¿Qué es?
Es el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de
valencia en el intrínseco.
b. Para un cierto material SC, ¿de qué depende?
En un semiconductor sin impurezas depende de la temperatura de forma:

( EG
)
( )
3 −
19 T 2k B T
ni ≈ 2,5 ⋅ 10 2
⋅ⅇ
300
c. ¿Puede un SC tener impurezas y estar los portadores en las concentraciones intrínsecas?
Para una cierta temperatura: np=nipi=ni2
Por lo que:
n=Nd+p
p=Na+n

6. La anchura de la banda prohibida a temperatura ambiente para Si, Ge y GaAs es 1.12, 0.66
y 1.42 eV, respectivamente. A esa temperatura ¿en qué orden creciente de concentración
intrínseca estarán los tres semiconductores?
A menor banda prohibida mayor ni
Ge,Si,GaAs
7. ¿Qué dice la ley de acción de masas referida a concentraciones de portadores en un SC?
¿Dicha ley es siempre válida? En caso negativo, diga las condiciones necesarias para su
validez.
ni2=n·p ley de acción de masas
Sólo es válida en equilibrio termódinamico, Ta constante.
8. ¿Qué dice la ecuación de neutralidad de carga referida a concentraciones de portadores
en un SC? ¿Dicha ecuación es siempre válida? En caso negativo, diga las condiciones
necesarias para su validez.
n+Na- = p + Nd+
n+Na= p+Nd Para T>150k
No es siempre válida, sólo cuando haya gradientes de concentración o que varíen con el
espacio.
9. ¿Qué movilidad suele ser mayor: la de electrones o la de huecos? ¿Por qué?
Es mayor la de electrones

[Link] movilidad de portadores en un SC extrínseco, ¿depende de la concentración de

impurezas? ¿En qué sentido y por qué puede ser?
Al aumentar la concentración de impurezas disminuye la movilidad. Las impurezas suponen
obstáculos en la red cristalina.
[Link] queremos que un SC extrínseco tenga gran conductividad, ¿deberíamos doparlo con
enorme concentración de impurezas, mejor cuanto mayor sea la concentración? ¿La
conductividad es proporcional a la concentración de impurezas?
Cuanta mayor concentración menor movilidad, pero la conductividad crece ya que es más
fuerte el efecto de la concentración.
σ =nμ

[Link] anchura de la banda prohibida de los semiconductores decrece al aumentar T. Y, por

supuesto, si aumenta la temperatura está aumentando la energía (térmica) en la red. Ambas
cosas facilitan la generación (de pares e- -h+ ). Entonces, al aumentar T, ¿aumentará la
conductividad del semiconductor? Responda para el caso del semiconductor intrínseco.
Al aumentar la temperatura aumenta la generación de pares e-h+, ya que se reduce la BP y
aumenta la agitación térmica, además disminuye la movilidad.
[Link] equilibrio termodinámico, ¿de qué depende la generación (de pares e- -h+ )?
Sólo depende de la temperatura. G=f 1(T)
[Link] equilibrio termodinámico, ¿de qué depende la recombinación (de pares e- -h+ )?
Depende de la densidad de huecos, concentración de electrones y de la temperatura.
R=f2(T)np
[Link] equilibrio termodinámico, a alta temperatura ¿qué es mayor? ¿la generación o la
recombinación (de pares e- -h+ )? ¿Y a baja temperatura?
En estado estacionario G=R
[Link] dos semiconductores de silicio a temperatura ambiente, uno tipo N (sólo con
impurezas donadoras, de concentración Nd), otro tipo P (sólo con impurezas aceptoras, de
concentración Na). Si Nd = Na, ¿serán las conductividades de ambos semiconductores
iguales?
La concentración de portadores de carga es la misma en ambos casos. Las movilidades pueden
ser diferentes.
La movilidad tipo N suele ser mayor que tipo P, huecos
En electrones al contrario
σ P=e N a μh
σ N =e N d μe
μe=3 μh
[Link] a un material SC no se le aplica un campo eléctrico y no hay gradiente de portadores,
¿sus electrones y huecos están en reposo? ¿Tienen velocidad neta?
Siempre habrá electrones y huecos que se mueven en el material debido a la energía que
produce la agitación, nunca están en reposo.
La distribución de velocidades de los portadores se mantiene constante y las velocidades
promedio se cancelan, por lo que no hay velocidad neta.
[Link] a un material SC se le aplica un campo eléctrico, ¿sus electrones y huecos tienen una
velocidad neta?
Los portadores de carga se someten a una fuerza eléctrica que los acelera. Los huecos en la
misma dirección del campo y los electrones en la contraria. A 0k no hay velocidad neta ya que
no hay portadores.
19. ¿Qué podemos hacer para aumentar la generación de pares e- -h+ en un SC?
Proporcionarle energía suficiente como para que el electrón pase el GAP
1. Aumentar la temperatura
2. Por radiación: fotones
3. Irradiar con otro tipo de partículas.
[Link] un SC extrínseco, ¿existen electrones y huecos de origen intrínseco? En caso
afirmativo, ¿cuándo los podemos despreciar y cuándo no?
Si existen salvo a 0K

[Link] un SC extrínseco a baja temperatura (digamos por debajo de 100 K), ¿qué causa más
portadores? ¿La generación intrínseca o la extrínseca? ¿Los de origen extrínseco son tantos
máx (Na , Nd)
como a temperatura ambiente? Suponga un dopado moderado log 10 ≈5
¿(300 K )
Extrínseca, a esas temperaturas las concentraciones intrínsecas son muy pequeñas, las
impurezas no están todas ionizadas.
[Link] un SC extrínseco a temperatura ambiente, ¿qué causa más portadores? ¿La generación
intrínseca o la extrínseca? Suponga dopado moderado
Con un dopado moderado causa más portadores la extrínseca. Para que la intrínseca sea
importante la temperatura tiene que ser muy alta.
[Link] un SC extrínseco a alta temperatura (digamos por encima de 600 K), ¿qué causa más
portadores? ¿La generación intrínseca o la extrínseca? Suponga un dopado moderado.
Causa más portadores la generación intrínseca.
[Link] un SC extrínseco a temperatura ambiente, ¿quién gobierna la concentración de
portadores mayoritarios? Suponga un dopado moderado.
La generación extrínseca,
[Link] un SC en equilibrio termodinámico, si la concentración de huecos es p0, ¿cuál es la de
electrones?
2
n= ¿
p0
[Link] cuanto a la conductividad de un SC, ¿los electrones en la banda de valencia se pueden
mover? En caso afirmativo, ¿tenemos en cuenta ese movimiento?
Si se pueden mover. Tenemos en cuenta el movimiento con los huecos

[Link] un SC a 0 K, ¿cómo están las bandas de valencia y de conducción (grado de

ocupación)?

[Link] un SC extrínseco a temperatura ambiente:

a. ¿De dónde proceden los portadores mayoritarios?
Los mayoritarios proceden de la generación extrínseca.
b. ¿Y los minoritarios?
Generación intrínseca.
c. Estos últimos ¿tienen la misma concentración que si el semiconductor fuera intrínseco? En
caso afirmativo, justifique la respuesta. En caso negativo, compare ambas situaciones e
indique la causa de la diferencia.
A la misma temperatura la concentración extrínseca e intrínseca están relacionadas
2
n e p e =¿ =ni pi
ne>>ni
pe<<pi
[Link] un SC extrínseco muy cerca de 0 K, ¿están todas las impurezas ionizadas?
No, muy poco.
31.¿Por qué el hueco tiene carga positiva?
Porque un hueco es la falta de un electrón, para el resto del átomo es neutro.
[Link] un SC de silicio extrínseco con 1 átomo de impureza cada 106 átomos de
silicio. Si un electrón se moviera en línea recta por el interior del cristal, en promedio, ¿cada
cuántos átomos de silicio se encontraría el electrón un átomo de impureza? ¿Afectarán esos
pocos átomos de impureza a la movilidad del electrón? ¿En qué ve el electrón diferente el
átomo de impureza de los átomos “originales”?
Si fuera una dimensión cada un millón de átomos de silicio habría una impureza.
SI afectarán a la movilidad del electrón, perturba la trayectoria, el potencial eléctrico y los
niveles de energía.

[Link] la siguiente gráfica (cada uno de los tres tramos), que muestra la conductividad
de un SC extrínseco en función de su temperatura. Justifique el signo de la pendiente en
cada caso.

[Link] el mismo SC a la misma temperatura, ¿cuál suele ser mayor: la constante de difusión
de los electrones o la de los huecos?
La movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos. La movilidad y la constante de
difusión son proporcionales.
De Dh
= =Vt Relación de Einstein
μe μh
[Link] un material SC, ¿qué razón [coeficiente de difusión]/[movilidad] es mayor: la de
electrones o la de huecos? ¿De qué dependen esas razones?
Para un material semiconductor es la misma, es proporcional a la temperatura.
36.¿Por qué en la expresión de la densidad de corriente de difusión de huecos hay un signo
“-” y no en la de los electrones??
Porque el flujo de electrones va en sentido contrario a la corriente de difusión y el de los
huecos en el mismo sentido.

[Link] SC en equilibrio termodinámico, ¿puede tener una corriente neta de electrones? ¿Y

corriente de arrastre? ¿Y corriente de difusión? ¿Y alguna corriente de huecos? Un SC en
equilibrio termodinámico tiene una corriente de arrastre de huecos de 2 mA y de difusión de
electrones de −3 mA. Diga las corrientes de difusión de huecos y de arrastre de electrones.
Tiene que tener una corriente neta nula, pero las corrientes de difusión y arrastre no tienen
porque ser nulas pero se tienen que anular entre sí (de igual módulo pero sentidos opuestos).
38.¿La difusión es un fenómeno exclusivo de electrones y de huecos?
No es exclusivo de electrones y huecos. Ejemplo: moléculas de gas.
[Link] equilibrio termodinámico, ¿se puede mantener un gradiente de huecos, o la difusión
elimina esos gradientes?
Si se puede, lo que no puede es tener gradiente de difusión y no campo eléctrico o al revés.
[Link] un punto de un SC, ¿qué determina la dirección y el sentido de la corriente de
arrastre? Y ¿qué determina la dirección y el sentido de la corriente de difusión?
El campo eléctrico marca la dirección y sentido de las corrientes de arrastre.

41.¿Cómo se llaman las leyes que rigen la corriente de arrastre y la de difusión en un SC?
Primera ley de Fick para la corriente de difusión
Ley de ohm para la corriente de arrastre
[Link] ecuación de neutralidad eléctrica, ¿es válida para cualquier temperatura? En caso
afirmativo, justifique la respuesta. En caso negativo, dé rango de validez y explique qué
ocurre fuera del rango.
Es válida para cualquier temperatura si se cumplen el resto de condiciones.
N+Na-=p+Nd+
[Link] un SC tipo N a T ambiente, ni es 1010 cm-3. Si Nd = 1018 cm-3 , Na = 0. ¿Cuáles son n y
p?
CUESTIONES DEL TEMA 2
(UNIÓN PN)
1. En la unión PN, ¿qué nombres recibe la zona donde las concentraciones de huecos y
electrones son diferentes a los valores de fondo en cada parte (P y N)?
Zona de agotamiento, vaciamiento, empobrecimiento, deplexión, transición, carga espacial.
2. En la unión PN en equilibrio (circuito abierto), ¿son nulas todas las corrientes? ¿Se
compensan las corrientes de huecos con las de electrones?
No son nulas, pero se anulan para cada uno de los portadores. La corriente total de huecos y
electrones es nula.
3. En la unión PN, ¿cuántos términos tiene la expresión de la corriente total? ¿Todas esas
corrientes tienen el mismo sentido? En caso afirmativo, diga porqué. En caso negativo diga el
sentido de cada una.
Cuatro términos, los dos de difusión y los dos de arrastre. Difusión hacia la derecha y arrastre
hacia la izquierda.

4. ¿Qué nombre recibe el coeficiente que depende del tipo de unión (abrupta o gradual) e
influye en el potencial de la unión? ¿Qué valores extremos puede tomar en ambos tipos de
unión?
Coeficiente de gradación. Entre 1/2 y 1/3.
5. En la unión PN, ¿la anchura de la zona de agotamiento depende del potencial aplicado?
¿De qué manera?
Depende del potencial aplicado.
Polarización directa Se reduce
Polarización inversa Aumenta
6. En la unión PN, ¿la difusión acaba por eliminar los gradientes de portadores? ¿Por qué?
La difusión tiende a eliminar el gradiente, pero este no acaba por anularse. Hay efectos que se
superponen, la corriente de arrastre se opone a la de difusión

7. ¿Todos los diodos se basan en la unión PN? En caso negativo, buscar algún ejemplo de
diodo que no sea unión PN
No todos los diodos se basan en la unión PN.
Diodo metal con semiconductor, Schottky.
8. Ordene, de más abrupto a más gradual, los siguientes procesos de fabricación de uniones
PN: difusión, crecimiento epitaxial, implantación de iones.
Crecimiento epitaxial, implantación de iones, difusión.
9. Aparte de la temperatura y la naturaleza del proceso, ¿qué diferencia fundamental existe,
en cuanto al resultado, entre la difusión y la implantación de iones?
La implantación de iones es mucho más dirigida, se puede controlar mejor la profundidad
La difusión avanza en todas las direcciones, teniendo la máxima concentración junto a la
superficie.

10. ¿Cómo se controla la profundidad del dopado en la implantación de iones?

A mayor tensión mayor profundidad.

11. En la implantación de iones, ¿cómo se consigue que la red vuelva a estar ordenada, y las
impurezas ocupen espacios antes ocupados por los átomos originales de la red?
Con un recocido

12. En el circuito equivalente de la unión PN aparecen dos resistencias en serie, una a cada
lado del diodo ideal. ¿A qué son debidas esas resistencias?
Las resistencias salen de las zonas que no son las de agotamiento

13. ¿Por qué aparece una zona de carga neta en la zona de agotamiento de la unión PN? ¿Esa
carga neta crea un campo eléctrico? ¿Ese campo eléctrico provoca una corriente? En caso
afirmativo, diga el sentido para cada portador.
Porque a ambos lados de la unión metalúrgica hay una zona cargada a ambos lados, una
positiva y otra negativa. Por la difusión también hay recombinación.
Si crea un campo eléctrico. Cuando hay una carga en un lado y otra opuesta en otro lado, se
crea un dipolo.
El sentido del electrón en de positivo a negativo.

14. Las anchuras de la zona de agotamiento en cada parte (P y N) ¿son iguales? En caso
afirmativo, explique por qué. En caso negativo, justifique la diferencia.
Las anchuras no son iguales. Dependen únicamente de la concentración de impurezas

15. En la unión PN, ¿todas las impurezas están ionizadas? En caso afirmativo, explique por
qué no hay una densidad de carga negativa en toda la zona P y una densidad de carga
positiva en toda la zona N.
En las condiciones habituales (T ambiente) están todas ionizadas, por lo que todo el cristal está
ionizado. Hay una carga neta no nula solo en la zona de agotamiento, no hay en el resto
porque las impurezas están neutralizadas.
16. Justifique la ecuación de neutralidad eléctrica: Nadp = NddN

17. A partir de la hipótesis de vaciamiento total (por la que, en la zona de agotamiento, en el

lado P se han ido o recombinado todos los huecos y lo mismo con los electrones en el lado
N), calcule la expresión del campo eléctrico, 𝐸(𝑥), tomando como origen del eje 𝑥 la unión
metalúrgica.

18. A partir de la expresión del campo eléctrico de la cuestión anterior, calcule la del
potencial, 𝑉(𝑥)
19. En la unión PN en polarización directa, ¿el campo eléctrico “original” (debido a las
impurezas ionizadas y no compensadas de la zona de agotamiento en equilibrio
termodinámico) se ve reforzado o reducido? En ese mismo caso, ¿alguna de las corrientes se
ve reducida o reforzada? ¿Qué tipo de corriente es la que domina?
El campo eléctrico original se ve reducido.
En equilibrio la corriente de difusión y arrastre se compensan.
En polarización directa se reduce la corriente de arrastre y aumenta la de difusión.

20. En la unión PN en polarización directa, los portadores minoritarios que superan el valor
de equilibrio (porque vienen difundidos de la otra parte), ¿qué les pasa?
Se van difundiendo y recombinando.

21. En la unión PN en polarización directa, fuera de la zona de agotamiento, ¿los portadores

minoritarios tienen la concentración de equilibrio?

22. En la unión PN en polarización directa, ¿son iguales el potencial de la unión (𝑉j ) y el

potencial de barrera o de difusión (VD)?
Vj=VD-V
V>0

23. En la unión PN en polarización directa, ¿por qué analizamos las concentraciones de

minoritarios fuera de la zona de agotamiento? (Es decir: ¿existe alguna ventaja para adoptar
ese enfoque?)

[Link] la unión PN, ¿qué significan 𝑝𝑁(0), p𝑁0, 𝑛𝑃(0) y 𝑛𝑃0?

[Link] la unión PN (en baja inyección), si el potencial aplicado es 𝑉 = 0,5 V, ¿cuál es la relación
entre 𝑝𝑁(0) y 𝑝𝑁0? ¿Y entre 𝑛𝑃(0) y 𝑛𝑃0?
26. Una unión PN ¿es necesariamente simétrica? Para los casos 𝑁a ≫ ��ୢ (es decir,
unión P+N) y 𝑁a ≫ 𝑁ୟ (es decir, unión PN+ ) halle la anchura de la zona de agotamiento.

27. ¿Cómo afecta el coeficiente de gradación a la anchura de la zona de agotamiento?

Comparar los casos extremos (unión abrupta/unión muy gradual).
m: coeficiente de gradación 1/3 <m<1/2
Para las misma concentraciones de impurezas la anchura de la zona de agotamiento es mayor
en caso de unión abrupta.
dp,dn Vj
Unión abrupta
d
Unión gradual dp,dn,s

28. ¿Cómo afecta el potencial de barrera a la concentración de portadores minoritarios en

los bordes de la zona de agotamiento?