Segundo problema propuesto de Electrónica Fı́sica.

Curso 2022-23

1. En el los gráficos adjuntos se muestra la variación de la vida media de los portadores

minoritarios, junto con su longitud de difusión en el Silicio en función de la densidad del
dopaje de la muestra. A partir de dichas gráficas, suponiendo que se quiera construir un
transistor bipolar del tipo NPN, determina:

• Indica una selección posible de valores de dopajes (NE , NB , NC ), junto con medidas
de las zonas del trasistor (ωE , ωB , ωC ) para tener una ganancia de β = 200

• Indica el valor de la tensión de Early (VA ) que obtienes con esa selección

• ¿Cuál serı́a el valor de la ganancia del transistor en inversa βR ?

Datos :
kB = 8.629 × 10−5 eV /K
T=300K
qe = 1.6 · 10−19 C
ni = 1.5 · 1010 cm−3
ϵSi = 11.68ϵ0
ϵ0 = 8.854 · 10−14 F/cm

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