UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2021

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 19-05-21

DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 114 m.

CURSO: Dispositivos y Circuito Electrónicos I Parte 2 de 3 COD. CURSO: EE418N

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 1 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.

Apellidos y Nombres:………………………………………………………………………..

Nota: Son tres problemas Cada problema es independiente dura 35 minutos incluyendo la
subida a Moolde pasado este tiempo no podrán entregar el problema y así será para cada
uno de los tres problemas en forma consecutiva. (subir fotografía del celular legible o
escaneado)
Problema 2.- (6 Puntos)

a) En una muestra de Si tipo N, en equilibrio térmico y a 300K, se conoce la resistividad, ᵨ =5 (Ω-m), µn = 1600
cm2/Vs, µp = 600 cm2/Vs, ni =1.4·1010cm-3 la densidad efectiva de estados en la BC, NC = 1019cm-3. Con estos datos,
determinar: (1) la concentración de electrones y huecos a partir de las expresiones de la conductividad y de la ley
de acción de masas; (2) la localización del nivel de Fermi a partir de la expresión: n = NC exp[(EF–EC)/(kT)]; (3) la
probabilidad de que un estado del nivel donador esté ocupado y la probabilidad de que no lo esté, sabiendo que
EC–ED = 0.05 eV. (4.5PT.)
b) Se desea dopar una barra de Si de longitud 30 mm y sección 5 mm 2 de forma que al ser sometida a una tensión
de 10 V sea circulada por una intensidad de 2mA. Calcúlese la concentración de donadores, ND, con que debe
doparse la barra. Nota: despréciese la concentración de huecos en el análisis y estímese el error cometido por este
motivo en el valor de la resistencia de la barra. Datos: ni = 1.45·1016 m-3, µn = 1500 cm2/V-s y µp = 475 cm2/V-s. (1.5PT.)

El profesor