TEMA 3: CORRIENTE ELÉCTRICA

Tema 3: Corriente eléctrica

 Intensidad de una corriente eléctrica

 Resistencia y Ley de Ohm
 Fuerza electromotriz
 Potencia disipada y potencia suministrada en un circuito
 Asociación de resistencias
Reglas de Kirchhoff
 Circuitos RC

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 TEMA 3: CORRIENTE ELÉCTRICA

INTENSIDAD DE CORRIENTE

Conductor en equilibrio electrostático Conductor que transporta Ι (fuera del equilibrio electrostático)
 
E F
 • Ι≠0
- -
Eint = 0 VB
- - - - VA W(F) ⇒ • Disipación en el
VA>VB material conductor

𝐯𝐯𝐝𝐝
Movimiento térmico aleatorio: Movimiento neto de deriva causado por E o ∆V :
v ≈ 106 ms-1 (Ι=0) Vdesplazamiento ≈ 10- 4 ms-1 (Ι ≠0) E

Portadores de carga (+) Portadores de carga (-)

VA>VB
dq
E
Ι=
E
dt
VA VB VA VB
Sección transversal
Ι eléctrica Ι eléctrica
Unidad SI: amperio (A=C.s-1)
electrones

Por convenio la corriente eléctrica tiene la dirección del flujo de la carga positiva

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INTENSIDAD DE CORRIENTE (II)

Relación entre la velocidad de desplazamiento, vd y la Ι

dQ
I= = nqA v d
dt E
n: desnsidad de portadores(carga en la unidad de volumen)

n ∼ 1028 -1029 átomos.m-3

I es una parámetro macroscópico
Densidad de corriente, J

  
I
J = = qnv d
A

J = qn v d Unidad SI: A.m-2 I = ∫ J ds

J
 Ι y J no cambian con el signo del portador de carga.
E  
I J tiene siempre la dirección de E

J

E Si el conductor contiene cargas (+) y (-), Ι y J netas se
I obtienen de la suma de cada tipo de cargas .

3
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RESISTENCIA Y LEY DE OHM (I)

E=cte

Ley de Ohm   VA>VB

VB

E=ρ J • ∆V: caída de potencial

∆V   VA
I= • R=f(material, geometría)
R J =σ E -q

+q
R: Resistencia del material
L
R=ρ Unidad R SI: ohmio (Ω = V/A)
Pérdida de U con el flujo de I
a través de la caída de potencial
A • Si L↑ o S↓ ⇒ R ↑.
• ϕ =f(material).
ρ: Resistividad del material Símbolo de R:
• σ alta ⇒ buen conductor.
Unidad ρ SI: Ω.m

σ: Conductividad eléctrica
1
σ= Unidad σ SI: (Ω.m)-1
ρ

σ (Ω -1m-1) ρ(Ωm) R (Ω) Ι (A)

Conductores 108 10-8 10-2 100
Aislantes 10-12 - 10-16 1012 -
1016 1020 10-20 τ: tiempo libre medio = Tiempo medio entre colisiones
del electrón con los iones de la red. (τ∼10-14 s).

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RESISTENCIA Y LEY DE OHM (II)

Material óhmico Material no óhmico Materiales óhmicos:
I
I ∆V = R I
1
m=
R
 
∆V
E=ρ J
∆V
R=cte R≠cte

Resistencia que obedece a la Diodo semiconductor que no

ley de Ohm obedece a la ley de Ohm
∆V∼Ι ∆V ≠Ι

Dependencia de ρ con la temperatura

*Aplicación: electroimanes SC, aceleradores
Metal: si T↑ ⇒ ρ ↑ Semiconductor: si Superconductor: de partículas, trenes de levitación magnética..
ϕ ϕ ϕ
T↑ ⇒ ρ ↓ ρ =0 en T=TC
(σ=∞)

TC: Temperatura crítica

superconductora
https://www.cienciatk.csic.es/Videos/MATERIALES+SUPERCONDUCTORES+SUPERCONDUCTIVIDAD_25447.html
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FUERZA ELECTROMOTRIZ (f.e.m.) (I)

Para establecer una Ι estacionaria por un conductor se requiere: ε
a b
W   q -
1. Un circuito cerrado ⇒ = ∫ E.d l = 0 = −∆V ⇒ V = cte ??
+
q
Pero R≠0 del conductor ⇒ ∃ una caída de potencial, ∆V ⇒ V≠cte.
Espira conductora
de resistencia R
2. Una fuente de f.e.m, ε.
Campo conservativo
La fuente de f.e.m. suministra la energía
necesaria para elevar el potencial de q.

Fuente de f.e.m ideal 

Genera una fuerza adicional no electrostática, Fn
Vab = Va-Vb > 0
  que realiza trabajo para elevar el potencial de la carga
+ Fn = −Fe

W (F )
ε = b→a n = ∆V = Va − Vb
Ι q
+
El incremento de la energía potencial
es igual al trabajo no electrostático por ε = Vab = Va − Vb
unidad de carga= f.e.m de la fuente.
f.e.m de la fuente ideal
Ι
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FUERZA ELECTROMOTRIZ, f.e.m. (II)

La f.e.m. de una fuente es el trabajo por unidad de carga que realiza la fuente al elevar el potencial de las cargas
(ddp medida entre sus bornes en circuito abierto).
ε
a E + - b

Ι Vab − VR = 0 “El cambio neto en V de q en un ciclo debe ser cero”.

VR
E
c R d

Fuente de fem Ideal (Vab = ε) Fuente de fem Real (Vab < ε)

)

Vab = ε = VR = IR Vab = ε − Ir = VR = IR
r: “resistencia interna de la fuente”
ε − IR = 0
ε − Ir − IR = 0
V ε
I = ab = R ↓⇒ Ι ↑ Vab ε
R R I= =
Vab
R r+R
Una fuente de fem ideal Una fuente de fem real no
podría suministrar una Ι =∞. ε IDEAL puede suministrar una Ι = ∞.
REAL

Ι
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POTENCIA DISIPADA Y POTENCIA SUMINISTRADA

Elemento resistivo: Potencia disipada o Fuente de fem con resistencia interna r:

transferida al elemento de circuito Potencia suministrada por la batería

Elemento resistivo en el circuito a b

+ Elemento fuente del circuito
-

Ι F𝒆𝒆 ; E
Ι Fuente F𝒏𝒏

VR
Ι b
Resistor a

b
a 
dq dW (Fn ) = +dU = dq(Va − Vb ) = (Idt )Vab

dW (F) = −dU = dq (Va − Vb ) = (Idt )Vab Potencia neta suministrada por la fuente

Potencia disipada o transferida a R Ley de Joule dW

P= = IVab = Iε − I 2 r
dW Vab2 dt
P= = IVab = I R =
2
Unidad P SI:V.A =J/s = W (vatios)
dt R
En los superconductores no se
disipa potencia
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COMBINACIÓN DE RESISTENCIAS

Voltaje de la batería y resistencia

∆Q ε
P= = Iε
∆t

Combinación en serie

V = I1R 1 + I 2 R 2 = IR eq R eq = ∑ R i
Vac = Vab + Vbc i
Resistencia equivalente

Combinación en paralelo V = V1 = V2
I = I1 + I 2

V V V
I= + =
R 1 R 2 R eq
1 1
=∑
R eq i R i
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LEYES DE KIRCHHOFF (I)

Malla es una trayectoria cerrada.

Nudo punto donde se unen 3 o más conductores. Procedimiento :
1. Tomar mallas independientes
a b d
2. Fijar en cada malla un sentido
R1 y R2 no están
en paralelo arbitrario de Ι de referencia.
3. Criterios de signos para las ∆V:
Mallas: abfea, bdcfb y abdcfea
e f c Nudos: b y f Iref Iref

+
1ª Ley de Kirchoff o ley de mallas: a lo largo de
cualquier malla: ∆V=-ε ∆V=+ε
 
∫ .d l = 0
E ∑ ∆V = 0
i
i
(suma algebraica) Iref Iref

- +
2ª Ley de Kirchoff o ley de nudos: en un nudo:

∑I = 0
i
i ∑I entrantes = ∑ Isalientes ∆V= ΙR ∆V=- ΙR

4. Aplicar las dos leyes de Kirchoff

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CIRCUITOS RC: carga de un condensador

circuito con una R y un C serie.
t>0
q(t)↑ ; Ι(t)↓ ε = VC ( t ) + VR ( t ) t=0
Ι

q (t) dq (t ) dt  t=0 ⇒ q=0 ; VC=0  En t → ∞ ⇒Ι=0

ε − IR − =0 =−
C q − Cε RC VR ,0 ε
ε = VR ,0 Io = = q = Qf ; ε = VC,f
R R


q ( t ) = Cε 1 − e
−t
RC  
= Q f 1 − e RC 
−t dq ε − t RC −t
    I= = e = Ioe τ
dt R
q(t) τ = pequeño
Qf=Cε Ι0=ε/R
τ= RC: Constante de tiempo
Si la veloc. de carga Si la veloc. de carga
fuese cte fuese cte ×R
× (1/C)
VR(t)
VC(t)
ε ε

VC ( t ) = ε 1 − e RC  = VC,f 1 − e τ 
−t −t −t −t
VR ( t ) = ε e RC
= VR ,0e τ
   
t t
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 TEMA 3: CORRIENTE ELÉCTRICA

CIRCUITOS RC: descarga de un condensador

0 = VC ( t ) + VR ( t ) +Q0
t>0
-Q0 t=0
q( t ) Ι
− IR = 0
C
Q0
q(t) ↓ ; Ι (t) ↓  En t=0 ⇒ VC,0 =  En t → ∞ ⇒ q = 0 ; Ι=0
q( t ) dq( t ) C
dq( t ) +R VC,0 Q0
I=− C dt I0 = =
dt R RC

q(t ) = Q o e
−t −t
RC
= Qoe τ
I=
dq( t ) Q 0 − t τ
= e = Ioe τ
−t

q(t) τ = pequeño
dt RC
Ι(t)
Q0 τ= RC : Constante de tiempo Si la veloc. de carga
× (1/C) fuese cte
×R
0 τ
q(ι) =
Qo
Si vel. de descarga
t
e
fuese cte
−t
VR ( t ) = −VC,0e RC
t VR(t)
VC(t) VC,0
Q 0
t
VC,0 I0 = =
−t
R RC
VC ( t ) = VC,0e RC

VC,0
0 t
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* Ejemplos

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 TEMA 3: CORRIENTE ELÉCTRICA

EJEMPLOS LEYES DE KIRCHHOFF

Ejemplo 1
1ª ley de Kirchoff a la malla 1:
Iref
11 22 12 – 4 Ι1 – 3Ι =0
1ª ley de Kirchoff a la malla 2 : Resolviendo el sistema:
– 2 Ι2 – 5+ 4 Ι1=0 Ι1 = 1.5 A ; Ι2 = 0.5 A ; Ι = 2 A
2ª ley de Kirchoff al nudo b:
Ι = Ι1 + Ι2

Ejemplo 2: Puente de Wheatstone

¿Condición para que Ι5 = 0?
Vab = Vac Ι1R 1 = Ι 2R 2
b I
Vbc = 0 ⇒ Vbd = Vcd Ι 3R 3 = Ι 4R 4 ⇒ Ι1R 3 = Ι 2R 4
R1 3
R3
I1 I5 Ι1 = Ι 3 , Ι2 = Ι4
a d
R5
I2
R2 R4 Método preciso para medir una R R1 R 2
desconocida mediante el equilibrio de =
c I4 R3 R4
I0 los brazos del puente
ε

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