Diseño E Implementación de Un Sistema para La Caracterización Electrica de Celdas Fotovoltaicas Mediante Instrumentación Virtual

CENTRO DE INVESTIGACIÓN EN MATERIALES AVANZADOS, S.C.
POSGRADO
DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SISTEMA

PARA LA CARACTERIZACIÓN ELECTRICA DE
CELDAS FOTOVOLTAICAS MEDIANTE
INSTRUMENTACIÓN VIRTUAL.
“Tesis que como requisito para obtener el grado de Maestría en Energías

Renovables”
Presenta:
Ing. Luis Noel Arias Sáenz

Ing. Flabio Armando Morúa García
Ing. Benjamín Eduardo Yoveé Pacheco Torres
Director de Tesis:
Dra. Hilda Esperanza Esparza Ponce
Chihuahua, Chih., Mayo de 2014
1
ÍNDICE
Pág.
AGRADECIMIENTOS……………………………………………………. 3
RESUMEN……………………………………………………………………… 11
I. INTRODUCCIÓN………………………………………………. 12
1.1 HIPÓTESIS…………………………………………………… 13
1.2. OBJETIVO PRINCIPAL…………………………………. 14
1.3. OBJETIVOS PARTICULARES……………………….. 14
II. REVISION BIBLIOGRAFICA……………………………………..15
III. METODOLOGÍA EXPERIMENTAL……………………………. 34
IV. RESULTADOS Y DISCUSIÓN…………………………………..51
V. CONCLUSIONES………………………………………………………. 80
VI. BIBLIOGRAFÍA………………………………………………………….81
ANEXOS………………………………………………………………………….82
2
AGRADECIMIENTOS.
A mi esposa Evangelina Rico David, nuestros hijos Salma Maritza,

Marianna Lizeth y Luis Noel, que son los seres más maravillosos que la
vida me ha dado, por el apoyo moral, su cariño y comprensión por ser las
personas que marcan mi camino.
Agradezco a Marcelo Miranda, por su apoyo y ayuda incondicional con el

diseño y fabricación de las piezas del sistema para la caracterización
eléctrica de celdas FV.
Agradezco a los compañeros de los laboratorios por su compañía y ayuda.
Agradezco a los maestros del CIMAV, por su dedicación, esfuerzo y apoyo.
Un agradecimiento especial para la Dra. Hilda Esparza, nuestra directora

de tesis, por su apoyo y ayuda en todo momento. Agradecer su paciencia,
su colaboración y su implicación desde el inicio del proyecto.
Ing. Luis Noel Arias Sáenz.
A Dios, a mi madre la Ing. María Guillermina Torres Caballero por su

apoyo incondicional y entusiasmo en todo momento, así como el apoyo
económico y emocional para concluir la maestría.
A toda mi familia, por alentarme con su ejemplo a superarme.
A el CIMAV y la Dra. Hilda Esperanza Esparza Ponce por su colaboración

en la realización de este proyecto.
A mis compañeros de maestría y al personal de la UTCH por apoyarme

incondicionalmente en la realización de la maestría.
Ing. Benjamín Eduardo Yoveé Pacheco Torres
3
AGRADECIMIENTOS.
Esta tesis está dedicada a mi Esposa Martha Beatriz Ramírez Bencomo, a

quien agradezco de todo corazón por su amor, apoyo y comprensión, que
sin su ayuda incondicional no hubiera podido realizar este proyecto tan
importante para mi desarrollo personal, agradezco también a mis hijos
André Eduardo y Dariel Armando que siempre me dieron su apoyo moral
que me dieron fuerzas de seguir en este proyecto.
Agradezco a todos los técnicos de los laboratorios que nos dieron soporte
en el desarrollo de nuestro proyecto y facilitar el equipo y herramientas
necesarias oportunamente.
Agradezco a mis profesores de la Maestría que me dieron sus

conocimientos, soporte y apoyo.
Agradezco especialmente a la Dra. Hilda Esparza, que es nuestra directora

y guía de tesis, por su apoyo con nuestro trabajo.
Ing. Flabio Armando Morúa García
4
ÍNDICE DE FIGURAS
II.-REVISION BIBLIOGRAFICA
Figura II.2.1. Generación de semiconductor tipo n………………………… 16

Figura II.2.2. Generación de semiconductor tipo p………………………… 17
Figura II.3.1. Tipo de portadores en materiales semiconductores tipo
n y p ………………………………………………….……………………………………….……. 18
Figura II.4.1.Generacion de campo eléctrico en una unión n-p…….… 19
Figura II.5.1 Esquema general del efecto fotoeléctrico…………………... 21
Figura II.5.2. Sección transversal de una celda fotovoltaica…………. 22
Figura II.5.3. Configuraciones de paneles solares…………………….…….. 23
Figura II.5.4. Curva I-V de la celda fotovoltaica y el diagrama
eléctrico asociado……………………………………………………………………………….. 23
Figura II.5.5. Modelo simplificado de circuito equivalente de una celda
fotovoltaica…………………………………………………………………….……………….... 24
Figura II.5.6. Iluminado I-V Curva de barrido............................. 25
Figura II.8.1 Potencia máxima para un barrido de la I-V…..………….. 26
Figura II.9.1. Conseguir el factor de relleno de la Barra IV……………. 26
Figura II.11.1. Efecto de la divergencia de RS & RSH de la
idealidad…………………………………………………………………………………………….. 28
Figura. II.11.2. Impacto de la resistencia serie en el funcionamiento
de una celda solar…………………………………………………………………………….. 29
Figura. II.11.3. Impacto de la resistencia paralelo en el funcionamiento
de una celda solar…………………………………………………………………………….. 29
Figura II.11.4. Curva I-V de la célula solar sin luz de excitación……. 30
Figura II.12.1. Efecto de la temperatura en la I-V Curva………………… 30
Figura II.13.1 Curva I-V de módulos y matrices………………….……….. 31
5
III.-METODOLOGÍA EXPERIMENTAL.
Figura III.1.1. Módulo de Prueba………….……………………………………….… 34

Figura III.1.1.1. Sección de las lámparas………….……………………………. 35
Figura III.1.2.1. Sección de la celda a caracterizar……..…………………. 36
Figura III.1.3.1. Circuito del sensor para medición de la
temperatura…………………………………………………………………………….……..…. 38
Figura III.1.3.2. Tarjeta del sensor LM35……………………………………….... 38
Figura III.1.4.1. Resistencia calefactor………………………………………….…. 39
Figura III.1.5.1. Luxómetro……………………………………….………………….…… 39
Figura III.1.7.1. Fuente de poder……………………………………………….……. 40
Figura III.1.8.1 Circuito amplificador de voltaje……………………….……. 41
Figura III.1.9.1 Módulo de carga resistiva para la celda FV………..….. 43
Figura III.1.9.2 Circuito de la carga resistiva para la celda FV….….. 43
Figura III.1.9.3. Diagrama de conexión de la carga resistiva a la celda
FV………………………………………………………………………………………………………. 44
Figura III.1.10.1. Tarjeta de adquisición de datos NI USB 6008…... 45
Figura III.1.10.2. Se define el tipo de señal de entrada a adquirir, en
este caso es analógica………………………………………………………………..……. 46
Figura III.1.10.3. En esta ventana se selecciona el voltaje como
entrada analógica………………………………………………………………………………. 46
Figura III.1.10.4. En esta ventana se selecciona el canal analógico
de entrada………………………………………………………………………………………….. 47
Figura III.1.10.5. En esta ventana se ajusta máximo y minino de voltaje
y se define el tamaño de la muestra a adquirir………………….…………… 47
Figura III.1.10.6. En esta ventana se muestra el icono que indica que el
programa de LabVIEW establece comunicación con la tarjeta de
adquisición de datos……………………………………………………….…….…….. 48
Figura III.1.11.1. Panel frontal de un VI………………….……………..…... 50
Figura III.1.11.2. Diagrama de bloques de un VI……………..….….… 50
6
IV.-RESULTADOS Y DISCUSIÓN.
Figura IV.1.1.1.1 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio 12:53

pm………………………………………………………………………..……………………………… 52
pm ……………………………………………………………………………………………………… 53
pm ……………………………………………………………………………………………………… 54
pm ……………………………………………………………………………………………………. 55
pm …………………………………………………………………………………..…………………. 56
pm …………………………………………………………………………………..………………….. 57
Figura IV.1.1.1.7 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio
de tres corrida……………….……………….…..………………………………………………. 58
Figura IV.1.1.2.1. Diagrama de medición de voltaje de la celda…….….. 58
Figura IV.1.2.1.1. Equipo de medición…………….……………….….….…………. 61
Figura IV.1.2.1.2. Esquema de mediciones de forma manual………..... 62
Figura IV.1.2.1.3. Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el
Sol 7am………………………….………………………………………………………………………. 63
Sol 8 am…………………………………………………………………………………..…………... 64
Sol 9 am…………………………………………………..………………………………………….… 65
Sol 10 am…………………………………….……………………………………………………….. 66
Sol 11 am………………………………….………………………………………………………….. 67
Sol 12 p………………………….…………………………………………………….…………..…… 68
Sol 1 pm…………………….………….…………………………………………………………….. 69
Sol 2 pm…………………...…………………………………………………………………………….. 70
Sol 3 pm………………………………………………..…..……………………………………………. 71
Sol 4 pm……………………………..……………………………………………………..……………. 72
Sol 5 pm……………………………………………………………………………………….…………. 73
Sol 6 pm……………………………………………………………………………………….…………. 74
Sol 7 pm………………………………………………………………………………………….………. 75
Sol 8 pm………………………………………………....………………………………………………. 76
7
Figura IV.1.2.2.1. Resultados de Estudio con programa LabVIEW bajo el
Sol 1:56 pm………………………………………………………………….………………………… 77
Figura IV.1.2.2.2. Resultados de Estudio con programa LabVIEW bajo el
Sol 12:53 pm…………………………….…………….…………………………………………….. 78
Fig. IV.1.2.2.3. Resultados de Estudio con programa LabVIEW bajo el Sol
de tres corridas……………………………...………………………….…………………………. 79
8
ÍNDICE DE TABLAS
II.-REVISION BIBLIOGRAFICA
Tabla II.5.1 –Celdas fotovoltaicas cristalina (basada en obleas) y de

película delgada………………………………..……………………………………….……….. 21
IV.- RESULTADOS Y DISCUSIÓN.
Tabla IV.1.1.1.1 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio 12:53

pm ……………………………………………………………………………….……………….….. 51
pm ………………………………………………………………………………………………...…… 52
pm ……………………………………………………………………………………………..…….… 54
pm ……………………………………………………………………………….…………….……. 55
pm ………………………………………………………….………………………….……………... 56
pm …………………………………………………………………….…………………………….…. 57
Tabla IV.1.2.1.1 Cargas Resistivas del Sistema……………………….……... 60
Tabla IV.1.2.1.2 Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el Sol
7 am………………………………………………………………………………………….……….. 63
8 am…………………………………………………………………………………………………….. 64
9 am……………………………………………………………………………………………………… 65
10 am……………………………………..…………………………………….………………………… 66
11 am…………………………………………………………………………………………………..... 67
12 pm……………………………………………………………………………………………………… 68
1 pm……………………………………………………………………………………………….………. 69
2 pm………………………………………………………………………………………………………… 70
Tabla IV.1.2.1.10 Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el
Sol 3 pm………………………………………………………………..……………………………..…. 71
Sol 4 pm…………………………………………………………………………………………………. 72
Sol 5 pm……………………………………………………………………………………….………… 73
Sol 6 pm………………………………………………………………………….…………………….. 74
9
Sol 7 pm…………………………………………………………………………………..……………. 75
Sol 8 pm……………………………………………………………………………………………..…. 76
Tabla. IV.1.2.2.1. Resultados de Estudio con programa LabVIEW bajo el
Sol 1:5 ...................................................................................... 77
Tabla. IV.1.2.2.2. Resultados de Estudio con programa LabVIEW bajo el
Sol 1:56 pm………………………………………………………………………………..……….. 78
10
RESUMEN.
En el presente trabajo se ha desarrollado un sistema para la
caracterización eléctrica de celdas fotovoltaicas. Este sistema consiste en
un soporte que aloja dos lámparas halógenas de 500 Watts cada una que
se utiliza para hacer incidir la luz sobre la celda y excitar los pares hueco-
electrón que han de generar la corriente eléctrica.
Además consta de la parte donde se coloca la celda fotovoltaica que va a

ser caracterizada, que incluye un sensor de temperatura, una resistencia
calefactora que hace incidir calor en la parte posterior de la celda con el
fin de simular una temperatura superior a la que puede estar en la
intemperie y ver cómo se comporta la gráfica de corriente contra voltaje.
También en esta localidad se instala el medidor de luz incidente en la
celda que consiste en un luxómetro.
Y por último, en la parte inferior del sistema se instala la parte de control

electrónico que consiste de una fuente de voltaje de +/- 12 V de corriente
directa, un amplificador de voltaje con una ganancia de 10 veces de
amplificación, un módulo que contiene la carga resistiva que se le va
aplicar a la celda y por último en esta parte se aloja la tarjeta de
adquisición de datos. Esta tarjeta es un dispositivo fabricado por “National
Instruments” modelo NI USB-6008.
La generación de la gráfica de corriente contra voltaje (I-V), se va

creando al hacer incidir la luz a la celda con cierta inclinación e ir variando
la carga resistiva desde 1.4 hasta 25 ohms aproximadamente, utilizando
para ello el programa de LabVIEW.
La adquisición de datos y su análisis se realiza a través de la

programación en lenguaje gráfico de LabVIEW, además de los cálculos
necesarios para determinar la calidad de la celda como el factor de
llenado, la eficiencia, el voltaje de máxima potencia, la corriente de
máxima potencia.
11
I. INTRODUCCIÓN
Los combustibles fósiles, comprenden principalmente el petróleo y sus

derivados, el gas natural y el carbón mineral. Al inicio de la explotación de
combustibles fósiles, estos recursos se consideraban ilimitados y su
impacto ambiental era despreciable. Sin embargo el crecimiento de la
población mundial y el aumento del consumo de energía, ha provocado
una disminución considerable de las reservas naturales de petróleo,
alteraciones de la atmósfera a nivel mundial, y el aumento considerable
de las emisiones de dióxido de carbono, el producto es el calentamiento
atmosférico conocido como efecto invernadero, que está produciendo ya
un incremento de la temperatura promedio, un aumento en las
radiaciones solares, y otros fenómenos naturales de alteraciones a nivel
geográfico, biológico y agrícola.
Tanto por razones económicas (escasez de hidrocarburos) y más

importante aún, por razones ecológicas (alteraciones de la atmósfera y el
suelo), es imperativo el desarrollo de nuevas alternativas energéticas,
menos agresivas con el ambiente. Ya que el consumo global no puede
mantenerse indefinidamente sin amenazar su propia existencia.
Actualmente los gobiernos de todo el mundo están implementando

medidas para que el cambio climático no siga dañando el planeta, se
pretende que un número significativo de países y personas utilicen energía
obtenida a partir de fuentes alternas de energía renovables como son:
energía fotovoltaica, foto-térmica, biomasa, eólica y/o combinaciones de
estas.
Las energías renovables están tomando un gran auge, debido a que las
energías fósiles como el petróleo están en decadencia, una de las energías
alternativas que se ha estado utilizando es la energía fotovoltaica, (la cual
permite reducir la contaminación ambiental y contribuir a la disminución
de emisiones perjudiciales al ambiente, por el uso implacable de
productos contaminantes) uno de los parámetros importantes a
caracterizar de las celdas solares es la eficiencia y esta se obtiene a través
de la generación de curvas I-V y en las que se debe ser cuidadosos para
no reportar eficiencias inexistentes.
Debido a que el sol es una fuente hasta ahora inagotable de energía y es
gratis para todos, la energía obtenida a partir de energía fotovoltaica es
una muy buena fuente alternativa para conseguirlo, además que no
contamina el ambiente con ruido como es el caso de la energía eólica.
12
Para obtener la energía fotovoltaica es necesario contar con celdas solares
que están constituidas por diferentes materiales semiconductores, en la
primera generación de celdas solares se usó principalmente silicio mono-
cristalino, poli-cristalino y amorfo en volumen, en la segunda generación
de celdas se tiene películas delgadas de silicio para la generación de
energía.
Para determinar la eficiencia de conversión de las celdas es muy

importante la caracterización eléctrica adecuada de las celdas comerciales
y de los dispositivos que se están desarrollando, por lo cual en este
trabajo se pretende diseñar e implementar un sistema que permita la
caracterización eléctrica de los dispositivos, a través de la generación de
las curvas I vs V.
La Universidad Tecnológica de Chihuahua cuenta con la carrera de

Energías Renovables Área Solar a nivel TSU (Técnico Superior
Universitario) e Ingeniería. El equipo desarrollado en este trabajo será
parte fundamental para el equipamiento del laboratorio y para el
desarrollo de prácticas para alumnos de estos niveles. Al mismo tiempo
este equipo contribuirá al logro de la competencia del programa educativo
tanto en TSU como Ingeniería.
En este momento es fundamental incentivar el desarrollo de una cultura

en el uso de energías renovables a través del conocimiento de la
aplicación, específicamente la energía fotovoltaica. Haciendo conciencia a
nivel medio y superior en el uso racional de la energía y promover la
aplicación de las energías renovables como es el caso de la energía solar
fotovoltaica, para satisfacer la demanda de energía eléctrica, esto se
realizará a través de las practicas con los alumnos de la UTCH.
1.1. HIPÓTESIS
Mediante la implementación del sistema de prueba para la caracterización
eléctrica de las celdas obteniendo las gráficas I-V, se podrá determinar la
eficiencia de las celdas y saber el comportamiento en oscuro e iluminadas,
esto permitirá a los alumnos de la carrera de energías renovables
observar el comportamiento de las celdas de diferentes tamaños y
determinar la eficiencia a diferentes condiciones.
13
1.2. OBJETIVO PRINCIPAL.
Desarrollar e implementar los componentes de hardware y software
requerido para un sistema de prueba para la caracterización I-V de celdas
fotovoltaicas, utilizando una plataforma de LabVIEW.
1.3. OBJETIVOS PARTICULARES.

a) Diseñar un sistema de prueba para la caracterización eléctrica de
celdas solares que permita generar las gráficas I-V.
b) Integrar los componentes del sistema y su instalación.
c) Realizar las pruebas del sistema y determinar los parámetros

eléctricos, como:
a) Corriente de corto circuito Isc

b) Voltaje de circuito abieroVoc
c) Potencia de operación Pw
d) Eficiencia máxima ηMAX
e) Factor de llenado (FF)
f) Voltaje (Vmp)
g) Corriente (Imp)
d) Elaborar un manual de prácticas que integre la aplicación y el

funcionamiento de cada uno de los componentes que forman el
sistema de prueba.
e) Validar los resultados obtenidos en las prácticas elaboradas contra

datos de referencia.
14
II. REVISION BIBLIOGRAFICA
II.1 Principios Físicos de las Celdas Solares.
Un material es un conductor cuando por él circula un flujo de carga

considerable, cuando se le aplica una tensión determinada.
Un material es aislante cuando opone muy alta resistencia al paso de la

corriente eléctrica.
Un semiconductor es un material cuya conducción se sitúa entre los

límites del conductor y del aislante.
Los materiales semiconductores más utilizados son el germanio (Ge) y el

silicio (Si), aunque en los últimos tiempos el silicio se usa masivamente,
puesto que la producción de germanio es escasa.
Existen otros materiales semiconductores, pero estos son los más usados,
debido a la facilidad de ser fabricados con un alto nivel de pureza. La
pureza del material semiconductor es sumamente importante. Los
materiales semiconductores en estado puro son aislantes, debido a que el
Silicio que es un semiconductor que cuenta con 4 electrones en su banda
de valencia y al unirse con otros átomos de Silicio forman ocho electrones
en esta banda, formando una unión estable (Cristal) y por lo tanto no
permite ningún movimiento de electrones al aplicar algún factor externo,
pero si se le adicionan una parte de impurezas pueden llegar a ser
excelentes conductores. De hecho, la adición de impurezas al material
puro es la técnica que se utiliza para conseguir que este se convierta en
semiconductor.
La capacidad de cambiar las características del material en forma tan

significativa a través de este proceso recibe el nombre de "dopado".
Otra capacidad de los materiales semiconductores es que sus

características pueden alterarse en forma significativa por la aplicación de
luz, calor o un campo magnético.
II.2 Clasificación de los Semiconductores.
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en

estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro
tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan
los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será
15
igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la
banda de conducción.
Las características de los materiales semiconductores pueden verse

alteradas por la adición de ciertos átomos de impureza a un material
relativamente puro o intrínseco. A este proceso de adición de impureza se
la llama dopaje.
Un material semiconductor que haya sido sometido al proceso de dopado

se denomina un material extrínseco.
Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación

de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p.
a) Material tipo n.
El semiconductor tipo n se obtiene a partir de la adición, al material base,

de elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia,
como el antimonio, arsénico o fósforo.
El efecto de estos elementos se observa en la figura 1, utilizando

antimonio como impureza para el dopaje del silicio.
Figura II.2.1. Generación de semiconductor tipo n [1]
La introducción de un átomo de antimonio en la red del silicio deja un

electrón libre. Este electrón se encuentra débilmente unido al átomo
original de antimonio, por lo que puede moverse libremente a través del
material tipo n. Debido a que el átomo de impureza insertado ha aportado
un electrón relativamente "libre" a la estructura, a las impurezas de este
16
tipo de material con cinco electrones de valencia se les denomina
"donadores".
b) Material tipo p.
El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de

germanio o silicio con átomos de impureza que poseen tres electrones de
valencia. Los materiales que se utilizan habitualmente para este propósito
son el boro, el galio y el indio. El efecto de uno de estos materiales, el
boro, sobre el silicio podemos verlo en la figura II.2.2.
Figura II.2.2. Generación de semiconductor tipo p [2]
El número de electrones es insuficiente para completar las uniones de los

átomos del material recién formado. A la vacante que resulta la llamamos
"hueco", representado por un pequeño círculo o signo positivo, debido a la
ausencia de una carga negativa. Por lo tanto, el hueco resultante aceptará
con facilidad un electrón "libre". A las impurezas difundidas con tres
electrones de valencia se les conoce como átomos "aceptores".
c) Flujo de electrones comparado con el flujo de huecos.
En la figura II.2.2, se muestra el efecto del hueco sobre la conducción. El

átomo de boro tiene tres electrones, luego existe un hueco que cubrir, si
un electrón de valencia de un átomo cercano (de silicio) adquiere
suficiente energía cinética para romper su unión covalente y llena un
hueco, entonces se creará un nuevo hueco en el átomo de silicio que
liberó el electrón. Este último electrón queda con carga neta positiva y
tenderá a capturar cualquier electrón del átomo que tenga más cercano y
así sucesivamente. Por tanto, existe una transferencia de huecos hacia la
17
izquierda y de electrones hacia la derecha. La corriente electrónica parece
más una circulación de huecos que de electrones.
II.3 PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS.
En el estado intrínseco, el número de electrones libres en el germanio y

en el silicio se debe sólo a aquellos electrones de la banda de valencia que
han adquirido suficiente energía, de fuentes térmicas o lumínicas, para
romper la unión covalente o a las pocas impurezas que no pudieron
eliminarse en el proceso de fabricación. En este estado intrínseco, los
huecos representan una cantidad muy pequeña. En un material tipo n, el
número de huecos no cambia significativamente de su nivel intrínseco. El
resultado neto es que el número de electrones supera por mucho al
número de huecos. Por esta razón:
En un material tipo n al electrón se le llama portador mayoritario y el

hueco es el portador minoritario.
Para el material tipo p el número de huecos supera en gran cantidad al

número de electrones. Por tanto:
En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón el

portador minoritario.
Figura II.3.1. Tipo de portadores en materiales semiconductores tipo n y p

[4]
18
II.4 CONCEPTOS BÁSICOS DE CELDAS FOTOVOLTAICAS.
Como se menciona las celdas solares están formadas por dos tipos de
semiconductores extrínsecos, el tipo p y tipo n. La luz de ciertas
longitudes de onda puede ionizar los átomos en el silicio y el campo
interno producido por la unión que separa algunas de las cargas positivas
("agujeros") de las cargas negativas (electrones) dentro del dispositivo
fotovoltaico. Los agujeros se mueven hacia la capa positiva o capa de tipo
p y los electrones hacia la negativa o capa tipo n. Aunque estas cargas
opuestas se atraen mutuamente, la mayoría de ellas solamente se pueden
recombinar pasando a través de un circuito externo fuera del material
debido a la barrera de energía potencial interno. Por lo tanto si se hace un
circuito se puede producir una corriente a partir de las celdas iluminadas,
puesto que los electrones libres tienen que pasar a través del circuito para
recombinarse con los agujeros positivos, en la figura II.4.1 se tiene una
representación del efecto fotovoltaico.
Figura II.4.1.Generacion de campo eléctrico en una unión n-p [5]
La cantidad de energía que entrega un dispositivo fotovoltaico está

determinado por:
a) El tipo y el área del material

b) La intensidad de la luz del sol
c) La longitud de onda de la luz del sol
19
Por ejemplo, las celdas solares de silicio mono cristalino actualmente no
pueden convertir más el de 25% de la energía solar en electricidad,
porque la radiación en la región infrarroja del espectro electromagnético
no tiene suficiente energía como para separar las cargas positivas y
negativas en el material.
Las celdas solares de silicio poli cristalino en la actualidad tienen una

eficiencia de menos del 20% y las celdas amorfas de silicio tienen
actualmente una eficiencia cerca del 10%, debido a pérdidas de energía
internas más altas que las del silicio monocristalino.
Una celda fotovoltaica típica de silicio monocristalino de 100 cm2 producirá

cerca de 1.5 vatios de energía a 0.5 voltios de Corriente Continua y 3
amperios bajo la luz del sol en pleno verano (el 1000Wm-2). La energía de
salida de la celda es casi directamente proporcional a la intensidad de la
luz del sol. (Por ejemplo, si la intensidad de la luz del sol se divide por la
mitad la energía de salida también será disminuida a la mitad).
Una característica importante de las celdas fotovoltaicas es que el voltaje

de la celda no depende de su tamaño, y sigue siendo bastante constante
con el cambio de la intensidad de luz. La corriente en un dispositivo, sin
embargo, es casi directamente proporcional a la intensidad de la luz y al
tamaño. Para comparar diversas celdas se las clasifica por densidad de
corriente, o amperios por centímetro cuadrado del área de la celda.
La potencia entregada por una celda solar se puede aumentar con

bastante eficacia empleando un mecanismo de seguimiento para
mantener el dispositivo fotovoltaico directamente frente al sol, o
concentrando la luz del sol usando lentes o espejos. Sin embargo, hay
límites a este proceso, debido a la complejidad de los mecanismos, y de la
necesidad de refrescar las celdas. La corriente es relativamente estable a
altas temperaturas, pero el voltaje se reduce, conduciendo a una caída de
potencia a causa del aumento de la temperatura de la celda.
Otros tipos de materiales fotovoltaicos que tienen potencial comercial

incluyen películas delgadas de diselenio de cobre e indio (CuInSe2) y
telurio de cadmio (CdTe) y silicio amorfo como materia prima.
20
II.5 CARACTERIZACIÓN I-V
Las celdas solares fotovoltaicas (FV) están hechas de materiales

semiconductores que pueden convertir la radiación incidente del espectro
solar a corriente eléctrica. Las celdas fotovoltaicas son comúnmente
hechas de silicio y vienen en dos variedades, en volumen y en forma de
película delgada, como se detalla en la Tabla 1.
Tabla II.5.1 –Celdas fotovoltaicas cristalina (basada en obleas) y de

película delgada.
TIPO GRANEL / BASADA EN OBLEA (CRISTALINO)
Si Mono- Si Poli-cristalino Banda Poli-cristalina

cristalino
Ventaja Alta eficienciaAlta eficiencia con
respecto al precio.
Desventaja Incrementa los costos de
manufactura causados por la escasez
de suministros de silicio.
TIPO PELÍCULA DELGADA
Si Amorfo CIGS CdTe Polímero Orgánico
Ventaja Bajo costo d) Bajo costo f) Muy poca
e) Capaz de fabricación
automatizar g) Puede ser más
todo el proceso eficiente (aún en
de fabricación. investigación)
Desventaja Baja eficiencia Baja eficiencia
Cuando un fotón es absorbido por un material semiconductor, este

aumenta la energía de un electrón de la banda de valencia, empujándolo
hacia la banda de conducción. Esto ocurre cuando la energía de los
fotones incidentes es mayor que la energía de banda prohibida. El electrón
de la banda de conducción produce una corriente que se mueve a través
del material semiconductor.
Figura II.5.1 Esquema general del efecto fotoeléctrico [6]
21
Figura II.5.2. Sección transversal de una celda fotovoltaica [7]
La cantidad de corriente generada por la excitación de fotones en una

celda fotovoltaica a una temperatura dada se ve afectada por la luz
incidente en dos formas:
Por la intensidad de la luz incidente.
Por la longitud de onda de los rayos incidentes.
Los materiales utilizados en las celdas fotovoltaicas tienen diferentes

respuestas espectrales a la luz incidente, y exhiben una sensibilidad
variable con respecto a la absorción de fotones a longitudes de onda
dadas. Cada material semiconductor tendrá una frecuencia de umbral de
la radiación incidente, por debajo del cual no hay electrones que sean
sometidos al efecto fotovoltaico. Por encima de la frecuencia umbral, la
energía cinética del fotoelectrón emitido varía en función de la longitud de
onda de la radiación incidente, pero no tiene ninguna relación con la
intensidad de la luz. El aumento de la intensidad de luz proporcionalmente
aumentará la velocidad de emisión de fotoelectrones en el material
fotovoltaico. En aplicaciones reales, la luz absorbida por una celda solar
será una combinación de radiación solar directa, así como la luz difusa
que rebota de superficies circundantes. Las celdas solares están
generalmente recubiertas con material anti-reflejante con el fin de que
estas puedan absorber la máxima cantidad de radiación posible.
Las celdas fotovoltaicas pueden estar dispuestas en una configuración en

serie para formar un módulo, y los módulos se pueden conectar en
configuraciones serie paralelo para formar matrices. Al conectar las celdas
o módulos en serie, deben tener la misma capacidad de corriente para
22
producir una salida de tensión aditivo, y de manera similar, los módulos
deben tener el mismo voltaje cuando se conecta en paralelo para producir
grandes corrientes.
Celda Módulo Arreglo
Figura II.5.3. Configuraciones de paneles solares [8]
Las celdas fotovoltaicas se pueden modelar como una fuente de corriente

en paralelo con un diodo. Cuando no hay presencia de luz para generar
cualquier corriente, la celda fotovoltaica se comporta como un diodo.
Cuando la intensidad de luz incidente aumenta, se genera corriente por la
celda fotovoltaica, como se ilustra en la Figura II.5.4.
Figura II.5.4. Curva I-V de la celda fotovoltaica y el diagrama eléctrico

asociado [9]
En una celda ideal, la corriente total I es igual a la corriente I ℓ generado

por el efecto fotoeléctrico menos la corriente del diodo (ID), de acuerdo
con la ecuación:
= − = − −
23
Donde:
Io es la corriente de saturación del diodo, q es la carga elemental 1.6x10-

19
culombios, k es una constante de valor 1.38x10-23J / K, T es la
temperatura de la celda en grados Kelvin, y V es el voltaje de la celda que
está siendo medida.
Ampliación de la ecuación da el modelo de circuito simplificado se muestra

a continuación y la siguiente ecuación asociada, donde n es el factor de
idealidad del diodo (típicamente entre 1 y 2), y RS y RSH representa la
resistencia en serie y resistencias de derivación que se describen en
mayor detalle más adelante, ver figura II.5.5.
∗
∗
= − ∗ ∗ − −
Figura II.5.5. Modelo simplificado de circuito equivalente de una celda

fotovoltaica [10]
La curva I-V de un sistema de iluminación con celda fotovoltaica tiene la

forma mostrada en la Figura II.5.6, la tensión a través de la carga de
medición es barrido de cero a Voc, y muchos parámetros de
funcionamiento para la celda puede ser determinada a partir de estos
datos, tal como se describe en las siguientes secciones.
24
Figura. II.5.6. Iluminado I-V Curva de barrido [11]
II.6. CORRIENTE DE CORTOCIRCUITO (Isc)

La corriente de cortocircuito Isc corresponde a la condición de
cortocircuito cuando la impedancia es baja y se calcula cuando la tensión
es igual a 0.
I (para V=0) = ISC
Isc se produce al comienzo del barrido de polarización directa y es el valor

máximo actual. Para una celda ideal, este valor de corriente máxima es la
corriente total producida en la celda solar por excitación fotónica.
ISC = IMAX = Iℓ para polarización directa.
II.7. VOLTAJE DE CIRCUITO ABIERTO (Voc)
La tensión de circuito abierto (Voc) se produce cuando no hay corriente

que pasa a través de la celda.
V (para I=0) = VOC
Voc es también la diferencia de voltaje máximo a través de la celda para

un barrido de polarización.
Voc = Vmax para polarización directa
25
II.8. POTENCIA MÁXIMA (Pmax)
La energía producida por la celda en Watts se puede calcular fácilmente a
lo largo del barrido I-V por la ecuación P = IV. En los puntos de Isc y Voc,
la potencia será igual a cero y el valor máximo para la energía se
producirá entre los dos. La tensión y la corriente en este punto de máxima
potencia se indican como VPM y el IMP, respectivamente, ver figura II.8.1.
Figura II.8.1 Potencia máxima para un barrido de la I-V [12]
II.9. FACTOR DE LLENADO (FF)

El factor de llenado (FF) es esencialmente una medida de la calidad de la
celda solar. Se calcula mediante la comparación de la potencia máxima a
la potencia teórica (PT) que sería de salida en tanto la tensión de circuito
abierto y la corriente de cortocircuito juntos. FF también puede
interpretarse gráficamente como la relación de las áreas rectangulares
representadas en la Figura II.9.1.
Figura II.9.1. Conseguir el factor de relleno de la Barra IV [13]
26
Un factor de llenado más grande es deseable, y corresponde a un barrido
I-V que es más como un cuadrado. Factores de llenado típicos varían de
0,5 a 0,82. Factor de llenado es a menudo representado como un
porcentaje.
II.10. LA EFICIENCIA (η)

La eficiencia es la relación de la potencia eléctrica de salida (Pout), en
comparación con la entrada de energía solar, (potencia que entra a la
celda “Pin”). La Potencia de salida (Pout) se puede tomar para ser la PMAX
ya que la celda solar puede ser operada hasta su máxima potencia de
salida para obtener la máxima eficiencia.
ŋ= ⇒ ŋ =
La potencia que entra (Pin) se toma como el producto de la irradiación de

la luz incidente, medida en W/m2 o en soles (1000 W/m2), con la
superficie de la celda solar [m2]. La eficiencia máxima (ηMAX) encontrada
a partir de una prueba de la luz no es sólo una indicación del rendimiento
del dispositivo bajo prueba, pero, al igual que todos los parámetros I-V,
también puede verse afectada por las condiciones ambientales tales como
la temperatura y la intensidad y espectro de la luz incidente. Por esta
razón, se recomienda probar y comparar las celdas fotovoltaicas utilizando
iluminación similar y condiciones de temperatura.
II.11. LA RESISTENCIA DE DERIVACIÓN (RSH) Y LA

RESISTENCIA SERIE (RS).
Durante el funcionamiento, la eficiencia de las celdas solares se reduce
por la disipación de energía a través de resistencias internas. Estas
resistencias parásitas se pueden modelar como una resistencia en
derivación en paralelo (RSH) y resistencia en serie (RS), como se ilustra
en la Figura II.11.1.
Para una celda ideal, RSH sería infinito y no proporcionaría una ruta
alternativa para que la corriente fluya, mientras RS sería cero, por lo que
no hay caída de tensión adicional antes de la carga.
27
La disminución de RSH y el aumento de RS disminuirá el factor de llenado
(FF) y PMÁX como se muestra en la Figura II.11.1. Si RSH se reduce
demasiado, Voc se reducirá, al tiempo que si aumenta excesivamente RS
puede causar Isc a caer en su lugar.
Figura II.11.1. Efecto de la divergencia de RS & RSH de la idealidad [14]
La resistencia serie se origina por la oposición a la corriente en el

emisor, la base, los electrodos de la celda solar y los contactos o uniones
entre estos y el semiconductor. A mayor resistencia serie, menor será el
factor de forma (FF) de la celda. La parte de la curva I-V más afectada por
la resistencia serie es la que va desde el punto de máxima potencia al de
circuito abierto. En primera aproximación la resistencia serie puede
obtenerse de la curva I-V como la pendiente de la curva en el punto de
circuito abierto. Para reducir la resistencia serie es clave realizar un buen
diseño de la celda solar, en el que los contactos metálicos frontales sean
óptimos.
La resistencia paralela ofrece un camino alternativo para la corriente

foto-generada. En lugar de fluir a través de la unión p-n, fluye a través de
la resistencia paralelo, de modo que se reduce el voltaje de la celda.
Cuanto menor sea la resistencia paralelo, más corriente podrá desviarse
por ella, y más se reducirá el factor de forma de la celda y por tanto su
eficiencia. El impacto de esta resistencia paralelo es elevado sobre todo
cuando la celda trabaja a baja irradiancia. La resistencia paralela afecta
sobre todo al primer tramo de la curva I-V y puede calcularse como el
inverso de la pendiente de la curva I-V en el punto de cortocircuito. La
resistencia paralelo baja suele tener su origen en defectos de fabricación,
28
por lo que para maximizarla es necesario mantener un buen control del
proceso productivo.
Fig. II.11.2. Impacto de la resistencia serie en el funcionamiento de una

celda solar [15]
Fig. II.11.3. Impacto de la resistencia paralelo en el funcionamiento de

una celda solar [16]
Si la luz incidente se impide para excitar la celda solar, la curva I-V que se
obtiene se muestra en la Figura II.11.3. Esta curva I-V es simplemente un
reflejo de la "No Light", como la curva de la Figura II.11.3 por el eje de V.
La pendiente de la región lineal de la curva en el tercer cuadrante
(polarización inversa) es una continuación de la región lineal en el primer
cuadrante, que es la misma región lineal utilizada para calcular RSH. De
ello se deduce que RSH se puede derivar de la trama I-V obtenido con o
sin proporcionar excitación de luz, incluso cuando la alimentación se
obtiene a la celda. Es importante hacer notar, sin embargo, que para las
29
celdas reales, estas resistencias son a menudo una función del nivel de
luz, y pueden diferir de valor entre la luz y las pruebas oscuras.
Figura II.11.4. Curva I-V de la célula solar sin luz de excitación [17]
II.12. CONSIDERACIONES DE MEDICIÓN DE

TEMPERATURA
Los cristales utilizados para fabricar celdas fotovoltaicas, como todos los
semiconductores, son sensibles a la temperatura. En la Figura II.12.1, se
muestra el efecto de la temperatura sobre una curva I-V. Cuando una
celda FV está expuesta a altas temperaturas, el Isc se incrementa
ligeramente, mientras que disminuye más significativo el Voc.
Figura II.12.1. Efecto de la temperatura en la I-V Curva [18]

30
Para un conjunto especificado de condiciones ambientales, aumento de la
temperatura en una disminución en la potencia de salida máxima PMAX.
Puesto que la curva I-V variará de acuerdo con la temperatura, es
beneficioso para registrar las condiciones en que se llevó a cabo el barrido
I-V
II.13. CURVAS I-V DE LOS MÓDULOS.
Para un módulo o conjunto de celdas fotovoltaicas, la forma de la curva I-

V no cambia. Sin embargo, se escala basada en el número de celdas
conectadas en serie y en paralelo. Cuando n es el número de celdas
conectadas en serie y m es el número de celdas conectadas en paralelo e
Isc y Voc son valores para las celdas individuales, la curva I-V que se
genera se muestra en la Figura II.13.1
Figura II.13.1 Curva I-V de módulos y matrices [19]
II.14. PRUEBA DE CELDAS FOTOVOLTAICAS
Dos pruebas sencillas se pueden realizar para obtener todos los datos
necesarios para la caracterización I-V de celdas solares. Estas pruebas son
de polarización directa (iluminado) y la prueba de polarización inversa
(oscuro).
31
Prueba de polarización directa (Iluminado)
La prueba de polarización directa proporciona la curva I-V de iluminación

de una celda fotovoltaica según se describe en la sección anterior. En una
prueba de luz, un barrido I-V se lleva a cabo donde la tensión es
arrastrada hacia arriba a partir de V = 0, mientras se hace la medición
de la corriente de “sinking”. Los siguientes valores se pueden calcular
utilizando la prueba de polarización directa (iluminado):
Voltaje de circuito abierto (Voc)
Corriente de cortocircuito (ISC)
Potencia máxima (Pmax) Corriente en Pmax (Imp), Tensión en el PMAX (VMP)
Factor de llenado (FF)
Eficiencia máxima (ηMAX)
Prueba de polarización inversa (oscura)
Mediante el bloqueo de toda la luz para evitar que se excite una celda
fotovoltaica, la celda puede ser probada como un elemento diodo pasivo
para determinar sus propiedades de diodos y resistencias internas de
descomposición. Los parámetros I-V que se pueden obtener a través de la
polarización inversa (oscuro) de ensayo son los siguientes:
La resistencia de derivación (RSH)
Resistencia serie (RS)
II.15. CONSIDERACIONES SOBRE LAS CONDICIONES

AMBIENTALES
Muchos de los parámetros de análisis I-V, incluyendo la máxima eficiencia

(ηMAX), se ven afectados por las condiciones ambientales tales como la
temperatura y la intensidad y el espectro de la luz incidente. Por esta
razón, se recomienda para probar y comparar las celdas fotovoltaicas
utilizando iluminación similar y las condiciones de temperatura.
32
Celdas fotovoltaicas que se utilizan en el espacio normalmente se prueba
en las condiciones de masa de aire 0 (AM0), mientras que las celdas
terrestres son examinados usando el estándar de la masa de aire 1,5
(AM1.5). Además, las celdas son típicamente probadas a una temperatura
de 25 ° C y con una intensidad luminosa de 1 sol (1000 W/m2).
II.16. PRUEBA TÍPICA I-V DEL SISTEMA

La caracterización eléctrica de celdas o módulos fotovoltaicos se inicia con
una fuente de luz que proporciona la radiación incidente para excitar la
celda. A continuación, una interfaz como el NI USB-6008 se utiliza para
hacer el barrido del voltaje y medir la corriente de la celda fotovoltaica o
módulo. Además, varios sensores se requieren para medir las condiciones
ambientales en las que se realiza la prueba. Un medidor de intensidad de
la luz, o piranómetro, se utiliza para medir la irradiación de la luz
incidente y un sensor de temperatura (termopar, termistor, o RTD) es
necesario para obtener la temperatura a la que se lleva a cabo la prueba.
Un sistema de adquisición de datos con funciones de entradas analógicas
(DAQ), se utiliza para adquirir estas mediciones de los sensores y junto
con la interfaz con una computadora.
Se utiliza la plataforma de LabVIEW para calcular y graficar los datos de

caracterización I-V de la celda obtenidos a través de la interfaz de
adquisición de datos.
Estas curvas permiten situar el punto de máxima transferencia de

potencia (Ppmp) de la celda fotovoltaica. La obtención de las curvas I-V y
P-V se puede realizar mediante cargas electrónicas variables de elevado
costo. El objetivo de este proyecto es el de diseñar e implantar un
dispositivo o sistema capaz de caracterizar celdas fotovoltaicas, es decir,
medir la curva I-V con los medios disponibles en el laboratorio. Haciendo
del dispositivo una herramienta económica y eficaz a la vez.
La caracterización se realiza a través de la medición de voltaje y corriente

en un estándar internacional basados en una masa de aíre AM de 1.5, una
irradiación de 1000 W/m² y a una temperatura ambiente de 25°C.
Software como LabVIEW se utiliza para adquirir, analizar y mostrar los

resultados de las pruebas de caracterización I-V y evaluar los principales
parámetros de rendimiento para la celda solar.
33
CAPÍTULO III. METODOLOGÍA EXPERIMENTAL.
III.1. Diseño y construcción del sistema de prueba.
El sistema fue diseñado en tres secciones, la primera ubicada en la parte

superior donde se tienen dos lámparas halógenas de 500W cada una, en
la segunda se encuentra la celda a caracterizar, el sensor de temperatura,
la resistencia calefactora y el luxómetro, en la tercera se ubica el sistema
de control electrónico formado por un amplificador de voltaje, fuente de
poder, tarjeta de adquisición de datos (DAQ) y caja de resistencia
variable.
Primera Sección:
Segunda Sección
Tercera Sección
Fig. III.1.1. Módulo de Prueba.

34
III.1.1. Sección de lámparas.
En esta sección se ubican las dos lámparas halógenas de 500W cada una
para aplicar la radiación luminosa hacia la celda FV.
Fig. III.1.1.1. Sección de las lámparas.
En esta sección las lámparas están colocadas sobre un mecanismo que

permite variar el ángulo de las mismas con el propósito de que la luz que
recibe la celda tenga cierta inclinación para simular el movimiento del sol.
Inicialmente las lámparas quedan a 25° cada una con respecto a la celda,
simulando la radiación solar máxima (12:00 a 14:00 hrs), la siguiente
inclinación de 50° y 0° con respecto a la celda, simula una radiación solar
considerando de 10:00 a 12:00 hrs y la siguiente inclinación con respecto
a la celda de 70° y 115°, simulando una radiación solar considerando de
16:00 a 18:00 hrs aproximadamente.
35
III.1.2. Sección de la celda a caracterizar.
Fig. III.1.2.1. Sección de la celda a caracterizar.
En esta sección es donde se coloca la celda a caracterizar y a su vez esta

se puede manipular verticalmente de tal manera que se acerca o se aleja
la celda de las lámparas para experimentar en qué punto la celda
presenta su máxima eficiencia. En esta base también se instala el sensor
de temperatura, la resistencia calefactora y el luxómetro.
Los parámetros de la celda que se utiliza para este proyecto son los
siguientes:
• Voltaje (V) = 3 V
• Corriente (I) = 150 mA
• Voltaje de circuito abierto (Voc) = 4.72 V
• Corriente de corto circuito (Isc) = 202 mA
• Voltaje Máximo (Vm) = 3.714 V
• Corriente Máxima (Im) = 193.87 mA
• Potencia Máxima (Pm) =582.527 mW
36
III.1.3. SENSOR DE TEMPERATURA.
Sensor de Temperatura: Este componente es un transductor (LM35) que

convierte el calor a un voltaje el cual se conecta a una entrada analógica
de la tarjeta de adquisición de datos (DAQ NI-USB 6008.).
El sensor de temperatura está diseñado en base a un circuito LM35. Este

circuito es un sensor de temperatura integrado de precisión, cuya tensión
de salida es linealmente proporcional a temperatura en grados
centígrados. El LM35 por lo tanto tiene una ventaja sobre los sensores de
temperatura lineal calibrada en grados Kelvin: que el usuario no está
obligado a restar una gran tensión constante para obtener grados
centígrados. El LM35 no requiere ninguna calibración externa o ajuste
para proporcionar una precisión típica de ±1.4°C a temperatura ambiente
y ±3.4°C a lo largo de su rango de temperatura (de -55 a +150°C). El
dispositivo se ajusta y calibra durante el proceso de producción. La baja
impedancia de salida, la salida lineal y la precisa calibración inherente,
permiten la creación de circuitos de lectura o control especialmente
sencillos. El LM35 puede funcionar con alimentación simple (con referencia
a tierra) o alimentación diferencial (+ y -, voltaje positivo y negativo).
Requiere solo 60μA para alimentarse, y bajo factor de auto-calentamiento,

menos de 0.1°C en aire estático. LM35 está preparado para trabajar en
una gama de temperaturas que abarca desde los -55°C bajo cero a
+150°C.
La salida del circuito LM35 entrega un factor de escala lineal de voltaje del
orden de los mili-volts (mV) de +10mV/°C (0mV+10mV/°C).
El LM35 es un componente que en su salida proporciona voltaje en el

orden de mili-volts y debido a que la DAQ NI6008 solo acepta en sus
entradas analógicas niveles de voltaje de 1 a 10 volts, se diseña un
circuito con el LM35 adicionándole un sumador de dos voltajes utilizando
el circuito amplificador operacional TL082, el cual uno de ellos es una
referencia de dos (2) volts y el otro es el que proporciona el LM35.
37
Fig. III.1.3.1. Circuito del sensor para medición de la temperatura.
Tarjeta del circuito

del sensor LM35
Fig. III.1.3.2. Tarjeta del sensor LM35
38
III.1.4. LA RESISTENCIA CALEFACTORA.
La resistencia es del tipo de alambre. Esta resistencia es para generar
calor a la celda que se tiene bajo prueba, con el fin de observar el
comportamiento de la curva I-V a diferentes temperaturas.
La resistencia es de 100 Watts, 120 Volts de corriente alterna (VCA), la

temperatura que soporta es aproximadamente de 200°C. Para lograr una
temperatura de 80°C se debe de variar el voltaje de la resistencia a 60
VCA.
Fig. III.1.4.1. Resistencia calefactor
III.1.5. Luxómetro digital.

El luxómetro se utiliza para medir la intensidad de luz que incide sobre la
celda FV.
Este dispositivo presenta el valor de luxes que inciden sobre la celda

fotovoltaica, tiene la capacidad de medir diferentes tipos de luces:
tungsteno, fluorescente, sodio y mercurio a diferentes escalas.
Fig. III.1.5.1. Luxómetro
39
III.1.6. SISTEMA DE CONTROL ELECTRÓNICO.
En este apartado se localiza la parte de control para la caracterización de

la celda y consta de una fuente de poder de ±12Vcd, un amplificador de
voltaje, la carga resistiva y la tarjeta de adquisición de datos.
III.1.7. FUENTE DE PODER.
Esta fuente de poder es la que proporciona el voltaje diferencial al circuito

amplificador y el voltaje al circuito del sensor de temperatura, en la
figura III.1.7.1, se muestra el circuito de la fuente de poder.
Fig. III.1.7.1. Fuente de poder
La fuente de poder está conformada por cuatro etapas esenciales que son:
1) El transformador: Componente eléctrico que se utiliza en corriente

alterna para aumentar o disminuir el voltaje. En este caso su
función es reducir el voltaje de 127 Volts de corriente alterna (Vca)
a 24 Vca.
2) El rectificador: Formado por cuatro diodos rectificadores, la función
es convertir la corriente alterna en corriente directa.
3) El filtro o etapa de filtrado: Constituido por un capacitor electrolítico
de 2200uF (micro-Faradios), cuya función principal es reducir la
cresta que se genera al convertir la corriente alterna en directa, con
el fin de lograr lo más pura posible la corriente directa.
40
4) Regulación: Constituido por los circuitos reguladores de voltaje 7812
y 7912, cuya función principal es generar en su salida una señal
regulada pura y limpia de corriente directa, la cual siempre
mantendrá un voltaje fijo sin importar las variaciones que se genere
en la etapa del transformador.
III.1.8. AMPLIFICADOR DE VOLTAJE.

El amplificador de voltaje permite incrementar diez veces el voltaje que
recibe en una de sus dos entradas, en este caso, es en su entrada no
inversora. El voltaje de salida de celdas que proporcionen un voltaje
menor de un (1) volt bajo prueba. El circuito amplificador de voltaje se
diseña para lograr caracterizar celdas FV que proporcionan un voltaje
menor de un (1) volt. Este circuito amplificador está diseñado para
proporcionar un factor de amplificación de 10, esto quiere decir que si la
celda a medir nos proporciona un voltaje de 100 mili-volts (mV), este
voltaje será el que entra en el circuito amplificador y a la salida da un
voltaje de un (1) volts. Cabe señalar que esta amplificación de voltaje se
requiere debido a que la tarjeta de adquisición de datos utilizada para este
proyecto solo acepta en sus entradas analógicas voltajes de 1 a 10 volts.
En la figura III.1.8.1 se muestra el circuito del amplificador.
Figura III.1.8.1 Circuito amplificador de voltaje
41
En este circuito amplificador se utiliza el circuito LM741 (amplificador
operacional). Se utiliza la entrada no inversora donde se conecta el voltaje
de la celda.
III.1.9. CARGA RESISTIVA.
Se diseña una carga resistiva para conectarla al voltaje de salida de la

celda FV, esto con el propósito de calcular la corriente que entrega la
celda al momento de la caracterización y poder graficar la corriente (I) y
el voltaje (V).
Este módulo de cargas resistivas consiste de dos grupos de diez

resistencias con valor de 1.2 ohms con una tolerancia de +/- 5%. Cada
grupo de diez resistencias se conectan en serie a partir del común y entre
cada posición a dos selectores de 10 posiciones cada uno. Ver figura
III.1.9.2.
Al inicio de las pruebas, cada Selector (R1 y R2), deben estar en la

posición donde inicia el primer valor de resistencia, en este caso es de 1.4
ohms, ver figura III.1.9.1. De esta forma se le va incrementando la carga
a la celda hasta llegar a la décima posición del selector. Los selectores R1
y R2 se deben de mover simultáneamente hasta llegar a la posición diez.
De esta manera se varía la carga máxima de 25 ohms que acepta la celda

que se utiliza para este proyecto.
42
Fig. III.1.9.1 Módulo de carga resistiva para la celda FV
Fig. III.1.9.2 Circuito de la carga resistiva para la celda FV
43
En la figura anterior se puede ver un interruptor (SW3) el cual conecta o
desconecta el circuito del amplificador. La variable “Vcc” es el valor del
voltaje que proporciona la celda FV que se está midiendo para generar la
curva de I-V. La variable “V” es el voltaje que se deriva de un divisor de
voltaje entre los selectores R1 y R2 de la carga resistiva. Este voltaje
entra al circuito amplificador para el caso de celdas que proporcionen
voltajes menores a la unidad (el valor mínimo es de 100mV), con el fin de
ser amplificado diez veces y posteriormente conectarlo a una entrada de
la tarjeta de adquisición de datos (DAQ). O bien, este voltaje va directo a
una entrada analógica de la DAQ para celdas FV que proporcionen voltajes
mayores a la unidad (1 a 10V).
Fig. III.1.9.3. Diagrama de conexión de la carga resistiva a la celda FV
III.1.10. TARJETA DE ADQUISICIÓN
La tarjeta de adquisición de datos que se utiliza para este proyecto es de

National Instruments número NI USB-6008, a continuación se proporciona
las características principales:
· 8 entradas analógicas (12-bits, 10kS/s)

· 2 salidas analógicas (12-bits a 150 S/s)
· Software controlador NI-DAQmx y software interactivo NI LabVIEW
SignalExpress LE para registro de datos.
Ver anexo XX, especificaciones de la tarjeta de adquisición de datos NI

USB 6008.
44
En la fig. III.1.10.1 se muestra la tarjeta de adquisición de datos, que
consiste en dos conectores laterales, uno para las entradas/salidas
analógicas y el otro para las entradas/salidas digitales. Las conexiones de
las entradas/salidas son por medio de tornillos. Además cuenta con un
conector tipo USB para conectar a la computadora.
Fig. III.1.10.1. Tarjeta de adquisición de datos NI USB 6008
El software NI-DAQmx se utiliza para configurar la tarjeta de adquisición de datos.

Las siguientes figuras fig. III.1.10.2., fig. III.1.10.3., fig. III.1.10.4., fig. III.1.10.5. y fig.
III.1.10.6., son los pasos a seguir para configurar la tarjeta de adquisición de datos y
a su vez esta sea reconocida por el programa LabVIEW. Estos pasos se detallan a
continuación.
Indica el tipo de señal que se va a adquirir, para este caso es una señal analógica,
por lo tanto se selecciona “Analog Input”.
45
Fig. III.1.10.2. Se define el tipo de señal de entrada a adquirir , en este caso es
analógica.
Fig. III.1.10.3. En esta ventana se selecciona el voltaje como entrada

analógica
46
Fig. III.1.10.4. En esta ventana se selecciona el canal analógico de
entrada.
Fig. III.1.10.5. En esta ventana se ajusta máximo y minino de voltaje y se

define el tamaño de la muestra a adquirir.
47
Fig. III.1.10.6. En esta ventana se muestra el icono que indica que el
programa de LabVIEW establece comunicación con la tarjeta de
III.1.11. PROGRAMACIÓN DEL SISTEMA DIDACTICO

PARA CARACTERIZACIÓN DE CELDAS FV.
III.1.11.1. INTRODUCCIÓN A LabVIEW.

En esta sección se da una descripción general del entorno del programa
LabVIEW y del lenguaje gráfico G. Se establece el significado de
instrumento virtual y sus componentes como son: Panel Frontal,
Diagrama de Bloques, Icono/Conector. Se establece una metodología de
diseño para un programa arbitrario y creamos un Sub-instrumento virtual
del cual se pueda disponer en otras aplicaciones.
LabVIEW (Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench), es un

sistema de programación de propósito general, con extensas librerías de
funciones y herramientas de desarrollo, similar a cualquier otro sistema
moderno para programar en C, Basic, etc.
LabVIEW además incluye librerías de funciones diseñadas específicamente

para realizar: adquisición de datos, análisis de señales, control de
instrumentos con interfaces paralelo, serie y GPIB, presentación de
información y almacenamiento de datos. Como en otros sistemas de
48
programación LabVIEW también incluye herramientas de desarrollo, tales
como puntos de paro, ejecución por paso, y animación para observar
gráficamente el flujo de datos. El ambiente de desarrollo de LabVIEW
permite crear programas en lenguaje gráfico G, cuyo principal diferencia
en otros lenguajes tradicionales es que en estos la programación se basa
en líneas de texto para crear el código fuerte, mientras que en G el código
se genera en forma de diagramas a bloques, el cual elimina los detalles de
sintaxis. Los programas escritos en el lenguaje gráfico G de LabVIEW se
llaman instrumentos virtuales porque su aplicación y operación pueden
imitar a un instrumento real. Los instrumentos virtuales son similares a
las funciones de otros lenguajes convencionales.
Un instrumento virtual (VI) es un programa escrito en lenguaje gráfico G

que tiene todas las características de un instrumento real. En particular,
un VI tiene un panel frontal desplegado en la pantalla de la computadora
y es operado con el teclado y/o el ratón. Un programa en LabVIEW
representa una interconexión de componentes (objetos) que ejecutan la
función de instrumento virtual, y puede establecer una interface de
comunicación con otros Vis. Un operador puede controlar un VI desde su
panel frontal y otro VI puede controlarlo programáticamente a través de
una interface de llamado. Un VI puede ser llamado por otro VI de mayor
jerarquía. Un VI que se encuentra dentro de otro VI de mayor nivel es
llamado subinstrumento virtual (SubVI), Y es un equivalente en G de las
funciones o subrutinas de otros lenguajes. Esta habilidad jerárquica de
diseñar Vis es importante porque permite programar en forma modular
sistemas grandes y complejos. El lenguaje gráfico G simplifica los cálculos
científicos, el monitoreo y control de procesos, y las aplicaciones de
prueba y medición.
Un instrumento virtual es un programa en LabVIEW cuya apariencia y

operación simulan a un instrumento real y consta de tres elementos
importantes: Panel Frontal, Diagrama a Bloques, Icono/Conector. En las
siguientes líneas se describen estos tres elementos.
Panel Frontal. Es una interface interactiva, que simula el panel de un

instrumento real. El panel frontal de un VI es una combinación de
controles (entradas del usuario por medio del teclado y el ratón, en forma
de perillas, botones, valores numéricos, etc.), e indicadores (salidas del
programa en forma de lecturas digitales, gráficos, tablas, etc.). Los
controles tienen elementos usados en el diagrama a bloques del VI, los
indicadores muestran datos medidos o generados por el mismo. En la
figura III.1.11.1, se muestra el panel frontal de un VI llamado
“Temperature Running Average.vi”.
49
Figura III.1.11.1. Panel frontal de un VI
Diagrama a bloques: Es un diagrama de iconos interconectados por flujo

de datos y representa el código fuerte del VI en lenguaje gráfico G. El
diagrama se construye alambrando objetos que envían o reciben datos,
realizan funciones específicas y controlan el flujo de ejecución. Los objetos
del panel frontal tienen una correspondiente terminal en el diagrama de
bloques, de tal manera que se pueden pasar datos entre el usuario y el
programa. En la figura III.1.11.2, se muetra el diagram de bloques de un
VI.
Figura III.1.11.2. Diagrama de bloques de un VI.
50
CAPITULO IV. RESULTADOS Y DISCUSIÓN.
IV.1 RESULTADOS.
IV.1.1. OBTENCIÓN DE CURVA I-V Y PARÁMETROS DE LA
CELDA CON LAS SIGUIENTES CONDICIONES.
IV.1.1.1. Datos obtenidos en laboratorio utilizando el
programa LabVIEW.
A continuación se muestran 7 pruebas realizadas en laboratorio a partir de
los datos adquiridos: el voltaje de la celda (AI0), voltaje de la
temperatura de la celda (AI4) y la intensidad de luz (luxes).
Bajo las siguientes condiciones se obtiene la gráfica I-V y los parámetros

que se indican en la fig.IV.1.1.1.1.
Distancia de la celda a las lámparas: 20 cm.
Inclinación de las lámparas: 25°
Área de la Celda: 0.0135 m²
Temperatura ambiente: 27°C

pm
Tiempo # Lecturas Voltaje Corriente

02/04/2014 12:53:06.815 PM 0 0.737641791 0.25882168
02/04/2014 12:53:06.890 PM 1 1.426820119 0.26570207
02/04/2014 12:53:06.895 PM 2 2.118523742 0.26884819
02/04/2014 12:53:06.902 PM 3 2.810225638 0.26995443
02/04/2014 12:53:06.906 PM 4 3.448799607 0.26755621
02/04/2014 12:53:06.911 PM 5 3.735983755 0.23750691
02/04/2014 12:53:06.918 PM 6 4.04152105 0.22565723
02/04/2014 12:53:06.922 PM 7 4.123456179 0.20183339
02/04/2014 12:53:06.927 PM 8 4.220243285 0.18380851
02/04/2014 12:53:06.934 PM 9 4.285485904 0.16911941
51
0.3
0.25
0.2
0.15 Series1
0.1
0.05
0
0 1 2 3 4 5
FIG IV.1.1.1.1 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio 12:53

pm


pm
02/04/2014 01:13:31.414 PM 0 0.57367268 0.20128866
02/04/2014 01:13:31.496 PM 1 1.059867452 0.19736824
02/04/2014 01:13:31.500 PM 2 1.649955882 0.20938526
02/04/2014 01:13:31.505 PM 3 2.199259671 0.21126414
02/04/2014 01:13:31.512 PM 4 2.632464016 0.20422529
52
02/04/2014 01:13:31.516 PM 5 3.196532788 0.20321251
02/04/2014 01:13:31.521 PM 6 3.694503024 0.20628158
02/04/2014 01:13:31.527 PM 7 3.878485416 0.18984265
02/04/2014 01:13:31.532 PM 8 4.016356264 0.17492841
02/04/2014 01:13:31.537 PM 9 4.081404754 0.1610657
0.25
0.2
0.15
0.1 Series1
0.05
0
0 1 2 3 4 5
FIG IV.1.1.1.2 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio 1:13 pm

53
pm
02/04/2014 01:08:02.610 PM 0 0.75813793 0.26601331
02/04/2014 01:08:02.659 PM 1 1.487978897 0.27709104
02/04/2014 01:08:02.663 PM 2 2.281503867 0.28953095
02/04/2014 01:08:02.667 PM 3 2.973149896 0.28560518
02/04/2014 01:08:02.675 PM 4 3.612066726 0.2802224
02/04/2014 01:08:02.679 PM 5 3.835882082 0.24385773
02/04/2014 01:08:02.683 PM 6 4.0823467 0.22793672
02/04/2014 01:08:02.690 PM 7 4.164284639 0.20383185
02/04/2014 01:08:02.695 PM 8 4.220243285 0.18380851
02/04/2014 01:08:02.699 PM 9 4.285485904 0.16911941
0.4
0.3
0.2
Series1
0.1
0
0 1 2 3 4 5

Distancia de la celda a las lámparas: 15 cm
Inclinación de las lámparas: 50° C
Área de la Celda: 0.0135 m2
Temperatura ambiente: 27° C
54
pm
TIEMPO # LECTURAS VOLTAJE CORRIENTE
07/04/2014 07:25:09.667 PM 0 1.045083873 0.3666961
07/04/2014 07:25:09.711 PM 1 2.038407898 0.37959179
07/04/2014 07:25:09.716 PM 2 2.913051851 0.36967663
07/04/2014 07:25:09.723 PM 3 3.624846927 0.34820816
07/04/2014 07:25:09.727 PM 4 3.877375793 0.30080495
07/04/2014 07:25:09.732 PM 5 3.935780409 0.25020854
07/04/2014 07:25:09.739 PM 6 4.102759525 0.22907647
07/04/2014 07:25:09.743 PM 7 4.164284639 0.20383185
07/04/2014 07:25:09.747 PM 8 4.220243285 0.18380851
07/04/2014 07:25:09.752 PM 9 4.224261559 0.1667033


55
pm
TIEMPO # DE LECTURAS VOLTAJE CORRIENTE
07/04/2014 07:34:48.726 PM 0 0.881114762 0.30916307
07/04/2014 07:34:48.801 PM 1 1.753000268 0.32644325
07/04/2014 07:34:48.805 PM 2 2.587091601 0.32831112
07/04/2014 07:34:48.810 PM 3 3.339729476 0.32081935
07/04/2014 07:34:48.817 PM 4 3.836559013 0.2976384
07/04/2014 07:34:48.821 PM 5 3.935780409 0.25020854
07/04/2014 07:34:48.826 PM 6 4.12317235 0.23021621
07/04/2014 07:34:48.832 PM 7 4.184698869 0.20483108
07/04/2014 07:34:48.837 PM 8 4.220243285 0.18380851
07/04/2014 07:34:48.841 PM 9 4.265077789 0.16831404
0.4
0.3
0.2
Series1
0.1
0
0 2 4 6


56
pm
TIEMPO # DE LECTURAS VOLTAJE CORRIENTE
07/04/2014 07:12:06.071 PM 0 0.983595456 0.34512121
07/04/2014 07:12:06.152 PM 1 1.936476601 0.36061017
07/04/2014 07:12:06.160 PM 2 2.790816757 0.35416456
07/04/2014 07:12:06.164 PM 3 3.502653734 0.3364701
07/04/2014 07:12:06.168 PM 4 3.754925454 0.29130531
07/04/2014 07:12:06.173 PM 5 3.795922751 0.2413174
07/04/2014 07:12:06.179 PM 6 3.980282575 0.222238
07/04/2014 07:12:06.184 PM 7 4.062213488 0.19883571
07/04/2014 07:12:06.188 PM 8 4.097911072 0.17848045
07/04/2014 07:12:06.203 PM 9 4.142629099 0.16348181
0.4
0.2
Series1
0
0 1 2 3 4 5
FIG IV.1.1.1.6 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio
En la siguiente gráfica se muestran tres curvas de I-V, en cada curva se

realizaron cinco ciclos de diez puntos de diferentes cargas y se
promediaron para obtener cada gráfica. Debido a la variación natural de la
onda senoidal y frecuencia de la corriente alterna.
57
FIG IV.1.1.1.7 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio
IV.1.1.2 OBTENCIÓN DE CURVA I-V Y PARAMETROS DE

LA CELDA EN OSCURO.
Figura. IV.1.1.2.1. Diagrama de medición de voltaje de la celda
58
Al tratar de medir el voltaje de la celda en oscuro no se logra medir
debido a que el voltaje es muy pequeño. La lectura que se tiene en la
salida de la celda (Vcc) es de 0.02V (20mV) y la lectura que se obtiene en
el divisor de voltaje (V), es de 0.008V (8mV), al pasar por el amplificador
se obtiene un voltaje de 0.08V (80mV), este voltaje es el que recibe en su
entrada (AI0) la tarjeta de adquisición de datos (DAQ).
El problema es que la DAQ acepta un voltaje mínimo de 1 volt en sus

entradas analógicas y un máximo de 10V
El voltaje mínimo que debe recibir en su entrada el circuito amplificador es

de 0.1V (100mV), para que al ser amplificado (diez veces) la DAQ recibe
en su entrada 1V que es el mínimo aceptable por la tarjeta de adquisición
de datos.
El circuito amplificador está diseñado para que la señal de entrada sea

amplificada 10 veces.
En el diagrama se muestra un interruptor de un solo polo doble tiro

(SPDT), el cual conecta el voltaje de salida de la celda, ya sea a la entrada
del amplificador o directamente a la celda, esto con el fin de poder medir
el voltaje de celdas que proporcionen voltajes menores a 1 volt (mínimo
de 100mV), o bien si la celda proporciona un voltaje de salida mayor de
1V (máximo 10V). Estas restricciones son debido a la tarjeta DAQ que se
está utilizando para este proyecto, existen otros modelo de tarjetas que
aceptan voltajes más pequeños (menores de 1V) en sus entradas
analógicas, pero estas son muy caras.
En resumen, necesitamos que el voltaje de entrada al circuito amplificador

sea de 100mV como mínimo para que al amplificarlo nos proporcione
1Volt.
El voltaje que nos proporciona la celda en oscuro es de 80mV (milivolts) a

la salida del amplificador, esto nos da menor a 1 volts y la tarjeta de
adquisición de datos ya no responde a este nivel de voltaje.
IV.1.2. LECTURAS DE LAS MEDICIONES DE LA CELDA FV

UTILIZANDO COMO LUZ INCIDENTE LA LUZ DEL SOL.
IV.1.2.1. Datos obtenidos en forma manual.
A continuación se desglosa los valores de las resistencias que se aplica a
la celda FV para determinar su curva de I-V.
59
Estos datos se obtienen realizando una conexión de multímetros uno en
paralelo para medir el voltaje y el otro en serie para medir la corriente
dándole una inclinación a la celda fotovoltaica de 30 grados al sur-este.
Valores de las Cargas para el Sistema
# Lectura R1 R2 RT
1 0.14 0.14 0.28
2 1.19 1.19 2.19
3 2.45 2.45 4.71
4 3.7 3.7 7.2
5 4.96 4.93 9.7
6 6.21 6.15 12.15
7 7.46 7.4 14.65
8 8.72 8.64 17.16
9 9.99 9.88 19.7
10 11.23 11.13 22.2
11 12.43 12.3 24.6
Tabla IV.1.2.1.1 Cargas Resistivas del Sistema
60
En la figura IV.1.2.1.1 se muestra el equipo durante las mediciones
realizadas utilizando como fuente de iluminación la luz del sol.
Figura.IV.1.2.1.1 Equipo de medición
61
IMAGEN 1
En la imagen uno la celda está orientada al sur-este y forma 70 grados

con respecto a la horizontal (eje X escritorio), enseguida de la celda está
el luxómetro para medir la intensidad luminosa y enfrente la brújula que
muestra que la celda está orientada al sur-este. La celda se conecta al
módulo de carga del equipo de medición para aplicarle diferentes cargas a
la misma, con la finalidad de observar cómo se comporta la corriente y el
voltaje a diferentes horas del día, también se utiliza un sensor tipo
termopar para medir la temperatura del ambiente y de la superficie de la
celda solar con lo cual se pudo observar que la temperatura varia varios
grados (ver tabla de Excel).
Se utilizan dos multímetros, uno para medir el voltaje (Vcc) que entrega
la celda y el otro para el divisor del voltaje (V). Ver Figura. IV.1.2.1.2.
Se utiliza un amperímetro conectado en serie para obtener las mediciones

de la corriente, como se muestra en la figura IV.1.2.1.2.
CORRIENTE
(I)
R1
+
C VOLTAJE
CELDA FV
(Vcc)
R2
__ VOLTAJE
(V)
FIGURA IV.1.2.1.2. Esquema de mediciones de forma manual

62
En la adquisición de datos de voltaje se requiere alimentar al programa
con los valores de R2 y RT para el cálculo del voltaje de la celda (Vcc) y la
corriente que proporciona la celda a la carga resistiva.
Vcc=V(RT)/R2 I=Vcc-V/R1
RT=R1+R2
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
VOLTAJE CORRIENTE CARGA LUMINOSA INTENSIDAD TEMP AREA CELDA CON ORIENTACION POTENCIA EFICIENCIA
NUMERO HORA (DIVISOR DE SUPERFICIE FILL FACTOR
CELDA CELDA TOTAL (LUXES *100) LUMINOSA AMBIENTE CELDA RESPECTO CELDA CELDA CELDA
MEDICIONES MEDICION VOLTAJE) CELDA %
(Vcc) mA OMHS TIPO DE LUZ W °C Cm2 HORIZONTAL (30°) mW %
V °C
TUNGSTENO (ESCRITORIO)
1 7:00AM 0.22 1.14 170.00 1.43 987 88.83 30 34 135 30 GRADOS SUR-ESTE 193.80 0.22 20.41
Tabla IV.1.2.1.2 Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el Sol 7 am
Fig. IV.1.2.1.3. Resultados de Parámetros del estudio manual bajo el sol 7AM
63
Tabla IV.1.2.1.3 Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el Sol 8 am
Fig. IV.1.2.1.4. Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el Sol 8 am
64
9 am
Fig. IV.1.2.1.5. Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el Sol 9
AM
65
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
MEDICIONES MEDICION VOLTAJE) CELDA 2 %
(Vcc) mA OMHS TIPO DE LUZ W °C Cm HORIZONTAL (30°) mW %
V °C

10 am
Fig. IV.1.2.1.6. Resultados de Parámetros del Estudio manual bajo el Sol

10 am
66
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C

11 am

11 am
67
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C

12 pm

12 pm
68
INTENSIDAD
VOLTAJE TEMP ANGULO CELDA
VOLTAJE CORRIENTE LUMINOSA INTENSIDAD TEMP AREA ORIENTACION POTENCIA EFICIENCIA
NUMERO HORA (DIVISOR DE CARGA TOTAL SUPERFICIE CON RESPECTO FILL FACTOR
CELDA CELDA (LUXES *100) LUMINOSA AMBIENTE CELDA CELDA CELDA CELDA
MEDICIONES MEDICION VOLTAJE) OMHS CELDA 2 HORIZONTAL %
(Vcc) mA TIPO DE LUZ W °C Cm (30°) mW %
V °C (ESCRITORIO)
TUNGSTENO
1 1:00PM 0.25 0.66 184.60 1.43 1044 93.96 28 34 135 30 GRADOS SUR-ESTE 120.91 0.13 12.74

1 pm

1 pm
69
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
VOLTAJE CORRIENTE CARGA LUMINOSA INTENSIDAD TEMP AREA CELDA CON ORIENTACI POTENCIA EFICIENCIA
CELDA CELDA TOTAL (LUXES *100) LUMINOSA AMBIENTE CELDA RESPECTO ON CELDA CELDA CELDA
V °C

2 pm

2 pm
70
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C

Sol 3 pm

3 pm
71
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C

Sol 4 pm

4 pm
72
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C

Sol 5 pm

5 pm
73
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C

Sol 6 pm

6 pm
74
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C

Sol 7 pm

7 pm
75
INTENSIDAD ANGULO
VOLTAJE TEMP
V °C
1 8:00PM 0.00 0.00 0.00 1.43 0 0.00 18 18.5 0.0135 30 GRADOS SUR-ESTE 0.00 #¡DIV/0! 0.00

Sol 8 pm

8 pm
76
IV.1.2.2. DATOS OBTENIDOS CON PROGRAMA DE LABVIEW.
Temperatura de la superficie de la celda: 44° C
Tabla. IV.1.2.2.1. Resultados de Estudio con programa LabVIEW bajo el Sol 1:56 pm
HORARIO # LECTURAS VOLTAJE CORRIENTE

07/04/2014 01:56:28.691 PM 0 0.532680403 0.1869054
07/04/2014 01:56:29.017 PM 1 1.039481193 0.19357192
07/04/2014 01:56:29.022 PM 2 1.527720788 0.1938732
07/04/2014 01:56:29.026 PM 3 1.995604349 0.19170071
07/04/2014 01:56:29.030 PM 4 2.469196897 0.19155911
07/04/2014 01:56:29.034 PM 5 2.856878476 0.18161974
07/04/2014 01:56:29.038 PM 6 3.225008047 0.18006745
07/04/2014 01:56:29.043 PM 7 3.449786581 0.16885886
07/04/2014 01:56:29.047 PM 8 3.608582221 0.15716822
07/04/2014 01:56:29.051 PM 9 3.714058682 0.14656901

1:56 pm
77
Temperatura de la superficie de la celda: 44° C
Tabla. IV.1.2.2.2. Resultados de Estudio con programa LabVIEW bajo el Sol 1:56 pm
HORARIO # LECTURAS VOLTAGE CORRIENTE

07/04/2014 12:53:26.000 PM 0 0.532680403 0.1869054
07/04/2014 12:53:26.000 PM 1 1.039481193 0.19357192
07/04/2014 12:53:26.000 PM 2 1.527720788 0.1938732
07/04/2014 12:53:26.000 PM 3 2.015969881 0.19365705
07/04/2014 12:53:26.000 PM 4 2.469196897 0.19155911
07/04/2014 12:53:26.000 PM 5 2.856878476 0.18161974
07/04/2014 12:53:26.000 PM 6 3.245420872 0.1812072
07/04/2014 12:53:26.000 PM 7 3.470200811 0.16985809
07/04/2014 12:53:26.000 PM 8 3.608582221 0.15716822
07/04/2014 12:53:26.000 PM 9 3.714058682 0.14656901

12:53 pm
78
79
CAPITULO IV. CONCLUSIONES
Se diseña un sistema didáctico para la caracterización eléctrica de celdas

solares. Este consiste en dos lámparas halógenas de 500 W cada una,
celda fotovoltaica, sensor de temperatura, resistencia calefactora, sensor
para medir la intensidad de la luz incidente a la celda, fuente de poder,
circuito amplificador, módulo de carga de resistencias variable y tarjeta de
Todos estos elementos se integran para obtener el sistema didáctico. Con

este sistema fue posible llevar a cabo la caracterización eléctrica de celdas
fotovoltaicas mediante la obtención de curvas corriente-voltaje (I-V) en
condiciones ambientales y simuladas.
Se realizan las pruebas eléctricas al sistema y se determinan los

parámetros de rendimiento. En estas pruebas se utiliza una celda
fotovoltaica modelo PS-683 marca Steren, esta celda está construida con
policarbonato. Ver anexo C.
Tanto en pruebas manuales donde los datos son adquiridos a través de

multímetros y editados en Excel, como pruebas donde los datos son
procesados por el lenguaje de LabVIEW y utilizando como luz incidente en
la celda la luz del sol, los datos de corriente son bastante estables en las
diferentes cargas aplicadas, esto se puede apreciar en las gráficas que se
obtuvieron al estar realizando estas mediciones.
Se elabora un manual de prácticas, en un inicio consiste de cinco

prácticas, que serán desarrolladas por los alumnos de la carrera de
energías renovables.
Los datos del sistema simulado acoplado al software fueron validados con
los resultados obtenidos directamente del sol.
TRABAJO FUTURO.
Mediante el sistema didáctico diseñado e implementado se pretende llevar

a cabo la caracterización eléctrica de celdas fotovoltaicas experimentales
en forma de película delgada mediante la obtención de curvas corriente
voltaje (I-V).
80
CAPITULO VI. BIBLIOGRAFÍA
· Photovoltaic Test and Manufacturing - National Instruments

http://www.ni.com/pvtesting/esa/
· Introducción a los dispositivos semiconductores: principios y
modelos, Pedro Lujan.
· Física del Estado Solido: Ing. Teodoro Bush
· Física de Semiconductores Universidad Nacional del sur

· http://www.cosaslibres.com/libro/fisica-de-los-
semiconductores_1564.html
· http://www.rapidtables.com/calc/light/lux-to-watt-calculator.html
· ENERGIA SOLAR FOTOVOLTAICA

EAC, INSTITUTO DE TECNOLOGIA Y FORMACION
JAVIER MARIA MENDEZ MUÑIZ
RAFAEL CUERVO GARCIA
· ENERGIA SOLAR
LLUIZ JUTGLAR
DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA I OPTICA
UNIVERSIDAD DE BARCELONA
· ENERGIA SOLAR
APLICACIONES E INGENIERIA: ING. PEDRO SARMIENTO
· INTRODUCCION A LA FISICA DE LOS SEMICONDUCTORES: R.B.ADLER, A.C. SMITH, R.L.

LONGINI
· Handbook of Photovoltaic Science and Engineering

Antonio Luque: Instituto de Energ´ıa Solar, Universidad Polit´ecnica de Madrid,
Spain
Steven Hegedus: Institute of Energy Conversion, University of Delaware, USA
81
ANEXO A.
MANUAL DE PRÁCTICAS PARA LA CARACTERIZACIÓN

ELÉCTRICA DE CELDAS FOTOVOLTAICAS.
82
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA
DE CHIHUAHUA
ENERGIAS RENOVABLES
MANUAL DE PRÁCTICAS PARA LA CARACTERIZACION
ELÉCTRICA DE CELDAS FOTOVOLTAICAS.
ELABORADO POR:
ING. LUIS NOEL ARIAS SÁENZ
ING. FLABIO ARMANDO MORUA GARCIA
ING. BENJAMIN PACHECO TORRES
Chihuahua, Chih., 17 de junio de 2014
83
ENERGIAS RENOVABLES
PRACTICA # 1
PARTES DEL SISTEMA PARA LA CARACTERIZACION ELÉCTRICA DE I-
V DE CELDA FV.
84
I. INTRODUCION:
En la Universidad tecnológica se cuenta con un módulo de caracterización eléctrica de
celdas fotovoltaicas. El diseño de este módulo se hizo pensando en la interacción de
Alumno y el Módulo, o sea, que el alumno tenga que manejarlo manualmente y pueda
entender la forma de realizar las gráficas I-V de cualquier celda solar.
Para esto el alumno debe conocer todas las partes que forman el módulo y hacer que
funcione de manera eficiente y a un futuro implementarle mejoras al Hardware.
II. OBJETIVOS:
1.- El alumno identificará cad a una de las partes del módulo en el cual se realiza la
caracterización eléctrica de las celdas fotovoltaicas.
2.- Entenderá el funcionamiento básico del módulo de caracterización eléctrica de

celdas fotovoltaicas (FV).
3.- Conocerá e identificará las partes del Sistema de Caracterización para su eficiente
manejo.
4.- Desarrollar la capacidad de interpretar y explicar las partes del Sistema de
Caracterización.
III. EQUIPOS:
1.- Modulo de caracterización eléctrica de celda fotovoltaica (FV).
2.- Celda Solar
3.- Luxómetro Digital
IV. PROCEDIMIENTO:
1.- Realizar lo siguiente:
a) El alumno pedirá el módulo al laboratorista, junto con la celda solar y el

luxómetro digital.
b) Se tomará una fotografía del módulo en diferentes lados para después

describirla parte por p arte.
c) Identificará cada p arte del módulo de forma visual y se hará un reporte del
funcionamiento de cada uno.
85
d) Realizará un a conclusión del funcionamiento de cada una de las partes y una en
general del módulo
e) Investigar posibles mejoras que se le puedan añadir y/o cambiar al módulo.

2.- Colocar los nombres de las partes del módulo en la siguiente fotografía y las
características más importantes.
V. RESULTADOS Y CONCLUSIONES:
86
DE CHIHUAHUA
ENERGÍAS RENOVABLES
PRACTICA # 2
AJUSTES DE LAS VARIABLES A CONTROLAR
87
I. INTRODUCCIÓN.
Para poder realizar una curva I-V, se necesitan de varios ajustes dentro del
módulo de caracterización, estos ajustes se deben hacer variando la distancia entre
lámparas y celda solar, variando la inclinación o el ángulo de las lámparas,
cambiando la temperatura de la resistencia calorífica, cambiando de luz artificial a
luz del sol, entre otros.
Todos estos cambios o ajustes generan graficas diferentes de I -V, por esa razón
es necesario que los alumnos sepan hacer todos los cambios necesarios para el
análisis de las diferentes características o parámetros contra el grafico I-V.
1. Reconocimiento entre PC y Módulo.

Para poder generar una gráfica de I-V de una celda es necesario antes que nada
tener la comunicación activa entre el módulo y la computadora (PC).
La interfaz entre el módulo y la PC es la tarjeta de adquisición de datos de
National
Instruments número NI USB-
6008.
En la figura anterior se muestra la tarjeta de adquisición de datos, que consiste

en dos conectores laterales, uno p ara las entradas/salidas analógicas y el otro para
las entradas/salidas digitales. Las conexiones de las entradas/salidas son por
medio de tornillos. Además cuenta con un conecto r tipo USB p ara conectar a la
computadora.
El software NI-DAQmx se utiliza para configurar la tarjeta de adquisición de

datos. Las siguientes figuras indican los pasos a seguir para configurar la tarjeta de
adquisición de datos y a su vez esta sea reconocida por el pro grama LabVIEW.
Estos pasos se detallan a continuación.
88
a. En la siguiente ventana se le Indica el tipo de señal que se va a adquirir,
para este caso es una señal analógica, por lo tanto se selecciona
“AnalogInput”.
b. En la siguiente ventana se selecciona el tipo se señal a adquirir, en este

caso es voltaje, como entrada analógica.
89
c. En la siguiente ventana se selecciona el número de la entrada analógica
donde conectamos el voltaje a adquirir, p ara estas prácticas utilizaremos
el canal de entrada analógico cero (AI 0).
d. En esta ventana se ajusta el nivel máximo y minino del voltaje a adquirir, se

define el tamaño de la muestra y modo de conexión de la alimentación
(Terminal Configuración), este último se selecciona el modo de RSE
(Referenced Single-Ended), modo referenciado con conexión simple, esto es,
una señal es referenciada a tierra, cuando de alguna forma aquélla se
conecta a un sistema de puesta a tierra. Las señales referenciadas tienen un
solo hilo conductor y tiene como REFERENCIA el conductor a tierra del
sistema que genera la señal.
90
e. En la siguiente ventana se muestra el icono que indica que el programa
de LabVIEW establece la comunicación con la tarjeta de adquisición de
datos. A partir de este momento se establece la comunicación del módulo
con la PC.
2. Conexión Luxómetro.
El luxómetro se utiliza para medir la intensidad de luz que incide sobre la celda
FV.
Este dispositivo presenta el valor de luxes que inciden sobre la celda fotovoltaica,
tiene la capacidad de medir diferentes tipos de luces: tungsteno, fluorescente, sodio
y mercurio a diferentes escalas.
Rangos de medición: 2, 000 Lux, 20,000 Lux, 100, 000

Lux
El luxómetro se conecta directamente a un puerto USB de la PC y la adquisición de

datos se hace por medio del software de LabVIEW.
91
II. OBJETIVOS.
1.- Conocer e identificar los ajustes necesarios para poder realizar las prácticas en el
Módulo de Caracterización Eléctrica de celda fotovoltaica (FV).
2.- El alumno desarrollará la capacidad de poder conectar y ajustar los
parámetros del módulo antes de empezar a trabajar.
3.- Conocer la metodología de conexión de las diferentes partes para preparar
el módulo antes de la caracterización eléctrica de I-V.
4.- Saber que parámetros se pueden variar p ara realizar las diferentes graficas I-V
según los ajustes en el módulo de caracterización eléctrica.
III. EQUIPOS:
1.- Módulo de caracterización eléctrica de celdas FV
2.- Celda Solar
4.- PC/Laptop
5.- Caja de Herramientas
6.- Tarjeta de Adquisición de datos (DA Q)
7.- Multímetro
8.- Resistencia calefactora
IV. PROCEDIMIENTO:
Ajustar las lámparas en altura e inclinación.
92
Verifique que los selectores de la carga resistiva este en cero, para iniciar
de este punto.
Verificar la temperatura de la resistencia calefactora (debe estar entre 20°C –
60°C)
La altura entre las lámparas y la celda debe ser entre 35 cm – 50cm.
Verificar la conexión del Luxómetro a la PC.
Verificar la conexión de la tarjeta de Adquisición de datos (DAQ) y

la computadora.
Verificar el voltaje de salida (Voc) y la corriente (Isc) de la celda a caracterizar.

Esto consiste en medir el voltaje y la corriente con u n multímetro en
los bornes de la celda al incidir luz directamente sobre ella.
Si el voltaje es menor de 1 volt verificar la posición del switch de
selección para celdas menores de 1 volts en su salida o en su caso mayo r de 1
volts.
Verificar el buen funcionamiento del luxómetro así como su calibración.
V. RESULTADOS Y CONCLUSIONES
1.- Anexe aquí el gráfico generado con las condiciones que estableció en la práctica.
2.- Incluya las conclusiones personales de acuerdo a su experiencia en esta práctica.
93
DE CHIHUAHUA
ENERGIAS RENOVABLES
PRACTICA # 3
Medición del voltaje de circuito abierto (Voc) y corriente de
corto circuito (Isc)
94
I. INTRODUCCIÓN.
La corriente de cortocircuito Isc corresponde a la condición de cortocircuito cuando

la impedancia es b aja y se calcula cuando la tensión es igual a 0.
I (para V=0) = ISC
Isc se produce al comienzo del barrido de polarización directa y es el valor máximo
actual. P ara una celda ideal, este valor de corriente máxima es la corriente total
producida en la celda solar por excitación fotónica.
ISC = IMA X = Iℓ p ara polarización directa
La tensión de circuito abierto (Voc) se produce cuando no hay corriente que pasa a
través de la celda.
V (para I=0) = VOC
Voc es también la diferencia de voltaje máximo a través de la celda para un barrido

de polarización.
Voc = Vmax para polarización directa
Uno de los puntos más importantes en la elaboración de la curva I – V es el Voltaje

de circuito abierto (Voc) y la corriente de Corto Circuito (Isc), y a que estos puntos son
el inicio y final de una curva I-V además de mostrarnos la calidad de la celda solar
que viene siendo el Factor de llenado (FF), que viene siendo la Potencia Teórica que
se obtiene de la multiplicación de Isc por Voc, dándonos la potencia ideal de una
celda.
95
1.- Corriente de Corto Circuito (Isc)
La corriente de corto circuito ocurre cuando la impedancia es aproximadamente cero

(Corto circuito) y se calcula cuando el voltaje en la celda FV es cero voltios.
I= Ish, p ara V=0
La corriente de corto circuito ocurre al principio de la polarización de la celda y
representa el valor máximo de corriente en el cuadrante de potencia (I-V). Es preciso
aclarar que para una celda ideal, esta corriente de corto circuito es la corriente total
producida en la celda solar mediante irradiación solar; es decir, cuando la celda
recibe la mayor excitación de fotones en su estructura interna.
ISC = IMA X = Iℓ
2.- Voltaje de Circuito Abierto (Voc)
El voltaje de circuito abierto (Voc) es el voltaje que se mide a través de la celda

cuando no pasa corriente por la misma; es decir, sin carga conectada en la salida.
V = Voc cuando I=0
El voltaje Voc se define igualmente como el voltaje máximo en el cuadrante de
potencia (I-V).
El Circuito para la adquisición de Isc y Voc manualmente:
Panel Solar +
Voltaje
Multímetro
_
Corriente
96
II. OBJETIVOS.
1.- Determinar los v alores de ISC y VOC en diferentes ajustes y parámetros.
2.- Graficar el Voltaje de Circuito Abierto y la corriente de Corto Circuito en el

Módulo de Caracterizaciones.
3.- Conocer y conectar el circuito necesario p ara la generación de I SC y VOC.
4.- Adquirir los v alores de ISC y VOC en el módulo de caracterización y manualmente.
III. EQUIPOS:
1.- Modulo de caracterización eléctrica de celdas FV
2.- Celda Solar
4.- PC/Laptop
7.- Multímetro
IV. PROCEDIMIENTO:
Ajustar las lámparas en altura e inclinación adecuada.
Conectar la PC al módulo
Hacer pruebas de reconocimiento entre PC y módulo
Colocar la celda en el módulo y orientar las lámparas con un ángulo de
inclinación apropiado.
Ajustar el luxómetro y anotar los valores dependiendo de la altura.
Conectar las dos terminales de la celda (positiva y negativa) a un multímetro
para determinar el valor de voltaje que corresponde a Voc.
Anotar el valor que indica el la hoja de trabajo
Detectar en la pantalla de la PC el valor de la Isc
Anotar el valor que indica la pantalla en la hoja de trabajo.
Calcular los valores de potencia para cada caso y determinar cuál es la
potencia máxima.
97
Calcular la potencia Teórica en cada ajuste
Calcular el Factor de llenado en los diferentes ajustes
Enviar los datos de Voltaje y corriente de la celda a la PC
Graficar Voc e Isc
V. RESULTADOS Y CONLUSIONES
Tabla 1. V alores de la celda fotovoltaica
A ltura de Voltaje Corriente de Potencia Intensidad

Lámparas Circuito Corto Circuito T eórica Luminosa
A bierto
10 Cm
15 Cm
20 Cm
25 Cm
30 Cm
35 Cm
40 cm
Anexe aquí el gráfico generado con las condiciones que estableció en la práctica.
Incluya las conclusiones personales.
98
DE CHIHUAHUA
ENERGÍAS RENOVABLES
PRACTICA # 4
CÁLCULO DE LOS PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS
ELÉCTRICAS DE UNA CELDA SOLAR
99
I. INTRODUCION:
Una de las características principal es que mejor describen una celda fotovoltaica es la
relación corriente - voltaje (I-V). Es necesario entender como la radiación solar, la
temperatura de las celdas y las cargas eléctricas afectan el comportamiento de la curva I -
V. De este conocimiento depende el buen diseño, instalación y evaluación de sistemas
fotovoltaicos y sus diferentes aplicaciones.
1.- Potencia Máxima (Pmax) Desde la curva característica (I-V) es fácil

calcular la potencia máxima que desarrolla la celda fotovoltaica. La potencia en los
puntos Isc y Voc es cero Watts, si utilizamos la ecuación P= IV. La potencia máxima
o curre entre estos dos puntos, cuando la corriente y el voltaje tienen un valor
de IMP y VMP, respectivamente.
2. Curva característica I-V
Para medir la curva característica de una celda FV es necesario usar una carga
eléctrica. Para panel FV de alta potencia se utilizan capacitores o transistores de
potencia. Para módulos y arreglos FV pequeños, se usa una resistencia variable. La
corriente nominal de la resistencia debe ser mayor que la corriente de corto circuito
(Isc) de la celda FV.
Como regla general, la resistencia mínima y la resistencia máxima requeridas p ara
operar a escala completa de la curva I-V se calculan de la siguiente manera:
R min Ώ VOC / 4 ISC

R Max Ώ 4 VOC / ISC
El Circuito para la adquisición de la curva I-V M anualmente:
Celda Solar
+
Voltímetro Resistencia Variable
-
AMPERIMETRO
100
Para medir la curva de corriente contra voltaje en una celda fotovoltaica I-V, se debe
aumentar la resistencia de la carga de 0 a infinito y se va midiendo la corriente y el
voltaje a esa carga específica. La corriente de corto circuito (Isc) se mide cuando la
resistencia es cero ohmio (voltaje = 0). El voltaje de circuito abierto (Voc) se mide
cuando la resistencia es igual a infinito. La figura muestra las líneas de carga p ara
diferentes valores de resistencia. Observe como la línea de carga sigue la relación
lineal de la Ley de Ohm: R = V/I.
El significado de la curva I-V de la celda FV tiene relevancia cuando las condiciones

son específicas; es decir con la apropiada irradiación solar y temperatura de la celda.
II. OBJETIVOS:
1. Medir la relación característica de corriente y voltaje (I-V) de una celda FV usando

una carga resistiva variable.
2. Entender como la radiación solar y la temperatura de la celda afecta la potencia

eléctrica de salida de una celda FV.
101
3. Determinar el punto de máxima potencia de una celda fotovoltaica cuando se
conecta una cargaresistiva en la salida.
4. Es timar la salida de una celda FV b asados en valores nominales y datos de

radiación solar y temperatura de la celda
III. EQUIPOS:
1.- Módulo de caracterización eléctrica de celda FV.

2.- Celda Solar
4.- PC/Laptop
7.- Multímetro
IV. PROCEDIMIENTO:
1. Forma M anual:
a. Construye al c i r c u i t o p a r a l a a d q u i s i c i ó n d e l a c u r v a I - V ,
d e j a n d o e l terminal positivo desconectado. Asegúrese de que los aparatos de
medición están conectados con la polaridad correcta. Pídale al Maestro verificar el
circuito antes de continuar.
b. Oriente la celda hacia el sol para un a máxima irradiación solar. En la hoja de datos,
anote la irradiación solar p ara la orientación de la celda. Anote la temperatura de la
celda.
c. Ajuste la resistencia a cero ohmios o ponga la celda en corto circuito. La lectura del
voltaje debe ser cero. Anote la corriente de corto circuito, Isc.
d. Aumente la resistencia hasta que la lectura sea aproximadamente ¼ del voltaje

Voc. Anote la lectura de corriente y el voltaje.
102
e. Aumente la resistencia hasta que el voltaje aumente 2 voltios. Anote la lectura de
corriente y el voltaje. Repita el procedimiento hasta que se obtenga la máxima
resistencia o hasta que la corriente sea cero.
f. Desconecte la resistencia del circuito (la corriente se hace cero). Anote el voltaje de
circuito abierto, Voc.
g. La experimentación termino. Mida la irradiación y la temperatura de nuevo.
Obtenga el promedio de la irradiación y temperatura inicial y final.
h. Calcule la potencia en vatios (P = VI) para cada lectura de corriente/voltaje. Trace

la gráfica con estos valores.
i. Determine la potencia, voltaje y corriente en el punto de máxima potencia (Pmp,

Vmp, Imp).
j. Determine el Factor de llenado del panel solar.
Llenar las siguientes tablas con los datos obtenidos:
Irradiaci ón Temperatura del Módulo

(W/m2 )
(oC)
Inicial
Final
Voltaje (V) Corriente (A) Potencia (W) Factor de Llenado (%)

0 Isc =
Voc = 0
103
2. Forma Semiautomática:
a. Se ajustan las lámparas a una altura de 40cm para la primera serie de valores
b. Se Conecta la p c y el modulo
c. Se ajustan las resistencias a Cero
d. Se calibra el luxómetro según la fuente de luz y la escala adecuada.
e. Se prepara la pc con el programa de LabVIEW
f. Conectar el voltaje de la celda a una entrada analógica de la tarjeta de

adquisición de datos (DAQ)
g. Se verifica la conexión DA Q-PC
h. Se encienden las lámparas cada vez que se cambia la carga de las resistencias,
arrojándonos los v alores de corriente y voltaje.
i. Repetir el paso 8 hasta que se alcance el valor máximo de resistencias del

módulo.
j. Esperar a que el prog rama arroje la curv a realizad a
k. Se repite la operación bajando las lámparas a 20 cm de altura de la celda y se

vuelve a recolectar datos
l. Sacar conclusiones con datos adquiridos
m. Mostrar las gráficas adquiridas.
104
DE CHIHUAHUA
ENERGIAS RENOVABLES
PRACTICA # 5
Cálculo de Eficiencia en Celdas Solares
105
I. INTRODUCION:
Las celdas solares con los años se van deteriorando, ya que se encuentran
normalmente en el exterior y durante su vida útil sufren las inclemencias del clima,
lluvia, polvo, viento, etc.
Una forma de conocer si las celdas están todavía en buen estado o simplemente ya
no son costeables, se debe de calcular la eficiencia del sistema.
El factor eficiencia en una celda solar es de suma importancia ya que con este
parámetro podemos saber qué porcentaje de efectividad y de vida tiene dicha celda,
además de anticiparnos a la baja de rendimiento de cualquier celda y poder
sustituirlo a tiempo sin que n os afecte en los procesos productivos.
Toda celda solar contiene los datos del fabricante, con la eficiencia podemos calcular
que tanto está desfasado con respecto a s u origen.
1.- Eficiencia en la conversión de energía

La eficiencia de una celda solar ( , "eta"), es el porcentaje de potencia convertida en
energía eléctrica de la luz solar total absorbida por una celda, cuando una celda solar
está conectad a un circuito eléctrico. Este término se calcula usando la relación del
punto de potencia máxima, Pm, dividido entre la luz que llega a la celda, irradiancia
(E, en W/m²), bajo condiciones estándar (STC) y e l área superficial de la celda solar
(Ac en m²).
La condición estándar corresponde a (STC) un a temperatura de 25 °C y una

irradiancia de 1000 W/m² con una masa de aire espectral de 1, 5 (AM 1, 5). Esto
corresponde a la irradiación y espectro de la luz solar incidente en un día claro sobre
una superficie solar inclinada con respecto al sol con un ángulo de 41,81º sobre la
horizontal.
Esta condición representa, aproximadamente, la posición del sol de mediodía en los
equinoccios de primavera y otoño en los estados continentales de los EEUU con una
superficie orientada directamente al sol. De esta manera, bajo estas condiciones una
celda solar típica de 100 cm2, y con un a eficiencia del 12% aproximadamente, se
espera que pueda llegar a producir una potencia de 1, 2 Watts.
106
2.- Factor de llenado
Otro término para definir la eficacia de una celda solar es el factor de llenado o fill
factor (FF), que se define como la relación entre el máximo punto de potencia
dividido entre el voltaje en circuito abierto (Voc) y la corriente en cortocircuito Isc:
II. OBJETIVOS:
1.- Determinar la eficiencia de las celdas solares po r medio del Módulo de la

caracterización eléctrica de I-V.
2.- Verificar si las celdas solares funcionan correctamente, basado en los resultados
del Módulo de Caracterización VS los Datos del Fabricante.
3.- Conocer el estatus de funcionabilidad de la celda solar.
4.- Poder detectar el rendimiento de las celdas solares en su funcionamiento.
III. EQUIPOS:
1.- Módulo de caracterización eléctrica de celdas FV

2.- Celda Solar
107
4.- PC/Laptop
7.- Multímetro
IV. PROCEDIMIENTO:
1. Realizar lo siguiente:
Ajustar las lámparas en altura e inclinación adecuada.
Ajuste fino en el potenciómetro
Conectar la PC al módulo
Hacer pruebas de reconocimiento entre PC y Módulo.
Enviar los datos de Voltaje y corriente del módulo a la PC
Graficar Voc y Isc
Calcular la eficiencia de la celda solar por medio del Módulo y compararl a con
los datos del proveedor.
2. Colocar la celda en el módulo y orientar las lámparas con un ángulo de inclinación

apropiado.
3. Conectar las dos terminales de la celda (positiva y negativa) a un multímetro p ara
determinar el valor de voltaje que corresponde a Voc
4. Anotar el valor que indica en la hoj a de trabajo
5. Detectar en la pan talla de la PC el valor de la Is c
6. Anotar el valor que indica la pantalla en la hoja de trabajo.
7. Comparar el valor de la eficiencia arrojada por el módulo y compararla con los
datos del proveedor
8. Variar los valores de la resistencia desde 1 Ω hasta 25 Ω y calcular la eficiencia
arrojad a
9. Hacer una tabla de datos para comparar hasta qué punto la celda cumple con la
eficiencia nominal.
108
Tabla 1. Valores de la celda fotovoltaica
Resistencia Voltaje Corriente Altura potencia Eficiencia % Factor de

Lámpara Eficiencia Llenado
¿Porque la eficiencia dada por el módulo corresponde o no a

los datos proporcionados por el proveedor?, explique.
109
ANEXO B. ESPECIFICACIONES DAQ NI USB-6008
110
111
ANEXO C. ESPECIFICACIONES CELDA
FOTOVOLTAICA.
112

Diseño E Implementación de Un Sistema para La Caracterización Electrica de Celdas Fotovoltaicas Mediante Instrumentación Virtual

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Diseño E Implementación de Un Sistema para La Caracterización Electrica de Celdas Fotovoltaicas Mediante Instrumentación Virtual

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

CENTRO DE INVESTIGACIÓN EN MATERIALES AVANZADOS, S.C.

DISEÑO E IMPLEMENTACIÓN DE UN SISTEMA

“Tesis que como requisito para obtener el grado de Maestría en Energías

Ing. Luis Noel Arias Sáenz

Dra. Hilda Esperanza Esparza Ponce

Chihuahua, Chih., Mayo de 2014

II. REVISION BIBLIOGRAFICA……………………………………..15

III. METODOLOGÍA EXPERIMENTAL……………………………. 34

IV. RESULTADOS Y DISCUSIÓN…………………………………..51

A mi esposa Evangelina Rico David, nuestros hijos Salma Maritza,

Agradezco a Marcelo Miranda, por su apoyo y ayuda incondicional con el

Agradezco a los compañeros de los laboratorios por su compañía y ayuda.

Agradezco a los maestros del CIMAV, por su dedicación, esfuerzo y apoyo.

Un agradecimiento especial para la Dra. Hilda Esparza, nuestra directora

Ing. Luis Noel Arias Sáenz.

A Dios, a mi madre la Ing. María Guillermina Torres Caballero por su

A toda mi familia, por alentarme con su ejemplo a superarme.

A el CIMAV y la Dra. Hilda Esperanza Esparza Ponce por su colaboración

A mis compañeros de maestría y al personal de la UTCH por apoyarme

Ing. Benjamín Eduardo Yoveé Pacheco Torres

Esta tesis está dedicada a mi Esposa Martha Beatriz Ramírez Bencomo, a

Agradezco a mis profesores de la Maestría que me dieron sus

Agradezco especialmente a la Dra. Hilda Esparza, que es nuestra directora

Ing. Flabio Armando Morúa García

Figura II.2.1. Generación de semiconductor tipo n………………………… 16

Figura III.1.1. Módulo de Prueba………….……………………………………….… 34

Figura IV.1.1.1.1 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio 12:53

Tabla II.5.1 –Celdas fotovoltaicas cristalina (basada en obleas) y de

IV.- RESULTADOS Y DISCUSIÓN.

Tabla IV.1.1.1.1 Resultados de Voltajes y corrientes en laboratorio 12:53

Además consta de la parte donde se coloca la celda fotovoltaica que va a

Y por último, en la parte inferior del sistema se instala la parte de control

La generación de la gráfica de corriente contra voltaje (I-V), se va

La adquisición de datos y su análisis se realiza a través de la

Los combustibles fósiles, comprenden principalmente el petróleo y sus

Tanto por razones económicas (escasez de hidrocarburos) y más

Actualmente los gobiernos de todo el mundo están implementando

Para determinar la eficiencia de conversión de las celdas es muy

La Universidad Tecnológica de Chihuahua cuenta con la carrera de

En este momento es fundamental incentivar el desarrollo de una cultura

1.3. OBJETIVOS PARTICULARES.

b) Integrar los componentes del sistema y su instalación.

c) Realizar las pruebas del sistema y determinar los parámetros

a) Corriente de corto circuito Isc

d) Elaborar un manual de prácticas que integre la aplicación y el

e) Validar los resultados obtenidos en las prácticas elaboradas contra

Un material es un conductor cuando por él circula un flujo de carga

Un material es aislante cuando opone muy alta resistencia al paso de la

Un semiconductor es un material cuya conducción se sitúa entre los

Los materiales semiconductores más utilizados son el germanio (Ge) y el

La capacidad de cambiar las características del material en forma tan

Otra capacidad de los materiales semiconductores es que sus

II.2 Clasificación de los Semiconductores.

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en

Las características de los materiales semiconductores pueden verse

Un material semiconductor que haya sido sometido al proceso de dopado

Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación

El semiconductor tipo n se obtiene a partir de la adición, al material base,

El efecto de estos elementos se observa en la figura 1, utilizando

Figura II.2.1. Generación de semiconductor tipo n [1]

La introducción de un átomo de antimonio en la red del silicio deja un

El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de