T530.4275 R586 PDF

OPTMIZACIÓN DE LOS PARÁMETROS DE TRABAJO
PARA LA IMPLEMENTACIÓN DE LA TÉCNICA CVD

ASISTIDO POR AEROSOL EN LA UTP.
BAYRON ESTEBAN RIOS BRAVO
TRABAJO DE GRADO PARA OPTAR POR EL TÍTULO DE: INGENIERO FÍSICO
DIRECTORA:
PhD. BEATRIZ CRUZ MUÑOZ
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA
FACULTAD DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, FÍSICA Y DE SISTEMAS

Y COMPUTACIÓN
PEREIRA 2018.
OPTMIZACIÓN DE LOS PARÁMETROS DE TRABAJO
PARA LA IMPLEMENTACIÓN DE LA TÉCNICA CVD
ASISTIDO POR AEROSOL EN LA UTP.
BAYRON ESTEBAN RIOS BRAVO
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA
FACULTAD DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, FÍSICA Y DE SISTEMAS

Y COMPUTACIÓN
PEREIRA 2018.
Agradecimientos
A mis padres Sandra y Norbey por su incondicional apoyo y paciencia durante todos estos años, éste
logro más que mío es de ustedes y estaré siempre orgulloso de ser su hijo. Al igual que al resto de mi
familia por su generosidad.
A la Doctora Beatriz Cruz Muñoz y al Doctor Milton Medina; especialmente a la Doctora por el
enorme apoyo y dedicación a este proyecto. Sin sus concejos no hubiera sido posible alcanzar esta
meta.
A los Doctores Rubén Dorantes, Patricia Amézaga y Mario Miki por haber compartido conmigo sus
conocimientos y hacerme sentir bienvenido en sus lugares de trabajo.
A mis amigos por hacer de este proceso una experiencia única y gratificante. Espero que podamos
seguir compartiendo momentos a lo largo de este corto camino llamado vida
A los miembros de la facultad de Ingeniería Mecánica de la UTP, al Doctor José Tristancho y todos
sus colaboradores por abrirme las puertas de su laboratorio y ofrecerme su ayuda sin dudarlo. Al igual
que al señor Rolando porque en muchas ocasiones me sacó de apuros.
A los directivos de la escuela de química de la UTP por permitirme hacer uso de sus equipos.
Agradeciendo especialmente a la encargada del laboratorio de cromatología, Lina Giraldo, por sus
incontables horas dedicadas a apoyarme en la toma de medidas.
Al CONACYT (Concejo Nacional de Ciencia y Tecnología)– México, por el apoyo económico que
se me otorgó para la realización de este trabajo, a través del proyecto titulado “Estudio experimental
comparativo de recubrimientos de alta absortividad y baja emisividad sobre sustratos metálicos”
identificado con código 249855 del Fondo de Sustentabilidad energética CONACYT-SENER –
México.
Contenido
Contenido ............................................................................................................................................ 4
Capítulo 1. ........................................................................................................................................... 8
1. Introducción ............................................................................................................................ 8
1.1. Planteamiento de la pregunta de investigación ............................................................... 8
1.2. Justificación de la pregunta de investigación .................................................................. 9
1.3. Objetivos. ........................................................................................................................ 9
1.3.1. Objetivo general ...................................................................................................... 9
1.3.2. Objetivos específicos............................................................................................... 9
Capítulo 2: ......................................................................................................................................... 11
2. Estado del arte ....................................................................................................................... 11
Capítulo 3: ......................................................................................................................................... 12
3. Marco teórico ........................................................................................................................ 12
3.1. Películas delgadas ......................................................................................................... 12
3.2. Síntesis de películas delgadas........................................................................................ 12
3.2.1. Técnicas físicas de síntesis de películas delgadas: ................................................ 12
3.2.2. Técnicas químicas de síntesis de películas delgadas ............................................. 13
3.2.2.1. Spray pyrolysis .................................................................................................. 15
3.3. Técnicas de caracterización de películas delgadas ........................................................ 17
3.3.1. Caracterización de propiedades estructurales y morfológicas: SEM, EDS, XRD. 17
3.3.2. Microscopía óptica ................................................................................................ 17
3.3.3. Espectroscopía UV-VIS ........................................................................................ 18
3.3.3.1. Transmitancia (T) .............................................................................................. 18
3.3.3.2. Absorbancia (A) ................................................................................................ 18
3.3.3.3. Reflectancia (R)................................................................................................. 19
3.3.3.4. Coeficiente de absorción (𝜶) ............................................................................. 19
3.3.3.5. Índice de refracción (n) ..................................................................................... 19
3.3.3.6. Coeficiente de extinción (k) .............................................................................. 20
3.3.3.7. Band Gap (Eg) ................................................................................................... 20
Capítulo 4: ......................................................................................................................................... 21
4. Proceso Experimental ............................................................................................................ 21
4.1. Preparación de sustratos y precursores .......................................................................... 21
4.1.1. Preparación de los sustratos .................................................................................. 21
4.1.2. Cálculo y mezcla de las cantidades de aditivos para precursores.......................... 22
4.1.2.1. Películas de titanio ............................................................................................ 22
4.1.2.2. Películas bicapa de aluminio-níquel .................................................................. 22
4.2. Deposición de las películas delgadas ............................................................................ 23
4.2.1. Películas de titanio ................................................................................................ 23
4.2.2. Películas bicapa de aluminio-níquel ...................................................................... 26
4.3. Equipos empleados ............................................................................................................ 26
Capítulo 5: ......................................................................................................................................... 28
5. Resultados y análisis ............................................................................................................. 28
5.1. Optimización de parámetros de depósito del equipo de CVDAA de la UTP................ 28
5.2. Caracterización óptica de los recubrimientos ................................................................ 33
5.3. Caracterización morfológica y estructural de los recubrimientos bicapa ...................... 39
6. Conclusiones ............................................................................................................................. 41
7. Anotaciones, recomendaciones para trabajos futuros y perspectivas ........................................ 42
8. Bibliografía ............................................................................................................................... 43
9. Anexos....................................................................................................................................... 46
9.1. Anexo 1: Manual de depósito de películas delgadas en el equipo de CVDAA de la UTP 46
9.2. Anexo 2: Estancia en la UAM-A ...................................................................................... 62
9.3. Anexo 3: Depósito y caracterización de películas delgadas en el CIMAV ....................... 68
9.4. Anexo 4: Estudio comparativo de pinturas ....................................................................... 75
Índice de figuras
Figura 1. Etapas del crecimiento pelicular mediante la técnica CVD [1]. ........................................ 13
Figura 3. Equipo de Spray Pyrolysis con sus partes [17]. ................................................................. 15
Figura 4. Procesos durante SPD (Deposición por Spray Pyrolysis) [18] .......................................... 16
Figura 5. Antes (izquierda) y después (derecha) de realizar el lijado de los sustratos ...................... 21
Figura 6. Disposición de los sustratos en el beaker para someterlos a baño ultrasónico [25] ........... 22
Figura 7. Precursores (izquierda) y solventes (izquierda) ................................................................. 22
Figura 8. Equipo de CVDAA empleado en la UTP .......................................................................... 25
Figura 9. Esquema del equipo de CVDAA de la UTP ...................................................................... 25
Figura 10. Partes antes y después de ser ensambladas para realizar los depósitos............................ 25
Figura 11. Microscopio óptico Zeiss Vert.A1 [26] ........................................................................... 27
Figura 12. Espectrofotómetro UV-VIS [27] ..................................................................................... 27
Figura 13. SEM de referencia JEOL JSM-7401F [28]...................................................................... 27
Figura 14. Depósitos obtenidos en (a) - (b): CIMAV y (c) - (d): UTP, empleando los mismos
parámetros de deposición para obtener 2 y 10 capas (a-c y b-d respectivamente)............................ 29
Figura 15. Depósito a 4 l/min denominado muestra 18: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de
reflectancia. ....................................................................................................................................... 30
Figura 16. Depósito a 3 l/min denominado muestra 19: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de
reflectancia ........................................................................................................................................ 30
Figura 17. Depósitos a 0,6 cm/min denominado muestra 20: (a) Imagen (b) micrografía y (c)
espectro de reflectancia ..................................................................................................................... 31
Figura 18.Depósitos a 0,4 cm/min denominado muestra 21: (a) Imagen (b) micrografía y (c)
espectro de reflectancia ..................................................................................................................... 32
Figura 19. Depósitos a 0,6 cm/min y 4 l/min denominado muestra 22: (a) Imagen (b) micrografía y
(c) espectro de reflectancia ................................................................................................................ 32
Figura 20. Depósitos a 0,6 cm/min y 3 l/min denominado muestra 23: (a) Imagen (b) micrografía y
(c) espectro de reflectancia ................................................................................................................ 32
Figura 21. Espectros de transmitancia y absorbancia de las muestras 20 (5 l/min,), 22 (4 l/min) y 23
(3 l/min) con velocidad de la tobera de 0,6 cm/min. ......................................................................... 34
Figura 22. Índice de refracción (a) y coeficiente de extinción (b) de las muestras 20, 22 y 23. ....... 36
Figura 23. Coeficiente de absorción (α) de las muestras 20, 22 y 23 ................................................ 37
Figura 24. Band gaps de energía (Eg) para las muestras 20, 22 y 23 ................................................ 38
Índice de tablas
Tabla 1.Parámetros de preparación de los precursores para las películas bicapa de aluminio-níquel
........................................................................................................................................................... 23
Tabla 2. Parámetros de depósito de las películas de óxido de titanio ............................................... 24
Tabla 3. Parámetros de deposición para las muestras bicapa de aluminio-níquel............................. 26
Tabla 4. Aproximación de los grosores según los colores y el número de picos en el espectro de
reflectancia ........................................................................................................................................ 28
Tabla 5. Parámetros iniciales de depósito ......................................................................................... 29
Tabla 6. Parámetros variados y observaciones de las distintas muestras .......................................... 33
Tabla 7. Composición elemental en porcentaje atómico del sustrato y las muestras bicapa de
aluminio-níquel ................................................................................................................................. 39
Tabla 8. Comparación de los resultados de EDS y SEM obtenidos para el sustrato de aluminio y las
muestras 14 y 15................................................................................................................................ 40
Capítulo 1.
1. Introducción
En las últimas décadas la deposición de películas delgadas ha experimentado un incremento
considerable debido a la necesidad de obtener nuevos productos y dispositivos adaptables en los
diferentes campos de la industria. Sin embargo, el objetivo fundamental de estas radica en la
modificación de las propiedades de la superficie de un material, dirigido a obtener una mejora en las
propiedades del conjunto capa-sustrato o, en otros casos, para realizar una función específica
(recubrimientos funcionales) [1].
De esta forma se ha implementado la síntesis de películas delgadas por métodos como Baño Químico
(CBD), Deposición Química de Vapor (CVD) y asistida por aerosol (CVDAA), Evaporación térmica,
Electrón Beam Evaporation y Sputtering [2]; en particular la deposición química de vapor (CVD)
asistido por aerosol, llama la atención en la comunidad científica debido a su bajo costo de
implementación y su simplicidad ya que por medio de esta se realizan recubrimientos en sustratos
con geometrías complejas teniendo como resultado una distribución uniforme de la solución
precursora sobre la superficie del sustrato, obteniendo así revestimientos de alta calidad [3]. La
técnica de depósito químico de vapor asistido por aerosol (CVDAA), consiste principalmente en un
proceso de atomización de una solución precursora en forma de gotas de diámetros muy pequeños y
arrastradas por un gas transportador hacia la superficie de un sustrato previamente calentado,
seguidamente ocurre un proceso de descomposición del material cerca o en la superficie del sustrato;
esto, a causa de los diferentes cambios químicos y físicos producidos por el tamaño de las gotas y la
temperatura. Finalmente, el material forma distintas estructuras nanométricas sobre el sustrato,
también llamadas películas delgadas [4].
En este trabajo se presenta el proceso de optimización de los parámetros de depósito del equipo de
CVDAA implementado en el Grupo de Investigación de Propiedades Magnéticas y Magnetoópticas
de Nuevos Materiales (GIMM), con el fin de obtener películas delgadas uniformes de óxido de titanio,
las cuales se compararon con aquellas obtenidas con otro equipo implementado en el Centro de
Investigación en Materiales Avanzados (CIMAV) de Chihuahua, México, como un método indirecto
de aseguramiento de la calidad de las películas obtenidas.
1.1. Planteamiento de la pregunta de investigación

En el grupo de investigación GIMM de la Universidad Tecnológica de Pereira se llevó a cabo un
estudio comparativo de las propiedades ópticas, mecánicas y de durabilidad entre dos pinturas
denominadas Epóxico de marca mexicana y acrílico de marca colombiana (Pintuco) utilizados como
recubrimientos absorbedores, depositado en sustratos de cobre y aluminio, para ser posteriormente
empleados en colectores solares instalados en un centro educativo mexicano para calentar el agua de
una piscina [5]. Debido a la necesidad de mejorar las propiedades ópticas se ha querido implementar
una técnica diferente para depositar otra clase de materiales que pueda arrojar resultados más
favorables y que puedan generar un mayor impacto. Dentro de las técnicas de deposición de películas
delgadas se ha encontrado que existe un método confiable y económico; se trata de la técnica CVDAA
(Deposición de Vapor Químico Asistida por Aerosol) implementada en numerosos laboratorios
alrededor del mundo, entre ellos, existe uno en la Universidad Nacional de Colombia-Sede
Manizales- donde se construyó e implementó un equipo de CVDAA como parte de un trabajo de
maestría [6]. Debido a que la técnica es sencilla, confiable y económica se construyó un equipo de
CVDAA en la UTP con el fin de obtener diversos recubrimientos con aplicaciones en distintas áreas;
para conocer las variables de funcionamiento del equipo se requirió caracterizarlo en términos de sus
parámetros de funcionamiento (o parámetros de depósito). Para lograr lo anterior se planteó conocer
la influencia de los diferentes parámetros de depósito (velocidad de la tobera, flujo de aire,
temperatura del sustrato, número de capas) del equipo construido mediante un estudio comparativo
de las propiedades ópticas y morfológicas de películas de óxido de titanio llevándonos a realizar la
siguiente pregunta:
¿De qué manera influye la variación de los parámetros de depósito sobre las propiedades
ópticas y morfológicas de las películas delgadas de óxido de titanio depositadas con el equipo de
CVDAA implementado en el GIMM?
1.2. Justificación de la pregunta de investigación

El Grupo de Investigación de Propiedades Magnéticas y Magnetoópticas de Nuevos Materiales
(GIMM) de la Universidad Tecnológica de Pereira pertenece a una red de investigación con otros dos
laboratorios mexicanos, el Laboratorio de Refrigeración, Fenómenos de Transporte y Energías
Renovables de la UAM-A y Laboratorio de Películas Delgadas del CIMAV, Chihuahua, que están
desarrollando recubrimientos sobre sustratos metálicos que presenten alta absortancia y baja
emitancia térmica para aplicaciones en calentadores solares. Esta colaboración financiada por el
CONACYT (México) a través del proyecto 249855, así como con recursos propios de la UTP ha
permitido obtener los recursos económicos para construir, instrumentar e implementar la técnica
CVDAA en las instalaciones de la UTP.
La implementación y dominio de esta técnica en el GIMM permitirá que la UTP tenga al servicio de
la comunidad universitaria e industrial, otra técnica de depósito de películas delgadas que permita
obtener revestimientos de alta calidad de materiales con una amplia gama de aplicaciones, lo cual
beneficiará no solo la comunidad científica local, regional, nacional, sino que también se prevé que
en un futuro se puedan desarrollar trabajos con impacto internacional.
1.3. Objetivos.
1.3.1. Objetivo general

Optimizar el funcionamiento del equipo CVDAA implementado en el laboratorio del Grupo de
Investigación de Propiedades Magnéticas y Magnetoópticas de los Nuevos Materiales (GIMM),
mediante la determinación de la influencia de los parámetros de deposición sobre las propiedades
morfológicas y ópticas de recubrimientos de óxido de titanio sobre sustratos de vidrio.
1.3.2. Objetivos específicos.

• Adquirir formación teórico-práctica del funcionamiento de la Técnica de Deposición
Química de Vapor Asistida por Aerosol (CVDAA).
• Definir los precursores, solventes y sustratos para depositar películas delgadas.
• Preparar los sustratos, medir la cantidad de los precursores y solventes necesarios para
realizar los depósitos de las películas delgadas.
• Determinar los valores de parámetros de depósito tales como: flujo de aire de arrastre,
velocidad de la tobera, distancia tobera-sustrato, temperatura del sustrato, temperatura del
aire de arrastre y número de capas.
• Depositar recubrimientos de óxido de Titanio en sustratos de vidrio.
• Caracterizar las propiedades ópticas y morfológicas de las películas delgadas obtenidas por
medio de las técnicas de microscopia óptica y espectrofotometría.
Capítulo 2:
2. Estado del arte
Una de las técnicas de deposición de películas delgadas que más llama la atención a la comunidad
científica, debido a su simplicidad, bajo costo de implementación y capacidad para producir
recubrimientos uniformes en superficies complejas, es la técnica de deposición química de vapor
(CVD) asistida por aerosol [3]. La técnica ha crecido rápidamente en las últimas décadas y sus
aplicaciones en distintos procesos han sido la clave para obtener avances en muchos procesos
industriales como lo son la obtención de materiales semiconductores, opto eléctricos, ópticos, fibras
refractarias, filtros y muchos otros. Actualmente, el CVD no es una técnica que se emplea por
curiosidad en los laboratorios sino una tecnología importante que se tiene en cuenta y va a la par con
importantes tecnologías industriales como lo son la electrodeposición, metalurgia de polvos o
procesos cerámicos convencionales [7].
En el área de las películas delgadas, se ha visto un incremento del uso de la técnica de CVD asistida
por aerosol para sintetizar una gran diversidad de materiales que pueden ser empleados en distintas
aplicaciones. Se han realizado depósitos de materiales versátiles que se pueden sinterizar en forma de
distintas estructuras nanométricas (nanobarrillas, nanobarras, nanotubos, entre otros) y que además
se pueden emplear como celdas solares fotovoltaicas, sensores de gases y fotocatalizadores [8].
Gracias a que la técnica puede ser fácilmente empleada y se puede replicar de manera sencilla, se
puede emplear para determinar las distintas características estructurales, morfológicas o de
composición de materiales al ser sintetizados con distintos parámetros de depósito y realizando
análisis básicos; esto puede arrojar conclusiones útiles para saber el tipo de compuesto y las
características particulares de un material que se obtiene a cierta temperatura o velocidad de
crecimiento [9].
Mediante CVD asistido por aerosol también pueden ser sintetizadas películas de óxido de titanio,
material que es también versátil con una gran variedad de aplicaciones (capas anti reflectivas, celdas
solares, fibras ópticas, sensores de gases, membranas cerámicas, fotocatálisis, etc.) y que, gracias a
las particularidades de la técnica en mención, se puede sintetizar a bajo costo obteniendo
recubrimientos muy uniformes [10]. En otros trabajos se han realizado depósitos de óxido de titanio
en los que se utiliza como capa base sobre la cual se depositan materiales empleados en sensores para
detectar gases]. La tecnología sola térmica ha aprovechado la sencillez y la eficacia de la técnica para
obtener recubrimientos que son selectivos solares, es decir, absorben la mayoría de la radiación solar
incidente sobre ellos sin tener pérdidas por reemisión térmica. Un material que se ha percibido como
buen candidato para crear recubrimientos selectivos solares es el níquel, Diversos estudios han
implementado este material obteniendo resultados muy favorables en los valores de las propiedades
ópticas y la selectividad solar [11]. Éste material también se ha combinado con materiales como la
alúmina (fácilmente sintetizada por la técnica) para obtener recubrimientos con propiedades optimas
empleadas en la tecnología solar térmica [12] [13].
Capítulo 3:
3. Marco teórico
3.1. Películas delgadas
Las películas delgadas son generalmente usadas para mejorar las propiedades de las superficies de
materiales en específico, también se puede utilizar para mejorar las propiedades de un conjunto
compuesto por el recubrimiento y el sustrato o en otros casos se emplea para realizar una función
específica. Algunas de las propiedades que pueden ser mejoradas por las películas delgadas son:
transmitancia, reflectancia, absorción, dureza, resistencia a la abrasión y la corrosión, permeabilidad,
comportamiento eléctrico, entre otras [1].
En general, una película delgada se refiere a un recubrimiento que tiene un espesor que va desde los
0,1 nm a los 1000 nm y para que sea útil debe poseer la mayoría o todas las propiedades siguientes
[14]:
• Debe ser químicamente estable en el entorno en el que se usará

• Debe adherirse bien a la superficie que cubre (un sustrato o alguna otra capa adicional sobre
este)
• Debe tener un espesor uniforme
• Debe ser químicamente puro o tener una composición química controlada
• Debe tener una baja densidad de imperfecciones
3.2. Síntesis de películas delgadas

Existen diversas técnicas para la obtención de películas delgadas, pero en general se clasifican en
técnicas físicas y químicas de deposición. Ambos grupos de técnicas comparten la generalidad de que
la película siempre va a necesitar de un sustrato y/o un blanco para crecer. Algunas de las técnicas
más comunes de depósito son: deposición química de vapor (CVD), ablación láser (PLD), erosión
catódica (sputtering), sol-gel, spin coating, evaporación por haz de electrones, entre otras. Aunque la
mayoría de procesos empleados en la obtención de las películas delgadas se hacen por la deposición
de vapor física o químicamente (CVD y PVD, respectivamente).
3.2.1. Técnicas físicas de síntesis de películas delgadas:

Las técnicas físicas de depósito de películas delgadas más comunes son las denominadas: deposición
física de vapor o PVD (por sus siglas en inglés). Actualmente, los procesos de PVD se utilizan en una
gran variedad de aplicaciones que van desde lo decorativo hasta películas superconductoras de alta
temperatura. Las películas obtenidas por PVD poseen grosores que pueden variar desde los angstroms
hasta milímetros y se pueden lograr tasas de crecimiento cercanas a los 25 μm con ciertas técnicas de
haces de electrones. Algunas de las técnicas de PVD que más se utilizan en la actualidad [15] son:
• Sputtering
• DC sputtering
• Magnetrón sputtering
• Deposición de arco catódico
• Deposición física de vapor por rayo de electrones
• Sputtering por plasma
3.2.2. Técnicas químicas de síntesis de películas delgadas
Las técnicas químicas más usadas en la obtención de este tipo de recubrimientos son las que utilizan
el vapor químico para crecer las películas (CVD). El proceso de CVD consiste en la reacción de uno
o varios compuestos en forma de gas o vapor para dar un producto sólido. Las fuentes precursoras de
estos productos generalmente están en forma de gas o líquido. En ambos casos, los reactivos (gas o
vapor) han de ser arrastrados a la cámara de reacción en la proporción adecuada para producir el
material deseado, una vez que ocurre la reacción. Los gases reactivos son introducidos por uno de los
extremos del reactor y los subproductos de la reacción, así como los gases que no han llegado a
reaccionar son eliminados a través de la puerta de salida mediante un sistema de evacuación adecuado.
[1].
A su vez, la técnica de CVD cuenta con distintas variaciones, dentro de las cuales, más comúnmente
se encuentran las siguientes:
• APCVD: Proceso realizado a presión atmosférica.

• LPCVD: Proceso realizado a presión subatmosférica.
• UHVCVD: Proceso realizado a presión muy baja (vacío controlado).
• AACVD: Proceso asistido por aerosol.
• DLICVD: Proceso con inyección directa de líquido.
• CVD asistidos por plasma: Se genera plasma durante las deposiciones.
Durante el crecimiento pelicular mediante la técnica CVD existe una serie de procesos que, en la
mayoría de los casos, pueden apreciarse en una secuencia muy particular. Dicha secuencia (¡Error! N
o se encuentra el origen de la referencia.) según Albella [1] es la siguiente:
• Transporte de átomos a la superficie, provenientes del flujo de gases (A), a través de la capa
límite.
• Adsorción de A sobre la superficie.
• Difusión superficial de A sobre la superficie.
• Reacción (descomposición de A) sobre la superficie.
• Desorción de productos volátiles (C) y transporte hacia el flujo de gases.
• Nucleación y crecimiento de la capa.
Figura 1. Etapas del crecimiento pelicular mediante la técnica CVD [1].

Las reacciones más comunes durante este tipo de procesos, que normalmente se producen en la
obtención de materiales con propiedades electrónicas, ópticas y optoelectrónicas son: pirólisis,
reducción, oxidación, hidrólisis, formación de nitruro, formación de carburo, desproporción y
reacciones órgano-metálicas [1]; siendo la primera una de las más importantes debido a que al
controlar la temperatura de las reacciones se puede modificar u obtener ciertos tipos de morfologías
en los recubrimientos depositados. Sin embargo, existen 3 factores que controlan la naturaleza y las
propiedades de los depósitos: la epitaxia, precipitación en fase gaseosa y la expansión térmica.
La naturaleza de los depósitos y la taza de nucleación al principio de las deposiciones son afectadas,
entre otros factores, por la naturaleza del sustrato. Un caso específico es el de la epitaxia donde la
estructura del sustrato esencialmente controla la estructura del depósito. La epitaxia puede ser
definida como el crecimiento de una capa cristalina en un sustrato cristalino, con el sustrato actuando
como cristal semilla. Cuando ambos, el depósito y el sustrato son del mismo material o cuando sus
estructuras cristalinas son idénticas o parecidas, el fenómeno es conocido como homoepitaxia.
Cuando los parámetros de red son diferentes el fenómeno se conoce como heteroepitaxia. Es
importante anotar que el crecimiento epitaxial no puede ocurrir cuando las diferencias estructurales
son muy grandes. [7]
Una reacción de CVD puede ocurrir en la fase gaseosa en lugar de ocurrir en la superficie del sustrato
si la supersaturación de los gases reactivos y la temperatura son los suficientemente altos. Esto se
determina generalmente porque las partículas precipitadas en la fase gaseosa, en forma de hollín, se
incorporan en el depósito, produciendo un recubrimiento con estructura no uniforme, rugoso y con
baja adhesión. En algunos casos, la precipitación en fase gaseosa es usada a propósito, como ocurre
en la producción de polvos extremadamente finos. [7]
En un recubrimiento obtenido por CVD se pueden presentar altas tensiones, durante el proceso de
enfriamiento después de la deposición, si hay una diferencia sustancial entre el coeficiente de
expansión térmica del recubrimiento y el sustrato [7]. Estas tensiones pueden causar agrietamientos
en el recubrimiento. Si esto ocurre, se hace necesario implementar algún material que selle el depósito
y que posea un coeficiente de expansión térmica intermedio.
Independientemente de lo anterior, hay que tener en cuenta que el proceso principal durante la
obtención de cualquier película delgada o recubrimiento es precisamente su formación en el sustrato,
a este proceso se le conoce como nucleación. Para analizar la etapa de nucleación según Albella [1],
se debe tener en cuenta que, a lo largo de la superficie del sustrato, existen zonas con diferentes
características para formar enlaces con el material a depositar. En los puntos, con posibilidad de
enlaces más fuertes, es donde se favorece la formación de núcleos. A partir de un cierto tamaño de
los núcleos, resulta energéticamente más favorable el desarrollo y crecimiento de los núcleos que su
reevaporación. Estos núcleos que se están formando, llegan a ponerse en contacto, coalescen y
finalmente forman una capa continua de depósito. La estructura del depósito (amorfa o policristalina),
habitualmente obtenida en procesos CVD, se encuentra determinada por la velocidad de aporte de
masa y temperatura del proceso. Así, para bajas temperaturas y altas concentraciones la movilidad de
los átomos adsorbidos es baja, pero la velocidad de suministro de masa es elevada y se forman
numerosos núcleos con orientaciones diferentes. La coalescencia de estos núcleos da como resultado
la formación de una estructura policristalina. Sin embargo, si la temperatura es todavía inferior y se
aumenta la concentración de reactivo, se forman más cantidad de núcleos y finalmente la película de
depósito puede llegar a presentar estructura amorfa.
3.2.2.1. Spray pyrolysis
Spray pyrolysis es un proceso de deposición química que utiliza líquidos como precursores. Se utiliza
principalmente en el área de la investigación para preparar capas delgadas y/o gruesas, recubrimientos
cerámicos y producir polvos. A comparación de otros métodos de deposición, la técnica de spray
pyrolysis representa un proceso simple y relativamente económico (especialmente en cuanto a
equipos se refiere). Un equipo típico de spray pyrolysis consiste en: un atomizador, solución
precursora, calentador de sustrato [4]. También existen equipos que emplean un compresor de aire y
un horno para transportar y calentar un gas que ayuda a que el spray llegue más fácilmente hasta el
sustrato (Figura 2).
A pesar de ser una técnica bastante sencilla, emplear spray pyrolysis trae grandes ventajas que según
Sabnis [16] son las siguientes:
• Ofrece una manera particularmente fácil de dopar películas con cualquier compuesto en
cualquier proporción simplemente añadiendo el dopante a la solución del spray.
• A diferencia de técnicas parecidas como CVD, spray pyrolysis no requiere de vacío o de
sustratos de alta calidad lo que implicaría una ventaja enorme a la hora de escalar la técnica
a niveles industriales.
• La tasa de deposición y el grosor de las películas es simplemente controlado al hacer una
variación en los parámetros de formación y transporte del spray, por lo tanto, eliminando los
inconvenientes de otras deposiciones químicas como sol-gel, que produce películas de un
grosor restringido.
• Se puede operar a temperaturas moderadas desde los 200 hasta las 600 °C y se pueden obtener
películas en materiales menos resistentes a altas temperaturas.
• No se produce el calentamiento nativo que se genera en técnicas como pulverización de tubos
de electrones de frecuencia (RFMS), fenómeno que puede ser perjudicial para algunos
materiales a depositar. Casi no hay restricciones en el material del sustrato, sus dimensiones
o su perfil de superficie.
• Por la composición dinámica de la solución del spray en todo el proceso de rocío, se usa
frecuentemente para crear películas base (matrices) y películas que tienen gradientes de
composición en todo su espesor.
Figura 2. Equipo de Spray Pyrolysis con sus partes [17].

Hay cuatro tipos de mecanismos de spray pyrolysis en función de la temperatura del sustrato y del
tamaño inicial de las gotas del aerosol que explican lo que ocurre idealmente en un proceso de
deposición mediante esta técnica (Figura 3). Dónde cada proceso descrito en la imagen
correspondería a [18]:
• Proceso A, bajas temperaturas: Ocurre cuando las gotas que chocan con el sustrato son
grandes, estas partículas del aerosol se salpican en la superficie, seguidamente por la
precipitación de una sal amorfa y luego ocurre una descomposición/oxidación.
• Proceso B, temperaturas bajas a intermedias: Cuando una gota de tamaño medio se forma
inicialmente o el proceso de transporte causa una evaporación parcial de las gotas, el aerosol
que es transportado se precipita como una sal amorfa antes de alcanzar al sustrato y posterior
al choque con éste, se presenta la descomposición/oxidación.
• Proceso C, temperaturas intermedias a altas: Cuando inicialmente se forman gotas pequeñas
de aerosol o durante el proceso de transporte se evapora gran cantidad del mismo, las
partículas arrastradas se precipitan como una sal amorfa y se subliman inmediatamente antes
de tocar al sustrato. El transporte de vapor al sustrato resulta en una
descomposición/oxidación secuencial y se da paso a una verdadera reacción de CVD.
• Proceso D, altas temperaturas: cuando gotas muy pequeñas de aerosol se forman inicialmente
o el proceso de transporte causa una evaporación extensiva, estas partículas de aerosol se
subliman y se oxidan mucho antes de tocar el sustrato lo que resulta en una muy baja
adherencia sobre este.
Figura 3. Procesos durante SPD (Deposición por Spray Pyrolysis) [18]

3.3. Técnicas de caracterización de películas delgadas
3.3.1. Caracterización de propiedades estructurales y morfológicas: SEM, EDS,
XRD.
Las técnicas más comunes para caracterizar las propiedades estructurales y morfológicas de
materiales depositados en forma de capas delgadas sobre sustratos metálicos son aquellas que son
capaces de medir propiedades y características del orden de los nanómetros. La morfología de los
recubrimientos de capas delgadas puede estudiarse mediante técnicas como AFM y SEM. La técnica
XRD, en cambio, es usada para estudiar la composición estructural de los recubrimientos.
• SEM (Scanning electron microscopy) [19]: Para realizar una prueba de SEM o también
conocida como: microscopía electrónica de barrido, se emite un haz de electrones (que será
medido por un receptor una vez choque con la muestra y rebote) desde un cátodo, pero el
dispositivo debe también contar con un ánodo. Los electrones son acelerados por un voltaje
de hasta 30 kV que se genera entre el cátodo y el ánodo y forman un haz de electrones mucho
más pequeño y definido con un diámetro cerca de los 10-50 µm. Pero éste tamaño de rayo
es muy grande para producir una imagen nítida. Debido a lo anterior, el rayo es reducido en
tamaño por medio de un sistema de lentes que consiste en uno o dos lentes condensadores y
un lente objetivo que apunto a la superficie de la muestra. Las señales recibidas pueden variar
de un lugar a otro en la superficie durante la interacción de la muestra con los electrones
debido a la composición y la topografía del espécimen. La amplificación de la imagen que
se genera al realizar el proceso está dada por la relación de la longitud del escaneo en el
monitor y la correspondiente longitud del escaneo en la muestra.
• EDS: [19]: La espectrometría de dispersión de energía de rayos X hace uso del espectro de
rayos X emitido por una muestra sólida bombardeada con un rayo localizado de electrones
para obtener un análisis químico localizado. Todos los elementos con número atómico
comprendidos entre el 4 (Be) y el 92 (U) pueden ser en principio detectados, aunque no todos
los equipos están equipados para analizar elementos con un número atómico menor a 10.
Los análisis cuantitativos (determinación de la concentración de los elementos presentes en
una muestra) se hacen midiendo las intensidades de los rayos X emitidos por cada elemento
en la muestra. Mediante un escaneo de los rayos X que se producen durante el análisis, se
puede hacer un mapeo de la superficie para obtener mapas o imágenes de la distribución de
los elementos presentes de la muestra.
• XRD (X-ray diffraction) [20]: La difracción de rayos X es uno de los fenómenos físicos
que se producen al interaccionar un haz de rayos X, de una determinada longitud de onda,
con un material cristalino. La difracción de rayos X está basada en la dispersión coherente del
haz de rayos X por parte de la materia y en la interferencia constructiva de las ondas que
están en fase y que se dispersan en determinadas direcciones del espacio. La difracción de
rayos permite abordar la identificación de fases cristalinas (puesto que todos los sólidos
cristalinos poseen su difractograma característico) tanto en su aspecto cualitativo como
cuantitativo. Los estudios de polimorfismo, transiciones de fase, determinación de diagramas
de fase, etc., se realizan habitualmente por difracción de rayos X.
3.3.2. Microscopía óptica
Dentro de las numerosas técnicas para estudiar materiales, la microscopía óptica, con sus distintas
variaciones es muy importante para todos aquellos que trabajan dentro del campo de los materiales.
Por ejemplo, en el área de la metalurgia, este tipo de técnica es la herramienta más empleada para
investigar y concluir acerca de la superficie y propiedades de los materiales. Se tiene que la
microscopía óptica se divide en dos categorías: Modo reflexión (para muestras opacas) y modo
transmisión (para muestras translúcidas). Dentro de cada categoría hay un gran número de variaciones
de la iluminación empleada para realizar las observaciones (campo luminoso, campo oscuro, luz
polarizada, contraste de fase y contraste de interferencia diferencial). Cada uno provee una
observación diferente o mejorada de cualidades microestructurales, pero en general la microscopía
óptica no se emplea para medir una propiedad o un grupo de ellas. La información que se obtiene
empleando esta técnica es en su mayoría de carácter cualitativo lo que, para una persona con mucha
experiencia en el área, significaría que se tiene información que puede ser relacionada con la física,
composición química, alguna o algunas propiedades mecánicas, procesamiento o tiempo de servicio
o empleo de un material en específico. [21]
En comparación con otros instrumentos empleados para obtener imágenes de la microestructura de

los materiales (TEM, SEM, STM, STEM, AFM, entre otras), un microscopio óptico es ampliamente
empleado para una gran variedad de estudios debido a que es un instrumento relativamente
económico, no se requiere mucho entrenamiento técnico, la preparación de la muestra es muy fácil
(en ocasiones no requiere de ninguna preparación previa) y la cantidad de información que se puede
obtener por alguien experto en el tema es muy grande. Debido a que la resolución máxima de un
microscopio óptico está delimitada por la longitud de onda de la luz, el aumento más útil que se puede
obtener es de hasta 1600x. En estos límites de magnificación y de resolución se pueden observar
características microestructurales de hasta 325 nm. Aunque la mayoría de los otros instrumentos
tienen unas magnificaciones y resoluciones mucho más grandes, el área de estudio de la muestra es
mucho más reducida, por lo que muestrear la microestructura se hace mucho más sencillo y
conveniente con un microscopio óptico [21].
3.3.3. Espectroscopía UV-VIS
La espectroscopía de absorción ultravioleta y visible es la medida de la atenuación de un rayo de luz

después de que ese pasa a través de una superficie o después de que se refleja en su superficie. Por
medio de esta técnica se pueden obtener medidas de absorción (absorbancia), transmitancia y
reflectancia que se pueden obtener en todo un rango de longitudes de onda o para valores puntuales
en la región visible e infrarroja del espectro. El uso de la espectroscopía UV-VIS en la investigación
de materiales puede ser dividida en dos categorías: (1) medidas cuantitativas de una muestra en estado
sólido, líquido o en fase gaseosa y (2) caracterización óptica y electrónica de materiales. La primera
categoría es más usada como una herramienta para la preparación de materiales ya sea para cuantizar
los constituyentes de los materiales o precursores o como un proceso de monitoreo de la
concentración de los reactivos o productos durante una reacción. En aplicaciones cuantitativas,
frecuentemente sólo es necesario realizar la medida de la absorbancia o reflectancia para ciertas
longitudes de onda puntuales. La segunda categoría tiene aplicaciones más cualitativas y usualmente
requiere medir al menos una porción del espectro UV-VIS para la caracterización de las propiedades
ópticas y electrónicas de los materiales [21].
3.3.3.1. Transmitancia (T)

La transmisión es el término que se utiliza para describir el proceso mediante el cual una radiación
incidente deja una superficie o un medio por algún lugar distinto al cual está incidiendo, usualmente
por el lado opuesto. La transmitancia de un medio es la tasa entre el flujo espectral transmitido y el
flujo espectral incidente. Geométricamente la transmitancia se puede clasificar como especular,
difusa o total, dependiendo de si se considera la dirección especular, todas las direcciones menos la
especular o si todas las direcciones son consideradas.
3.3.3.2. Absorbancia (A)
La absorción es el proceso mediante el cual un flujo radiante es convertido en otra forma de energía,
generalmente calor. La absorbancia es la fracción del flujo incidente que es absorbido.
3.3.3.3. Reflectancia (R)
La reflexión es el proceso donde una fracción de un flujo de radiación incidente en una superficie es
regresado al mismo hemisferio cuya base es la superficie que contiene la radiación incidente. La
reflexión puede ser especular (tipo espejo), difusa (dispersa en todo el hemisferio) o una combinación
de ambas.
Cuando se hace incidir un flujo de radiación sobre una superficie o cualquier medio se presentan los
procesos de transmisión, reflexión y absorción. Si se tiene en cuenta la conservación de la energía, se
podría decir que la suma de las tres cantidades en cualquier caso debería ser la unidad:
A + T + R = 1 (1)
Si se tienen los espectros de A, T y R o algunos de ellos, se pueden calcular distintas propiedades del
material en estudio, tales como: coeficiente de absorción, índice de refracción, coeficiente de
extinción y la energía necesaria para que un electrón pasa a la banda de valencia (Band gap). A
continuación, se realiza una breve descripción de la forma como se pueden obtener
3.3.3.4.Coeficiente de absorción (𝜶)
El coeficiente de absorción (𝛼) describe la atenuación de la intensidad de una radiación incidente en

un material, es decir, la cantidad de energía que se absorbe por parte del material incidido y sus
unidades son el recíproco de la longitud (m-1). En muchos casos, la energía absorbida es proporcional
al grosor de la muestra [22]. El coeficiente de absorción se puede calcular a partir de los espectros
medidos de la transmitancia mediante la expresión (2) [23]:
𝑙𝑜𝑔(1/𝑇(𝜆))
𝛼 = 2,303 ( 2)
𝑡
Donde 𝛼 es el coeficiente de absorción, t el grosor de la película y T la transmitancia que depende de

la longitud de onda.
3.3.3.5. Índice de refracción (n)
La propagación de un rayo o haz de luz a través de un medio es descrito por el índice de refracción
(n). Este índice se define como la razón entre la velocidad de la luz en el vacío y la velocidad de la
luz en un medio, también descrito como la medida que determina la reducción de la velocidad de la
luz al propagarse por un medio homogéneo [22]. En el caso de las películas delgadas, este índice
puede ser calculado mediante la ecuación que relaciona la reflectancia con los índices de refracción
del sustrato, el aire y el de la película, así:
(1 + √𝑅(𝜆))
𝑛(𝜆) = ( 3)
(1 − √𝑅(𝜆))
Donde se tiene que R (λ) es la reflectancia en función de la longitud de onda y 𝑛(𝜆) es el índice de
refracción del material [24]
3.3.3.6.Coeficiente de extinción (k)
Las propiedades ópticas de los materiales están gobernadas por las interacciones de sus superficies
con campos magnéticos y ondas electromagnéticas. El coeficiente de extinción de un material se
refiere a la fracción de luz que se pierde debido a la dispersión y absorción por unidad de distancia
en el medio en cuestión. En términos electromagnéticos, el coeficiente de extinción se puede explicar
cómo el decaimiento o amortiguamiento de la amplitud del campo electromagnético incidente [24].
Este valor se puede calcular a partir de los valores del coeficiente de absorción, para ciertas longitudes
de onda, mediante la siguiente expresión:
𝛼𝜆
𝑘= ( 4)
4𝜋
En la expresión anterior, k simboliza el coeficiente de extinción, 𝜆 la longitud de onda y 𝛼 es el
coeficiente de absorción para una respectiva longitud de onda.
3.3.3.7. Band Gap (Eg)
El término band gap se refiere a la diferencia de energía entre la banda de valencia y la banda de
conducción de un átomo. Para que un electrón salte desde la banda de valencia hasta la banda de
conducción se requiere un valor mínimo de energía que es equivalente al band gap. La medida de este
valor es importante en las industrias de los semiconductores, nanomateriales y la solar, por lo que se
hace necesario realizar medidas de manera eficaz y sencilla. La manera más común de realizar esta
medida es mediante los espectros de las propiedades ópticas y algunos cálculos, como por ejemplo el
que se muestra en la ecuación (5):
𝛼ℎ𝜈 = 𝛽(ℎ𝜈 − 𝐸𝑔 )𝑛 ( 5)
Dónde 𝛼 es el coeficiente de absorción, ℎ𝜈 es la energía del fotón incidente, 𝐸𝑔 es el valor del band
gap y 𝛽 es un coeficiente de seguimiento que por lo general es un valor constante. El valor de n
depende del tipo de transición que domine la respuesta óptica que ocurra en el material; también,
depende de la naturaleza del material (si es cristalino o amorfo). Los valores de n se seleccionan de
acuerdo a si el material tiene band gaps directos o indirectos y pueden ser valores de: 1/2, 2, 3/2 y 3.
El band gap se puede calcular fácilmente realizando una gráfica del término (𝛼ℎ𝜈)2 , si se tiene en
cuenta un band gap indirecto, versus la energía del fotón incidente (ℎ𝜈), que para este caso sería la
energía para cada longitud de onda en la que se midieron las propiedades ópticas, y dibujando estos
valores se obtendrá una línea recta en algún lugar de la gráfica. Si se extrapola esta línea recta se
puede hallar el corte con el eje de la energía del fotón lo que sería el valor aproximado para el band
gap (𝐸𝑔 ). [23]
Capítulo 4:
4. Proceso Experimental
En este capítulo se presentan los detalles experimentales del proceso de limpieza de los sustratos, el
tipo de precursores utilizados, la forma como se prepararon las soluciones, así como los valores de
los parámetros de funcionamiento del equipo CVDAA que se variaron en cada uno de los depósitos
realizados
4.1. Preparación de sustratos y precursores
4.1.1. Preparación de los sustratos
• Lijado de sustratos metálicos

Se utilizaron sustratos de vidrio y aluminio cortado en láminas de 75x25 mm. Debido a la poca
uniformidad de la superficie de las láminas de aluminio se procedió a realizar un pulimiento con papel
abrasivo de dos distintas durezas (320 y 400) en presencia de abundante agua. El proceso de lijado se
hizo en una sola dirección para evitar que aparecieran demasiadas líneas de rayado en la superficie.
Figura 4.
Figura 4. Antes (izquierda) y después (derecha) de realizar el lijado de los sustratos
• Lavado convencional de los sustratos

Empleando esponja y jabón neutro se realizó el lavado de ambas caras del sustrato para eliminar
residuos producidos por el lijado y otras impurezas que pudieran estar presentes en la superficie. Los
sustratos de vidrio (portamuestras de borosilicato) se sometieron a este proceso de lavado.
• Baño ultrasónico de sustratos

Éste proceso se hace con el fin de quitar todas las impurezas presentes en la superficie de los sustratos
y que no son eliminadas por el lavado convencional. Los sustratos se lavaron primero en acetona
durante 20 minutos y posteriormente en metanol por otros 20 minutos dentro de un beaker en un baño
ultrasónico Branson 5510 (Figura 5b).
(a) (b)
Figura 5. Disposición de los sustratos en el beaker para someterlos a baño ultrasónico [25]
4.1.2. Cálculo y mezcla de las cantidades de aditivos para precursores
4.1.2.1. Películas de titanio

Los depósitos de titanio se realizaron utilizando como sal precursora Oxilacetilacetonato de Titanio
(IV) con pureza del 90 % y como solvente metanol con un grado de pureza del 99,9 %. La molaridad
con la que se prepararon todas las soluciones precursoras fue de 0,050 M disuelta en 100 ml de
metanol. Teniendo en cuenta la masa molecular de la sal de titanio de 262,080 g/mol se requerían
pesar 1.3104 g de acuerdo con la ecuación (1) del Anexo 1:
262,0800 g/mol * 0,1000 l * 0,05 M * 100 % = 1,3104 g
4.1.2.2.Películas bicapa de aluminio-níquel

Los precursores empleados fueron sales de Cloruro de Aluminio Hexa hidratado (Aldrich) con pureza
del 99% y Acetato de Níquel (II) Tetra hidratado (Aldrich) con pureza del 98%, como solventes se
utilizó agua destilada (Escuela de química de la UTP) y metanol con un grado con pureza del 99.9%.
En la Figura 6 se presentan imágenes de los frascos de los precursores y solventes.
Figura 6. Precursores (izquierda) y solventes (izquierda)
En el experimento se prepararon tres tipos de soluciones:

• Solución de alúmina: Empleada para la primera capa de todos los depósitos bicapa. Se
preparó a una molaridad de 0,134 M en 200 ml de solvente (100 ml de agua destilada y 100
ml de metanol). La sal de alúmina tiene un peso molecular de 241,43 g/mol, con lo que se
calculó la masa necesaria para preparar el precursor (6,4703 g, de la ecuación (1) Anexo 1):
241,4300 g/mol * 0,2000 l * 0,1340 M * 100 % = 6,4703 g
• Solución de níquel: Se preparó a una molaridad de 0.200 M en 120 ml de solvente (100 ml

de agua destilada y 100 ml de metanol) como el peso molecular del níquel es 248,8400 g/mol
se requirió una cantidad de sal de 5,9722 g (ecuación (1) Anexo 1):
248,8400 g/mol * 0,1200 l * 0,2000 M * 100 % = 5,9722 g
• Solución de aluminio-níquel: Se preparó una mezcla combinando níquel y alúmina a

distintas molaridades. La molaridad seleccionada para el níquel fue de 0,200 M y la molaridad
para la alúmina fue de 0,105 M. La solución fue nuevamente agua y metanol (50 ml de cada
solvente) y se necesitaron 2,4884 g de níquel y 1,2711 g de alúmina (ecuación (1) Anexo 1):
248,8400 g/mol * 0,1000 l * 0,2000 M * 50 % = 2,4884 g de Níquel.
241,4300 g/mol * 0,1000 l * 0,1050 M * 50 % = 1,2711 g de Alúmina

En la Tabla 1 se presenta un resumen de los solventes, precursores y molaridades empleadas para los
depósitos bicapa.
Parámetros \ Muestras #14 #15

Primera Capa Alúmina Alúmina
Sustrato Aluminio Aluminio
Molaridad 0,134 M 0,134 M
Solvente 1 Agua destilada Agua destilada
Solvente 2 Metanol Metanol

Segunda Capa Níquel Aluminio-Níquel
Molaridad Níquel 0,200 M 0,200 M
Molaridad Alúmina X 0,105 M
Solvente 1 Agua destilada Agua destilada
Solvente 2 Metanol Metanol
Tabla 1.Parámetros de preparación de los precursores para las películas bicapa de aluminio-níquel
Después de preparar cada una de las soluciones se procedió a agitar las mezclas en baño ultrasónico
por 20 minutos para garantizar la disolución total de las sales en los solventes.
4.2. Deposición de las películas delgadas
4.2.1. Películas de titanio

Se empleó un equipo de deposición de películas delgadas que funciona con la técnica de CVDAA
construido e implementado en la UTP en el grupo de investigación GIMM (Figura 7 y Figura 8). Las
películas de titanio se depositaron con el fin de optimizar los diferentes parámetros de funcionamiento
del equipo. Los parámetros de depósito que se tuvieron en cuenta al momento de realizar los depósitos
fueron: Flujo de aire de arrastre, temperatura de aire de arrastre, velocidad de la tobera, distancia de
la tobera al sustrato, temperatura del sustrato y número de capas. La Tabla 2 muestra los parámetros
utilizados para cada uno de los depósitos, se puede observar que el flujo del aire de arrastre se varió
empleando inicialmente un valor de 5 l/min, seguidamente uno de 4 l/min y también se eligió un valor
de 3 l/min. La velocidad de la tobera también se varió a valores de 0,6 cm/min y 0,4 cm/min luego
de haber utilizado inicialmente un valor de 1,0 cm/min. Los otros valores tales como la temperatura
del sustrato, distancia tobera-sustrato, temperatura del aire de arrastre y número de capas se dejaron
constantes.
Parámetro Valor Parámetro Valor
Variando Flujo de arrastre (4 L/min) Variando velocidad de la tobera (0,4 cm/min)

Muestras 5 y 18 Muestras 12 y 21
Temperatura sustrato (°C) 400 Temperatura sustrato (°C) 400
Velocidad tobera (cm/min) 1,0 Velocidad tobera (cm/min) 0,4
Flujo de aire (l /min) 4 Flujo de aire (l /min) 5
Distancia tobera-sustrato (mm) 1 Distancia tobera-sustrato (mm) 1
Temperatura horno del aire (°C) 200 Temperatura horno del aire (°C) 200
Capas o pasadas 2 Capas o pasadas 2
Variando Flujo de arrastre (3 L/min) Variando velocidad y flujo (0,6 cm/min y 3
Muestras 7 y 19 L/min)
Temperatura sustrato (°C) 400 Muestras 13 y 23
Velocidad tobera (cm/min) 1,0 Temperatura sustrato (°C) 400
Flujo de aire (l /min) 3 Velocidad tobera (cm/min) 0,6
Distancia tobera-sustrato (mm) 1 Flujo de aire (l /min) 3
Temperatura horno del aire (°C) 200 Distancia tobera-sustrato (mm) 1
Capas o pasadas 2 Temperatura horno del aire (°C) 200
Variando la velocidad de la tobera (0,6 cm/min) Capas o pasadas 2
Muestras 11 y 20
Variando velocidad y flujo (0,6 cm/min y 4 L/min)
Temperatura sustrato (°C) 400 Muestra 22
Velocidad tobera (cm/min) 0,6
Flujo de aire (l /min) 5 Temperatura sustrato (°C) 400
Distancia tobera-sustrato (mm) 1 Velocidad tobera (cm/min) 0,6
Temperatura horno del aire (°C) 200 Flujo de aire (l /min) 4
Capas o pasadas 2 Distancia tobera-sustrato (mm) 1

Temperatura horno del aire (°C) 200
Capas o pasadas 2
Tabla 2. Parámetros de depósito de las películas de óxido de titanio
Figura 7. Equipo de CVDAA empleado en la UTP Figura 8. Esquema del equipo de CVDAA de la UTP
El equipo de CVDAA tiene algunas piezas que son móviles y que se pueden armar y desarmar para
tener más facilidad a la hora de lavar el sistema. En la Figura 9 se aprecia un antes y un después de
poner juntas las piezas para realizar los depósitos (Ver Anexo 1). Dónde la pieza 1 es el nebulizador
en su respectivo soporte, la pieza 2 sostiene la manguera que transporta el aerosol, la pieza 3 sirve
como acople para inyectar el aire de arrastre, la pieza 4 une el nebulizador con la pieza 6 que porta el
precursor, la pieza 6 sirve para unir la pieza 1 y la 2; y el conjunto de las piezas 7 8 y 9 son la tobera
y sus soportes.
Figura 9. Partes antes y después de ser ensambladas para realizar los depósitos
4.2.2. Películas bicapa de aluminio-níquel
Para estos depósitos se tuvieron en cuenta los mismos parámetros empleados en el depósito de titanio
dejando constante el flujo de aire en 5 l /min, variando el número de capas, pero además se tomó en
cuenta un parámetro adicional que fue el tiempo de recocido para la primera capa de alúmina
depositada en todos los recubrimientos bicapa. Se observa en la Tabla 3 los parámetros de depósito
empleados para cada muestra.
Parámetros\ Muestra #14 #15
Primera Capa Alúmina Alúmina
Temperatura sustrato (° C) 400 400

Número de pasadas 6 9
Temperatura horno de aire
200 200
(°C)
Flujo de aire (l/min) 5 5
Distancia tobera-sustrato
1 1
(mm)
Velocidad de la tobera
0,6 0,6
(cm/min)
Recocido (h - °C) 1-400 1-400
Segunda Capa Níquel Aluminio-Níquel
Temperatura sustrato (°C) 350 350
Número de pasadas 12 9
Temperatura horno de aire
200 200
(°C)
Flujo de aire (l/min) 5 5
Distancia tobera-sustrato
(mm) 1 1
Velocidad de la tobera
(cm/min) 0,6 0,6
Tabla 3. Parámetros de deposición para las muestras bicapa de aluminio-níquel
4.3. Equipos empleados

• Caracterización de la superficie
Para las películas de titanio se tomaron micrografías con un microscopio óptico Zeiss Vert.A1 (Figura
10) con un aumento de 100x para observar características generales en la superficie de los
recubrimientos.
Figura 10. Microscopio óptico Zeiss Vert.A1 [26]
• Caracterización óptica de las películas del titanio

Para la caracterización óptica se empleó un espectrofotómetro UV-VIS Evolution 220 (Figura 11)
que toma medidas en un rango de los 200 nm a los 1100 nm. Se realizaron medidas de reflectancia,
transmitancia y absorbancia. Estas medidas sirvieron como base para calcular el índice de refracción,
coeficientes de absorción y de extinción y el band gap de los recubrimientos. Además, también
sirvieron para tener una idea aproximada del grosor de las películas.
Figura 11. Espectrofotómetro UV-VIS [27]
• Caracterización estructural y morfológica de los recubrimientos bicapa

Se realizó un análisis de microscopía electrónica de barrido (SEM) con un equipo que está en el
CIMAV, de Chihuahua-México, con referencia JEOL JSM-7401F (Figura 12) que cuenta con un
filamento de tungsteno con una resolución máxima de 3.5 nm, voltaje de aceleración de 30 Kv,
amplificación de 45x a 300000x y además equipado con un sistema EDS.
Figura 12. SEM de referencia JEOL JSM-7401F [28]

Capítulo 5:
5. Resultados y análisis
En este capítulo se presentan los resultados de la caracterización óptica y morfológica de los
diferentes depósitos realizados en el equipo de CVDAA construido en el GIMM con el fin de
caracterizarlo, para lo que se llevó a cabo una variación de algunos de sus parámetros de
funcionamiento. Se presenta también un análisis de las propiedades ópticas de tres de los
recubrimientos con el fin de corroborar que los recubrimientos sintetizados tienen propiedades
similares. De igual manera se presenta la caracterización morfológica y estructural de dos depósitos
bicapa de aluminio-níquel.
5.1. Optimización de parámetros de depósito del equipo de CVDAA de la UTP.

El equipo de CVDAA presente en la UTP fue construido por miembros del Grupo de Investigación
en Propiedades Magnéticas y Magnetoópticas de Nuevos Materiales. Se tomó como referencia un
equipo diseñado e implementado en el Centro de Investigación en Materiales Avanzados, de México
(CIMAV), pero al usarse algunos equipos y materiales diferentes se hacía necesario la realización de
pruebas para determinar cuáles son los parámetros óptimos de funcionamiento de nuestro equipo.
Para cumplir este objetivo, se compararon los resultados obtenidos con el equipo del CIMAV y el de
la UTP, al depositar películas de óxido de Titanio (como se explica en el capítulo 4: Proceso
Experimental, ver página 21). Debido a la falta de equipos especializados para medir propiedades
físicas y químicas de las películas delgadas, se decidió hacer la comparación basados en una tabla
que relaciona el color, el número de picos (ondulaciones) obtenidos en el espectro de reflectancia en
el rango de los 250 - 1100 nm (medidas hechas por el espectrofotómetro) con el grosor de la película,
esta información fue suministrada por la Dra. Amezaga del CIMAV (Tabla 4).
Picos (ondulaciones) Grosor aproximado del Color

recubrimiento [nm]
1 30-50 Turbio-transparente
2 60-80 Amarillo
2-3 100-150 Morado-Azul
3-5 200-250 Verde
>5 300 Rosa
Tabla 4. Aproximación de los grosores según los colores y el número de picos en el espectro de reflectancia
Con los primeros depósitos realizados se observó que existían imperfecciones en el grosor de la
boquilla de la tobera, por lo que se realizó una corrección.
Los parámetros de funcionamiento que se tuvieron en cuenta al momento de realizar los depósitos
para la caracterización del equipo fueron los siguientes: Flujo de aire de arrastre, temperatura del
horno para el aire de arrastre, temperatura del sustrato y número de capas. En la Tabla 5 se presentan
los parámetros que se utilizaron inicialmente y que fueron seleccionados debido a que con ellos el
equipo de CVDAA del CIMAV arroja resultados satisfactorios.
Parámetro Valor
Temperatura del sustrato (°C) 400

Velocidad tobera (cm/min) 1,0
Flujo de aire (l /min) 5
Distancia tobera-sustrato (mm) 1
Temperatura horno del aire (°C) 200
Capas o pasadas 2 y 10
Tabla 5. Parámetros iniciales de depósito
Se realizó una comparación visual entre los recubrimientos obtenidos en la UTP (Figura 13c y 13d)
y los obtenidos en el CIMAV (Figura 13a y 13b). Se observó que depositando en el equipo de la UTP
empleando los mismos parámetros que utiliza el CIMAV no se obtuvieron resultados similares. Los
recubrimientos de la UTP están totalmente oscuros, lo que se relaciona con un mayor grosor, por lo
que se concluyó que nosotros estábamos depositando más material bajo las mismas condiciones.
(a) 2 capas-CIMAV (b) 2 capas-UTP
(c) 10 capas-CIMAV (d) 10 capas-UTP

Figura 13. Depósitos obtenidos en (a) - (b): CIMAV y (c) - (d): UTP, empleando los mismos parámetros de deposición
para obtener 2 y 10 capas (a-c y b-d respectivamente)
NOTA: Los depósitos de las figuras 14 a la 24 fueron depositados con los parámetros consignados
en la Tabla 2 (siempre con dos capas) y sólo cambia el parámetro (o parámetros) especificado en el
nombre de cada figura.
Con el fin de disminuir la cantidad de material depositado se realizaron depósitos variando
inicialmente un parámetro a la vez para encontrar los valores óptimos. El primer parámetro que se
varió fue el flujo del aire, a un valor de 4 l/min, el resto de parámetros se dejaron constantes (Tabla
5) para hacer un depósito de 2 capas (Figura 14a). A partir del espectro de reflectancia obtenido y
haciendo uso de la Tabla 4, relacionando número de picos con grosor, se puede decir que el
recubrimiento tiene un grosor aproximado entre 200 nm y 250 nm (Figura 14c). Además, se observó
una distribución muy variada de colores en la superficie del recubrimiento, lo que significa que
pueden existir variaciones de grosor a lo largo de la película. Esto podría ser debido a que la velocidad
de depósito fue muy alta y no se alcanzó uniformidad en ciertas áreas.
Muestra 18
100
80
Reflectancia (%)
60
40
20
200 400 600 800 1000 1200

Longitud de onda (nm)
(a) Imagen muestra 18 (b) Micrografía muestra 18 (c) Espectro de reflectancia

Figura 14. Depósito a 4 l/min denominado muestra 18: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de reflectancia.
En la Figura 15 se presentan los resultados obtenidos al realizar una nueva variación del flujo del aire
de arrastre, esta vez se redujo a 3 l/min. Se puede ver como se obtuvo un recubrimiento muy tenue
con dos zonas muy notorias de dos colores diferentes; esto podría indicar que al momento de realizar
el montaje del equipo de CVDAA la tobera no quedó totalmente alineada con el sustrato. Pero a pesar
de lo anterior, el recubrimiento es tenue y uniforme. En la Figura 15b se nota el cambio de color entre
las dos zonas, los cuales son uniformes y suaves. De acuerdo con el número de ondulaciones del
espectro de reflectancia y comparando con la Tabla 4 se puede aproximar el grosor de la película al
rango entre 200 nm y 250 nm, al comparar con el espectro obtenido para la muestra 18 (Figura 14c)
presenta solo una oscilación adicional. Lo anterior indicaría que a menor flujo de aire se obtienen
depósitos levemente más gruesos.
Muestra 19
100
80
Reflectancia (%)
60
40
20
200 400 600 800 1000 1200

Figura 15. Depósito a 3 l/min denominado muestra 19: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de reflectancia
Dejando constantes los parámetros de la Tabla 5 y solamente variando la velocidad de la tobera, se

hicieron dos pruebas a 0,6 cm/min y 0,4 cm/min (Figura 16 y Figura 17 respectivamente). Para ambos
casos se observó que se obtuvieron recubrimientos uniformes, en sus micrografías se aprecian colores
suaves y bien distribuidos, pero el recubrimiento depositado a una velocidad menor (0,4 cm/min)
presenta un mayor grosor si se comparan el número de picos u ondulaciones en los espectros de
reflectancia de la Figura 14c y la Figura 15c. Esto indica que a menor velocidad de deposición se
obtienen recubrimientos con mayor cantidad de material adherido al sustrato.
Muestra 20
100
80
Reflectancia (%)
60
40
20
200 400 600 800 1000 1200


Figura 16. Depósitos a 0,6 cm/min denominado muestra 20: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de reflectancia
Al variar los dos parámetros anteriores (flujo de aire y velocidad de la tobera) se notó que a menor
flujo se obtienen películas con mayor cantidad de material adherido al sustrato (Figura 15) y que la
velocidad con la que se obtuvo un recubrimiento con menor grosor (menor número de ondulaciones
en el espectro de reflectancia) fue la hecha a una velocidad de 0,6 cm/min. Se combinaron estos dos
valores de los parámetros (4 l/min y 0,6 cm/min) con el fin de obtener recubrimientos más tenues. La
muestra obtenida se denomina muestra 22 y los resultados se presentan en la Figura 18. Se obtuvo un
depósito con unas características muy similares a los depósitos denominados: muestra 21 y muestra
23. Comparten unos espectros de reflectancia muy similares, es decir, poseen unos grosores
aproximadamente iguales. Además, comparando las micrografías de las Figura 17c, Figura 19c y
Figura 18c se observa que, aunque no se ven los colores exactamente iguales en las tres micrografías
se aprecian unas superficies muy suaves y con una distribución uniforme de color.
Un depósito adicional fue hecho combinando nuevamente la variación de la velocidad de la tobera y
el flujo del aire que para este caso los valores empleados fueron 0,6 cm/min y 3 l/min (Figura 19). Se
puede observar que comparte un espectro de reflectancia bastante parecido como se aprecia en la
Figura 17c y en la Figura 18c, lo que indica que tienen un grosor y una superficie semejante. Por esto
se puede decir que unos parámetros de depósito de 0,4 cm/min y 5 l/min, para velocidad de la tobera
y flujo de aire respectivamente, son equivalentes a unos valores de 0,6 cm/min y 3 l/min para los
mismos parámetros.
Muestra 21
100
80
Reflectancia (%)
60
40
20
200 400 600 800 1000 1200

(a) Imagen muestra 21 (b) Micrografía muestra 21 (c) Espectro de refletancia

Figura 17.Depósitos a 0,4 cm/min denominado muestra 21: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de reflectancia
Muestra 22
100
80
Reflectancia (%) 60
40
20
200 400 600 800 1000 1200

(a) Imagen muestra 22 (b) Micrografía muestra 22 (c) Espectro de reflectividad

Figura 18. Depósitos a 0,6 cm/min y 4 l/min denominado muestra 22: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de
reflectancia
Muestra 23
100
80
Reflectancia (%)
60
40
20
200 400 600 800 1000 1200


Figura 19. Depósitos a 0,6 cm/min y 3 l/min denominado muestra 23: (a) Imagen (b) micrografía y (c) espectro de
reflectancia
En la Tabla 6 se presenta un resumen de los parámetros utilizados para cada uno de los depósitos
analizados hasta el momento, los colores observados en las imágenes, los picos obtenidos por
espectrometría.
Nombre Flujo (l/min) Velocidad Color Picos

(cm/min) (ondulaciones)
Muestra 18 4,0 1,0 Verde 3
Muestra 19 3,0 1,0 Verde 4
Muestra 20 5,0 0,6 Rosa 5
Tabla 6. Parámetros variados y observaciones de las distintas muestras
Culminadas las pruebas de variación de parámetros se pudo deducir que el parámetro que más influyó
en el crecimiento de las películas delgadas, en términos de grosor y espectros de reflectancia,
depositadas por la técnica CVDAA es el de la velocidad de la tobera. Independientemente del flujo,
si se deposita a 0,6 cm/min se obtienen recubrimientos similares, con espectros de reflectancia muy
parecidos (Figura 16-b a 5 l/min, Figura 18 a 4 l/min y Figura 19-b a 3 l/min). Se observa que los
espectros de reflectancia comparten una forma muy similar en la que sólo varía el número de picos
(uno o dos picos) por lo que se puede decir que los recubrimientos que se obtienen con la velocidad
de la tobera de 0,6 cm/min son uniformes y con superficies similares. Además, se puede decir también
que: A menor flujo de aire y mayor velocidad de depósito los recubrimientos obtenidos poseen mayor
grosor. Sin embargo, es importante resaltar que estos resultados son cualitativos y para tener mayor
certeza de las conclusiones hasta aquí obtenidas se debe realizar medidas de grosor usando por
ejemplo la técnica de microscopía de fuerza atómica (AFM).
5.2. Caracterización óptica de los recubrimientos

Se seleccionaron tres recubrimientos para realizar el análisis de sus propiedades ópticas, con el fin de
comparar sus distintas propiedades y comprobar que los recubrimientos presentaran concordancia en
sus propiedades ópticas. Ya que la velocidad de depósito es el parámetro que se encontró es el más
crítico y que juega un papel importante en el crecimiento de las películas se seleccionaron los
recubrimientos denominados muestra 20, muestra 22 y muestra 23 depositados todos a una velocidad
de la tobera de 0,6 cm/min y donde se varió el flujo de aire a 5l/min, 4 l/min y 3 l/min respectivamente.
Para las muestras 22 y 23 se obtuvieron espectros de transmitancia y absorbancia (Figura 20) con
valores que oscilan entre el 40 % y el 80 % y entre el 20 % y el 40 % respectivamente dentro del
espectro visible. Esto indica que las películas obtenidas son materiales translúcidos y que además
absorben una cantidad significativa del espectro solar en la región visible y UV del espectro (200-
800 nm). La muestra 20, a pesar de que aproximadamente comparte el mismo grosor que las otras
muestras (de acuerdo con el análisis por picos en el espectro de reflectancia), presentan un espectro
de transmitancia un poco más bajo que el promedio. Esto podría indicar que la medida de los espectros
se realizó en una zona donde el recubrimiento tenía una mayor opacidad, es decir, alguna pequeña
zona donde existía mayor cantidad de material depositado o alguna impureza (partícula de polvo o
suciedad).
Absorbancia
1,0 -------Transmitania
0,8
0,6
MUESTRA 20
0,4
0,2
1,0
Transmitancia
0,8
Absorbancia
0,6
22
MUESTRA 20
0,4
0,2
1,0
0,8
0,6 MUESTRA 23
0,4
0,2
0,0
300 600 900 1200
Figura 20. Espectros de transmitancia y absorbancia de las muestras 20 (5 l/min,), 22 (4 l/min) y 23 (3 l/min) con
velocidad de la tobera de 0,6 cm/min.
Los índices de refracción (n) de las películas sintetizadas se calcularon haciendo uso de la ecuación
(3), en la que se asumió un grosor de 400 nm para todos los recubrimientos basándose en las
aproximaciones por color y número de picos en el espectro de reflectancia (Tabla 4). Se puede
observar en la Figura 21a que el índice de refracción depende de la longitud de onda para los distintos
recubrimientos y que presentaron valores relativamente cercanos entre ellos. Realizando un promedio
en el rango de los 200-800 nm, la muestra con el valor más alto de n fue la 20, con un valor promedio
de 2,5; seguida por la muestra 22 con un valor promedio de 2,2 y finalmente la muestra 23 obtuvo un
valor de 2,3. Los valores de n obtenidos para las películas de óxido de Titanio analizadas no se alejan
en gran medida a los valores promedio encontrados en la bibliografía (n = 2,1) [29]. El coeficiente de
extinción (k) también depende de la longitud de onda y al promediar se obtuvo que varía entre 0,04
y 0,06 (Figura 21b) lo que ratifica que existe absorción dentro del rango espectral medido como lo
indica la Figura 20. El valor más alto lo obtuvo nuevamente la muestra 20 (k=0,6) lo que indica que
efectivamente existió algún tipo de distorsión en las medidas hechas por el espectrofotómetro para
esta muestra en particular. Los anteriores valores se resumen en la Tabla 7.
Haciendo uso de la expresión (2) se realizó el cálculo del coeficiente de absorción (Figura 22). Una
vez calculados dichos valores para cada una de las muestras, se calculó el band gap óptico de las
películas obtenidas. Mediante la ecuación 5, se realizó una gráfica de la energía incidente versus el
cuadrado de la energía incidente multiplicado por el coeficiente de absorción. Siguiendo lo que está
consignado el numeral 3.3.3.7., se trazó una línea en la zona donde se pronunciaba una pendiente
recta, lo que llevó a obtener valores del band gap (Eg) de 3,7 eV y 4,1 eV para la muestra 20 y las
muestras 22 y 23 respectivamente (Figura 23). Los valores obtenidos se calcularon en base a que el
Titanio posee un band gap indirecto [30] por lo que se empleó un valor de n=2 en la ecuación (5).
Muestra Índice de refracción Coeficiente de extinción

n (± 0,01) k (± 0,001)
20 2,5 0,06
22 2,2 0,04
23 2,3 0,05
Tabla 7. índice de refracción (n) y coeficiente de extinción (k) de las muestras 20, 22 y 23 en el rango espectral de 200-
800 nm
---- Ind, Refraccion ---- Coef. de extincion
0,10
3,5
Muestra 20
Muestra 20 0,08
3,0
2,5 0,06
2,0 0,04
1,5 0,02
1,0 0,00
0,10
Coeficiente de extincion (k)

3,5
Indice de refraccion (n)
0,08 Muestra 22
3,0
Muestra 22
2,5 0,06
2,0 0,04
1,5 0,02
1,0 0,00
0,10
3,5 Muestra 23
3,0 0,08
Muestra 23
2,5 0,06
2,0 0,04
1,5 0,02
1,0 0,00
200 400 600 800 200 400 600 800
Longitud de onda (nm) Longitud de
A onda (nm)
(a) (b)
Figura 21. Índice de refracción (a) y coeficiente de extinción (b) de las muestras 20, 22 y 23.
2,5 -------Coef. Absorcion
2,0 MUESTRA 20
1,5
Coeficiente de absorcion x 10 m )
-1
1,0
6
0,5
0,0
2,5
2,0
MUESTRA 22
1,5
1,0
0,5
0,0
2,5
2,0
MUESTRA 23
1,5
1,0
0,5
0,0
0 300 600 900 1200
Figura 22. Coeficiente de absorción (α) de las muestras 20, 22 y 23
12
-------Energia del foton
Eg
9
6
Muesta 20
3
0
2
6
(*h x10 (m eV)
-1
4
Muesta 22
13
2

0
6
Muesta 23
4
0
4 5 6
heV
Figura 23. Band gaps de energía (Eg) para las muestras 20, 22 y 23
5.3. Caracterización morfológica y estructural de los recubrimientos bicapa
Una vez se caracterizó el equipo de CVDAA, se hicieron depósitos adicionales de materiales tipo
CERMET (matriz cerámica con un refuerzo metálico) con el fin de sintetizar películas con
propiedades selectivas solares (alta absortividad solar y baja emisividad térmica). Lo anterior está
dentro del marco del proyecto del CONACYT del cual hace parte la UTP representada por el grupo
de investigación GIMM.
Las muestras compuestas por los depósitos bicapa de aluminio-níquel (Tabla 3) denominadas muestra
14 y muestra 15 se depositaron con distintos parámetros para cada capa (se empleó una temperatura
de 400 °C para las capas de alúmina y 350 °C, velocidad de depósito de 0,6 cm/min y distintos valores
para el número de capas de cada material). Las muestras posteriormente fueron enviadas al Centro de
investigación en Materiales Avanzados (CIMAV), en el estado de Chihuahua-México, donde se les
realizaron estudios de composición elemental y morfología.
Se realizaron 3 mediciones de EDS y SEM en cada muestra para analizar composición y morfología
respectivamente. En la Tabla 8 se consignan los valores de porcentaje atómico para los materiales
encontrados en el sustrato y en los dos recubrimientos denominados muestra 14 y muestra 15.
Composición\ Muestra Sustrato de aluminio Muestra 14 Muestra 15
Al (%) 78,96 73,00 83,36
C (%) 15,26 21,76 11,53
O (%) 4,26 3,93 3,53
Si (%) 0,80 0,63 0,90
Mg (%) 0,60 0,56 0,56
Fe (%) 0,03 0,13 0,10
Tabla 8. Composición elemental en porcentaje atómico del sustrato y las muestras bicapa de aluminio-níquel
Comparando los resultados obtenidos del porcentaje atómico de aluminio encontrado en el sustrato
(donde no hay depósito) con el porcentaje atómico de aluminio de los dos depósitos realizados se
concluyó que en la muestra 14 no hubo crecimiento de recubrimiento. Además, no existe la presencia
de níquel en ninguna de las dos muestras. Se aprecia también que existe un leve incremento del
porcentaje atómico de aluminio en la muestra 15 (alrededor del 4%) lo que puede significar que se
depositó una pequeña cantidad de aluminio durante el proceso de CVDAA.
Se aprecian en la Tabla 9 los resultados gráficos de los análisis, la muestra 15, que es aquella en la
que se presume hay una pequeña cantidad de depósito de aluminio, se logran observar en la
micrografía por realizada por el SEM que hay unas pequeñas estructuras del tipo de “nanobarillas”
pero debido a la baja cantidad de material depositado se presume que no se debe al depósito sino que
son partículas del sustrato que se generaron en el proceso de pulido del sustrato antes de realizar el
depósito. Con el fin de confirmar esta hipótesis se hace necesario realizar EDS sobre una de las
“nanobarillas” y determinar su composición química.
Muestra\Análisis EDS SEM
Sustrato
Muestra 14
Muestra 15
Tabla 9. Comparación de los resultados de EDS y SEM obtenidos para el sustrato de aluminio y las muestras 14 y 15
Analizando los resultados obtenidos, se observó que el recubrimiento que presenta un mayor
porcentaje atómico de aluminio y que se presume tiene depósito, fue aquel al que se le aplicaron más
capas de material durante el proceso de depósito (Tabla 3). Debido a esto, se puede pensar que si se
hubieran depositado más capas se hubiera depositado más material.
Como la velocidad es un parámetro crítico para el crecimiento de las películas delgadas mediante esta
técnica, también se presume que si se depositara a menor velocidad y aumentando el número de capas
se obtendrían recubrimientos de aluminio-níquel sobre los sustratos de aluminio. Esta experiencia nos
permite confirmar que para cada material que se desee depositar es necesario conocer la cinética de
depósito debido a que los parámetros que funcionan para uno no necesariamente son adecuados para
otros debido a que el tiempo de crecimiento o temperatura de sintetización de todos los materiales no
es el mismo.
6. Conclusiones
Se logró poner en funcionamiento el equipo de CVDAA construido en la UTP y además se lograron

depositar distintas películas de óxido de titanio que sirvieron para caracterizar el equipo. Para dicha
caracterización se variaron el flujo del aire de arrastre y la velocidad de la tobera con lo que se
obtuvieron recubrimientos con distintos grosores.
Se encontró que a mayor velocidad de la tobera se pierde uniformidad en las películas, puesto que se
observó una distribución menos uniforme de color en aquellos recubrimientos depositados con
valores máximos de velocidad (1 cm/min). Además, se concluye que el parámetro que influye de
manera más significativa en el crecimiento de las películas es la velocidad de la tobera. Los valores
óptimos de depósito para crecer películas de óxido de titanio son aquellos iguales o inferiores a 0,6
cm/min y si se quieren tener recubrimientos más gruesos o más delgadas solo basta con variar el
número de capas y el flujo de aire de arrastre, teniendo en cuenta que a menor flujo de aire de arrastre
se obtienen depósitos con más cantidad de material depositado.
Las propiedades ópticas de los recubrimientos de óxido de titanio presentaron correlación entre sí. Se
obtuvieron espectros muy similares de transmitancia y absortancia; además se calcularon los índices
de refracción de las muestras 20, 22 y 23 con valores de 2,5 , 2,2 y 2,3 respectivamente, junto con un
coeficiente de extinción cuyo valor promedio para las tres muestras está entre 0,04 y 0,06 (en el rango
espectral de 200-800 nm). Con los valores del coeficiente de absorción se calcularon los valores del
band gap indirecto cuyo valor fue de 4,1 eV para las muestras 22 y 23 y un valor de 3,7 eV para la
muestra 20. Por esto se puede afirmar que los depósitos realizados en el equipo de CVDAA de la
UTP permite sintetizar películas delgadas con propiedades ópticas similares y reproducibles.
En cuanto a los depósitos bicapa de aluminio-níquel se concluye que los parámetros óptimos para
crecer este tipo de materiales son valores de velocidad muy bajos y altos números de capas. De lo
contrario no habrá un crecimiento del material en forma de película delgada.
7. Anotaciones, recomendaciones para trabajos futuros y perspectivas
• Sería pertinente que la caracterización del equipo de CVDAA continuara y que se hicieran
estudios con otros parámetros de deposición como, por ejemplo, la distancia entre la tobera
y el sustrato o la temperatura del sustrato.
• Para futuros depósitos realizados con el equipo debería existir la posibilidad de medir las
propiedades ópticas de los recubrimientos justo después de realizar el depósito, ya que esto
permitiría conocer si los resultados esperados se están obteniendo o existen cosas que aún se
pueden mejorar. De esta manera, se ahorraría tiempo al no tener que hacer depósitos
adicionales y también se ahorrarían materiales.
• Si se quisieran sinterizar más recubrimientos bicapa de aluminio-níquel, unos parámetros que
podrían funcionar serían los siguientes: una velocidad de depósito más lenta a la empleada
en los depósitos de este trabajo (un valor óptimo podría ser de 0,4 cm/min) y un mayor
número de capas (alrededor de 12 capas).
• El equipo puede servir para depositar películas delgadas con aplicaciones en diversos
campos. Por ejemplo, se podrían sintetizar películas delgadas con propiedades de
semiconductores, con propiedades selectivas solares o con propiedades magnéticas que
pueden ser estudiadas y empleadas en una gran gamma de procesos y dispositivos.
8. Bibliografía
[1] A. M.J., Láminas delgadas y recubrimientos, Madrid: Consejo Superior de Investigaciones

Científicas , 2003.
[2] S. Sin, «Técnicas de depósito y caracterización de (Cvd),» pp. 6-22, 2016.
[3] L. Filipovic , «Modeling spray pyrolysis deposition,» Proceedings of the world congress on
engineering, pp. 987-992, 2013.
[4] D. Perednis y G. Ludwig, «Thin film deposition using spray pyrolysis,» Journal of
electroceramics, vol. 14, nº 2, pp. 103-111, 2005.
[5] Moncada, M., Muñoz, B., Yoshida, M. and Rodríguez, R., «Comparative Experimental Study
of New Absorbent Surface Coatings for Flat Plate Solar Collectors,» Energy Procedia, vol. 57,
pp. 2131-2138, 2014.
[6] L. B. Monroy Jaramillo, «Producción y caracterización de recubrimientos del sistema Y-

Ba_Cu- O producidos por medio de la técnica de rocío pirolítico,» 2009.
[7] H. O. Pierson, Handbook of chemical vapor deposition (CVD), New York: Publishing, W. A.,
1999.
[8] A. Sáenz-Trevizo, P. Amézaga-Madrid, P. Pizá-Ruiz, O. Solís-Canto, C. Ornelas-Gutiérrez, S.

Pérez-García y M. Miki-Yoshida, «Microstructural characterization, optical and photocatalytic
properties of bilayered CuO and ZnO based thin films.,» 2015.
[9] Medina-Valtierra, J., Ramírez-Ortiz, J., Arroyo-Rojas, V. M., Bosch, P., & De Los Reyes, J.
A., «Chemical vapor deposition of 6CuOCu2O films on fiberglass,» Thin Solid Films, vol. 405,
p. 23–28, 2002.
[10] Santhosh, M. V, Deepu, D. R., Geethu, R., Rajeev Kumar, K., Sudha Kartha, C., &
Vijayakumar, K. P., «Spray pyrolysed microporous TiO 2 thin films by optimisation of
substrate temperature for “all sprayed” solar cells.,» Semiconductor Science and Tech, 2014.
[11] Voinea, M., Ienei, E., Bogatu, C., & Duta, A., «Solar Selective Coatings Based on Nickel Oxide
Obtained via Spray Pyrolysis,» Journal of Nanoscience and Nanotechnology, vol. 9, nº 7, p.
4279–4284, 2009.
[12] Bagheri Khatibani, A., & Rozati, S. M.i, «Spray pyrolytically grown NiAlOx cermets for solar
thermal selective absorbers: Spectral properties and thermal stability.,» Bulletin of Materials
Science, vol. 39, nº 1, p. 97–107, 2016.
[13] Ienei, E., Isac, L., Cazan, C., & Duta, A., «Characterization of Al/Al2O3/NiOx solar absorber
obtained by spray pyrolysis.,» Solid State Sciences, vol. 12, nº 11, p. 1894–1897, 2010.
[14] Departamento de Física de Materiales, «Manual general de Laboratorio de películas delgadas,»

CIMAV, Chihuahua, México, 2016.
[15] R, Prabu & S, Ramesh & , M.Savith & , M.Balachandar., «Review of physical vapour
deposition (PVD) techniques.,» de Conference: International Conference on “Sustainable
Manufacturing , Coimbatore Institute of Technology, Coimbatore, 2013.
[16] Sabnis, S. M., Bhadane, P. A., & Kulkarni, P. G., «Process flow of spray pyrolysis technique,»
Journal of Applied Physics, vol. 4, nº 5, pp. 7-11, 2013.
[17] Nazar Hussein, Anwar & Khalaf Muhammad, Shawki & Abdulalmohsin, Samir & Ajeel,
Fouad, «Study on structure and optical properties of CuO thin fimls prepared by chemical spray
pyrolysis,» Journal of Applied Physical Science International, vol. 4, pp. 178-18, 2015.
[18] Sabnis, S. M., Bhadane, P. A., & Kulkarni, P. G., « Process flow of spray pyrolysis technique.,»
Journal of Applied Physics, vol. 4, nº 5, p. 7–11, 2013.
[19] R. R., Scanning Electron Microscopy. In: Hawkes P.W., Spence J.C.H. (eds) Science of
Microscopy, New York: Springer, 2007.
[20] Jenkis & Snyder., «Introduction to X-ray powder diffractometry,» Chemical Analysis, vol. 138,
p. 19–45, 1996.
[21] E. N. Kaufmann, «Materials Characterization,» de Characterization of Materials, Wiley

Interscience, 2008, p. 667.
[22] A. Fox, Optical properties of solids, Oxford: Oxford University Press, 2008.
[23] Hassanien, A. S., & Akl, A. A., «Influence of composition on optical and dispersion parameters
of thermally evaporated non-crystalline CdSe thin films,» Journal of Alloys and Compounds,
vol. 648, p. 280–290, 2015.
[24] Raj, K. R., & Murugakoothan, P., «Studies on the optical and mechanical properties of non-
linear optical 3-aminophenol orthophosphoric acid (3-amphph) single crystal,» Optik, vol. 123,
nº 12, p. 1082–1086, 2012.
[25] «DOTmed,» [En línea]. Available: www.dotmed.com. [Último acceso: 20 Febrero 2018].
[26] «Direct Industry,» [En línea]. Available: www.directindustry.es. [Último acceso: 2 Marzo
2018].
[27] «Fisher Scientific,» [En línea]. Available: www. www.fishersci.es. [Último acceso: 20 Febrero
2018].
[28] «Vrije Universiteit Brussel,» [En línea]. Available: www.vub.ac.be. [Último acceso: 20 Febrero
2018].
[29] Oja Acik, I., Dolgov, L., Krunks, M., Mere, A., Mikli, V., Pikker, S., Sildos, I., «Surface
plasmon resonance caused by gold nanoparticles formed on sprayed TiO2 films,» Thin Solid
Films, vol. 553, pp. 144-147, 2014.
[30] Reyes-Coronado, D., Rodríguez-Gattorno, G., Espinosa-Pesqueira, M. E., Cab, C., De Coss,
R., & Oskam, G., «Phase-pure TiO2 nanoparticles: Anatase, brookite and rutile,»
Nanotechnology, vol. 19, nº 4, 2008.
[31] Ali, N., Ahmed, R., Shaari, A., & Jabeen, M., «200 ° C annealed combinatorially deposited
chalcogenide based metallic thin films for photovoltaics,» MEASUREMENT, vol. 63, p. 81–86,
2015.
9. Anexos
9.1. Anexo 1: Manual de depósito de películas delgadas en el equipo de CVDAA de
la UTP
ÍNDICE
1. Películas delgadas
2. CVD: deposición química de vapor
3. Spray pyrolysis
4. Análisis térmicos
4.1. DSC
4.2. TGA
5. Equipo de CVD en la UTP
6. Pasos para realizar la deposición
6.1. Preparación de la solución
6.2. Ensamble del equipo
6.3. Encender el horno y la placa calefactora
6.4. Programar los parámetros de depósito
6.5. Disponer el sustrato
6.6. Encender nebulizador

1. Películas delgadas
Las películas delgadas están compuestas por nanopartículas y comprenden al menos dos fases: una
nanocristalina y una fase en forma de matriz, donde la matriz puede ser cristalina o amorfa. Las características
generales de una película delgada son un material base con un material homogéneamente incrustado o
depositado sobre él, donde el material tiene un tamaño de grano característico de 1 a 100 nm.
Figura 1. Estructura genérica de una película delgada [1]
Las películas delgadas formadas por nanopartículas representan una nueva clase de materiales que exhiben
especiales características mecánicas, electrónicas, magnéticas y ópticas debido a fenómenos dependientes de su
tamaño y pueden ser sintetizadas por una gran cantidad de técnicas disponibles que varían desde las más
complejas hasta algunas bastante simples. [2]
2. Deposición química de vapor (CVD)
El proceso de CVD consiste en la reacción de uno o varios compuestos en forma de gas o vapor para dar un
producto sólido. Las fuentes precursoras de estos productos generalmente están en forma de gas o líquido. En
ambos casos, los reactivos (gas o vapor) han de ser arrastrados a la cámara de reacción en la proporción
adecuada para producir el material deseado, una vez que ocurre la reacción. Los gases reactivos son introducidos
por uno de los extremos del reactor y los subproductos de la reacción, así como los gases que no han llegado a
reaccionar son eliminados a través de la puerta de salida mediante un sistema de evacuación adecuado. [3]
Figura 2. Etapas del crecimiento pelicular mediante la técnica CVD [4]

.
Durante el crecimiento pelicular mediante la técnica CVD existe una serie de procesos que, en la mayoría de
los casos, pueden apreciarse en una secuencia muy particular. Dicha secuencia (Figura 1) según Albella [5]. es
la siguiente:
• Transporte de átomos a la superficie, provenientes del flujo de gases (A), a

través de la capa límite.
• Adsorción de A sobre la superficie.
• Difusión superficial de A sobre la superficie.
• Reacción (descomposición de A) sobre la superficie.
• Desorción de productos volátiles (C) y transporte hacia el flujo de gases.
• Nucleación y crecimiento de la capa.
Las reacciones más comunes durante este tipo de procesos, que muy comúnmente se producen en la obtención
de materiales con propiedades electrónicas, ópticas y optoelectrónicas son: pirolisis, reducción, oxidación,
hidrólisis, formación de nitruro, formación de carburo, desproporción y reacciones organometálicas [6], siendo
la primera una de las más importante debido a que al controlar la temperatura de las reacciones se puede
modificar u obtener ciertos tipos de morfologías en los recubrimientos depositados.
3. Spray pyrolysis
Spray pyrolysis es un proceso de deposición química que utiliza líquidos como precursores (Figura 3). Se utiliza
principalmente en el área de la investigación para preparar capas delgadas y algunas gruesas, recubrimientos
cerámicos y producir polvos. A comparación de otros métodos de deposición, la técnica de spray pyrolysis
representa un proceso simple y relativamente económico (especialmente en cuanto a equipos se refiere). Un
equipo típico de spray pyrolysis consiste en: un atomizador, solución precursora, calentador de sustrato [7].
También, existen equipos que emplean un compresor de aire y un horno para transportar y calentar un gas que
ayuda a que el spray llegue más fácilmente hasta el sustrato.
Figura 3. Esquema de spray pyrolysis (Rocío pirolítico) [8]
A pesar de ser una técnica bastante sencilla, emplear spray pyrolysis trae grandes ventajas que según S.M.
Sabnis [9] son las siguientes:
• Ofrece una manera particularmente fácil de dopar películas con cualquier compuesto en cualquier
proporción simplemente añadiendo el dopante a la solución del spray.
• A diferencia de técnicas parecidas como CVD, spray pyrolysis no requiere de vacío o de sustratos de
alta calidad lo que implicaría una ventaja enorme a la hora de escalar la técnica a niveles industriales.
• La tasa de deposición y el grosor de las películas es simplemente controlado al hacer una variación en
los parámetros de formación y transporte del spray, por lo tanto, eliminando los inconvenientes de
otras deposiciones químicas como sol-gel, que produce películas de un grosor restringido.
• Se puede operar a temperaturas moderadas desde los 200 hasta las 600 °C y se pueden obtener películas
en materiales menos resistentes a altas temperaturas.
• No se produce el calentamiento nativo que se genera en técnicas como pulverización de tubos de
electrones de frecuencia (RFMS), fenómeno que puede ser perjudicial para algunos materiales a
depositar. Casi no hay restricciones en el material del sustrato, sus dimensiones o su perfil de
superficie.
• Por la composición dinámica de la solución del spray en todo el proceso de rocío, se usa
frecuentemente para crear películas base (matrices) y películas que tienen gradientes de composición
en todo su espesor.
El procedo de deposición por esta técnica se divide en dos grupos, uno con en el que la temperatura de
deposición es constante y se varía el tamaño de la gota formada en el spray; el otro consiste en variar la
temperatura, pero se deja el tamaño de la gota del spray constante. (Figura 4)
Figura 4. Deposición por spray pyrolysis. [10]
4. Análisis térmicos.
Los análisis térmicos son de vital importancia al momento de depositar un material por alguna de las técnicas
anteriormente mencionadas, ya que cada material tiene un límite de temperatura en el cual empieza a
degradarse, perder masa y tener reacciones diferentes a las que se esperan. Por lo que se hace necesario saber a
qué temperatura debe hacerse la deposición para evitar que el material se degrade o no se adhiera al sustrato.
Dos de los principales análisis que se practican a los materiales precursores en las deposiciones por las técnicas
de CVD y spray pyrolysis son los de TGA y DSC que serán discutidos a continuación.
4.1. DSC
Calorimetría diferencial de barrido o DSC, es un análisis que se hace para medir los cambios de energía que
ocurren mientras una muestra se somete a un incremento de temperatura, enfriamiento o es mantenida en estado
isotérmico; a la par se mide también la temperatura a la que dichos cambios ocurren. Los cambios de energía
permiten medir la transición que ocurre en la muestra cuantitativamente y determinar la temperatura a la que
suceden para así poder caracterizar un material que se usará con distintos propósitos, como: procesos de
fundido, medidas de transición del vidrio y una amplia gama de procesos más complejos. Una de las grandes
ventajas del análisis por DSC es que las muestras son fácilmente encapsuladas, usualmente con poca o sin
previa preparación, listas para hacer el estudio. [11]
La propiedad principal que se mide con DSC es el flujo de calor, el flujo de energía dentro o fuera de la muestra
en función de la temperatura o el tiempo y usualmente se muestra en unidades de mW en el eje y. Como un mW
es un mJ/s, esto sería literalmente el flujo de energía por unidad de tiempo. [12]
Figura 5. Curva genérica de un análisis por DSC. [13]
4.2. TGA
El análisis termogravimétrico (TGA) es una técnica experimental en la cual el peso, o estrictamente hablando,
la masa de una muestra es medida en función de la temperatura o el tiempo. La muestra que se analiza por esta
técnica es típicamente calentada a una tasa de calor constante (medida dinámica) o mantenida a una temperatura
constante (medida isotérmica), pero puede también ser sometida a programas no lineales de temperatura. La
elección en el programa de temperatura empleado dependerá del tipo de información que se requiera sobre la
muestra. Adicionalmente, la atmósfera empleada durante el TGA juega un papel muy importante y se pueden
utilizar atmósferas reactivas, oxidantes o inertes. Los resultados del TGA son usualmente presentados como
una curva TGA (figura 6) en la cual la masa o el porcentaje de masa es graficado contra la temperatura o el
tiempo. [14]
.
Figura 6. Ejemplo de curva de TGA de oxalato de calcio monohidratado. [15]
5. Equipo de CVD de la UTP
El sistema de depósito disponible en la UTP es un sistema de CVD asistido por aerosol, el aerosol es producido
por un nebulizador ultrasónico que crea una nube de gotas tan pequeñas que se asemejan a un gas permitiendo
que produzcan reacciones típicas de las que se presentan en la técnica CVD. El sistema se compone de las
siguientes partes:
• Cámara junto con campana extractora

• Estructura que soporta el sistema de movimiento y los sustratos
• Placa calefactora para calentar los sustratos
• Nebulizador ultrasónico
• Soporte para el nebulizador y la solución precursora
• Horno para calentar el aire
• Compresor de aire
• Control de temperatura para la placa calefactora
• Control electrónico para seleccionar los parámetros de depósito (velocidad de depósito, número de
capas, distancia a recorrer sobre el sustrato)
Figura 7. Esquema del equipo de CVD de la UTP.

6. Pasos para realizar las deposiciones.
Para realizar depósitos de películas delgadas con el equipo disponible en la UTP, se hace necesario seguir una
serie de pasos que se consideran generales con el fin de obtener recubrimientos con características similares.
6.1. Preparación de la solución precursora
La solución precursora se compone básicamente por uno o más materiales en forma de sal o polvo, disueltos en
un solvente líquido. En la UTP, los solventes utilizados son: Agua destilada, metanol, etanol ya acetona.
Para la preparación se deben tener en cuenta los siguientes factores:
• Seleccionar la molaridad con la que se desea trabajar: La molaridad es la concentración de moles

por unidad de volumen (en nuestro caso, por litro) de las sales presente en el solvente. La molaridad
es comúnmente elegida según la solubilidad del material variando generalmente desde 0.01 M hasta
valores mayores al 0.5 M.
• Seleccionar la cantidad de solución que se desea preparar: La cantidad de solución se elige de
acuerdo al número de capas o tiempo de depósito, a mayor tiempo o capas mayor cantidad de solvente
y de precursor; o al contrario, a menos tiempo o capas a depositar, menor será la cantidad de solvente
y de sal precursora necesarios. La cantidad de solvente necesario para realizar los depósitos varía desde
los 40 mL hasta los 150 mL generalmente.
• Seleccionar el porcentaje de concentración de los elementos: Este porcentaje se selecciona si se va
a preparar una solución con dos o más sales precursoras. El experimentador selecciona de acuerdo a
sus necesidades el porcentaje de cada elemento presente en la mezcla, por ejemplo, hay algunas en las
que se hace necesario que todos los materiales tengan igual porcentaje, pero en otras se necesita dopar
un material principal con 10 %, 20 % ,30 %, etc; de otro material. En caso de que se vaya a preparar
una solución con un solo material, se sobre entiende que su concentración es del 100 %.
Una vez considerados los factores anteriores, se procede a pesar la cantidad de sal precursora necesaria para
garantizar la molaridad seleccionada. Esto se hace muy sencillamente realizando un cálculo en el que se
multiplican: Molaridad (moles/L representada por la letra M), volumen de la solución (L), peso molecular del
precursor (g/mol) y finalmente, si es una solución compuesta por dos o más precursores, el porcentaje de
concentración de cada sal o polvo.
Un ejemplo de lo anterior sería la preparación de una solución compuesta por Alúmina y Níquel en metanol
con una concentración molar de 0.05 M para la Alúmina y una concentración molar de 0.1 M para el Níquel,
donde se desean preparar 100 mL de solución. La solución también debe cumplir la condición de que el
porcentaje de concentración de la Alúmina es del 60 % y el del Níquel del 40 %. Se debe encontrar la cantidad
de material que debe pesarse de cada una de las sales.
Para el caso de la Alúmina, se sabe que estará disuelta en 100 mL de metanol, se necesita un porcentaje del 60
% y una molaridad del 0.05 M. El peso molecular de la Alúmina es de 241,43 g/mol. Teniendo todos los datos
necesarios, se hace una sencilla multiplicación que como resultado nos dará el peso que deberá ir en la solución,
reemplazando en la siguiente fórmula denominada ecuación (1):
Masa del precursor A= PM (precursor A) * CM * VS * PC (precursor A) (1)
Donde:
PM: Peso molecular precursor A
CM: Concentración molar del precursor A

VS: Volumen del solvente (depende de la cantidad de solución que se desee preparar)
PC: Porcentaje concentración precursor A
241.43 g/mol * 0.05 M * 0.1 L * 60%= 0.72429 g
Los resultados de la masa de la sal siempre se redondean a 4 cifras decimales: 0.7243 g
Para el caso del Níquel, se tiene que igualmente estará disuelto en 100 ml de metanol, tendrá un porcentaje de
concentración del 40 % y una molaridad de 0.1 M. El peso molecular del Níquel es de 248.84 g/mol. Se hace
el mismo procedimiento anterior:
248.43 g/mol * 0.1 M * 0.1 L * 40%= 0.99372 g
Igualmente debe redondearse a solo 4 cifras decimales: 0.9937 g
Ahora que sabemos cuánto debemos pesar de cada material, se procede a hacer uso de la balanza de precisión
(Figura 8):
Figura 8. Balanza de precisión
Antes de pesar hay que asegurarse que la balanza esté totalmente nivelada y en un lugar libre de vibraciones (lo
ideal es que siempre esté sobre la mesa antivibratoria). Se debe limpiar la bandeja de pesado para eliminar
posibles partículas de polvo o materiales previamente pesados que pueden distorsionar la medida. Una vez
hecho lo anterior, se pone un trozo de papel aluminio, cuidando que éste esté liso, sobre la bandeja de pesado;
después de unos segundos se presionara la tecla “T” (Tare) para inicializar la balanza en ceros. Cuidadosamente,
sin derramar precursor sobre la balanza, se adiciona sobre el papel aluminio el precursor hasta obtener la
cantidad deseada.
Se mide la cantidad de solvente que se utilizará con la ayuda de un beaker que posea la resolución necesaria
para hacer dicha medida. Luego, en un recipiente con tapa (preferiblemente de vidrio transparente) se deposita
el material o los materiales precursores y posteriormente se incorpora el solvente. La mayoría de los precursores
no se disuelven fácilmente con agitaciones mecánicas por lo que se hace necesario someter la solución alrededor
de 15 o 20 minutos a baño ultrasónico (utilizando agua desionizada).
6.2. Ensamble mecánico de los componentes del equipo de CVD
En la figura 9 se aprecia un antes y un después de cómo deben de ir integradas las piezas que conforman el
sistema. La manguera de color azul sujeta a la pieza de teflón siempre debe estar en la misma posición sin
desprenderse debido a que se hicieron algunas modificaciones que no permiten que se separen los dos
componentes.
4 8 9
2 3
5 6 7
Figura 9. Ensamble de las piezas que conforman el equipo

Teniendo en cuenta lo anterior se procede a unir las piezas 1, 4 y 6 poniendo teflón en los extremos de la pieza
4. Posteriormente, se une la pieza 3 a la 2 en el agujero superior de ésta última. Seguidamente, la pieza 3 se
posiciona sobre la 1 y se une usando la abrazadera (pieza 6).
Las piezas 7 y la 9 se ubican en los agujeros de la pieza 8 cuidando poner el teflón necesario en la pieza 7 para
que se ajuste perfectamente y no haya fugas de material. Luego, con esto ensamblado, se atornilla la pieza 9 en
el agujero que está en el sistema de movimiento en la estructura dentro de la campana extractora. Finalmente
se conecta la manguera de la pieza 2 al agujero de la pieza 8 una vez esta esté atornillada al sistema de
movimiento.
También debe instalarse la manguera que transporta el aire que sale del horno, esto se hace encajándola en la
pieza 3 que a su vez está encajada en la pieza 2.
6.3. Encender el horno y la placa calefactora.
El horno del aire debe encenderse unos minutos antes de realizar el depósito debido a que tarda alrededor de 20
minutos en alcanzar la temperatura que normalmente se utiliza (200 °C). Para encenderlo solo basta con girar
la perilla de encendido. Una vez se energice el display se oprime la tecla Enter por 4 segundos, luego con la
tecla que señala hacia abajo se selecciona: primero el número de rampas, que en este casi siempre será una,
luego se elige la temperatura que desea alcanzarse seguidamente del tiempo en el cual quiero que el horno
llegue a esa temperatura (para no hacer trabajar muy forzado el sistema se recomienda seleccionar un tiempo
de 20 minutos) y por último se selecciona el tiempo durante el cual deseo que la temperatura se sostenga (este
tiempo depende del número de capas de la película o el número de depósitos que se desean hacer)
Figura 10. Horno para calentar el aire.
A continuación, se observa un paso a paso de qué teclas y en qué orden deben oprimirse las teclas del control
de este horno para que empiece a funcionar siguiendo los pasos anteriormente mencionados:
• Antes de empezar hay que familiarizarse con el aspecto y las teclas del control del horno:
Palanca de encendido Luces de inicio
Teclas y pantalla
• Debe accionarse la palanca de encendido (OFF-ON)
• Luego se presiona la tecla F/S por 4 segundos hasta que aparezca el siguiente mensaje en pantalla:
• Una vez se tengamos este menú en pantalla se deben oprimir las siguientes teclas en el orden que se
especifica para empezar a ingresar los parámetros de trabajo:
• Ahora seleccionamos la temperatura, el tiempo que quiero que el sistema tarde alcanzando la
temperatura y el tiempo durante el cual espero que esa temperatura se sostenga: (primero oprimimos
la tecla F/S repetidamente hasta que aparezca en pantalla el mensaje de la primera imagen a
continuación)
• Cuando se hayan realizado los pasos anteriores es necesario oprimir la tecla que señala hacia arriba
por dos segundos y luego oprimirla nuevamente hasta que una pequeña luz verde se encienda en la
parte inferior del display y se encienda la luz roja en la parte derecha del control:
• El sistema se detiene automáticamente una vez se cumpla el tiempo programado, cuando esto suceda
se puede apagar el control girando la perilla de encendido (OFF-ON)
El control de la placa calefactora debe encenderse, al igual que el horno, girando la perilla de encendido.
Seguidamente se selecciona la temperatura a la que se desea hacer el depósito (varía generalmente desde los
300 hasta los 500 °C). Cuando se tenga en pantalla el valor de la temperatura deseada se selecciona la opción
RUN para que la placa empiece a calentar. El proceso de calentamiento hasta la temperatura seleccionada tarda
alrededor de 20 minutos o en algunos casos un poco menos.
Figura 11. Control de la placa calefactora.
Siguiendo los siguientes sencillos pasos en las fotos se puede hacer lo explicado anteriormente:
• Para encender el control de la placa:

• Se selecciona la temperatura de la placa con las teclas que señalan arriba y abajo siguiendo los pasos
que se muestran:
• Ahora oprimimos las siguientes teclas para iniciar el calentamiento a la temperatura seleccionada:
Se sabe que el sistema empezó a funcionar porque una pequeña luz verde debajo de OUT1 se enciende.
• Cuando termine de depositar se deben seguir los siguientes pasos para detener el sistema:
• Como paso final se espera que la temperatura baje hasta 100 °C o cerca para girar la perilla a la posición
inicial de OFF y bajar los breakers.
6.4. Disponer el sustrato

Los sustratos que se vayan a utilizar deben de haber pasado por un proceso de limpieza que varía dependiendo
del tipo de material del cual está compuesto este mismo. Si los sustratos son de vidrio, solo basta con hacer una
limpieza con agua y jabón y luego someterlos a baño ultrasónico por 20 minutos en acetona y luego durante
otros 20 minutos en metanol. Para sustratos metálicos (aluminio, acero inoxidable, cobre, entre otros) se repite
el procedimiento anterior con la variante que hay que pulir con papel abrasivo después de lavar con agua y
jabón.
Cuando se tenga preparado el sustrato, éste está listo para disponerlo en el portasustratos del equipo. El
portasustratos se baja accionando mecánicamente la palanca que sobresale de la estructura, una vez esté retirado
de la placa calefactora se debe limpiar porque en ocasiones hay residuos de vidrio que no dejan encajar el nuevo
sustrato.
Luego se debe acercar el sustrato a la placa calefactora fijando la palanca para evitar que se baje nuevamente.
Esto debe hacerse al menos 10 minutos antes de iniciar el depósito para garantizar una temperatura uniforme
sobre todo el sustrato.
6.5. Programar los parámetros de depósito
El sistema cuenta con un display digital el cual tiene unas instrucciones muy claras que fácilmente pueden ser
seguidas por cualquier usuario. Sólo se debe tener en cuenta que el botón de encendido debe ser presionado por
3 segundos para que el sistema se encienda.
Una vez está encendido el control, se va a pedir ingresar los siguientes valores:
• Velocidad: debe tenerse en cuenta que la velocidad está multiplicada por un factor de 10000, por lo
que si se desean que el sistema avance a una velocidad de 1 cm/min debe ingresarse el valor de 10000
y así sucesivamente.
• Número de capas: se selecciona un número entero de capas, desde 1 hasta el valor deseado
• Retardo: El sistema permite ingresar un valor en segundos como retardo entre cada capa si el usuario
así lo desea.
• Distancia: En un valor de 0 a 11 se selecciona el número de centímetros que se desea recorrer para
hacer la deposición (el sistema de movimiento siempre debe de estar posicionado en la parte derecha
del tornillo guía, cerca del motor).
Figura 12. Control del sistema de movimiento.
6.6. Encender el nebulizador
El nebulizador debe encenderse al menos dos minutos antes iniciar el depósito para que la nube alcance a llegar
al sustrato. El botón de encendido de éste se encuentra en la parte inferior izquierda del control de velocidad.
Es importante contar la cantidad suficiente de solución debido a que el nebulizador debe mantener siempre,
como mínimo, 18 mL de líquido para que funcione correctamente.
Antes de encender el nebulizador hay que conectar los cables que energizan el instrumento y posteriormente
activar el switch que se encuentra en la parte delantera del monitor del control de parámetros de depósito:
Botón de encendido
nebulizador
Nota:
Antes de realizar cualquier depósito es necesario que el ambiente del laboratorio se encuentre en una
temperatura de 22 °C, es la temperatura estándar que se eligió para realizar todos los depósitos.
Bibliografía
[1] Zhang, S. and Ali, N. (2007). Nanocomposite thin films and coatings (pp. 2) London: Imperial College
Press.
[2] Zhang, S. and Ali, N. (2007). Nanocomposite thin films and coatings (pp. 1) London: Imperial College
Press
[3] Albella Martín, J., Sánchez, O., & Jiménez, I. (2003). Láminas delgadas y recubrimientos (pp. 241).
Madrid: Consejo Superior de Investigaciones Científicas.
[4] Albella Martín, J., Sánchez, O., & Jiménez, I. (2003). Láminas delgadas y recubrimientos (pp. 244).
[5] [Albella Martín, J., Sánchez, O., & Jiménez, I. (2003). Láminas delgadas y recubrimientos (pp. 244).
Madrid: Consejo Superior de Investigaciones Científicas
[6] [Albella Martín, J., Sánchez, O., & Jiménez, I. (2003). Láminas delgadas y recubrimientos (pp. 243).
[7] Perednis, D., & Gauckler, L. J. (2005). Thin Film Deposition Using Spray Pyrolysis, Journal of
Electroceramics, 14, 103–111
[8] Roberto T. Hernández López, Miguel A. Hernández Cruz, Dulce Y. Medina Velázquez, Equipo para
el Depósito de Películas y Recubrimientos por la Técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico, UAM, 2012.
[9], [10] [Sabnis, S. M., Bhadane, P. A., & Kulkarni, P. G. (2013). Process flow of spray pyrolysis
technique. Journal of Applied Physics, 4(5), 7–11.
[11] Gabbott, P. (2008). Principles and applications of thermal analysis (pp. 2) Oxford: Blackwell
9.2. Anexo 2: Estancia en la UAM-A
INFORME DE ACTIVIDADES DEL DÍA 20 DE NOVIEMBRE EN LA ESTANCIA EN LA
UNIVERSIDAD AUTÓNOMA METROPOLITANA DE AZCAPOTZALCO.
Se iniciaron actividades a las 9 am del día en mención. Se realizaron las siguientes actividades con el objetivo
de aprender el proceso que se hace para el depósito de pinturas de alta temperatura en sustratos metálicos para
estudiar sus propiedades aplicables a la tecnología solar térmica:
1. Reconocimiento del laboratorio por parte del Doctor Rubén Dorantes y su estudiante Mauro Santelis.
2. Se lavaron con una esponja, en presencia de agua y jabón, dos sustratos de cobre y dos sustratos de
aluminio para retirar suciedades.
3. Posteriormente se procedió a lijar los sustratos con una lija número 1500 hasta obtener una superficie
uniforme y posteriormente se realizó otro lavado para retirar los residuos generados por la lija.
4. El proceso de limpieza se terminó realizando una limpieza con acetona para asegurar una superficie
libre de grasa y suciedades.
Figura 1. Lijado y resultado final luego del proceso Figura 2. Muestras listas para aplicar
de limpieza recubrimiento
5. Una vez se tienen los sustratos limpios y secos se disponen sobre una superficie blanca donde se
adhieren con cinta para evitar que se caigan y además se cubre un área para dejarla libre de pintura
(Figura 2).
6. El recubrimiento se aplicó de manera tal que todos los sustratos tuvieran igual cantidad de pintura
(Figura 3.)
Figura 3. Sustratos con recubrimiento.

7. Una vez estaban los recubrimientos aplicados se dejaron en un lugar cerrado hasta que se secaran
totalmente.
8. Para aprender a medir la emisividad como se hace en la UAM se utilizó una muestra disponible en el
laboratorio ya que las realizadas en el día necesitaban secarse por al menos 24 horas.
9. En la medida de la emisividad se recubre el área libre de pintura con negro de humo para comparar la
emisividad del recubrimiento con la de éste y así tener una referencia. Posteriormente a esto se dispuso
la muestra en un horno con temperatura controlada y se midió la emisividad desde los 60 a los 180 °C.
(Figura 4)
Figura 4. Muestra recubierta con negro de humo y medida de emisividad

1. Se lijaron sustratos de aluminio de 2.5x2.5 cm en los laboratorios de metalurgia de la universidad. Se

emplearon varias lijas, desde la 250 hasta la 600 hasta obtener un pulido tipo espejo. Seguidamente se
utilizó una pulidora disponible en el mismo laboratorio para lograr el acabado que se ve en la figura 4.
Figura 4. Lijado y pulido de sustratos.

2. Una vez pulidos y limpios los sustratos empezó el trabajo en el laboratorio de cerámicos dónde se hizo
el proceso necesario para realizar deposiciones con el equipo de spray pyrolysis con el cual se dispone.
Figura 5. Equipo de Spray Pyrolysis.
3. Se pesaron reactivos para depositar en 6 sustratos, dos de los cuales tenían recubrimiento Comex
(realizado el día 20 de noviembre).
Figura 6. Proceso para pesar los reactivos.
4. Las deposiciones que se realizaron fueron las siguientes:

4.1. Dos sustratos de aluminio de 2.5x2.5 cm fueron recubiertos con una mezcla de nitrato de cobre y
alúmina (a uno de ellos se les puso pintura Comex como tercera capa).
4.2. Dos sustratos de aluminio de 2.5x2.5 cm fueron recubiertos por una capa de alúmina y
posteriormente por otra de nitrato de cobre (a uno de ellos se les puso pintura Comex como tercera
capa).
4.3. Una muestra preparada el día 20 de noviembre de aluminio con Comex fue recubierta con una
mezcla de alúmina y nitrato de cobre.
4.4. Una muestra preparada el día 20 de noviembre de aluminio con Comex fue recubierta con una
capa de alúmina y posteriormente por otra de nitrato de cobre.
Figura 7. Muestras con recubrimientos depositados por SPD.
La tabla de preparación para las muestras de la figura7 se encuentra en la tabla 1:

Tabla 1. Tabla de preparación de muestras del 21 de noviembre

En el último día de actividades en la UAM se realizó una movilidad hasta la UAM sede Iztapalapa ubicada al
sur de la ciudad de México. A las 9 am se partió desde las instalaciones de la UAM sede Azcapotzalco hacia
dicho destino, llegando a las 10 am. Las actividades que se pretendían hacer en UAM-I eran las de medir la
reflectancia de las muestras depositadas el día 21 de noviembre haciendo uso de un espectrofotómetro Cary 5E
UV-VIS-NIR. Los resultados de las medidas de reflectancia se presentan en la tabla 2.
Figura 8. Espectrofotómetro de la UAM-I.

ALC13 ALC14
100 100
80 80
Reflectividad (%)
Reflectividad (%)
60 60
40 40
20 20
0 0
0 500 1000 1500 2000 2500 0 500 1000 1500 2000 2500
Longitud de onda (nm) Longitud de onda (nm)
CLT13 CLT14
100 100
80 80
Reflectividad (%)
Reflectividad (%)
60 60
40 40
20 20
0 0
0 500 1000 1500 2000 2500 0 500 1000 1500 2000 2500
Longitud de onda (nm) Longitud de onda (nm)
Tabla 2. Resultados de las medidas de reflectancia
9.3. Anexo 3: Depósito y caracterización de películas delgadas en el CIMAV
ACTIVIDADES 13 DE NOVIMEBRE- LABORATORIO DE PELÍCULAS DELGADAS CIMAV
Para el presente día se realizaron las siguientes actividades que iniciaron a las 9 am, hora en la que se llegó al
centro de investigación:
1. Reconocimiento del laboratorio y de los equipos a disposición del mismo.

2. Manejo de la balanza, se pesaron varios polvos…
3. Reconocimiento de las partes, equipos y distintos parámetros involucrados en la deposición de Nitrato
de Cobalto mediante la técnica AACVD
3.1 Se depositaron 20 capas del material en aproximadamente una hora de deposición
4. Se lavaron los sustratos de aluminio enviados por parte de la UAM-A con jabón, agua destilada.
5. Los sustratos fueron posteriormente sometidos a un baño ultrasónico en compañía de acetona y luego
metanol durante 20 minutos.
6. Se ensamblaron las partes del sistema de deposición AACVD: acoples del nebulizador, manguera,
tobera y portatobera; para luego seleccionar los parámetros de deposición empleados en la obtención
de películas de Alúmina con nitrato de Níquel.
7. Nuevamente se empleó la balanza para pesar las sales precursoras del compuesto Alúmina-Níquel:
2.6728 g y 4.8347 g respectivamente.
8. Posteriormente se disolvieron las sales en metanol (95 mL)
9. Las deposiciones del compuesto anterior se realizaron en dos sustratos diferentes: un aluminio pulido
con lija 400 y otro con pulido tipo espejo.
10. Cada deposición se realizó empleando 1 Hz, 3.50 L/min y 457 °C como parámetros seleccionados.
11. Finalmente se lavaron todos los elementos empleados en las deposiciones.
Adicionalmente se hicieron los trámites para obtener la credencial de acceso al centro de investigación.
Los datos de preparación y de deposición de las muestras están consignados en la tabla 1.
INFORME DE ACTIVIDADES 14 DE NOVIMEBRE- LABORATORIO DE PELÍCULAS

DELGADAS CIMAV
El día martes 14 de noviembre se realizaron deposiciones en sustratos de aluminio empleando los mismos
parámetros utilizados en el día anterior:
1. Previamente a la deposición se realizó el lavado de los instrumentos y accesorios del quipo AACVD.
2. Seguidamente se realizó el montaje y la fijación de parámetros empleados en la deposición.
3. Se pesaron las sales de Níquel y Aluminio para luego mezclarlas con metanol.
4. En total se hicieron 4 deposiciones con 4 capas cada una en sustratos de aluminio así:
4.1. Un sustrato pulido con lija 400 y tratado con ácido
4.2. Un sustrato sin ningún tipo de pulido tratado con ácido
4.3. Un sustrato con acabado tipo espejo tratado con ácido
4.4. Un sustrato sin pulir sin ningún tipo de tratamiento adicional
5. Finalmente se procedió a desmontar y lavar las partes del equipo AACVD (nebulizador, manguera y
probeta).
Adicionalmente se llevaron 3 sustratos de aluminio al laboratorio del MEB y fueron dejadas en cola para su
análisis.
En la tabla 1 se condensan los datos de las deposiciones realizadas los días 13 y 14 de noviembre.
Tabla 1. Hoja de preparación para las muestras sintetizadas el día 13 y 14 de noviembre

En la figura 1 se muestran los sustratos enviados por la UAM recubiertos con distintos materiales, donde el
número superior en cada muestra representa lo siguiente:
• 10: Sustrato con tratamiento espejo con recubrimiento de aluminio dopado con níquel.
• 11: Sustrato sin ningún tratamiento con recubrimiento de aluminio dopado con níquel.
• 12: Sustrato con lija 400 con recubrimiento de aluminio dopado con níquel.
• 13: Sustrato con tratamiento espejo+ácido con recubrimiento de aluminio dopado con níquel.
• 14: Sustrato sin ningún tratamiento+ácido con recubrimiento de aluminio dopado con níquel.
• 15: Sustrato con lija 400+ácido con recubrimiento de aluminio dopado con níquel.
Figura 1. Muestras depositadas los días 13 y 14 de noviembre

DELGADAS CIMAV
Para el presente día se montaron todos los elementos del sistema de deposición CVDAA para dar inicio a
realizar las deposiciones del día que fueron:
1. Sobre una película de Comex sobre aluminio se depositó Níquel dopado con Aluminio (figura 2).
Figura 2. Comex con Ni-Al Figura 3. Comex con Cobalto
2. Sobre una película de Comex sobre aluminio se depositó Cobalto (figura 3)

3. Sobre una película de Comex sobre aluminio se depositó Estaño dopado con antimonio con una sola
capa.
4. Sobre una película de Comex sobre aluminio se depositó Estaño dopado con antimonio con dos capas
de recubrimiento.
En la tabla 2 se muestran los parámetros y materiales empleados en las deposiciones.

Tabla 2. Hoja de preparación para las muestras sintetizadas el día 15 y 16 de noviembre.

DELGADAS CIMAV
El día 16 de noviembre se realizaron deposiciones de la siguiente manera:
1. Primero se aplicaron dos capas de aluminio sobre la muestra que estaba previamente cubierta con
Comex y dos pasadas del estaño dopado con antimonio, obteniendo como resultado la película de la
figura:
Figura 4. Muestra con estaño dopado Figura 5. Muestra con estaño dopado
con antimonio y tercera capa de con antimonio y tercera capa de
alúmina con dos pasadas de cada capa. alúmina con una pasada de cada capa
2. Seguidamente se depositó una capa (con una sola pasada) de aluminio sobre la muestra con Comex y
una capa de estaño dopado con antimonio. Se obtuvo la película de la figura:
Las proporciones, cantidades y parámetros de deposición de los anteriores recubrimientos se encuentran en la

tabla 2 del día 15 de noviembre.
DELGADAS CIMAV
El último día de estancia en el centro de investigación se asistió a la compañera Diana Vázquez en la deposición
de dos películas:
1. Nitrato de cobre sobre acero inoxidable

2. Cobalto dopado con cobre sobre acero inoxidable.
Los parámetros de deposición se presentan en la tabla 3:
Tabla 3. Hoja de preparación para las muestras sintetizadas el día 17 de noviembre.

Las dos películas sintetizadas se observan en la figura 6.
Figura 6. Muestras de: Cobalto dopado con cobre (Izquierda) y nitrato de cobre (Derecha)
9.4. Anexo 4: Estudio comparativo de pinturas
Resumen: Entre las aplicaciones de la energía solar en procesos de baja temperatura destacan el calentamiento
térmico de piscinas y de agua de uso doméstico, lo cual está permitiendo sustituir el uso de gas licuado de
petróleo y de diésel, empleados comúnmente. Una de las tecnologías solares de mayor uso es la que utiliza
calentadores solares planos con cubierta de vidrio, donde son empleados tubos de cobre con aletas de cobre o
de aluminio, cuyas superficies tienen recubrimientos a base de pinturas o de superficies selectivas de alta
absortividad y de baja emisividad. Se presenta en este trabajo un estudio comparativo de pinturas comerciales
(Pintura 1, Pintura 2, Pintura 4 y Pintura 3) depositadas sobre sustratos metálicos de cobre y aluminio para
utilizarlos como absorbedores en calentadores solares planos. El espesor de los recubrimientos se midió con un
Positector 6000, obteniendo grosores entre 16 y 146 µm. Se midieron las propiedades mecánicas antes y después
de realizar una prueba de salinidad para todas las muestras durante 17, 24, 31 y 38 días. Antes de realizar la
prueba de salinidad se obtuvo que la adherencia de las películas se clasificó como 5B, lo que implica un rango
de desprendimiento del 0 %; la dureza se estableció en el rango entre 4H y B (dureza alta y dureza media). En
cuanto a las propiedades ópticas se midió la reflectancia con un espectrofotómetro Cary 5000 e indirectamente
se obtuvo la absortividad que varió entre el 62 y el 92 % dependiendo de la pintura y el sustrato. La emitancia
térmica se midió utilizando una cámara termográfica (marca Flir, modelo E40) en un rango de temperatura entre
40 y 160 °C, y se obtuvo una variación entre 0,83 y 0,98. Luego de someter las muestras a los distintos días de
exposición en ambiente salino se obtuvo que la adherencia cambió en porcentajes de desprendimiento inferiores
al 15 % mientras que la dureza se clasificó entre alta y media para todos los recubrimientos a excepción de
Pintura 2 en aluminio y Pintura 3 en cobre. Podrían entonces seleccionarse como recubrimientos para
calentadores solares los conformados por Pintura 2 sobre cobre y Pintura 4 sobre aluminio debido a que
presentaron la mejor respuesta en adherencia y absortividad, pero se debe desarrollar una alternativa para
reducir la emisividad a valores cercanos o inferiores a 0,1. Para lo que se propone la aplicación de una capa
adicional sobre los recubrimientos que ayude a que la emisividad disminuya y que además actúe como capa
antirreflectora que permita elevar la absortividad.
A) Medidas de grosor:
En la Tabla 1 se presentan los resultados obtenidos con los recubrimientos de la Pintura 3 y la Pintura 4 sobre
sustratos de aluminio y cobre, mientras que los resultados de la Pintura 1 y la Pintura 2 fueron reportados
previamente con grosores mayores a los 130 µm, con excepción de la Pintura 1 sobre sustrato de aluminio que
presentó un grosor de 52 µm. Se puede observar en la Tabla 1 que la Pintura 3 y la Pintura 4 obtuvieron medidas
aproximadamente cuatro veces menores a las obtenidas para los recubrimientos de la Pintura 1 y la Pintura 2,
con valores entre los 16 µm y los 31µm. Esta diferencia se debe a que la Pintura 2 se depositó sobre una capa
anticorrosiva y la Pintura 1 se depositó como refuerzo a una capa presente en un calentador solar como parte
de un ensayo para mantenimiento; mientras que la Pintura 4 y la Pintura 3 se depositaron directamente sobre
los sustratos metálicos.
Grosores de Pintura 3 y Pintura 4
Probeta Grosor [µm]
Pintura 3 – Cobre 16
Pintura 3 - Aluminio 24
Pintura 4 - Cobre 31
Pintura 4 - Aluminio 22
Tabla 1. Grosor de los recubrimientos para la Pintura 3 y la Pintura 4 sobre sustratos metálicos antes de ser
sometidos a cualquier tipo de prueba
B) Pruebas mecánicas antes de prueba de salinidad:
Debido a que el grosor de los recubrimientos con la Pintura 1, Pintura 3 y Pintura 4 fueron menores a 125 µm,
para medir la adherencia se utilizó el ‘método B’. En general las muestras presentaron alta adherencia con una
clasificación general de 5B, lo que implica 0 % de desprendimiento, mientras que para el recubrimiento de la
Pintura 2 se aplicó el ‘método A’ (grosor>125 µm) obteniendo una clasificación 4A (<5 % área de
desprendimiento). La dureza se clasificó en un rango desde B (dureza media) hasta 4H (dureza alta); para la
Pintura 3 y la Pintura 4, son los recubrimientos hechos con la Pintura 4 en placas de aluminio los que presentan
la dureza más alta (3H-4H) y el resto de muestras presentan durezas inferiores llegando algunas (sustrato de
cobre con Pintura 4 y Pintura 3) a tener una dureza de clasificación B (dureza media). Los resultados de las
muestras para la Pintura 1 y la Pintura 2 presentan una dureza 4H (dureza alta) independientemente del sustrato
en el que fueron aplicados los recubrimientos.
C) Propiedades ópticas de los recubrimientos:
Para todos los recubrimientos se obtuvieron en general valores altos de absortividad con bajos valores de
reflectancia. Los recubrimientos de la Pintura 1 y la Pintura 2 presentan muy pocas variaciones con una
absortividad de más del 93% (figura 1a). Mientras que los recubrimientos de la Pintura 3 y la Pintura 4 presentan
valores altos de absortividad en el rango de los 300 a los 1100 nm (Figura 1b), pero al sobrepasarlo decae hasta
valores menores al 50% en el caso de los recubrimientos de la Pintura 4 sobre cobre y la Pintura 3 sobre
aluminio.
D) Emisividad térmica:
Todos los recubrimientos presentan una emisividad con pocas variaciones a lo largo del rango de temperatura,
apreciándose valores mayores a 0.8 (Figura 2) lo cual indica que los materiales están teniendo muchas pérdidas
de radiación por emisión térmica.
(a)
(b)
Figura 1. Espectro de absortividad para (a) Pintura 1 y Pintura 2, y (b) Pintura 3 y Pintura 4
Figura 2. Valores de emisividad térmica para todos los recubrimientos (Pintura 1, Pintura 2, Pintura 3 y
Pintura 4)
E) Pruebas mecánicas después de la prueba de salinidad:
Los resultados de adherencia y dureza de los recubrimientos después de ser sometidos durante 17, 24, 31 y 38
días a pruebas en la cámara de niebla salina se presentan en la Tabla 2: Pintura 1 y Pintura 2 mientras que en la
Tabla 3: para la Pintura 3 y la Pintura 4.
RECUBRIMIENTOS PINTURA 1 Y PINTURA 2 EN CAMARA SALINA
Tipo de prueba Tiempo Pintura 1 Pintura 2

(días)
Aluminio Aluminio Cobre
17 0% (5B) 5-15% (3A) <5% (4A)
Adherencia 24 0% (5B) >65% (1A) <5% (4A)
[% 31 0% (5B) >65% (1A) <5% (4A)

desprendimiento]
38 0% (5B) >65% (1A) <5% (4A)
Dureza Todos los
días
[Clasificación] Alta (3H) Alta (3H) Alta (2H)
Tabla 2. Resultados de la clasificación de la prueba de adherencia y dureza de los recubrimientos

Pintura 1 y Pintura 2 después de ser expuestos a una atmósfera salina a diferentes tiempos.
RECUBRIMIENTOS PINTURA 3 Y PINTURA 4 EN CAMARA SALINA
Tiempo Pintura 3 Pintura 4

Tipo de prueba
(días) Cobre Aluminio Cobre Aluminio
17 >65% (0B) 5-15% (3B) 5-15% (3B) 0% (5B)
Adherencia 24 >65% (0B) 5-15% (3B) 5-15% (3B) <5% (4B)
[% desprendimiento] 31 >65% (0B) <5% (4B) 5-15% (3B) 5-15% (3B)
38 >65% (0B) 5-15% (3B) 5-15% (3B) <5% (4B)
17 Baja (6B) Alta (3H) Alta (3H) Alta (4H)
Dureza 24 Baja (6B) Alta (4H) Media (F) Alta (3H)
[Clasificación] 31 Baja (6B) Alta (H) Alta (H) Alta (H)
38 Baja (6B) Alta (2H) Alta (H) Media (F)
Tabla 3. Resultados de la clasificación de la prueba de adherencia y dureza de los

recubrimientos Pintura 3 y Pintura 4 después de ser expuestos a una atmósfera salina a
diferentes tiempos.
Finalmente se evaluó el grado de ampollamiento según la norma ASTM D 714 – 02 en todas las muestras
después de ser sometidas 24 y 38 días a la niebla salina. La Tabla 4 resume los resultados obtenidos
AMPOLLAMIENTO PARA TODOS LOS RECUBRIMIENTOS
Tiempo (días) Pintura 1 Pintura 2 Pintura 3 Pintura 4
Aluminio Aluminio Cobre Aluminio Cobre Aluminio Cobre
24 8-DM 6-DM 8-M 6-M 6-D 8-M 6-D
38 8-DM 6-DM 8-M 4-F 6-D 8-M 4-D
Tabla 4. Grado de ampollamiento para todas las muestras después de 24 y 38 días de exposición
Conclusiones
Se depositaron recubrimientos con pinturas de alta temperatura (Pintura 1, Pintura 2, Pintura 3 y Pintura 4)
sobre sustratos metálicos de cobre y aluminio. Se realizaron una serie de pruebas (adherencia, dureza,
ampollamiento, absortividad y emisividad térmica) para evaluar las propiedades de los cuatro recubrimientos
empleados e identificar cuál de ellos presenta las mejores propiedades mecánicas, ópticas y térmicas para ser
empleado como recubrimiento selectivo en calentadores solares. Las pruebas iniciales (antes de la prueba de
corrosión en cámara de niebla salina) arrojaron que las propiedades mecánicas de los recubrimientos de Pintura
1 y Pintura 2 presentan mayor dureza y adherencia que los de Pintura 3 y Pintura 4; sin embargo, después de la
prueba de corrosión, la Pintura 4 presenta las mejores propiedades mecánicas (alta dureza y alta adherencia).
La mayoría de recubrimientos presentaron buena resistencia a la prueba de salinidad la cual se vio reflejada en
la clasificación de sus propiedades mecánicas, a excepción de la Pintura 2 en aluminio y del recubrimiento
compuesto por Pintura 3 sobre cobre. Caso similar se observó al evaluar las propiedades ópticas; valores de
absortividad mayores al 92 % obtenidos para los recubrimientos de Pintura 1 y Pintura 2 es lo que idealmente
se esperaría de una superficie selectiva solar, pero al haberse obtenido valores tan altos de emisividad térmica
(mayores a 85%) se hace necesario buscar una manera para disminuirla para evitar pérdidas en forma de calor.
Podrían entonces seleccionarse como recubrimientos para calentadores solares aquellos compuestos por la
Pintura 2 sobre cobre y la Pintura 4 sobre aluminio, siempre y cuando se encuentre una manera de disminuir
los valores de emisividad térmica para ambos recubrimientos. Se propone la aplicación de una capa adicional
que ayude a que la emisividad disminuya y que además actúe como capa antirreflectora para, también así, elevar
la absortividad. Se seguirán realizando estudios que permitan solucionar estos inconvenientes para aprovechar
la alta absortividad y alta resistencia a ambientes salinos de estos recubrimientos.

T530.4275 R586 PDF

Cargado por

Información del documento

Descripción original:

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

T530.4275 R586 PDF

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

OPTMIZACIÓN DE LOS PARÁMETROS DE TRABAJO

PARA LA IMPLEMENTACIÓN DE LA TÉCNICA CVD

BAYRON ESTEBAN RIOS BRAVO

TRABAJO DE GRADO PARA OPTAR POR EL TÍTULO DE: INGENIERO FÍSICO

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA

FACULTAD DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, FÍSICA Y DE SISTEMAS

BAYRON ESTEBAN RIOS BRAVO

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PEREIRA

FACULTAD DE INGENIERÍAS ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA, FÍSICA Y DE SISTEMAS

1.1. Planteamiento de la pregunta de investigación

1.2. Justificación de la pregunta de investigación

1.3.1. Objetivo general

1.3.2. Objetivos específicos.

• Definir los precursores, solventes y sustratos para depositar películas delgadas.

• Depositar recubrimientos de óxido de Titanio en sustratos de vidrio.

• Debe ser químicamente estable en el entorno en el que se usará

3.2. Síntesis de películas delgadas

3.2.1. Técnicas físicas de síntesis de películas delgadas:

• APCVD: Proceso realizado a presión atmosférica.

Figura 1. Etapas del crecimiento pelicular mediante la técnica CVD [1].

Figura 2. Equipo de Spray Pyrolysis con sus partes [17].

Figura 3. Procesos durante SPD (Deposición por Spray Pyrolysis) [18]

En comparación con otros instrumentos empleados para obtener imágenes de la microestructura de

3.3.3. Espectroscopía UV-VIS

La espectroscopía de absorción ultravioleta y visible es la medida de la atenuación de un rayo de luz

3.3.3.1. Transmitancia (T)

3.3.3.4.Coeficiente de absorción (𝜶)

El coeficiente de absorción (𝛼) describe la atenuación de la intensidad de una radiación incidente en

Donde 𝛼 es el coeficiente de absorción, t el grosor de la película y T la transmitancia que depende de

3.3.3.5. Índice de refracción (n)

3.3.3.7. Band Gap (Eg)

4.1.1. Preparación de los sustratos

• Lijado de sustratos metálicos

Figura 4. Antes (izquierda) y después (derecha) de realizar el lijado de los sustratos

• Lavado convencional de los sustratos

• Baño ultrasónico de sustratos

4.1.2. Cálculo y mezcla de las cantidades de aditivos para precursores

4.1.2.1. Películas de titanio

4.1.2.2.Películas bicapa de aluminio-níquel

Figura 6. Precursores (izquierda) y solventes (izquierda)

En el experimento se prepararon tres tipos de soluciones:

241,4300 g/mol * 0,2000 l * 0,1340 M * 100 % = 6,4703 g

• Solución de níquel: Se preparó a una molaridad de 0.200 M en 120 ml de solvente (100 ml

248,8400 g/mol * 0,1200 l * 0,2000 M * 100 % = 5,9722 g

• Solución de aluminio-níquel: Se preparó una mezcla combinando níquel y alúmina a

248,8400 g/mol * 0,1000 l * 0,2000 M * 50 % = 2,4884 g de Níquel.

241,4300 g/mol * 0,1000 l * 0,1050 M * 50 % = 1,2711 g de Alúmina

Parámetros \ Muestras #14 #15

Solvente 1 Agua destilada Agua destilada

Solvente 2 Metanol Metanol

4.2.1. Películas de titanio

Parámetro Valor Parámetro Valor

Variando Flujo de arrastre (4 L/min) Variando velocidad de la tobera (0,4 cm/min)

Distancia tobera-sustrato (mm) 1 Velocidad tobera (cm/min) 0,6

Temperatura horno del aire (°C) 200 Flujo de aire (l /min) 4

Capas o pasadas 2 Distancia tobera-sustrato (mm) 1

Parámetros\ Muestra #14 #15

Primera Capa Alúmina Alúmina

Temperatura sustrato (° C) 400 400

4.3. Equipos empleados

• Caracterización óptica de las películas del titanio

Figura 11. Espectrofotómetro UV-VIS [27]