Índice

Tema 1: Fundamentos de Semiconductores. ..................................................................................... 1

1.1. Introducción. ............................................................................................................................ 1
1.2. Unión P-N sin polarizar............................................................................................................. 1
1.3. Polarización Directa.................................................................................................................. 1
1.4. Polarización Inversa. ................................................................................................................ 2
1.5. Generalidades del Diodo. ......................................................................................................... 2
1.6. Modelo Real del Diodo. ............................................................................................................ 3
1.7. Modelos Aproximados. ............................................................................................................ 3
1.7.1. Diodo Ideal. ....................................................................................................................... 3
1.7.2. Diodo “real” sin resistencia interna. ................................................................................. 3
1.7.3. Diodo “real” con resistencia interna. ................................................................................ 3
1.7. Tipos de Diodos. ....................................................................................................................... 3
TEMA 1: FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES.
1.1. Introducción.
Conductor: aquel cuerpo con una gran cantidad de electrones libres.
Los llamados semiconductores poseen 4 electrones en la órbita más exterior. El Silicio y el
Germanio, son ejemplos de semiconductores. En temperaturas próximas a 0 absoluto, los
semiconductores actúan como aislantes; a medida que aumenta la temperatura es posible que se
desligue un electrón, y aparece un hueco. Hay dos tipos de portadores los huecos y los electrones.
Los semiconductores pueden ser de dos tipos:
• Conductores intrínsecos. Son semiconductores puros; cristales de Si o Ge. No tienen ningún
interés desde el punto de vista electrónico. Porque son neutros, tienen tantos electrones
como huecos, por lo que le flujo de corriente es 0.
• Semiconductores extrínsecos, o dopados. Consiste en aplicar un proceso, denominado
dopaje, en el cual se añaden impurezas al semiconductor puro convirtiéndose en dopado.
Las impurezas son elementos que tienen 3 o 5 electrones en la órbita exterior.
o Semiconductores tipo N. Son los dopados con 5 electrones. Los electrones se dicen
portadores mayoritarios. Si añadimos un elemento que tiene 5 electrones en la órbita
exterior es como si le sobrase un electrón. Estaríamos aportando electrones.
o Semiconductores tipo P. Son los dopados con impurezas trivalentes. Los huecos se dicen
portadores mayoritarios. Hay un exceso de huecos.
Al añadir determinadas impurezas a un semiconductor, podemos modificar su grado de
conductividad. Dichas impurezas, pueden dividirse en dos clases: impurezas donadoras e
impurezas aceptadoras.
Si disponemos de una porción de material p, y otra de material n se forma lo que denominamos
un diodo de unión.

Podemos tener tres casos:

• Sin polarización.
• Polarización directa.
• Polarización inversa.
1.2. Unión P-N sin polarizar.
No se le aplica ninguna tensión. Por efecto de la temperatura, habrá electrones que se desliguen
e intentarán llegar a la región tipo P, y los huecos tienden a ir hacia la región tipo N. Lo que pasa,
es que la región de carga espacial tiende a rechazarlos, actuando como frontera. Únicamente los
pares, electrón-hueco, que estén muy próximos a la unión pueden alcanzar y se recombinan. Por
lo que la corriente es prácticamente 0. Solo hay una corriente muy pequeña debida a la
temperatura, del orden de 10−15 𝐴.
1.3. Polarización Directa.
Si una unión P-N es polarizada directamente, la propia polaridad de la fuente, lleva a los
portadores mayoritarios a “dirigirse” hacia la unión. Así, un electrón libre, cruzará fácilmente la

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 frontera, creando un ión positivo, el cual atraerá más electrones del terminal negativo de la
fuente, lo cual provoca un flujo continuo de electrones. Ello sólo es posible, si es superada la
barrera de potencial.
Se dice que está en ON, y se puede aproximar a un cortocircuito; como si tuviéramos un
conductor perfecto.

Un diodo está polarizado en directa cuando el ánodo es más positivo eléctricamente que el
cátodo. La tensión en el ánodo es mayor que en el cátodo. Tiene que ser mayor al menos 𝑉𝛾.
1.4. Polarización Inversa.
Si una unión P-N es polarizada inversamente, la propia polaridad de la fuente tiende a alejar a los
portadores mayoritarios de la unión, creándose una zona de deplexión cada vez más ancha. En
este caso, la corriente se aproxima a cero, existiendo sólo la llamada corriente inversa de
saturación, debida a la agitación térmica, y la corriente de fugas, ocasionada por imperfecciones
en el cristal semiconductor.
Una elevada tensión inversa, puede dañar irreversiblemente a un diodo. Ésta deja de ser un
“interruptor abierto”, y se produce el llamado efecto avalancha.
Se dice que está en OFF, o en corte, y equivale a un circuito abierto.

1.5. Generalidades del Diodo.

• Es un dispositivo semiconductor básico, formado por una unión P-N.
• Función esencial: Actuar como interruptor.
• Es un dispositivo lineal.
• Tiene dos estados: ON y OFF (conducción y corte).
• Su símbolo es:

• A indica ánodo y K cátodo. El diodo conduce si la corriente va de ánodo a cátodo.

• Para que el diodo conduzca debe estar polarizado directamente (ánodo más positivo que el
cátodo) y debe sobrepasarse la tensión umbral 𝑉𝛾 que vale 0′ 7 𝑉 para el Silicio y 0′ 3 𝑉 para
el Germanio.

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 • Un diodo polarizado en directa se asocia a un corto circuito y polarizado en inversa a un
circuito abierto.
1.6. Modelo Real del Diodo.
Este modelo sigue la llamada Ecuación de Shockley.
𝑉𝐷
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)
donde,
𝐼𝐷 : Intensidad del Diodo.
𝐼𝑆 : Intensidad de Saturación. Surge cuando el diodo está cortado y se aumenta la temperatura.
Su valor es 10−15 aproximadamente cuando la temperatura es 0℃.
𝑉𝐷 : Tensión del Diodo.
𝑉𝑇 : Tensión Térmica. Es función de K (Constante de Boltzmann), de la Temperatura (K) y de la
carga electrónica. 𝑓(𝐾, 𝑇, 𝑞). A temperatura ambiente (27℃) la 𝑉𝑇 = 27 𝑚𝑉.
𝑛: Constante de idealización del diodo. Suele ser 0 < 𝑛 < 3.
1.7. Modelos Aproximados.
1.7.1. Diodo Ideal.
Es el menos “real”. Sería un diodo en el que 𝑛 = 0, no tiene tensión de umbral, es decir, no tiene
región de carga espacial.
1.7.2. Diodo “real” sin resistencia interna.
Se considera la 𝑉𝛾 correspondiente. En conducción (PD), el diodo se sustituye por una fuente de
tensión (entre ánodo y cátodo) de valor 𝑉𝛾.
1.7.3. Diodo “real” con resistencia interna.
Es el más veraz de los tres. En polarización directa (PD), el diodo se sustituye por una fuente de
alimentación (de valor 𝑉𝛾) con una resistencia interna.

¿Cómo sabemos cuál de los 4 modelos se coge?

• El de Shockley nos tienen que dar la Intensidad de Saturación.
• Si dice un diodo pero no el material, se toma el Modelo del Diodo Ideal”.
• Si nos dice un diodo de Si/Ge pero no la resistencia interna, se toma el “Modelo del diodo
“real” sin resistencia interna”.
• Si nos dice un diodo de Si/Ge y el valor de la resistencia interna, se toma el “Modelo del
diodo ”real” con resistencia interna”.
1.7. Tipos de Diodos.
• Diodos rectificadores. Son los diodos de uso más común. Su aplicación común, es la
rectificación, o sea: conversión de una tensión alterna en continua. Polarizado en inversa
no conduce. Si la polarización inversa es elevada y excede el máximo permitido se provoca
la destrucción del diodo, al entrar en zona de ruptura.

• LED. Compuesto por materiales apropiados (no Si ni Ge), presentan la característica de

emitir luz, en su polarización directa (en lugar de disipar la energía térmica).

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• Fotodiodos. Polarizados inversamente, son susceptibles de ver aumentada su corriente
inversa por efecto de la luz. Trabaja al revés del LED. Siempre se conectan inversamente
polarizados. Toda la corriente que circula a través de ellos debe de verse por la luz que
incide en los mismos. La corriente varía con la luz. Y se pone en inversa para que la tensión
no tenga ningún efecto sobre la corriente.

• Schottky. Con una barrera de potencia aproximada de 0′ 25 𝑉 (no poseen zona de

deplexión), poseen tiempo de conmutación muy pequeños, haciéndose muy aptos en altas
frecuencia. Su uso es muy extendido en la tecnología informática. Es lo más parecido a un
diodo ideal que se puede encontrar. Tienen una región de deplexión muy pequeña, con lo
cual los tiempos de conmutación son muy rápidos. Pueden trabajar con señales de muy alta
frecuencia. Son muy caros.

• Diodos Zener. Son diodos especialmente diseñados para trabajar en la zona de ruptura, y
su característica principal es la de trabajar como reguladores de tensión, o elementos de
referencia de tensión. Directamente polarizado, un diodo Zener se comporta igual que un
diodo rectificador convencional. Funcionan de cátodo a ánodo si están debidamente
polarizados.

• Varicaps y varistores. Los primeros actúan como capacidades variables. Sabiendo que la
zona de deplexión, aumenta con la polarización inversa, y esta zona puede modelizarse
como un dieléctrico, entre dos conductores (regiones P y N), teniendo así un condensador
variable con la tensión. Los segundos, se utilizan como protectores frente a inestabilidades
eléctricas o accidentes en la red (tormentas, sobretensiones, etc.).

• Diodos de potencia. Diodos pensados para aplicaciones de electrónica industrial (control

de máquinas y motores, regulación automática, etc.) , que tienen que soportar elevados
niveles de corriente y tensión.