Tema 04

Electrónica de Potencia
UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA

UNIDAD Nº 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
UNIDAD Nº 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
UNIDAD Nº 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS
UNIDAD Nº 4. CONVERTIDORES
Tema 4.- Introducción

Introducción y clasificación. Distorsión. Amplificadores de potencia clase A (Acoplo
directo. Por transformador). Distorsión. Contratase Clase B: Circuito básico, cálculos,
rendimiento, distorsión. Amplificadores de potencia en contratase AB: Dos fuentes de
alimentación, una fuente de alimentación. Servoamplificadores.
Prof. J.D. Aguilar Peña

Departamento de Electrónica. Universidad Jaén
jaguilar@ujaen.es
http://voltio.ujaen.es/jaguilar
4.1 Consideraciones generales 1
4.1.1 Clasificación de los Amplificadores 1

4.1.2 Tipos de Distorsión 2
4.1.3 Cálculo de la distorsión armónica 3
4.2 Diseño del Amplificador 8
4.2.1 Situación del punto de trabajo 8
4.3 Amplificador de Potencia Clase A 9
4.3.1 Características generales 9

4.3.2 Clase A con acoplo directo a la carga 10
4.3.3 Clase A con acoplo por transformador 12
4.3.4 Distorsión en clase A 12
4.4 Amplificador de Potencia Clase B 13

4.4.2 Amplificador de Potencia Clase B en contrafase ó push-pull 14
Disipación de potencia y rendimiento 16

Distorsión de cruce 20
Reducción de la distorsión con realimentación 21
4.5 Amplificador de potencia clase AB 22

4.5.2 Amplificador de Potencia Clase AB en contratase 23
Características generales 23
Diseño del amplificador 23
Polarización con un multiplicador VBE 24
4.6 Servoamplificadores 30
Servoamplificador controlado por corriente 30

Amplificador PWM (modulación de anchura de pulso) controlado por tensión 31
Amplificador PWM controlado por corriente 32
4.7 Protecciones contra sobreintensidades 32
Limitación por corriente constante 32

Limitación de corriente regresiva (Foldback) 33
TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA
4.1 Consideraciones generales

Se puede definir amplificador de potencia como la etapa, cuyo objetivo es entregar la máxima
potencia a la carga, con la mínima distorsión y con el máximo rendimiento, sin sobrepasar ni en las
condiciones más desfavorables de funcionamiento, los límites máximos permitidos de disipación de
potencia de los elementos empleados.
Las etapas de salida son diseñadas para trabajar con niveles de tensión y corriente elevados. Las
aproximaciones y modelos de pequeña señal no son aplicables o deben de ser utilizados con las
consideraciones oportunas.
4.1.1 CLASIFICACIÓN DE LOS AMPLIFICADORES
Según la frecuencia de las señales a amplificar

• De Corriente Continua. Entre 0 y algunos hercios.
• De Audiofrecuencia. Entre 20Hz y 20KHz.
• De Radiofrecuencia. Entre 20KHz y varios cientos de MHz.
• De Videofrecuencia. También llamados de banda ancha, entre 30Hz y 15MHz.
Según el funcionamiento de los transistores de salida
• Lineales. Los transistores trabajan en zona lineal.
• De conmutación. Los transistores de salida trabajan en conmutación, on - off.
Atendiendo al punto estático de funcionamiento, punto Q. Ver figura 4.1
Fig 4. 1 Tipos de amplificadores atendiendo al punto estático de funcionamiento. Observar las formas de onda de la señal de entrada, VBE y
de la señal de salida, IC
© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 1

• CLASE A. La señal de salida circula durante todo un ciclo de la señal de entrada. El punto de
funcionamiento Q está centrado en la Recta de carga.
• CLASE B. La señal de salida circula durante un semiciclo de la señal de entrada. Ic)Q = 0
• CLASE AB. La señal de salida circula durante menos de un ciclo y más de un semiciclo de la
señal de entrada. Ic)Q ≠ 0 pero pequeño.
• CLASE C. La señal de salida circula durante menos de un semiciclo de la señal de entrada. El
transistor se encuentra polarizado negativamente VBE < 0
• CLASE D. Se conocen también con el nombre de amplificadores conmutados. Los elementos
de salida trabajan en conmutación, por lo que las pérdidas de potencia son muy bajas y
consecuentemente, alcanzan rendimientos próximos al 100%
4.1.2 TIPOS DE DISTORSIÓN.

En un amplificador ideal la señal de salida es una réplica exacta de la señal de entrada. En
amplificadores reales, fundamentalmente debido a las características no lineales de los dispositivos
utilizados, aparecen distorsiones que introducen modificaciones en la señal de salida.
Distorsión de fase
Aparece debido a que las componentes de una señal sufren distintos desplazamientos de fase a
medida que van atravesando las etapas del amplificador. Estas diferencias de fase son provocadas por
los elementos capacitivos e inductivos que forman parte del sistema.
Distorsión de frecuencia
Aparece debido a que la ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las frecuencias, es
decir, la respuesta en frecuencia no es plana, por lo que la señal de salida presentará deformaciones
con respecto a la de entrada, dado que las formas de onda complejas están compuestas por señales
sinusoidales de distintas frecuencias y amplitudes. Al igual que en el caso anterior, estas
deformaciones son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos. En general, éstas
distorsiones aparecen conjuntamente.
Distorsión de amplitud
Aparecen por la falta de linealidad de los componentes de los amplificadores introduciéndose señales
armónicas indeseadas en la señal de salida. La ganancia de los amplificadores no es la misma para
todas las amplitudes de la forma de onda de la señal de entrada, por lo que pueden aparecer
amplificaciones o recortes desproporcionados en la señal de salida. Estos efectos se pueden
minimizar mediante una realimentación negativa.
En función de la señal de entrada, se definen dos tipos de distorsión de amplitud.
Distorsión armónica.
Para una señal de entrada senoidal pura, el amplificador añade frecuencias armónicas de la frecuencia
de la señal de entrada, que se unen a ésta, alterando su forma. Es la forma de distorsión más
característica. Por ejemplo, una señal pura de 1kHz se transforma a la salida del amplificador con
distorsión en otra señal que además de tener la componente fundamental de 1kHz posee señales
armónicas de 2kHz (segundo armónico), 3kHz (tercer armónico), etc.
Distorsión armónica total Componente armónica Componente armónica y resultante

[4_1] [4_2] [4_3]

Distorsión por intermodulación. [4_4]
Tiene lugar cuando a la entrada de un amplificador se aplican simultáneamente dos señales de

distinta frecuencia y a la salida aparecen además de éstas, otras frecuencias no relacionadas
armónicamente con ellas. Para dos señales de entrada, de frecuencias f1 y f2, se obtienen a la salida
señales cuya frecuencia esta relacionada con la de las señales de entrada, f1, f2, 2f1, 2f2,... nf1,...nf2,
f1+f2,... n (f1+f2), f1-f2, etc.
Estos dos tipos de distorsión de amplitud se expresan en tanto por ciento. Debe quedar claro que
ambas distorsiones son debidas a la falta de linealidad de los dispositivos utilizados.
Fig 4. 2 Tipos de distorsión
4.1.3 CÁLCULO DE LA DISTORSIÓN ARMÓNICA

Sea un circuito al cual se le aplica, como señal de entrada, una señal cosenoidal
Vi (t) = Vm Cos ωo t E 4. 1
La alinealidad de la función de transferencia del circuito da como resultado una señal de salida
distorsionada.
Según Fourier, cualquier señal periódica puede descomponerse en un cierto número de señales que
sumadas dan como resultado la forma de onda de la señal periódica, con la particularidad de que la
frecuencia de estas ondas sigue un orden armónico.
N
Vo(t) = VDC + V1cos(ω0 t + φ1 ) + ∑ Vn cos(nω0 t + φ n ) E 4. 2
n =2
donde VDC es el valor medio o componente continua de la señal de entrada. El término de frecuencia
ω0 es el fundamental, que se correspondería con la respuesta deseada, las demás componentes para n
> 1 son los términos que producen la distorsión. Luego la falta de linealidad del circuito produce
componentes armónicas:
N
d(t) = ∑ Vn cos(nω0 t + φ n ) E 4. 3
n =2

d(t) = V2 cos(2ω0 t + φ 2 ) + V3cos(3ω0 t + φ3 ) + ... + Vn cos(nω0 t + φ n ) E 4. 4
El valor eficaz vendrá dado por la siguiente expresión:
2 2 2
⎛V ⎞ ⎛V ⎞ ⎛V ⎞
VRMS = ⎜ 2 ⎟ + ⎜ 3 ⎟ + ... + ⎜ N ⎟ E 4. 5
⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠
La distorsión armónica se mide en tanto por ciento y se define como
2 2 2
⎛V ⎞ ⎛V ⎞ ⎛V ⎞
%THD = ⎜⎜ 2 ⎟⎟ + ⎜⎜ 3 ⎟⎟ + ... + ⎜⎜ n ⎟⎟ ⋅ 100 E 4. 6
⎝ V1 ⎠ ⎝ V1 ⎠ ⎝ V1 ⎠
El factor armónico del n-ésimo armónico mide la contribución de cada armónico, y se define como
Vn
HFn = E 4. 7
V1
El factor de distorsión, DF indica la cantidad de distorsión armónica que queda en una forma de
onda después de que ésta haya sido sometida a una atenuación de segundo orden. Se define según la
expresión:
∞ 2
1 ⎛V ⎞
DF = ∑ ⎜ 2n ⎟ E 4. 8
V1 n = 2,3... ⎝ n ⎠
donde V1 es el valor eficaz de la componente fundamental y Vn es el valor eficaz del enésimo

componente armónico.
El factor de distorsión de un componente armónico en particular viene dado por
Vn
DFn = E 4. 9
V1 ⋅ n 2
El armónico de menor orden, LOH es el componente que no presenta desfase respecto del
fundamental y su amplitud es mayor o igual al 3% de la de éste. La comprobación de que no existe
desfase se puede hacer fácilmente en el listado de Fourier, obtenido mediante Pspice, en la columna
“Normalized phase (deg)”.
Dada la importancia que tiene la distorsión para el conocimiento del comportamiento global de un
sistema, y en electrónica de potencia la descomposición de una onda en sus correspondientes
amónicos, en la simulación 4.1 se analizan brevemente los datos que sobre el particular se pueden
obtener del listado de Fourier una vez realizada la simulación del comportamiento del sistema
mediante el programa Pspice.
SIMULACIÓN PSPICE 4.1
El circuito de la figura a) es un amplificador de potencia clase B en contrafase con dos fuentes de

alimentación. El circuito de la figura b) es el mismo amplificador de potencia preamplificado y
realimentado para evitar la distorsión de cruce. Los transistores push-pull (simetricos
complementarios) son NPN BD135 y PNP BD136.
a) Obtener mediante Pspice el listado de Fourier, las formas de onda de las tensiones de entrada y
salida del amplificador, para el transistor BD135 y la función de transferencia, cuando se aplica a
la entrada la tensión vi = 1 sen(2π 1000t)
b) Realizar el mismo análisis con Pspice para vi = 12 sen (2π 1000t) Comparar los resultados
para los apartados a y b, ¿qué conclusión se puede sacar?
…

c) Introducir una realimentación usando un preamplificador formado por un circuito operacional

y realizar el mismo análisis con Pspice.
Solución:
Se facilitan los listados para la simulación con PsPice, los cuales incluye los modelos necesarios
para los transistores complementarios así como el subcircuito correspondiente al amplificador
operacional.
Por razones obvias no se han reflejado todos los resultados obtenidos en la simulación, se invita
al lector para que la realice y reflexione sobre los resultados obtenidos, así como para que los
compare. También es interesante analizar los efectos que se producen al introducir nuevos
valores en la amplitud de la señal de entrada así como el efecto de introducir la realimentación.
Apartado (a)
Descripción del circuito:
Análisis de Fourier:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4)
DC COMPONENT = -7.428562E-06
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.000E+03 5.677E-01 1.000E+00 1.373E-01 0.000E+00

2 2.000E+03 3.446E-04 6.070E-04 -1.639E+02 -1.642E+02
3 3.000E+03 9.795E-02 1.726E-01 1.792E+02 1.788E+02
4 4.000E+03 7.385E-04 1.301E-03 -1.576E+02 -1.581E+02
5 5.000E+03 3.593E-02 6.330E-02 1.781E+02 1.775E+02
6 6.000E+03 1.087E-03 1.915E-03 -1.558E+02 -1.567E+02
7 7.000E+03 1.249E-02 2.200E-02 1.757E+02 1.747E+02
8 8.000E+03 1.201E-03 2.116E-03 -1.572E+02 -1.583E+02
9 9.000E+03 2.849E-03 5.019E-03 1.670E+02 1.658E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.852069E+01 PERCENT
En la columna correspondiente a las componentes de Fourier se puede comprobar que la

amplitud de los armónicos pares es despreciable (ausencia de armónicos pares) y que la amplitud
del fundamental predomina sobre la de los armónicos impares que también son despreciables a
partir del tercero. De la columna correspondiente a las componentes normalizadas o factor
armónico, se obtienen los datos HD de la expresión para el cálculo de la distorsión armónica
total.
THD = HD 22 + HD 32 + HD 24 + ... = 0.1852 THD = 18.52 %
…

En esta pantalla se puede apreciar la distorsión de cruce, característica de los amplificadores de potencia trabajando en
clase B en contrafase. Así como la diferencia entre la tensión de entrada y la de salida
En esta pantalla se puede apreciar la causa de la distorsión de cruce que no es otra que la irregularidad en la
amplificación para valores pequeños de la amplitud de la señal de entrada (-0.4V , 0.4V )
Apartado (b)
DC COMPONENT = -5.934254E-03

1 1.000E+03 1.137E+01 1.000E+00 3.059E-02 0.000E+00

2 2.000E+03 1.196E-02 1.052E-03 -8.776E+01 -8.779E+01
3 3.000E+03 1.495E-01 1.315E-02 1.787E+02 1.786E+02
4 4.000E+03 1.184E-02 1.041E-03 -8.818E+01 -8.821E+01
5 5.000E+03 8.400E-02 7.388E-03 1.795E+02 1.794E+02
6 6.000E+03 1.098E-02 9.658E-04 -9.039E+01 -9.042E+01
7 7.000E+03 5.556E-02 4.886E-03 1.799E+02 1.799E+02
8 8.000E+03 9.575E-03 8.421E-04 -9.207E+01 -9.210E+01
9 9.000E+03 4.082E-02 3.590E-03 1.778E+02 1.778E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.637319E+00 PERCENT
Todos los armónicos continúan siendo despreciables en amplitud frente al fundamental,

igualmente el tercer armónico sigue siendo el más importante en amplitud. La distorsión
armónica ha disminuido considerablemente, su valor, teniendo en cuenta los nueve armónicos, se
calcula considerando la ecuación:
…

THD = HD 22 + HD 32 + HD 24 + ... = 0.0164 THD = 1.64 %
La señal de salida sigue a la de entrada, aunque para el valor de pico es ligeramente menor,
(11.54 V) aparentemente no existe distorsión de cruce
Sigue existiendo distorsión de cruce, pero a medida que aumentamos la amplitud de la señal este
efecto disminuye.
Apartado (c)
Descripción del circuito:
DC COMPONENT = 2.911615E-06

1 1.000E+03 9.948E-01 1.000E+00 1.063E-02 0.000E+00

2 2.000E+03 5.956E-06 5.988E-06 1.869E+01 1.868E+01
3 3.000E+03 1.815E-04 1.824E-04 4.850E+01 4.849E+01
4 4.000E+03 6.541E-06 6.575E-06 -5.787E+01 -5.788E+01
5 5.000E+03 1.666E-04 1.674E-04 2.061E+01 2.059E+01
6 6.000E+03 9.908E-06 9.960E-06 -1.344E+02 -1.344E+02
7 7.000E+03 1.458E-04 1.466E-04 -6.993E+00 -7.003E+00
8 8.000E+03 1.801E-05 1.810E-05 1.678E+02 1.678E+02
9 9.000E+03 1.214E-04 1.221E-04 -3.438E+01 -3.439E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.134022E-02 PERCENT
El valor de la amplitud para todos los armónicos es despreciable y el valor del fundamental es
prácticamente igual al valor máximo de la señal de entrada por lo que se puede predecir que la
señal de salida seguirá a la de entrada en todo su periodo. La distorsión total ha disminuido
considerablemente pudiéndose decir que no existe
THD = 0.03 %
…

Se puede comprobar que no existe distorsión de cruce
4.2 Diseño del Amplificador

Para diseñar un amplificador, existen dos posibilidades:
• Conocido el transistor y sus características de funcionamiento (PDmáx, VCEmáx e Icmáx), se calcula la

resistencia de carga RL y la tensión de alimentación VCC que permitan obtener la máxima
potencia de salida PL.
• Conocida la potencia de salida deseada y la carga, determinar la tensión de alimentación y las
características mínimas del transistor.
4.2.1 SITUACIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO

En la figura 4.3 se pueden ver las posiciones de la recta de carga en función de la clase en la que
trabaje el amplificador:
Fig 4. 3 Posición del punto de trabajo, Q: intersección de las rectas de carga dinámica y estática para los distintos tipos de Amplificadores
de potencia.

4.3 Amplificador de Potencia Clase A
Fig 4. 4 Amplificación en clase A
4.3.1 CARACTERÍSTICAS GENERALES

Circula corriente en la salida durante todo el periodo de la señal de entrada. Cuando no hay señal de
entrada, la pérdida de potencia es máxima (IC = ICQ).
Al obtener grandes potencias y trabajar con grandes señales, trabajan próximos a la zona no lineal de
la característica V-I, por lo que la distorsión será significativa, aunque menor que en otras clases
como la B o la C.
El punto estático de funcionamiento estará en el centro de la característica de transferencia dinámica.
El rendimiento máximo es del 50%, pero en la práctica está entre el 20 y el 35 %.
Se pueden distinguir dos tipos, según el acoplo con la carga, acoplo directo y acoplo por
transformador.
Etapa de salida clase A
La etapa de salida clase A más sencilla es el seguidor de emisor aunque su eficiencia es bastante baja
(<0.25). La figura 4.5 a) muestra el esquema de este tipo de etapa polarizada con una fuente de
tensión adicional (VBB) para que en ausencia de señal (vs=0) la Vo sea VCC/2; en este caso
VBB=VCC/2+VBE. Es decir, la corriente de colector en continua de este transistor es
VCC
I CQ = E 4.10
2RL
Fig 4. 5 a) Etapa de salida clase A b) Curva de transferencia en tensión

La figura 4.5 b) presenta su curva de transferencia en tensión respecto a la señal de entrada vS. Al
tratarse de un seguidor de emisor la ganancia es ~1, luego la pendiente de la recta también es 1.
Fácilmente se comprueba que la amplitud máxima de la tensión de salida es VCC/2 limitada por la
tensión de alimentación y siempre que Q esté centrada sobre la recta de carga estática. La potencia de
disipación promedio en alterna disipada por RL se obtiene
2
⎛I ⎞ 1 V2
PL = I ⋅ R L = ⎜ max ⎟ ⋅ R L = ⋅ m
2
ef E 4.11
⎝ 2 ⎠ 2 RL
y esa potencia es máxima cuando Vm = VCC/2 de forma que

2
VCC
PLmax = E 4.12
8⋅RL
La potencia suministrada por las fuentes de alimentación se obtiene

2
VCC
PCC = VBB ⋅ I BQ + VCC ⋅ I CQ ≅ VCC ⋅ I CQ = E 4.13
2⋅RL
al ser IBQ << ICQ y sustituyendo ICQ por la ecuación [E4.10]. La máxima eficiencia se determina por las
ecuaciones [E4.12] y [E4.13]
Pl max 1
η max = = = 0.25 (25% ) E 4.14
PCC 4
4.3.2 CLASE A CON ACOPLO DIRECTO A LA CARGA

En este tipo de amplificador, la carga está acoplada directamente al circuito de colector.
En este circuito concreto, la recta de carga estática coincide con la dinámica. Se situará el punto Q en
el centro de éstas rectas para que la excursión de la corriente de salida sea máxima.
Fig 4. 6 Amplificador de potencia en clase A con acoplo directo. Circuito eléctrico y Corriente de colector para máxima excursión. Punto Q
situado en el centro de la recta de carga dinámica.
Para deducir las fórmulas correspondientes a éste diseño, es importante observar la figura 4.6, en la
que se supone que se obtiene la máxima excursión teórica de salida.
El diseño corresponde al caso del transistor trabajando en el límite de seguridad.
VCEmáx VCC I Cmáx
VCEmáx = VCC ; VCEQ = ; I Cmáx = ; I CQ =
2 RL 2

El valor de RL se determina directamente
VCC V
RL = = CEmáx E 4.15
I Cmáx I Cmáx
La potencia en la carga será
2 2
2 ⎛I ⎞ ⎛I ⎞ I2 V2 ⋅ R
PL = I ef ⋅ R L = ⎜ máx ⎟ ⋅ R L = ⎜ Cmáx ⎟ ⋅ R L = Cmáx ⋅ R L = CC 2 L
⎝ 2 ⎠ ⎝2 2 ⎠ 8 8⋅ R L
2
VCC
PL = E 4.16
8⋅ RL
Como se aprecia en la figura 4.6, la potencia máxima disipada por el transistor depende directamente
del punto Q, el cual pertenece a la hipérbola de máxima disipación de potencia
VCC I Cmäx VCC VCC

PD = VCEQ ⋅ I CQ = ⋅ = ⋅
2 2 4 RL
2
VCC
PD = E 4.17
4⋅RL
Cabe destacar que en clase A, cuando no existe señal de entrada, el transistor disipa la máxima
potencia (VCEQ · ICQ).
La potencia suministrada por la fuente de alimentación se determina según la expresión
I Cmäx VCC VCC

PCC = VCC ⋅ I CQ = VCC ⋅ = ⋅
2 2 RL
2
VCC
PCC = E 4.18
2⋅RL
Finalmente se determina el rendimiento
2
VCC
P 8R
µ ≤ L = 2L = 0,25 ⇒ µ ≤ 25% E 4.19
PCC VCC
2 RL
PDMÁX = 2 ⋅ PLMÁX
PCC = 4 ⋅ PLMÁX
Para obtener 4 vatios en la carga, se debe diseñar una fuente de 16 vatios y elegir un
transistor de 8 vatios mínimo.

4.3.3 CLASE A CON ACOPLO POR TRANSFORMADOR
Fig 4. 7 Amplificador de Potencia Clase A con acoplo por transformador. Circuito eléctrico, Rectas de carga estática y dinámica.
Localización del punto Q
El rendimiento de un amplificador puede mejorar con una carga acoplada por transformador.
En este tipo de amplificador, la carga está acoplada al transistor mediante un transformador, esto
hace posible adaptar impedancias únicamente variando la relación de espiras del transformador, "a"
ya que: R 'L = a 2 ⋅ R L . Al mismo tiempo, el transformador impide que la corriente continua circule
por la carga, eliminando la disipación de potencia que en el caso anterior se producía debido al paso
de la corriente, IC a través de la carga, provocando que el rendimiento pueda ser más elevado (≤
50%).
Si se supone ideal el transformador, la resistencia de los arrollamientos para corriente continua será
nula, por lo que la recta de carga estática será una recta vertical. El punto Q esta situado en la
intersección de la recta de carga dinámica con la estática y la hipérbola de máxima disipación de
potencia del transistor.
4.3.4 DISTORSIÓN EN CLASE A.

Factores que provocan la distorsión:
• No linealidad de las características del transistor.

• Situar la recta de carga dinámica próxima a la zona de ruptura por avalancha.
• Disminución de la ganancia de corriente, hFE con el aumento de la corriente de colector, IC.
• En la característica de entrada, debido a que la respuesta es del tipo diodo.
En definitiva, siempre existirá distorsión, cuyo grado será determinado mediante la aplicación del
teorema de Fourier.
El cálculo de la distorsión armónica se suele hacer experimentalmente, aunque se puede calcular de

manera aproximada mediante la utilización de las curvas del dispositivo ante una señal de entrada
senoidal.
Una consecuencia directa de la distorsión es que la potencia total de salida será mayor que la debida
solo al fundamental, aunque tal y como se demuestra a continuación no se comete mucho error al
considerar para el cálculo de la potencia de salida total, sólo la componente fundamental.
2 I12
P1 = I ef ⋅ RL = ⋅ RL E4. 20
2

Considerando todos los armónicos, la potencia total de salida será:
2
2 I 2máx I1(máx) + I 22(máx) + ... + I 2n(máx)
PLtotal = I ef ⋅ RL = ⋅ RL = ⋅ RL
2 2
E4. 21
2 ⎛ I 22(máx) I 2n(máx) ⎞
PLtotal =
I1(máx)
2
⋅ R L ⎜1 +
⎜ 2
I1(máx)
+ ... +
I 2n(máx) ⎟
( )
⎟ = 1 + THD 2 ⋅ P
1
⎝ ⎠
En la expresión anterior, THD representa la distorsión armónica total en tanto por uno.
Por ejemplo, para una distorsión total del 10% (valor elevado) La diferencia entre considerar o no,
todos los armónicos es tan solo del 1%
4.4 Amplificador de Potencia Clase B

La mayor desventaja de la etapa de salida clase A es el consumo estático de potencia incluso en
ausencia de señal de entrada. En muchas aplicaciones prácticas existen largos tiempos muertos
(standby) a la espera de señal de entrada o con señales intermitentes. Etapas de salida que
desperdician potencia en periodos standby tienen efectos perniciosos importantes. En primer lugar, se
reduce drásticamente el tiempo de duración de las baterías de los equipos electrónicos. En segundo
lugar, ese consumo de potencia continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos
que limita su tiempo medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el
sistema electrónico.
La etapa de salida clase B tiene consumo estático de potencia en modo standby prácticamente cero.
• La señal de salida circula durante medio ciclo de la señal entrada

• El transistor se polariza en el límite de corte, por lo que en ausencia de señal de entrada, la
corriente de colector es nula.
• El rendimiento teórico máximo es del 78.5%; en la práctica se obtiene entre el 50% y el 65%.
• Admiten señales de entrada de mayor amplitud que en clase A.
• Introducen mucha distorsión por lo que no se suelen utilizar en amplificadores de potencia con
un único transistor; si se suelen utilizar en montajes de contrafase.
Fig 4. 8 Amplificación en clase B. Corriente de colector en función de la corriente de base. Localización del punto Q en la recta de carga
dinámica. Observese que el transistor está polarizado al corte.

4.4.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B EN CONTRAFASE Ó PUSH-

PULL
Fig 4. 9 Amplificador de Potencia Clase B en Contrafase con Transistores Simétricos Complementarios
Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP (simétricos complementarios), en contrafase que
conducen alternativamente en función de si la señal de entrada es positiva o negativa (de ahí el
nombre de push-pull)
Fig 4. 10 Formas de onda para un único transistor, polarizado en Clase B
Cuando se atacan, con una señal senoidal, las bases de los transistores, se observa que si uno de ellos
está polarizado en directo, el otro está en inverso, por lo que cada uno de ellos amplificará un
semiperiodo de la señal de entrada.
Para calcular el rendimiento del amplificador, se supone que las características de los transistores
están idealizadas, por lo que la curva de transferencia dinámica es una línea recta. También se supone
que la corriente mínima es cero. Si se observan las figuras 4.10 y 4.11 los cálculos resultan más
comprensibles.

Para realizar la construcción de la figura 4.11, se parte de las formas de onda para un solo transistor,
polarizado en clase B de la fig 4.10. Para una excitación senoidal, la salida es senoidal durante el
primer semiperiodo y cero durante el segundo.
Fig 4. 11 Recta de carga compuesta utilizada para el diseño de un Amplificador Clase B en contrafase
La forma de onda para el segundo transistor será una serie de impulsos senoidales desfasados 180º
respecto de los del primer transistor. Como el circuito en contrafase es simétrico, el estudio realizado
para un transistor, es válido también para el otro.
La corriente de carga, proporcional a la diferencia de las dos corrientes de colector, será una onda
senoidal perfecta, para las condiciones ideales inicialmente supuestas, como se puede apreciar en la
figura 4.11.
Fig 4. 12 Característica de transferencia en la etapa

de salida clase B
La figura 4.12 muestra la curva de transferencia en tensión de este circuito. Para vi=0, ambos
transistores se encuentran en corte (vo=0) y el consumo estático de corriente es nulo (modo standby).
Si se incrementa la tensión de entrada hasta que Q1 entra en conducción, vi>VBE1(on), entonces
aparece niveles apreciables de corriente en Q1 que circularán por la resistencia de carga; en este caso
Q2 está en corte al verificarse VBE2> 0. A partir de ahora, Q1 opera en la región lineal hasta alcanzar
la saturación (vi>VCC+VBE1-VCE1(sat)). Similares resultados se obtienen para vi< 0 siendo ahora Q2 el
transistor que entra en la región lineal con una tensión máxima de salida limitada por la región de

saturación (vi<-VCC-VEB2+VCE2(sat)), estando siempre Q1 en corte. Resumiendo, con vi>VBE1(on) Q1

está en conducción y Q2 en corte y con vi<–VEB2(on) Q1 está en conducción y Q2 en corte. Además,
existe una zona muerta -VEB2(on)<vi <VBE1(on) que ambos transistores están en corte. Esta
característica introduce una distorsión de salida, denominada distorsión de cruce (crossover),
Fig 4. 13
Formas de onda de corriente y de voltaje para una etapa
de salida clase B en contrafase.
a) Tensión de entrada
b) Tensión de salida
c) Corriente de colector para T1
d) Corriente de colector para T2
Disipación de potencia y rendimiento

Potencia de salida o potencia en la carga, PL
Vmáx I máx
PL = Vef ⋅ I ef = ⋅ E4. 22
2 2
Potencia máxima que puede entregarse a la carga, se obtiene cuando Vmáx = Vcc
Ver la fig 4.11
Vcc2
PLmáx = E4. 23
2 ⋅ RL
Potencia suministrada por la fuente, PCC
I C1max I
PCC = PCC1 + PCC2 = VCC1 + VCC2 C 2 max E4. 24
π π

I máx
PCC = 2 ⋅ ⋅ VCC E4. 25
π
En la figura 4.10 se puede ver que ICC con carga es el valor medio para un semiciclo.
Rendimiento, µ (cuando la potencia en la carga es máxima)
PL
µ= = 78.5% E4. 26
Pcc
El rendimiento es bastante mayor que en los amplificadores en clase A. El valor elevado del
rendimiento se explica porque en un sistema clase B no circula corriente si no hay excitación,
mientras que en clase A, la fuente de alimentación entrega corriente incluso si la señal es cero. En
clase B, la potencia disipada en el colector es cero en reposo y aumenta con la excitación.
1 (VCC − VCEsat )
2
π VCC − VCEsat
En realidad: PLmax = µ=
2 RL 4 VCC
La potencia disipada en ambos transistores es la diferencia entre la potencia suministrada y la

potencia entregada a la carga (suponiendo pérdidas nulas en el resto del circuito), como Imáx=Vmáx/RL
resulta la siguiente expresión:
2
2 VCC ⋅ Vmax Vmax
PD(2 T) = PCC − PL = ⋅ − E4. 27
π RL 2 ⋅ RL
Supuesta Vmáx = Vcc se obtiene la potencia que disiparán los dos transistores cuando la potencia en la
carga sea máxima.
Vcc2 (4 − π )
PD(2T) = E4. 28
R L 2π
Derivando la ecuación [E4.27] se puede determinar el valor de Vmáx que hace que la potencia media
disipada en los transistores sea máxima
dPD 2
=0 ⇒ Vmáx = Vcc E4. 29
dVmáx π
Resumiendo, la potencia disipada en los transistores es cero sin señal (Vmáx = 0), aumenta conforme
lo hace Vmáx, y llega al valor medio máximo cuando Vmáx = 0.636 Vcc.
El valor máximo de PD(2T) se halla sustituyendo el valor obtenido para Vmax [E4.29] en la expresión
[E4.27]
2Vcc2 4 VCC 2
PD(2T)máx = = ⋅ = 0.4 ⋅ PLmáx E4. 30
π2 ⋅ R L π2 2 ⋅ R L
PD(1T)máx = 0.2 ⋅ PLmáx E4. 31

Fig 4. 14 Relaciones de Potencias. Para el amplificador en contrafase Clase B.
Fig 4. 15
Formas de onda a salida máxima para un transistor
en una etapa de salida Clase B.
a) Corriente de colector
b) Tensión colector-emisor
c) Disipación de potencia instantánea en el
transistor
Potencia instantánea disipada en el transistor
Pc ( t ) = v ce ( t ) i c ( t )
v ce ( t ) = VCC − i c ( t ) R L
Pc ( t ) = (VCC − i c ( t ) R L ) i c ( t )
Pc ( t ) = VCC i c ( t ) − i c2 ( t ) R L E4. 32

Potencia instantánea máxima en el transistor
dPc ( t )
= VCC − 2 i c ( t ) R L
di( t )
VCC − 2 i c ( t ) R L = 0
V
i c ( t ) = CC
2 RL
V
Pc max = CC E4. 33
4 RL
Fig 4. 16
Amplificador clase B en contratase
Si se desea entregar 10W con un amplificador en contrafase clase B, la potencia media

máxima a disipar en los dos transistores será 4W. (PDmáx = 4W), es decir, se deben elegir
transistores que sean capaces de disipar cada uno 2W de potencia media,
aproximadamente. Se puede obtener una salida de cinco veces la disipación de potencia
especificada para un solo transistor, mientras que si se quieren obtener los 10W de potencia
en clase A, con un solo transistor, éste deberá disipar 20W.
Cuando en el circuito de la figura 4.9 se suprime una de las fuentes de alimentación y se añade un
condensador de gran capacidad, que la sustituye durante el semiciclo en el que conduce el segundo
transistor, la excursión máxima de salida se reduce a Vcc/2. Este circuito se muestra en la figura 4.17.
VCC
T1
+C -
VCC
2
ve T2 RL Fig 4. 17
Amplificador de Potencia en contrafase, Clase B con simetría complementaria, utilizando una
sola fuente de alimentación
La capacidad se carga durante la conducción de T1 y se descarga durante la conducción de
T2
Al introducir el condensador, se hace al circuito dependiente de la frecuencia. Conforme disminuye

la frecuencia de la señal, aumenta la tensión en el condensador y disminuye en la carga, reduciendo
la ganancia del amplificador.
El punto de media potencia, o de 3 dB, especifica la frecuencia más baja de corte. Esta es la
frecuencia que provoca una caída de 3 dB, Av = 0.707 en la amplitud de salida.

El punto está especificado por la siguiente expresión.
1 1
RL = ⇒ ω= E4. 34
j ωC 1 R L ⋅ C1
La impedancia del condensador disminuye con el aumento de la frecuencia, por lo que el peor de los
casos se produce a frecuencias bajas. Si se supone que la frecuencia más baja (frecuencia de corte) es
fL, el valor para el condensador será:
1
C1 = E4. 35
2π ⋅ f L ⋅ R L
PROBLEMA 4.1
El montaje de la figura es un amplificador clase B en contrafase realizado con transistores

complementarios. Para una señal de excitación Ue = A sen ωt, y considerando un
comportamiento ideal del sistema. Calcular la Potencia máxima de la señal de salida, la
disipación de potencia en cada transistor y el rendimiento de la conversión de potencia para las
condiciones expresadas. La máxima disipación de potencia media en los transistores y el
rendimiento de la conversión de potencia para estas condiciones. Si se sustituye la fuente doble
simétrica por una sola fuente de alimentación, ¿qué valor debe tener ésta para obtener la misma
potencia en la carga? Datos: UC = 15 V; RL = 4Ω.
Solución: PLtotal = 28.125W; PD1T = 3.842; η = 78.54%; PD1Tmax = 5.7W; η = 50%
Distorsión de cruce
Los armónicos pares desaparecen como consecuencia del montaje en contrafase. La principal fuente
de distorsión es el tercer armónico, aunque no se considerará por no influir de manera significativa en
la potencia de salida.
La distorsión que sí se debe considerar en este tipo de montajes es la debida a la alinealidad de las
características de entrada de los transistores. Se conoce como distorsión de cruce (crossover). Si se
aplica una entrada senoidal a la entrada de un amplificador en contrafase clase B, no habrá salida
hasta que la entrada supere la tensión de umbral (Vτ ≈ 0 .5 ... 0.7 voltios para el silicio). Esto se puede
apreciar en la figura 4.18 Para evitar este tipo de distorsión se aplica una ligera polarización a las
bases de los transistores. Para ello se colocan diodos de compensación en serie con unas resistencias,
encargadas de hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero, (esto provoca que los
transistores amplifiquen la señal de entrada en alterna de manera simultánea en la región de paso por
cero, compensando así la baja amplificación en dicha zona, por tanto el nuevo funcionamiento será
en clase AB que se estudiará posteriormente, dentro de este mismo capítulo.

Fig 4. 18
Distorsión de cruce
En la figura se aprecia la evolución de la señal de
salida, conforme aumenta el nivel de la señal de
entrada. La distorsión de cruce disminuye según
aumenta la entrada, pero llega un momento en que
la señal se recorta como consecuencia de trabajar en
la zona de saturación de los transistores.
Reducción de la distorsión con realimentación

Una forma de reducir la distorsión de cruce en los amplificadores clase B en contrafase, consiste en
introducir un lazo de realimentación y colocar un preamplificador con una gran ganancia en lazo
abierto. Este preamplificador suele ser un amplificador operacional. El circuito así configurado tiene
una aplicación fundamental en el caso de los servoamplificadores, que serán tratados con mayor
profundidad mas adelante.
Cuestión didáctica 4.1

Estudiar con más detalle, como afecta a la distorsión introducida por el propio
amplificador, el hecho de colocar un preamplificador de gran ganancia.

…
¿Sabrías deducir y comentar porqué esta configuración reduce la distorsión?
PROBLEMA 4.2
El circuito de la figura tiene VCC= 15V, RL=2kΩ, VBE(on)=0.6V y VBE(sat)=0.2V.

(a) Dibuje la característica de transferencia de Vi a Vo suponiendo que los transistores se activan
abruptamente para Vbe = VBE(on)
(b) Dibuje la forma de onda del voltaje de salida y la forma de onda de la corriente de colector en
cada dispositivo para un voltaje de entrada senoidal de amplitud 1V, 10V, 20V.
(c) Verifique (a) y (b) al utilizar PSpice con IS=10-6A, βF=100, rb=100Ω y rc=20Ω para cada
uno de los dispositivos. Utilice PSpice para determinar la distorsión en segunda y tercera
armónica e Vo para las condiciones indicadas en (b)
[Gray]
PROBLEMA 4.3
Para el circuito del problema 4.2 suponga que VCC= 12V, RL=1kΩ y que vCE(sat)=0.2V. Suponga
que existe un voltaje de entrada senoidal suficiente disponible en Vi para excitar a Vo hasta sus
límites de recorte de onda. Calcule la potencia máxima promedio que se puede entregar a RL
antes de que ocurra el recorte de onda, la eficiencia correspondiente y la disipación máxima
instantánea del dispositivo. Desprecie la distorsión por cruce.
Solución: PL = 69.6mW; ηc = 77.2%; Pc= 36mW
4.5 Amplificador de potencia clase AB

• La señal de salida circula más de un semiciclo y menos de un ciclo de la señal de entrada.

• Es un caso intermedio entre la clase A y la B. Se configura en contrafase.
• Con señales de alto nivel, su comportamiento tiende al de clase B con menor rendimiento. En
reposo circula una pequeña corriente estática.
• Cuando se trabaja en contratase clase AB se elimina la distorsión de cruce.

Fig 4. 19 Amplificación en clase AB. Corriente de colector en función de la corriente de base. Localización del punto Q en la recta de carga
dinámica. Obsevese como el transistor está polarizado en una zona próxima al corte.
4.5.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE AB EN CONTRAFASE.

Características generales
La distorsión de cruce que se produce en los amplificadores en contrafase clase B, puede eliminarse
si previamente se polarizan ligeramente ambos transistores. De esta forma, la señal de entrada
oscilará en torno a un nivel de polarización distinto de cero y se conseguirá eliminar la zona muerta
situada en las proximidades del origen.
Reducción de la distorsión de cruce

[4_5]
Diseño del amplificador
Fig 4. 20 Etapa clase AB con polarización por a) diodos y b) multiplicador VBE
En esta figura se muestra la polarización basada en dos diodos. En ausencia de señal, vi = 0, la caída
de tensión en diodo D1 hace que el transistor Q1 tenga una ligera polarización de base-emisor con
una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2; es decir, ambos transistores
conducen. Cuando se aplica una tensión a la entrada uno de los transistores estará en la región lineal
y el otro cortado, funcionando de una manera similar a la etapa clase B anterior pero con la ausencia
de distorsión de cruce. En este caso la potencia promedio suministrada por una fuente de
VCC VO
alimentación es: PCC = + I Q ⋅ VCC
π RL

En general, el segundo término es despreciable frente al primero y el valor de la eficiencia indicada

en las ecuaciones anteriores siguen siendo válidas.
El circuito de la figura 4.21 es un circuito en el que se emplea el condensador Cs cuando queremos

alimentar el amplificador con una sola fuente de alimentación. Los diodos proporcionan una pequeña
polarización a las bases de los transistores, que evita la distorsión de cruce. Además, su pequeña
resistencia dinámica junto con su coeficiente negativo de temperatura, aportan mayor estabilidad
térmica frente a variaciones de temperatura, los diodos además reducen las fluctuaciones de la VBE de
los transistores con la temperatura. Estos diodos deben tener características similares a las del
transistor y se deben montar en el mismo disipador de calor.
(4.45MB)
[4_6]
Fig 4. 21
Amplificador de potencia clase AB en contrafase
En el cual una fuente de alimentación ha sido sustituida por el
condensador CS
Cuando se alimenta la entrada con una señal senoidal, se puede observar que durante el primer
semiciclo de la misma conduce el transistor Q1. El condensador se carga hasta una tensión igual a
Vcc/2. Durante el semiciclo negativo de la tensión, el condensador actúa de alimentación para el
transistor Q2.
El precio que se paga por evitar la distorsión de cruce es un pequeño consumo de potencia en
ausencia de señal, que repercute en una disminución del rendimiento.
Polarización con un multiplicador VBE. [E4_7]
Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensión 2VBE entre la base de los transistores
necesaria para eliminar la distorsión de cruce es utilizar lo que se denomina multiplicador de VBE.
Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas entre su colector
y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2 deben ser de unos pocos
kΩ) entonces la corriente que circula por R1 es VBE3/R1 y la tensión entre el colector y emisor de ese
transistor es
VBE 3 ⎛ R ⎞
VCE 3 = ⋅ (R 1 + R 2 ) = VBE 3 ⋅ ⎜⎜1 + 2 ⎟⎟ E 4.36
R1 ⎝ R1 ⎠
es decir, la tensión VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor (1+R1/R2).
En el diseño de cualquier amplificador de simetría complementaria, se deben tener en cuenta tres

factores importantes.

La distorsión de cruce, que se puede reducir fácilmente colocando resistencias de pequeño

valor, en serie con los diodos, para hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero.
La posibilidad de falla térmica, que puede producirse si los dos transistores complementarios
no tienen las mismas características o si una VBE descompensada se reduce por las altas
temperaturas. Esto conduciría a una corriente de colector mayor, que originaría disipación de
potencia y calentamientos adicionales. Este proceso continúa hasta que se calienta y falla. Este
problema se reduce colocando pequeñas resistencias en serie con el emisor para aumentar el nivel
de polarización en continua.
Mantener los diodos de polarización en conducción todo el tiempo para evitar la

distorsión.
El diseño del amplificador de la figura 4.21 requiere conocer la resistencia del diodo en directo, que
suele ser inferior a 100 Ω. También es importante que la corriente de polarización del diodo sea
bastante grande para mantener los diodos en la zona lineal de su región de polarización directa para
todas las tensiones de entrada.
La máxima corriente de pico negativa a través del diodo debe ser menor que la corriente de
polarización en directo. Es decir, la componente de cc debe ser mayor que la de ca, de modo que
cuando se suman, la corriente resultante no se vuelva negativa. Si esto no fuese así, el diodo se
polarizaría en inverso.
I D > i dp E4. 37
donde idp es la amplitud del componente de ca de la corriente del diodo.
Notese la utilización de un subíndice adicional (p) para indicar que se está utilizando el valor de pico
de la variable.
El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 4.22 donde ib es la corriente en ca de la base del

transistor y v'L es la tensión en ca a través de la carga RL + jXCS, a baja frecuencia.
Fig 4. 22
Circuito equivalente en corriente alterna para el estudio del amplificador
de potencia clase AB en contrafase.
El valor de la corriente continua a través del diodo, ID
VCC
− 0.7
ID = 2 E4. 38
R2
El valor de pico de la corriente alterna a través del diodo en sentido inverso, idp

v´Lp
i dp = i bp + i R2p = i bp + E4. 39
R2
Se ha supuesto que la ganancia en tensión del amplificador es la unidad. Es decir, la tensión en ca a
través de R2 es igual que la tensión de emisor, v ´L
La condición límite para el funcionamiento del diodo en la región de polarización directa se establece
igualando ID con idp. Para simplificar, se considera que R1 = R2. El valor de las resistencias se
determina despejando en la expresión resultante.
VCC VCC
− 0.7 v ´Lp − 0.7 − v ´Lp
2 = i bp + R2 = 2 E4. 40
R2 R2 i bp
Por ser el amplificador un seguidor de emisor de ganacia unidad se tiene que vi ≈ v ´L .
A frecuencias medias, la tensión a través de CS es cero, por tanto la tensión v'L aparece en extremos
de la resistencia de carga, RL siendo v'L = vL
A la frecuencia de corte, -3 dB, la potencia de salida cae a la mitad de la potencia a frecuencias

medias, y la tensión a través de RL es igual a la tensión a través de CS. Cada una de estas tensiones es
igual a v L / 2
La tensión de pico entre los extremos de CS y RL es v'Lp
2 2
⎛v ⎞ ⎛v ⎞
v ´
Lp = ⎜⎜ L ⎟⎟ + ⎜⎜ L ⎟⎟ = v L
⎝ 2⎠ ⎝ 2⎠
v'Lp = R L ⋅ β ⋅ i bp = R L ⋅ i cp E4. 41
La resistencia de entrada se determina del circuito equivalente mostrado en la figura 4.22 para la
condición de ZL = RL a frecuencias medias, donde XC1 = 0.
R en = (R f + R 2 ) [R + (R
f 2 βR L )] E4. 42
Se ha supuesto que a frecuencias medias el condensador es un cortocircuito. Nótese que RL se refleja

como βRL y que el diodo tiene una resistencia en directo, Rf, y otra en inverso, Rr.
Fig 4. 23 Circuito equivalente para el cálculo de la resistencia de entrada.

La ganancia de intensidad, se calcula observando la figura 4.23, de la cual se deducen las expresiones
para la tensión através del diodo, vD1 con el transistor Q1 en conducción, de la corriente por el diodo,
iD2 y de la corriente de entrada, ien que es la suma de las corrientes por el dido D2, la corriente de base
del transistor Q1 y la corriente por la resistencia R2
⎛ v ⎞ v D1 + v L
v D1 = R f ⎜⎜ i bp + L ⎟⎟ i D2 = E4. 43
⎝ R2 ⎠ Rf + R2
v + vL v ib
i en = D1 + i bp + L Ai = β E4. 44
Rf + R2 R2 i en
El condensador CS será de gran capacidad, de forma que su reactancia es despreciable a las

frecuencias normales de trabajo.
El rendimiento teórico viene dado por la expresión:
PL
µ= = 78.5% E4. 45
PCC
Para determinar el rendimiento real, se considera la existencia de pérdidas, que por lo general se
cuantifican entre un 10% y un 35% de la potencia teórica calculada. La fuente deberá suministrar una
potencia real dada por la expresión:
PCC(real) = PCC(teorica) + 20%PCC(teórica) E4. 46
PROBLEMA 4.4
Diseñar un circuito amplificador de clase AB
a) Diseñar el circuito amplificador de clase AB de la siguiente figura, que pueda abastecer el

máximo voltaje de salida, con una carga de resistencia RL=50Ω, con una corriente. IQ=2⋅10-3ª y
Vcc = 12V que asegure la conducción.
b)Hallar la caída de tensión en los diodos, VBB, para vo = 0 y para vo =11.8V
DATOS:
Los parámetros del diodo: Is = 10-13A; VD1 = 0.7V; VD2 = 0.7V; IDmin = 1mA
Los parámetros del transistor son: βf = 50; VBE = 0.7V; VCEsat = 0.2V; VT = 25.8mV

PROBLEMA PROPUESTO
El circuito de la figura 4.20 (a) es una clase AB polarizado con diodos para eliminar la distorsión
de cruce. Se pide:
(a) Calcular el rendimiento de la etapa si vi=5Vsenwt despreciando el efecto IQ.
(b) Repetir el apartado (a) incluyendo a las fuentes de corriente.
(c) Si vi=7.5Vsenwt calcular la potencia promedio de las fuentes de alimentación, de la
resistencia de carga y de cada uno de los transistores. Obtener el valor de la corriente de
colectorpico de un transistor.
(d) Una característica sorprendente de esta etapa es que la potencia de disipación máxima de un
transistor no se produce para una tensión máxima de salida como en principio parece lógico, sino
2 VCC
cuando la tensión de salida toma el valor de v o = = 0.636 VCC
π
Demostrar esa condición y determinar la potencia promedio de disipación máxima de un
PROBLEMA 4.5
Diseñar un circuito con simetría complementaria compensado por diodos (Ver figura 4.21) para
un amplificador de audio con una respuesta en frecuencia de 60Hz a 20KHz y una potencia de
salida de 0.5W en un altavoz de 8Ω. La fuente de alimentación es de 12V. Determinar:
(a) La ganancia de corriente.

(b) La potencia proporcionada por la fuente.
(c) Potencia máxima disipada por cada transistor.
Solución:
Apartado (a)
Se determina primero el valor de ICmax necesario para alcanzar la carga especificada, usando la
ecuación:
I C2 max ⋅ R L
PL = = 0.5 W
2
1W
I C max = = 0.354 A
RL
El voltaje de carga máximo es:

v L = R L ⋅ I C max = 2.828 V
La razón entre la corriente de colector y la corriente de base es β, por tanto, la corriente de base
pico debe ser:
I C max
ib = = 5.9 mA
β
Como: v' L = v L
El valor de R2 es:
Vcc
− 0.7 V − v'L
R2 = 2 = 419.44 Ω
ib
…

Rin y la corriente de entrada se determinan a la frecuencia media
⎛ v ⎞
VD 1 = R f ⋅ ⎜⎜ i b + L ⎟⎟ = 0.1 V
⎝ R2 ⎠
La corriente de entrada es:
VD 1 + v L v
i in = + i b + L = 19 mA
Rf + R2 R2
R 2 ⋅ β⋅ R L
El paralelo de R2 y RL es: R 2 //R L = = 223.8 Ω
R 2 + β⋅ R L
Luego la resistencia de entrada es:
(R f + R 2 ) ⋅ (R f + R 2 //R L )
R in = = 150.3 Ω
(R f + R 2 ) + (R f + R 2 //R L )
La ganancia de corriente se obtiene de la razón entre las corrientes de entrada y de salida:
ib
∆ i = β⋅ → ∆ i = 18.141
i in
Apartado (b)
La potencia para el amplificador:
Vcc ⋅ I C max Vcc2

Pcc = + → Pcc = 1.52 W
π 2⋅ Rf + 2⋅R2
Apartado (c)
El valor nominal de la potencia de cada transistor es:
Vcc2
Ptrans = → Ptrans = 0.45 W
4 ⋅ π2⋅ R L
[Savant]
PROBLEMA 4.6
Diseñar un amplificador push-pull clase B con simetría complementaria compensado por diodos
para excitar una carga de 4Ω a +3V para un intervalo de frecuencias de 50Hz a 20KHz. Suponer
que los transistore NPN y PNP poseen una β=100 para cada uno y VBE=+-0.7V. Los diodos
tienen una resistencia en directo Rf = 10Ω. Determinar todas las tensiones y corrientes en reposo
para una tensión de alimentación Vcc=16V. Determinar la máxima potencia que se extrae de la
fuente de alimentación, la potencia desarrollada en la carga y disipación de potencia en los
transistores.
Solución: Pcc = 404W; PL = 1.13W: PT = 1.62W
[Savant]

4.6 Servoamplificadores
El servoamplificador es la etapa de potencia encargada de actuar sobre un servomotor para efectuar
por ejemplo, un control de velocidad o de posición. Son empleados en robots industriales así como en
otros equipos de control numérico. Básicamente se pueden enumerar dos tipos: lineales (los
transistores bipolares trabajan en la zona lineal) y PWM (los transistores bipolares o Mosfet trabaja
en conmutación).
En la figura 4.24 se muestra el servoamplificador más simple, usado para controlar los dos sentidos
de giro de un motor. El control se efectúa mediante un amplificador clase B en contrafase.
Fig 4. 24
Servoamplificador bipolar controlado por tensión, que utiliza un
amplificador en contrafase funcionando en clase B, el giro del
motor no es uniforme debido a la distorsión
Sabido es que el amplificador en clase B presenta el problema de la distorsión de cruce, lo que

provoca que el giro del motor no sea uniforme, por lo que se hace necesario configurar la entrada en
clase AB. Para ello, se incluyen dos diodos en serie con otras tantas resistencias que se encargarán
de polarizar ligeramente a los transistores así como de estabilizarlos térmicamente, ver la figura 4.25
Fig 4. 25
Servoamplificador con amplificador en contrafase, clase AB, los diodos
y las resistencias son compensadoras con el objeto de eliminar la
distorsión de cruce
Servoamplificador controlado por corriente

Hay aplicaciones en las que interesa que la corriente que circula por el motor esté controlada
directamente por la señal de entrada, porque el par desarrollado en el motor es el factor principal.
El par instantáneo generado en el motor viene dado por la siguiente expresión:
m = KT ⋅ im E4. 47
m = par instantáneo, im = corriente por el motor, KT = constante del par del motor
El control de la corriente se realiza introduciendo un detector de corriente y un amplificador

operacional como se puede ver en la figura 4.26 La resistencia Rs se emplea para detectar la
intensidad como resistencia Shunt.

Fig 4. 26
Servoamplificador bidireccional controlado por corriente
El amplificador operacional está configurado en modo inversor, siendo la tensión de salida
R2
vs = − ⋅ vi vs = i m ⋅ R s E4. 48
R1
La corriente que circula por el motor, en función de la tensión de entrada es:
R2
im = − ⋅ vi E4. 49
R1 ⋅ R s
Amplificador PWM (modulación de anchura de pulso) controlado por tensión

En la figura 4.27 se muestra el principio en el cual se basa el control por tensión de amplificadores
PWM.
El comparador tiene dos entradas. En la entrada positiva (+) se aplica la tensión de control y en la
entrada negativa (-), la señal triangular. La señal a la salida del comparador será una relación entre
las dos señales de entrada. La tensión aplicada al motor en cada momento se puede ver en la figura
4.27
Fig 4. 27
Servoamplificador básico controlado por tensión.
Circuito y formas de onda de tensión e intensidad aplicadas al
motor.

Cuando vi es mayor que la señal triangular, la tensión de salida es igual a + Vcc, el transistor Tr1 está
en conducción y Tr2 en corte. La tensión aplicada al motor es E.
Cuando vi es menor a la señal triangular, la tensión de salida es – VDD, el transistor Tr2 está en
conducción y Tr1 en corte. En este caso, la tensión aplicada al motor es –E.
La velocidad del motor depende de la tensión media aplicada en función del ciclo de trabajo de la
señal, es decir, la relación entre los tiempos de conducción y corte de los transistores
Amplificador PWM controlado por corriente

En la figura 4.28 se muestra el esquema de este tipo de amplificador. En el cual la señal de referencia
es la diferencia entre la intensidad de mando y la intensidad de salida, sensada en extremos de RS.
Fig 4. 28 Servoamplificador PWM controlado por corriente.
4.7 Protecciones contra sobreintensidades.

Un problema que se plantea en las salidas de los amplificadores es la protección de los transistores
frente a posibles cortocircuitos accidentales, con el fin de evitar la destrucción de los mismos. En
estos casos, la protección mediante fusibles no es acertada, dada la lentitud de actuación de los
mismos. Se estudian a continuación una serie de circuitos limitadores de corriente.
Limitación por corriente constante
Fig 4. 29 Limitación por corriente constante: Circuito y Característica Tensión - Corriente
Se emplea con niveles bajos de corriente.

Si se produce un cortocircuito accidental (RL = 0 ) y está conduciendo el transistor T4, la caída de
tensión en la resistencia de emisor aumentará y provocará la conducción del transistor limitador T3,

que absorberá parte de la corriente de la base del transistor de salida T4. Esto provoca que disminuya
la tensión de salida y por lo tanto una limitación de la corriente total suministrada a la carga. El otro
transistor de salida (T5) es protegido por T1 en conexión con T2.
El efecto de la limitación por corriente constante se puede ver en la característica tensión-corriente de
la figura 4.29
El valor de la resistencia de emisor es función de la corriente de cortocircuito, ISC
VBE
RE = E4. 50
I SC
Con este método siempre se dispone de corriente de carga, pero su valor queda limitado y la
eliminación de la causa que provoca el cortocircuito vuelve a producir el funcionamiento normal del
circuito.
El principal inconveniente es que en caso de cortocircuito, la potencia que debe disipar el transistor
de salida T4 es muy elevada al estar aplicada en él toda la tensión de entrada y circular la máxima
corriente de cortocircuito. En la elección del transistor se debe tener en cuenta este valor de la
potencia, para no superar las limitaciones de la curva SOA.
El valor de la potencia disipada por el transistor T4 en caso de cortocircuito será
PD = (VCC − VBE ) ⋅ I SC E4. 51
Limitación de corriente regresiva (Foldback)

En esta configuración se limita el valor de la corriente de cortocircuito a un valor inferior al de la
máxima corriente permitida.
El funcionamiento es similar al de la limitación de corriente constante. Los transistores limitadores

T2 y T3 están normalmente bloqueados; si se produce un cortocircuito, aumenta la corriente entre los
terminales de salida del amplificador, aumentando la tensión base – emisor de los transistores
limitadores. Al llegar esta tensión a un valor prefijado mediante el potenciómetro R3, los transistores
entran en conducción, restando parte de la corriente a la etapa de salida formada por los transistores
T4 y T5.
Fig 4. 30 Protección por limitación de corriente regresiva (Foldback): Circuito y característica tensión corriente

La corriente máxima, Imáx se calcula según las ecuaciones:

V1
VR3 = Vsal + VBE VR3 = R 3 ⋅ V1 = Vsal + I máx ⋅ R E
R2 + R3
R 2 + R 3 Vsal
I máx = VR 3 − E4. 52
RE ⋅ R3 RE
Llamando “M” al factor de realimentación del divisor de tensión formado por R2 – R3
R3
M= E4. 53
R2 + R3
Relacionando las expresiones anteriores, se tiene una nueva expresión para Imax
(1 − M ) ⋅ Vsal
I máx = I SC + E4. 54
M ⋅RE
El valor de la corriente de cortocircuito viene dada por:
VBE
I SC = E4. 55
M ⋅RE
La resistencia de emisor en función de la corriente máxima, se obtiene despejando M en la expresión
[E4.55], sustituyendo en la [E4.54] y despejando
Vsal
ISC
RE = E4. 56
⎛ V ⎞ I
⎜⎜1 + sal ⎟⎟ − máx
⎝ VBE ⎠ ISC
La potencia disipada en los transistores de salida es menor que en el caso del apartado anterior, y
viene dada por la expresión:
PD = (VCC − Vsal − V1 ) ⋅ ISC E4. 57
donde:
V1 = R E ⋅ ISC
En la figura 4.30 se puede ver la característica de salida en la que se observa que la corriente de
cortocircuito es menor que la máxima que proporciona el circuito.
En la figura 4.31 se aprecian los puntos de funcionamiento cuando se usa este método de limitación.
Como la máxima potencia se disipa durante el cortocircuito, y en este caso es menor que la que
puede entregar la fuente, el aprovechamiento del área de funcionamiento seguro (SOA) es mayor, lo
que permite la utilización de transistores de salida “más pequeños”.
Fig 4. 31
Disipación de potencia con protecciones contra cortocircuito para los
casos de corriente constante y corriente regresiva. En el segundo caso
no se sobrepasa la curva SOA

Bibliografía
AGUILAR PEÑA, J. D.; DOMENECH MARTÍNEZ, A.; GARRIDO SÁNCHEZ, J. Simulación
Electrónica con PsPice. Ed. RA-MA. Madrid, 1995.
AGUILAR PEÑA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teoría y problemas.

Ed. Paraninfo, Madrid 1993.
GRAY, PAUL R.; MEYER, ROBERT G. Análisis y diseño de Circuitos Integrados Analógicos.
Ed. Prentice Hall, cop, México 1995.
RASHID, M. H. Circuitos microelectrónicos. Análisis y diseño. Thomson, 2000.
RUIZ, ROBREDO, G. A. Electrónica básica para ingenieros. Dpto. Electrónica y Computadores.

Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 21 de enero de 2005]
SAVANT, C. J. et al. Diseño electrónico. Addison Wesley iberoamericana, 1992.

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Electrónica de Potencia

UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA

Tema 4.- Introducción

Prof. J.D. Aguilar Peña

4.1.1 Clasificación de los Amplificadores 1

4.2 Diseño del Amplificador 8

4.2.1 Situación del punto de trabajo 8

4.3 Amplificador de Potencia Clase A 9

4.3.1 Características generales 9

4.4 Amplificador de Potencia Clase B 13

4.4.1 Características generales 13

Disipación de potencia y rendimiento 16

4.5 Amplificador de potencia clase AB 22

4.5.1 Características generales 22

Servoamplificador controlado por corriente 30

4.7 Protecciones contra sobreintensidades 32

Limitación por corriente constante 32

4.1 Consideraciones generales

4.1.1 CLASIFICACIÓN DE LOS AMPLIFICADORES

 Según la frecuencia de las señales a amplificar

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 1

4.1.2 TIPOS DE DISTORSIÓN.

En función de la señal de entrada, se definen dos tipos de distorsión de amplitud.

Distorsión armónica total Componente armónica Componente armónica y resultante

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 2

 Distorsión por intermodulación. [4_4]

Tiene lugar cuando a la entrada de un amplificador se aplican simultáneamente dos señales de

Fig 4. 2 Tipos de distorsión

4.1.3 CÁLCULO DE LA DISTORSIÓN ARMÓNICA

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 3

d(t) = V2 cos(2ω0 t + φ 2 ) + V3cos(3ω0 t + φ3 ) + ... + Vn cos(nω0 t + φ n ) E 4. 4

El valor eficaz vendrá dado por la siguiente expresión:

donde V1 es el valor eficaz de la componente fundamental y Vn es el valor eficaz del enésimo

SIMULACIÓN PSPICE 4.1

El circuito de la figura a) es un amplificador de potencia clase B en contrafase con dos fuentes de

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 4

c) Introducir una realimentación usando un preamplificador formado por un circuito operacional

Descripción del circuito:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4)

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

1 1.000E+03 5.677E-01 1.000E+00 1.373E-01 0.000E+00

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.852069E+01 PERCENT

En la columna correspondiente a las componentes de Fourier se puede comprobar que la

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 5

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4)

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

1 1.000E+03 1.137E+01 1.000E+00 3.059E-02 0.000E+00

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.637319E+00 PERCENT

Todos los armónicos continúan siendo despreciables en amplitud frente al fundamental,

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 6

THD = HD 22 + HD 32 + HD 24 + ... = 0.0164 THD = 1.64 %

Descripción del circuito:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4)

HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

1 1.000E+03 9.948E-01 1.000E+00 1.063E-02 0.000E+00

TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.134022E-02 PERCENT

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 7

Se puede comprobar que no existe distorsión de cruce

4.2 Diseño del Amplificador

• Conocido el transistor y sus características de funcionamiento (PDmáx, VCEmáx e Icmáx), se calcula la

4.2.1 SITUACIÓN DEL PUNTO DE TRABAJO

© Universidad de Jaén; J: D. Aguilar; M. Olid 8

4.3 Amplificador de Potencia Clase A

Según la frecuencia de las señales a amplificar

Distorsión por intermodulación. [4_4]

La distorsión de cruce, que se puede reducir fácilmente colocando resistencias de pequeño