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FACULTAD DE INGENIERÍA
Prelaboratorio N°4:
Osciladores
Julio 2021
1. Introducción
Una de las herramientas fundamentales en radio frequencia, Radio Frequency (RF) es el oscilador, el cual
es un circuito capaz de producir una oscilación de frecuencia propia, forma de onda y amplitud determina-
da. El funcionamiento del oscilador se basa en una etapa que siendo alimentada con una tensión continua
porporciona una señal variable en el tiempo y periódica que puede ser sinusoidal, cuadrada, diente de sie-
rra, triangular, entre otras. Fundamentalmente, un transformador es un amplificador realimentado en forma
inestable que produce una señal alterna de valor pico constante y a la frecuencia que según requiera el diseño.
Teniendo en cuenta lo anterior, en el presente informe se pretende dar a conocer los diferentes tipos de
osciladores, sus aplicaciones y el proceso de diseño para uno de los osciladores, para ası́ simular el circuito
resultante en simualdor de circuitos, Quite Universal Circuit Simulator (QUCS) y luego implementarlo de
manera fı́sica en sustrato para verificar el correcto funcionamiento en el laboratorio.
2. Objetivos
Diseñar un oscilador de radiofrecuencia a una frecuencia de trabajo fo = 150 MHz
Simular el circuito resultante en QUCS y analizar los resultados obtenidos
Implementar el oscilador en sustrato y comprobar su correcto funcionamiento
3. Marco referencial
Teniendo en cuenta las caracterı́sticas ya mencionadas de los osciladores, resulta indispensable conocer
sus aplicaciones en las telecomunicaciones; una de las aplicaciones es la modulación, la cual consiste en
transportar espectros de señales de información al rededor de una frecuencia determinada, también se utilizan
los osciladores para transportar los espectros a una frecuencia intermedia, a esto se le denomina mezclador,
y por último se utiliza para transportar una señal a la frecuencia original de la informacióin, a este proceso
se le denomina demodular.
El oscilador se puede representar por medio de diagrama de bloques de la siguiente manera:
h1 (t)
vi (t) vo (t)
A0
h2 (t)
A · H1 (S) Ao (S)
H(S) = = (1)
1 − H2 (S) · A · H1 (S) 1 − Ac (S)
Teniendo el modelo básico del oscilador, también se debe conocer para su diseño algunos criterios nece-
sarios para garantizar su correcto funcionamiento:
1
Hay oscilación en el circuito cuando exista una trayectoria de realimentación que proporcione como
mı́nimo una ganacia de bloque unitario con desplazamiento de fase nulo.
El determinante de las ecuaciones de corrientes de mallan o tensiones de nodo debe ser cero.
Z3′
Z1′ Z2′
Del anterior modelo se derivan algunos otros que varı́an en el orden y cantidad de componentes, en la
siguiente tabla se evidencian los tipos de modelos de oscilador LC y la ubicación de sus componentes:
También existen otros tipos de osciladores llamados osciladores de cristal, los cuales en su mayorı́a son
hechos de cuarzo, un material que tiene una propiedad electromecánica conocida como efecto ”piezoeléctrico”
la cual es de gran utilidad, pues se obtiene una frecuencia natural de oscilación.
En este laboratorio se realizará el diseño particular de un oscilador Collpitz por lo cual el circuito que
representa este oscilador se puede observar en la siguiente figura:
C1
C2
2
L
C1 C2
C1 · C2 ωo (C1 + C2 )
C= Q= (3)
C1 + C2 GL
4. Metodologı́a
Se requiere diseñar un oscilador collpitz a una frecuencia de trabajo de 150 MHz, por ello, el primer paso
es garantizar la inestabilidad del elemento activo del circuito, el transistor; Los otros pasos para realizar el
diseño son los siguientes:
Calcular los valores capacitivos e inductivos que garanticen el correcto funcionamiento del oscilador
collpitz a la frecuencia determinada.
Realizar la polarización del circuito garantizando que el transistor trabaje en la región lineal.
Realizar la simulación del circuito obtenido en QUCS evaluando la salida.
5. Diseño
Para realizar el diseño del oscilador utilizamos el modelo anteriormente mencionado, el modelo de Coll-
pitts. Nuestra frecuencia de trabajo es de f = 150 MHz. Para este diseño decidimos utilizar el transistor
BJT M P SH10.
Inicialmente ya sabemos la frecuencia del oscilador que va a ser de f = 150 MHz entonces asumimos el
valor de la bobina L = 29 nH. Luego hallamos el valor de la capacitancia C,
1 1
C= = = 38.8 pF
(2π · fo )2 · L (2π · 150M Hz)2 · 29nH
Con la capacitancia hallada se procede a hallar el otro valor para C2 obteniendo la capacitancia equivalente
al valor hallado para C, asumimos un valor para C1 ,
3
C1 = 50 pF
Entonces para C2 , tenemos que:
C1 · C 50 pF · 38.8 pF
C2 = = = 173.2 pF ≈ 173 pF
C1 − C 50 pF − 38.8 pF
5.1. Polarización
La polarización para el transistor que estamos usando, que es el M P SH10 se hará por el modelo universal.
Entonces de la hoja de datos tenemos que,
IC = 2 mA VCE = 10 V VCC = 20 V hf e = 60
Asumimos un valor de V RE = V RC = 5V y con estos datos ya es posible calcular el valor de y RC :
V RC 5v
RC = = = 2.5KΩ
IC 2mA
Ahora para calcular RE se halla la corriente IE de la siguiente forma:
IC 2mA
Ib = = = 33uA IE = Ib + Ic = 33uA + 2mA = 2.033mA
hf e 60
V RE 5v
RE = = = 2.46KΩ
IE 2.033mA
Por estabilidad térmica
RB = 0.1 · hf e · RE = 0.1 · 60 · 2.46KΩ = 14.76KΩ
Ecuación estática de entrada (LVK):
VT H = 33.3uA(14.76KΩ) + Vb e + 2.03mA(2.46kKΩ) = 6.18V
Procedemos a calcular los valores de R1 y R2 respectivamente:
VCC RB 20V · 14.76KΩ
R1 = = = 42.76KΩ
VT H 6.18V
RB1 RB 42.76KΩ · 14.76KΩ
R2 = = = 21.36KΩ
RB1 − RB 42.76KΩ − 14.76KΩ
La polarización del transistor con todos los elementos del amplificador, se muestran en la siguiente figura
fig. 5:
20 V
2.5 kΩ
42.8 kΩ
21.4 kΩ
2.5 kΩ
4
5.2. Acople y Desacople
Utilizando el modelo Π para los acoples y sus fórmulas correspondientes, calculamos las impedancias de
los capacitores para acople y desacople. Para que sus valores no afecten la respuesta del oscilador, se va a
tomar un porcentaje de la frecuencia de trabajo. En este caso del 70 % y ası́ podremos saber los valores
mı́nimos necesarios para los capacitores:
VT 25.7mV
r′ e = = = 12.85 Ω (4)
Ic 2mA
1
Cdesacople = = 117.96 pF ≈ 118 pF (5)
2πfo 0.7 · r′ e
VCC
1 mH
2.5 kΩ
42.8 kΩ 4.7 µF
4.7 µF Vo
21.4 kΩ
2.5 kΩ 1 µF
29 nH
173 pF 50 pF