UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

SEDE AZUERO

ELECTRÓNICA DE POTENCIA

PRIMER SEMESTRE 2022

05 TIRISTORES

IGBT
OBTENCIÓN DE LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS
DEL MOSFET
 Q1
Corriente de Drenaje ID vs Voltaje Drenaje Fuente VDS 100u
100u VDS
20V
VGS
3V
 Q1
Corriente de Drenaje ID vs Voltaje Drenaje Fuente VGS 100u
100u VDS
20V
2 VGS
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡𝑜 𝐾𝑃 = 2𝑘𝑛 si W=L 3V
Polarización del MOSFET RL

Polarizar el MOSFET para 𝐼𝐷𝑄 = 100𝑚𝐴 y 𝑅𝑆 = 100Ω

Características del MOSFET:
𝑉𝑡𝑜 = 2𝑉, 𝑘𝑛 = 1𝑚𝐴/𝑉 2
Solución: Trazar las rectas de carga si 𝑅𝐿 = 10Ω 20V

Ecuación del transistor: Ecuación del circuito (out):

𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡𝑜 2 𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑄 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 V RS
2
100𝑚𝐴 = 1𝑚𝐴/𝑉 2 𝑉𝐺𝑆𝑄 − 2 20 = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 100𝑚𝐴 10 + 100
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 9V
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 12𝑉
𝑉𝐷𝐷
Ecuación del circuito (in): 𝐼𝐷𝑚á𝑥𝑐𝑖𝑟 =
𝑅𝐷 + 𝑅𝑆
𝑉 = 𝑉𝐺𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑄 𝑅𝑆 20
𝐼𝐷𝑚á𝑥𝑐𝑖𝑟 =
𝑉 = 12 + 100𝑚𝐴 100Ω 110
𝑉 = 22𝑉 𝐼𝐷𝑚á𝑥𝑐𝑖𝑟 =181.82mA
Curvas de Transferencia R3

10Ω
Q3
Rectas de carga 100u
100u VDS2
20V
VGS2
22V
Punto de Operación R2
100Ω
ESTUDIO DE LAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL
IGBT
IGBT Es un dispositivo relativamente nuevo en electrónica de
potencia.

Antes MOSFETs de Potencia y BJT de Potencia

Desventajas anteriores
mal rendimiento de conmutación
baja impedancia de entrada
BJT de potencia controlado por corriente
IGBT es conocido por varios otros nombres también, talesas-
Transistor de compuerta aislado de óxido metálico (MOSIGT),
Transistor de efecto de campo modulado de ganancia
(GEMFET), Transistor de efecto de campo modulado
conductivamente (COMFET), Transistor de compuerta aislada
(IGT).

Ventajas del IGTB

excelentes características de conducción
excelentes características de conmutación
alta impedancia de entrada
Estructura de IGBT

La estructura de IGBT es muy similar a la de PMOSFET, excepto una

capa conocida como capa de inyección que es p+ a diferencia de n+
Sustrato en PMOSFET. Esta capa de inyección es la clave de las
características superiores de IGBT. Otras capas se llaman la deriva y la
región del cuerpo. Las dos uniones están etiquetadas como J1 y J2. La
siguiente figura muestra la estructura del canal IGBT.

Existe un MOSFET de n canales y dos BJTs- Q1 y Q2 como se muestra en

la figura. Q1 es p+norte-p BJT y Q2 es n-pn + BJT. Rre Es la resistencia
ofrecida por la región de deriva y Rsegundo Es la resistencia que ofrece
la región del cuerpo p. Podemos observar que el coleccionista de Q.1 es
lo mismo que la base de Q2 y coleccionista de Q2 es lo mismo que la
base de Q1. Por lo tanto, podemos llegar a un modelo de circuito
equivalente de IGBT como se muestra en la siguiente figura.
La conexión espalda con espalda de dos transistores forma un tiristor
parásito como se muestra en la figura anterior.
Ventajas del IGBT
• Requisitos de la unidad de puerta inferior
• Pérdidas de conmutación bajas
• Requerimientos de circuitos de amortiguador pequeño
• Alta impedancia de entrada
• Dispositivo de voltaje controlado
• El coeficiente de temperatura de la resistencia de estado
ENCENDIDO es positivo y menor que PMOSFET, por lo tanto,
menor caída de tensión en el estado y pérdida de potencia.
• Conducción mejorada debido a la naturaleza bipolar.
• Mejor área de operación segura

Desventajas del IGBT

• Costo
• Problema de cierre
• Alto tiempo de apagado comparado con PMOSFET
 200V
XMM1

R1
40Ω

XMM2

2
IRG4BC10UD
1

V1

3
15V
 A
PR1
Corriente de Colector IC vs Voltaje Colector Emisor VCE

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE

3
0V 15V
20us 40us
Corriente de Colector IC vs Voltaje Colector Emisor VCE
A
PR1

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE
3

0V 15V
20us 40us
Corriente de Colector IC vs Voltaje Colector Emisor VCE
A
PR1

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE
3

0V 15V
20us 40us
 A
PR1

Corriente de Colector IC vs Voltaje Colector Emisor VCE

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE

3
0V 15V
20us 40us

100

Top = 27°C

IC Corriente Colector a Emisor (A)

10

VGE
0V 15V
20us 40us
0.1
1 10
VCE Voltaje Colector a Emisor (V)
100

10

0.1
1 10
 A
PR1
Corriente de Colector IC vs Voltaje Compuerta Emisor VGE

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE

3
0V 15V
5us 10us
Corriente de Colector IC vs Voltaje Compuerta Emisor VGE
A
PR1

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE
3

0V 15V
5us 10us
Corriente de Colector IC vs Voltaje Compuerta Emisor VGE
A
PR1

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE
3

0V 15V
5us 10us
 A
PR1

Corriente de Colector IC vs Voltaje Compuerta Emisor VGE

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE

3
0V 15V
5us 10us
IC
100

IC Corriente Colector a Emisor (A)

10

VGE
0V 15V
5us 10us
1
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
VGE Voltaje Compuerta Emisor (V)
 A
PR1

Corriente de Colector IC vs Voltaje Compuerta Emisor VGE

2
Q1
IRG4BC10UD
1 VCE
50V
VGE

3
0V 15V
5us 10us

100

IC Corriente Colector a Emisor (A)

10

VGE
0V 15V
5us 10us
1
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
VGE Voltaje Compuerta Emisor (V)
 IC vs VGE
100
𝟑 𝟐
𝐈𝐂 = −𝟎, 𝟏𝟎𝟓𝟔𝐕𝐆𝐄 + 𝟑, 𝟎𝟖𝟑𝟔𝐕𝐆𝐄 − 𝟐𝟒, 𝟖𝟎𝟒𝐕𝐆𝐄 + 𝟔𝟎, 𝟓𝟒𝟐
IC= -0,1056VGE3 + 3,0836VGE2 - 24,804VGE + 60,542

10

1
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14

IC(25°C) 27°Op 1,1Ohm Polinómica (IC(25°C) 27°Op 1,1Ohm)

 100 100
IC Corriente Colector a Emisor (A)

IC Corriente Colector a Emisor (A)

10 10

1 1
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 10

VGE Voltaje Compuerta Emisor (V) VCE Voltaje Colector a Emisor (V)