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Una memoria electronica es un dispositivo semiconductor de muy alta tecnologa que permite almacenar informacin numrica en sistema binario.

Este tipo de formato numrico es utilizado por los computadores y dems equipos del presente para realizar los distintos procesos que nosotros vemos en una pantalla de monitor. Estas memorias las encuentras dentro de muchos equipos electronicos p.ej. relojes de pulso, hornos microhondas, calculadoras de bolsillo, equipos de sonido, etc.

Se trata de pequeas tarjetas de memoria 100% electrnicas, basadas en el uso de celdas de almacenamiento tipo NAND, las cules permiten guardar datos por largos periodos de tiempo sin necesidad de tener alimentacin elctrica durante ese lapso. Al no tener partes en movimiento (salvo los dispositivos MicroDrive), tienen una baja generacin de calor, poco desgaste pero una alta velocidad de transmisin de datos, adems tienen la caracterstica de ser memorias porttiles que se pueden utilizar en una gran cantidad de dispositivos como: telfonos celulares modernos, cmaras digitales de video, cmaras fotogrficas digitales, reproductores MP3, etc.; exceptuando claro las memorias USB y las unidades SSD que ya tiene su uso definido.

De manera tpica, han existido los siguientes tipos de memorias digitales, cada liga permite conocer las caractersticas especficas de cada una:

Compact Flash (CF) MultiMedia Card (MMC) Memoria Secure Data (SD) Memoria eXtreme Digital de Fuji (xD) Memorias USB - Pendrive Memory Stick de Sony MicroDrive (es un minidisco duro pero se puede considerar dentro de esta clasificacin) SmartMedia Solid State Drive (SSD)

Tabla de tipos de memorias actuales en general Tabla basada en la descripcin de la revista "PC a Fondo" y complementada:

Tipo de memoria Tipo RAM

Significado

Descripcin

RAM "Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio Memoria primaria de la computadora, en la que puede leerse y escribirse informacin en cualquier momento, pero que pierde la informacin al no tener alimentacin elctrica. EDO RAM "Extended Data Out Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida Tecnologa opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que permite acortar el camino de la transferencia de datos entre la memoria y el microprocesador. BEDO RAM "Burst EDO Random Access Memory", memoria de acceso aleatorio con salida de datos extendida y acceso Burst Tecnologa opcional; se trata de una memoria EDO RAM que mejora su velocidad gracia al acceso sin latencias a direcciones contiguas de memoria. DRAM "Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio Es el tipo de memoria mas comn y econmica, construida con capacitores por lo que necesitan constantemente refrescar el dato que tengan almacenado, haciendo el proceso hasta cierto punto lento. SDRAM "Synchronous Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de acceso aleatorio Tecnologa DRAM que utiliza un reloj para sincronizar con el microprocesador la entrada y salida de datos en la memoria de un chip. Se ha utilizado en las memorias comerciales como SIMM, DIMM, y actualmente la familia de memorias DDR (DDR, DDR2, DDR3, GDDR, etc.), entran en esta clasificacin. FPM DRAM "Fast Page Mode Dinamic Random Access Memory", memoria dinmica de paginacin de acceso aleatorio Tecnologa opcional en las memorias RAM utilizadas en servidores, que aumenta el rendimiento a las direcciones mediante pginas. RDRAM "Rambus DRAM", memoria dinmica de acceso aleatorio para tecnologa Rambus Memoria DRAM de alta velocidad desarrollada para procesadores con velocidad superior a 1 GHz, en esta clasificacin se encuentra la familia de memorias RIMM. SRAM / Cach "Static Random Access Memory", memoria esttica de acceso aleatorio Memoria RAM muy veloz y relativamente cara, construida con transistores, que no necesitan de proceso de refresco de datos. Anteriormente haba mdulos de memoria

independientes, pero actualmente solo se encuentra integrada dentro de microprocesadores y discos duros para hacerlos mas eficientes. Tipo ROM ROM "Read Only Memory", memoria de solo lectura Memoria indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada. que permite un nmero

PROM "Programmable Read Only Memory", memoria programable de solo lectura Memoria ROM que permite una programacin y posteriormente un nmero indeterminado de lecturas pero no puede ser modificada. EPROM "Erasable Programmable Read Only Memory", memoria programable y borrable de solo lectura Memoria PROM que permite reprogramacin por medio de un dispositivo especial y borrado por medio de luz ultravioleta. EEPROM "Electrically Erasable Programmable Read Only Memory", memoria elctricamente programable y borrable de solo lectura Evolucin de las memorias EROM que permite alterar su contenido por medio de seales elctricas. Es la mas utilizada en las computadoras actuales para albergar el SetUp de la computadora. Tipo Flash Flash NAND "Flash NAND", el trmino Flash es debido a la alta velocidad que puede manejar y NAND a un tipo de conexin especial de sus elementos electrnicos (Compuerta tipo NAND) Memoria que permite almacenar datos y mantenerlos almacenados sin necesidad de alimentacin elctrica hasta por 10 aos. Se utiliza en las memorias USB , memorias SD, MemoryStick de Sony, unidades SSD, e incluso para BIOS, etc. Tipo Swap Swap / Virtual Memory De intercambio memoria virtual Se trata de una simulacin de RAM en un rea de un disco duro, lo cul no permite que se detengan servicios al escasear memoria RAM pero ralentiza a la computadora. Tambin se puede actualmente crear SWAP en una memoria USB, utilizando el software ReadyBoost de Microsoft Windows Vista u otros programas para Microsoft Windows XP, de este modo se vuelve mas eficiente el equipo de cmputo.

El flip flop es la celula de memoria bsica de muchas memorias de semiconductores.

MEMORIAS Muchas calculadoras de bolsillo contienen una memoria electrnica en esta puede almacenarse un numero dado sin mas que oprimir el botn de almacenamiento Store del teclado. El nmero puede recuperarse de la memoria oprimiendo el botn de llamada recall. La memoria humana funciona igualmente: nosotros almacenamos informacin aprendiendo y recuperamos la informacin recordando. La mayora de los sistemas electrnicos digitales usan muchos tipos de memoria. Otra palabra que se emplea para memoria es almacenamiento.

Los sistemas digitales complicados como un ordenador , contienen memorias de almacenamiento interno . estas sern probablemente memorias de nucleo magntico y semi conductores ( circuitos integrados ) en el exterior del ordenador la informacin se guarda en dispositivos de almacenamiento de gran capacidad, entre los que se cuentan las tarjetas perforadas , la cinta de papel perforada, la cinta magntica y ficheros de discos y tambor. Salvo que en caso de los ordenadores, lo mas probable es encontrarse casi siempre con memorias de semiconductores.

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO RAM Uno de los tipos de memoria de semiconductores que se usa en electrnica digital es la memoria de acceso aleatorio conocida tambin como RAM esta es una memoria a la que puede ensearse tras el proceso de enseanza y aprendizaje (llamado Escritura) , la memoria retiene un tiempo la informacin y esta informacin puede ser llamada o recordada en cualquier momento. Entonces decimos que podemos escribir informacin (ceros y unos) en la memoria llamar o leer esta informacin. La memoria del tipo de acceso aleatorio se llama tambin memoria

de lectura y escritura o memoria a corto plazo en la figura 10-1

Se ilustra una memoria de semiconductores de 64 posiciones que puede rellenarse con ceros y unos los 64 recuadros (en blanco la mayora) representan las 64 posiciones que deben llenarse con datos observe que los 64 bits estn organizados en 16 grupos llamados palabras. Cada palabra contiene 4 bits de informacin. De esta memoria se dice que esta organizada en forma de memoria de 16 x 4, es decir, que contiene 16 palabras y que cada palabra tiene una longitud de 4 bits. Una memoria de 64 bits podra organizarse en forma de memoria de 32 x 2 (32 palabras con longitud de dos bits cada una) , de memoria de 64 x 1 (64 palabras de un bit cada una), o de memoria 8 x 8 (memoria de 8 palabras por ocho bits cada una). La memoria de la figua 10-1 se parece mucho a una tabla de la verdad escrita en un cuaderno de notas. Junto a la palabra 3 de la tabla hemos escrito el contenido de la palabra 3 (0110). Entonces decimos que hemos almacenado o escrito una palabra dentro de la memoria; esta es la operacin de escritura. Para leer lo que hay en la memoria en la posicin de palabra 3, simplemente simplemente leeramos en la tabla de la figura; esta seria la operacin de lectura. La operacin de escritura es, pues la operacin de introducir nueva informacin en la memoria. La operacin de lectura es la operacin de extraer informacin de la memoria. La operacin de lectura se denomina tambin operacin de deteccin porque detecta, o lee, el contenido de la memoria . rn la tabla de la figura 10-1 podriamos escribir cualquiercombinacion de ceros y unos de modos parecidos a como lo haramos en un cuaderno de notas. Luego podramos leer palabras que contiene como si fuera un cuaderno de notas . observese que la informacin almacenada en la memoria permanece en ella, aun despus de ser leida esto hace evidente la razn por la cual esta memoria se denomina a veces memoria bloc de

notas ya que con su espacio para 64 bit de informacin podemos escribir en ella o leerla de manera muy parecida a como se hace un bloc de notas . Una memoria como la de la figura 10-1 se llama de acceso aleatorio porque permite acceder directamente a la palabra 3 o a la palabra 15 para leer sus contenidos. Dicho de otro modo, tenemos acceso a cualquier bit o palabra en cualquier instante. Simplemente accedemos a la posicin de la palabra correspondiente y la leemos. Una posicin de memoria tal como palabra 3 se conoce como posicin de almacenamiento o dicreccion. En el caso de la figua 10-1 la direccin de la palabra 3 se refiere a cuatro bits de informacin (bit D, bit C y bit A). Las memorias de acceso aleatorio no pueden emplearse como memorias permanentes porque pierde los datos cuando se corta la alimentacin de corriente a su circuito integrado. Por esta causa se dice que las memorias de acceso aleatorio son memorias voltiles se emplean para almacenamiento de informacin temporal. Sin embargo hay memoprias permanentes que no pierden u olvidan los datos que contienen cuando se corta el suministro de corriente; estas memorias se llaman memorias estables o permanentes.

Las memorias de acceso aleatorio se emplean cuando solo se necesita una memoria temporal . asi, se emplean como memorias de calculadoras, como memorias de transito o intermedias o como memoria de reserva de ordenadores.

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO EN CIRCUITOS INTEGRADOS La memoria de lectura y escritura de acceso aleatorio 7489 es una unidad de almacenamiento de 64 bits en circuito integrado, cuyo diagrama se representa en la figura 10-2. Recordemos que en su interior las clulas de la memoria estn dispuestas como en la tabla de la figura 10-1;o sea, puede guardar 16 palabras, cada una de las cuales tiene una longitud de 4 bits. La memoria la memoria de acceso aleatorio 7489 esta organizada, pues en forma de memoria de 16 x 4 bits. Primero vamos a escribir datos en esta memoria . supongamos que queremos escribir 0110 en la posicin de la palabra 3 es D=0, C=0 ,B=1 y A=1. La palabra 3 se localiza dentro de la memoria poniendo el binario 0011(3 decimal) en las entradas de direccin del circuito integrado 4789 ( figura 10-2). Despus se colocan los datos de entrada correctos en las entradas de datos. Asi, para introducis 0110 se pone 0 en la entrada A, 1 en la entrada B, 1 en la entrada C y 0 en la entrada D. seguidamente se pone 0 la habilitacin de escritura por ultimo se pone a 0 la habilitacin de memoria y los datos se escriben dentro de la memoria en la posicin de almacenamiento llamada palabra 3 este ha sido un ciclo de escritura. Ahora vamos a leer o detectar lo que contiene la memoria si deseamos leer la informacin que hay en la palabra 3, ponemos el binario 0011 (3 en decimal), en las entradas de direccin. La habilitacin de las entrada deben estar a 1, que es la posicin de lectura, y la habilitacion de memoria debe estar a 0 asi las salidas de datos indicaran 1001 que es el complemento del contenido real de la memoria el cual es 0110. Em las salidas de este circuito 7489 se podran colocar inversores para que los datos de salida fueran iguales a los contenidos en la memoria.

UTILIZACION DE LAS MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO Para ejercitarnos en el manejo de la memoria de lectura y escritura del 7489 vamos a programarla con alguna informacin aprovechable en la practica. Programar en la memoria es escribir la informacin deseada dentro de ella en cada celula de la memoria Por ejemplo : en la realidad es difcil recordar la cuenta del 0 al 15 en el cdigo gray. Entonces, vamos a programar una memoria 7489 con este cdigo que la recordara en nuestro lugar, y asi y podremos usarla para pasar de nmeros binarios a cdigo gray. En la tabla 10-1

Se muestran los nmeros decimales 0 a 15 en cdigo gray y por comodidad se incluyen los nmeros binarios tambin correspondientes. Lo que se ha de hacer es escribir dentro de la memoria los 64 unos y ceros contenidos en la columna de la tabla correspondiente al cdigo gray. Para esta funcin la memoria 7489 es perfecta ya que posee 16 palabras de 4 bits de longitud cada una, dispuestos exactamente como en la columna del cdigo gray de la tabla 10-1. Los nmeros decimales de la tabla sern nmeros de palabras (fig 10-1).

MEMORIAS PASIVAS PROGRAMABLES PROM Hemos mencionado que una memoria pasiva la programa el fabricante de la memoria y que una memoria pasiva construida por encargo es muy cara. Si solo necesitamos unas cuantas memorias de valores fijos, podemos emplear una memoria pasiva programable o PROM . una PROM puede programarse permanentemente, siguiendo las instrucciones del fabricante, en el propio taller o laboratorio y escribirse en su interior la informacion que se desee. Este proceso de escritura da un solo uso se efectua fundiendo fusibles selectivamente en el circuito integrado. Una vez programada una PROM se comporta igual que una memoria pasiva no programable y contiene continuamente la misma distribucin de ceros y unos en su interior. La organizacin de la PROM es similar a las de memoria de acceso aleatorio y las de memoria pasiva. Asi, una PROM es similar a las de memoria de acceso aleatorio y las de memoria pasiva. Asi, una PROM de 256 puede ser una unidad de almacenamiento de 32 x 8 es decir 32 palabras de longitud de 8 bits y una de 1024 bits puede ser una unidad de 256 x 4 es decir 256 palabras de longitud de 4 bits , las palabras de 8 y 4 bits son muy corrientes en las memorias pasivas, programables o no. Una variante de la memoria pasiva programable es la memoria pasiva reprogramable o RPROM estas unidades de almacenamiento reciben la escritura de informacin igual que las memorias pasivas programables y pueden borrarse, en caso necesario por procedimientos especiales . en unos casos, se borran exponiendo el circuito integrado a los rayos ultravioletas a travs de una ventanilla que lleva el mismo. En otros casos se borran elctricamente usando transistores MNOS(o transistores de meta-nitruro-oxido-silicio), las memorias pasivas sean totalmente pasivas, programables o reprogramables, son todas memorias estables o sea no voltiles.

MEMORIAS DE NUCLEO MAGNETICO Los ordenadores digitales necesitan almacenamiento de datos tanto internos como externos de gran capacidad. Para el interior de los ordenadores se emplean memorias de semiconductores y nucleos magnticos. La memoria de nucleos magnticos es un medio muy corriente para almacenar informacin en la memoria central de los ordenadores y de eficacia ya probada con el tiempo. La memoria de nucleos magnticos se basa en las caractersticas del diminuto nucleo de ferrita. Un nucleo de ferrita es una pieza pequea en forma de anular de material ferromagntico, tal como el hierro. El material se cuece primero en un horno y luego se prensa en forma de anillo, como si fuese una pieza de cermica figura 10-5

Se representa un nucleo de ferrita muy aumentado, ya que un nucleo de ferrita puede salir aproximadamente 1.6 milimetros de dimetro. Estos nucleos de ferrita se emplean como si fueran pequeos imanes en la figura 10-5b vemos un hilo de escritura enhebrado a travs de un nucleo de ferrita. Cuando la corriente elctrica pasa por el hilo de escritura en el sentido indicado, el flujo magntico tiene sentido contrario al del movimiento de las agujas del reloj o sea sentido antihorario. Este sentido del flujo magntico esta indicado por una flecha sobre el nucleo , por definicin decimos que la situacin representada en la figura 10-5b es un 1 logico, en otras palabras un flujo magntico en el nucleo de sentido antihorario significa que contiene un 1 logico. En la figura 10-5c vemos que la corriente se ha

invertido con el pulso1 resulta que el sentido del flujo magntico se invierte y su sentido pasa a ser horario o sea el mismo del de las agujas del reloj. Por definicin decimos que la figura 10-5ces un 0 logico o sea, cuando el sentido del flujo magntico es horario hay un 0 logico almacenado en el nucleo . ahora bien cuando por el hilo de escritura no pasa corriente enel nucleo de ferrita sigue siendo un iman y segn sea el sentido en que este imanado, recordara un 0 logico figura 10-5d vemos que por el hilo de escritura no pasa corriente, pero que el nucleo conserva un flujo magntico de sentido horario; entonces decimos que el nucleo tiene almacenado un 0 logico . en la figura 10-5 hemos visto como se escribe una informacin en el nucleo imanado y como este la recuerda permaneciendo imanado. Al igual que un circuito flip flop, un nucleo de ferrita un nucleo de ferita representa siempre un 0 logico o un 1 logico. Por otra parte hem,os visto tambin que la memoria denucleos magnticos es una memoria del tipo estable o sea recuerda la informacin aun cuando se le recorta el suministro de corriente. El proceso de lectura requiere otro hilo. Este hilo es llamado hilo de lectura o hilo de deteccin representado en la fig 10-6 a

para leer el contenido del nucleo de ferrita aplicamos a este un pulso 1 como se indica en la figura 10-6b . suponiendo que en el nucleo haya un 0 logico , el flujo magntico en el nucleo no cambiara. Y si el flujo magntico no cambia en el nhilo de lectura no se inducir corriente y asi leeremos que el nucleo tiene un 0 logico. Para la figura 10-6c supondremos que el nucleo contiene un 1 logico, lo que se indica con la flecha de sentido antihorario colocada sobre el nucleo. Para leer el contenido del nucleo aplicamos un pulso1 como se indica en la figura 10.

Entonces el flujo magntico cambiara de sentido antihorario a horario tal como indica la flecha y si el flujo magntico cambia de sentido, en el hilo de lectura se inducir un pulso de corriente y ello nos dira que el nucleo haba almacenado un 1 logico. Se observara que el 1 logico almacenado en el nucleo resulta destruido por el proceso de lectura , por lo que el nucleo debe devolverse al estado 1 o se perder la informacin. Cuando se emplea mas de un nucleo de ferrita, se necesita mas de un hilo de escritura figura 10-7

Vemos cuatro nucleos de ferrita atravesados cada uno por dos hilos de escritura. Si deseamos escribir un 1 en el nucleo 4, hacemos pasar la mitad de la corriente necesaria por cada hilo Y2 y X2 estas dos semi corrientes se suman y escriben un 1 logico en el nucleo 4 , el nucleo 1 no recibe corriente y los nucleos 2 y 3 reciben solo una mitad, por lo que no se escribe nada en estas clulas de la memoria. Una memoria con los hilos dispuestos como en la figura 10-7 se llama memoria de corrientes coincidentes, si quisiramos escribir un 1 en el nucleo 2 hariamos pasar + I por las lneas Y1 y X2, un pulso 1 en cada lnea reestableceria todos los nucleos al estado 0. Normal mente se conectan entre si como indica la figura 10-7 un gran numero de nucleos de ferrita para formar un plano de memoria. Seguidamente veamos como es el proceso de lectura en una memoria de corrientes coincidentes En la figura 10-8

Tenemos 4 nucleos de ferrita atravesados por hilos de escritura (X1,X2,Y1,Y2). En esta figura aparece un hilo mas, llamado hilo de lectura, para leer el contenido del nucleo 4 se reestablece el estado 0 por adicion de nuestras dos corrientes y, a la vez que el estado magntico cambia (de antihorario a horario), el nucleo 4 induce un pulso de corriente en el hilo de lectura, lo que nos dice que en el nucleo 4 hay un 1. El nucleo 1 no recibe corriente . los nucleos 2 y 3 reciben solo una corriente mitad de la necesaria para devolverlos al estado cero y no cambian su estado magntico. Solo el nucleo que fue requerido o sea el nucleo 4 puede cambiar de estado y activar el hilo de lectura.