TAREA No. 2

    ASIGNATURA: Electrónica de Potencia

    REALIZADO POR: Paúl Bustos Sosa

    FECHA: 16/07/2022

 INDIQUE LAS CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE LOS SIGUIENTES

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES:

Diodo, Tiristor, SITH, GTO, MCT, TRIAC, LASCR, BJT, IGBT, MOSFET, SIT

1. Diodo
CARACTERISTICAS DE CONTROL: El DIODO no se puede controlar, en el sentido de que son
las tensiones y corrientes del circuito las que determinan el control o estado de conducción y de corte
del diodo.

2. Tiristor
CARACTERISTICAS DE CONTROL: Cuando le llega una pequeña corriente a la puerta G, se
activa el tiristor (interruptor cerrado entre ánodo y cátodo) y comenzará a pasar una corriente entre el
ánodo y el cátodo llamada corriente directa.
Mientras no le llegue corriente a la puerta G no habrá corriente entre el ánodo y el cátodo
(interruptor abierto).
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    FECHA: 16/07/2022

3. SITH
CARACTERISTICAS DE CONTROL: Se controla activado al aplicarle un voltaje positivo de
compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje negativo a su
compuerta.

4. GTO
CARACTERISTICAS DE CONTROL: Se controla aplicando un pulso positivo corto en las
compuertas y se apagan por pulso negativo corto en las compuertas.

5. MCT
CARACTERISTICAS DE CONTROL: Su abertura y cerrado es controlado con un pulso positivo
y negativo, respectivamente.
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6. TRIAC
CARACTERISTICAS DE CONTROL: Se puede controlar aplicando un voltaje de puerta más alto
que el voltaje de ruptura. Cuando el voltaje aplicado es menor que el voltaje de ruptura, usamos el
método de activación de la puerta para encenderlo.

7. LASCR
CARACTERISTICAS DE CONTROL: Se controla mediante radiación directa de luz sobre el
disco de silicio, los pares electrón-hueco que se crean debido a la radiación producen la corriente de
disparo bajo la influencia de un campo eléctrico.

8. BJT

CARACTERISTICAS DE CONTROL: Se controla usando la corriente de entrada constante en

la base para controlar una corriente de salida mayor en las terminales colector y emisor.
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    FECHA: 16/07/2022

9. IGBT
CARACTERISTICAS DE CONTROL: Se controla con tensión. Para el encendido se da una
tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a la región p de la puerta;
así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la circulación de corriente colector-
emisor. Está controlado su abertura y cerrado, y solo controlan voltajes y corrientes unidireccionales.

10. MOSFET
CARACTERISTICAS DE CONTROL: El control on-off se realiza mediante la tensión aplicada
entre las terminales de compuerta y fuente (VGS), lo que reduce la complejidad del circuito de
disparo, así como la potencia.

11. SIT

CARACTERISTICAS DE CONTROL: Se controla activado y desactivado por un voltaje negativo

en la compuerta, puede llegar a manejar voltajes del orden de 1200v y corrientes de hasta 300Amp.