Fuerza y carga eléctrica

Ley de Coulomb
𝑞1 𝑞2
𝐹=𝑘
𝑟2
donde
1 𝑁. 𝑚2 𝑁. 𝑚2
𝑘= = 8.8975𝑥109 = 9𝑥10 9
4𝜋𝜀0 𝐶2 𝐶2

Permitividad del aire

𝐶2
𝜀0 = 8.85𝑥10−12
𝑁. 𝑚2

𝑞 = 𝑁𝑒
𝑁: número entero
𝑒: carga electrón

Fuerza gravitacional
𝑚1 𝑚2
𝐹=𝐺
𝑟2

Constante gravitacional
𝑁. 𝑚2
𝐺 = 6.67𝑥10−11
𝑐2

𝑚1 𝑚2: masa de los cuerpos

Elemento Carga eléctrica (C) Masa (kg)

Electrón -1.6x10-19 9.11x10-31
Protón 1.6x10-19 1.67x10-27
Neutrón 0 1.67x10-27
 Campo eléctrico
Carga puntual Superficial
𝐹 𝑞 1 𝑞 𝑁 𝑑𝑞 = 𝜎𝑑𝑎
𝐸= =𝑘 2= ⟦ ⟧
𝑞 𝑟 4𝜋𝜀0 𝑟 2 𝐶

Distribución continua de carga Varilla infinita (alambre delgado infinito)

𝑑𝑞 1 𝑑𝑞 1 𝜆
𝑑𝐸 = 𝑘 2 = 𝐸=
𝑟 4𝜋𝜀0 𝑟 2 2𝜋𝜀0 𝑟

Dipolo eléctrico (P=qd)

1 𝑃 Torca sobre un dipolo (N.m)
𝐸=
2𝜋𝜀0 𝑥 3 ⃗ = 𝜌𝑋𝐸⃗
𝑇

1 𝑃
𝐸=
4𝜋𝜀0 𝑥 3 Energía potencia de un dipolo (J)
⃗ = −𝜌. 𝐸⃗
𝑈
Línea de carga
Fuerza sobre una carga puntual
𝑑𝑞 = 𝜆𝑑𝑠
𝐹 = 𝑞𝐸⃗
1 𝜆𝑑𝑠
𝑑𝐸 = Superficie conductora (laminas paralelas)
4𝜋𝜀0 (𝑍 + 𝑅 2 )
2
𝜎
𝐸=
𝜀0
Anillo cargado 𝑞
𝑞𝑧 𝜎=
𝐸= 3⁄ 𝐴
4𝜋𝜀0 (𝑍 2 + 𝑅 2 ) 2

E=0 dentro del conductor

1 𝑞
𝐸= 𝑠𝑖 𝑍 >>>>>> 𝑅 2
4𝜋𝜀0 𝑍 2 𝑣𝑓 = 𝑣0 + 𝑎𝑡

1
𝑠𝑓 = 𝑠0 + 𝑣0 𝑡 + 𝑎𝑡 2
Disco Cargado 2
𝜎 𝑍
𝐸= (1 − )
2𝜀0 √𝑍 2 + 𝑅 2 𝑣𝑓 2 = 𝑣0 2 + 2𝑎(𝑠𝑓− 𝑠0 )

𝑆𝑖 𝑅 → ∞
r: distancia de la varilla al punto
Z: distancia
Hoja infinita R: radio
𝜎 𝜌: momento del dipolo (c.m)
𝐸=
2𝜀0
 Símbolo Unidad
Carga 𝑞 C
Densidad de carga lineal 𝜆 C/m
Densidad de carga 𝜎 C/m2
superficial
Densidad de carga de 𝜌 C/m3
volumen

Energía cinética
1
𝐾 = 𝑚𝑣 2
2

𝐹 = 𝑚𝑎
 Flujo
Φ𝐸 = 𝐸𝐴𝑐𝑜𝑠𝜃
𝐸(4𝜋𝑟 2 ) 𝑒𝑠𝑓𝑒𝑟𝑖𝑐𝑎
𝐸 = (2𝜋)(𝐿) 𝑐𝑖𝑙𝑖𝑛𝑑𝑟𝑖𝑐𝑎
Φ𝐸 = ∫ 𝐸. 𝑑𝐴 = ∫ 𝐸 ⊥ 𝑑𝐴 ∫ 𝐸 ⊥ 𝑑𝐴
2𝐸𝐴 𝑝𝑙𝑎𝑛𝑎, 𝑎𝑚𝑏𝑜𝑠 𝑒𝑥𝑡𝑟𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑐𝑎𝑚𝑝𝑜
{ 𝐸𝐴 𝑝𝑙𝑎𝑛𝑎, 𝑢𝑛 𝑒𝑥𝑡𝑟𝑒𝑚𝑜 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑐𝑎𝑚𝑝𝑜
Φ𝐸 = ∮ 𝐸. 𝑑𝐴 = ∮ 𝐸 ⊥ 𝑑𝐴

Carga encerrada
𝐸 ⊥: componente normal a la superficie 𝑞𝑒𝑛𝑐
Φ=
∮: Integral cerrada 𝜀0

Distribuciones uniformes de carga

Lineal 𝑞 = 𝜆𝐿
Superficial 𝑞 = 𝜎𝐴
volumen 𝑞 = 𝜌𝑉

Simetría esférica
∮ 𝐸 ⊥ 𝑑𝐴 = 𝐸𝐴 = 𝐸𝑋4𝜋𝑟 2

𝑞𝑖𝑛𝑡𝑒𝑟𝑛𝑎
𝐸(4𝜋𝑟 2 ) =
𝜀0

1 𝑞
𝐸=
4𝜋𝜀0 𝑟 2

Volumen esfera
𝑞 𝑟3
𝐸=
4𝜋𝜀0 𝑅 3

3
𝑉 = 𝜋𝑟 3
4

𝑞 𝑟
𝐸= 𝑠𝑖 𝑟 ≤ 𝑅
4𝜋𝜀0 𝑅 3

Simetría cilíndrica (línea de carga)

𝜆
𝐸=
2𝜋𝜀0 𝑟
 Potencial eléctrico
Energía eléctrica potencial
Δ𝑈 = 𝑈𝑓 − 𝑈𝑖 = −𝑊 𝐽
1𝑣 = 1 ⁄𝐶

Δ𝑈: energía potencial

1𝑒𝑣 = 𝑒(1𝑣) = 1.6𝑥10−19 𝐶 (1 𝐽⁄𝐶 )
𝑊: trabajo
1𝑒𝑣 = 1.6𝑥10−19 𝐽

Potencial eléctrico 𝑊 = 𝐹. 𝑑
𝑈
𝑉= 𝑞1 𝑞2
𝑞 𝑈=𝐾 𝑑
𝑑2

Diferencia de potencial 𝑞2
𝑈𝑓 𝑈𝑖 Δ𝑈 𝑈=𝐾
Δ𝑉 = 𝑉𝑓 − 𝑉𝑖 = − = 𝑑
𝑞 𝑞 𝑞
Δ𝑉 = 𝐸𝑑
𝑊 = 𝑞 Δ𝑉
1
𝐾= 𝑚𝑣 2
V a partir de 𝐸⃗ 𝑚
𝑓
𝑉𝑓 − 𝑉𝑖 = − ∫ 𝐸. ⃗⃗⃗⃗
⃗⃗⃗ 𝑑𝑠 𝑊 = Δ𝐾 = 𝑞Δ𝑉
𝑖

Δ𝑈 = 𝑞𝐸𝑑
𝐸⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑠 = 𝐸𝑐𝑜𝑠𝜃𝑑𝑠
Campo eléctrico a partir del potencial a lo largo de
las direcciones x, y, z
Potencial debido a una carga puntual
𝜕𝑉 𝜕𝑉 𝜕𝑉
1 𝑞 𝐸 = −( 𝑖 + 𝑗+ 𝑘)
𝑣= 𝜕𝑥 𝜕𝑦 𝜕𝑧
4𝜋𝜀0 𝑟

Dipolo eléctrico
K: energía cinética
1 𝜌𝑐𝑜𝑠𝜃
𝑣=
4𝜋𝜀0 𝑟 2

Δ𝑉 = 𝐸𝑑

Potencial debido a una distribución continua de

carga
1 𝑑𝑞
𝑣 = ∫ 𝑑𝑣 = ∫
4𝜋𝜀0 𝑟

1 𝑑𝑞
𝑑𝑣 =
4𝜋𝜀0 𝑟
 Capacitancia

𝑞 = 𝐶𝑉
Constante del material
𝑞 𝐶𝐷
𝐶= 𝐾𝑅 =
𝑉 𝐶0
𝐶: Capacitancia
Capacitores en serie
𝑞: Carga
𝑞𝑇 = 𝑞1 = 𝑞2 = 𝑞3 = ⋯ = 𝑞𝑛
𝑉: Voltaje
1
𝐶𝑇 =
𝑞 = 𝜀0 𝐸𝐴 = 𝜀0 ∮ 𝐸⃗ . 𝑑𝐴 1 1 1 1
+ + + ⋯+
𝐶1 𝐶2 𝐶3 𝐶𝑛
𝑓
1 1 1 1 1
𝑉𝑓 − 𝑉𝑖 = − ∫ 𝐸⃗ . ⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑠 = + + + ⋯+
𝑖 𝐶𝑇 𝐶1 𝐶2 𝐶3 𝐶𝑛

Capacitor placas paralelas 𝐶1 𝐶2

𝐴 𝐶𝑇 = 𝑠𝑜𝑙𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 2 𝑐𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑜𝑟𝑒𝑠
𝐶1 + 𝐶2
𝐶 = 𝜀0
𝑑
𝑉𝑇 = 𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3 + 𝑉3 + ⋯ + 𝑉𝑛
Capacitor placas paralelas con dieléctrico
𝐴
𝐶 = 𝐾𝜀0
𝑑 Capacitancia en paralelo
𝑞𝑇 = 𝑞1 + 𝑞2 + 𝑞3 + ⋯ + 𝑞𝑛
Capacitor cilíndrico
𝐿 𝐿 𝐶𝑇 = 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶3 + ⋯ + 𝐶𝑛
𝐶 = 2𝜋𝜀0 =
𝑙𝑛(𝑏⁄𝑎) 2𝐾𝑙𝑛(𝑏⁄𝑎)
𝑉𝑇 = 𝑉1 = 𝑉2 = 𝑉3 = ⋯ = 𝑉𝑛
𝑎: diámetro interno
𝑏: diámetro externo
𝐿: longitud

Capacitor esférico
𝑎𝑏 𝑎𝑏
𝐶 = 4𝜋𝜀0 =
𝑏 − 𝑎 𝑘(𝑏 − 𝑎)

Esfera aislada
𝐶 = 4𝜋𝜀0 𝑅

Energía potencial
𝑞2 1 2
𝑈= = 𝐶𝑉
2𝐶 2
 Resistores
Resistencia
𝑉
𝑅=
𝐼 Resistencia en función de la temperatura
𝜌 = 𝜌0 [1 + 𝛼(𝑇 − 𝑇0 )]
𝑅: resistencia (Ω)
𝑉: Voltaje (𝑉) 𝛼: coeficiente de temperatura
𝐼: Corriente (I) 𝜌0 : resistencia a 𝑇0
𝑇0 : Temperatura inicial (temperatura ambiente)
𝑑𝑞
𝑖=
𝑞𝑡 Serie
𝑅𝑇 = 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + ⋯ + 𝑅𝑛
1 ampere = 1 C/s
𝑉𝑇 = 𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3 + ⋯ + 𝑉𝑛
𝐼 = 𝑛𝑞𝑉𝑑 𝐴
2 𝐼𝑇 = 𝐼1 = 𝐼2 = 𝐼3 = ⋯ = 𝐼𝑛
𝑖 = ∫ 𝐽. ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝐴

𝐼 𝑛𝑞𝑉𝑑 𝐴
Paralelo
𝐽= = = 𝑛𝑞𝑉𝑑 1
𝐴 𝐴 𝑅𝑇 =
1 1 1 1
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 + ⋯ + 𝑅𝑛
𝐽: densidad de corriente
𝑛: No de portadores por unidad 1 1 1 1 1
𝑉𝑑 : velocidad de desplazamiento corriente de arrastre = + + + ⋯+
𝑅𝑇 𝑅1 𝑅2 𝑅3 𝑅𝑛

𝐽 = (𝑛𝑒)𝑉𝑑 𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇 = 𝑠𝑜𝑙𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 2 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎𝑠
𝑅1 + 𝑅2
Resistividad
𝐸 𝑉𝑇 = 𝑉1 = 𝑉2 = 𝑉3 = ⋯ = 𝑉𝑛
𝜌= (Ω. 𝑚)
𝐽
𝐼𝑇 = 𝐼1 + 𝐼2 + 𝐼3 + ⋯ + 𝐼𝑛
𝐸(𝑉⁄𝑚)
𝐽 = (𝐴⁄ 2 ) 𝑉2
𝑚 𝑃 = 𝑉𝐼 = 𝐼 2 𝑅 =
𝐽 𝑅
𝑉 ( ⁄𝐶 )
𝐴 = (𝐶⁄𝑠) 𝑃(𝑤𝑎𝑡𝑡𝑠)
Conductividad
1
𝜎=
𝜌

𝐿
𝑅=𝜌
𝐴
Resistividad de algunos materiales a temperatura ambiente (20°C)
Material Resistividad 𝜌 (Ω. 𝑚) Coeficiente de resistividad a
temperatura 𝛼(𝐾 −1 )
Metales típicos
Plata 1.62 X 10-8 4.1 X 10-3
Cobre 1.69 X 10-8 4.3 X 10-3
-8
Aluminio 2.75 X 10 4.4 X 10-3
Tungsteno 5.25 X 10-8 4.5 X 10-3
-8
Hierro 9.68 X 10 6.5 X 10-3
Platino 10.6 X 10-8 3.9 X 10-3
-8
Manganín 4.82 X 10 0.002 X 10-3
Semiconductores típicos
Silicio puro 2.5 x 103 -70 x 10-3
Silicio, tipo nb 8.7 x 10-4
c
Silicio tipo p 2.8 x 10-3
Aisladores típicos
Vidrio 1010 – 1014
Cuarzo fundido ~1016
b
: silicio puro contaminado con impureza fosforosas a una densidad de portador de carga de 1023 m-3
c
: Silicio puro contaminado con impurezas de aluminio a una densidad de portador de carga de 1023 m-3