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Ejercicio Nº1.
Dado el siguiente circuito: (20 puntos) (Tiempo estimado = 40 minutos)
a) Determine IBQ, ICQ, IEQ y VCEQ a 25 °C. (No considere Ico en el cálculo). (10 puntos)
b) Determine recta de carga (Ecuación y gráfico). (Considere alfa = 1 para ecuación de la recta). (2
puntos)
c) Obtenga los parámetros de estabilidad/sensibilidad del circuito (S(Ico), S(VBE), S(beta)). NO aproxime
las fórmulas. (3 puntos)
d) Determine ΔIc (25 °C a 100 °C) en base a lo obtenido en la letra c. (3 puntos)
e) Explique si el transistor se satura o no al aumentar la temperatura de 25 °C a 100 °C. (2 puntos)
Desarrollo
Ejercicio Nº2.
Dado el siguiente circuito: (20 puntos) (Tiempo estimado = 70 minutos)
RUT: AB.CDE.FGH-I
¡OJO!
I2 = A,BC (mA)
I1 = DEF (uA)
Ejemplo: 23.245.567-0. (I2 = 2,32mA ; I1 = 455 uA).
a) Determine el valor de VGG1 y VGG2 que produce los valores de I1 y I2 definidos por el RUT. (5 puntos)
b) Obtenga el valor de VDS2Q. (5 puntos)
c) Determine recta de carga de Q2 (Ecuación y gráfica). (5 puntos)
d) Obtenga el nuevo valor de VGG2 que satura al JFET(Q2). (5 puntos)
Ejercicio Nº3.
Dado el siguiente circuito: (20 puntos) (Tiempo estimado = 70 minutos)
RUT: AB.CDE.FGH-I
¡OJO!
VDD = AB (V)
IDQ = C,D (mA) (Si C = 0, reemplace por un 1)
Ejemplo: 23.245.567-0. (VDD = 23 V; IDQ = 2,4 mA)
Determine:
a) RD y RS. (5 puntos)
b) VGSQ. (5 puntos)
c) R1 y R2. (5 puntos)
d) Curva de transferencia, Curva de Salida y Recta de Carga. (5 puntos)