Optoelectrónica

1 TRANSDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS
1.3 FOTODIODOS
Un fotodiodo es un dispositivo semiconductor que convierte la luz en corriente eléctrica. La corriente se genera
cuando los fotones son absorbidos en el fotodiodo. Se basa en una unión p-n o p-i-n. Cuando un fotón de energía
suficiente golpea el diodo, se excita un electrón creando así un electrón móvil y un agujero de electrones con carga positiva
(Fig. 71).

Fig. 71. Esquema de un fotodiodo

Los fotodetectores convierten una radiación incidente en una señal eléctrica como un voltaje o una corriente. En
muchos fotodetectores, como los fotoconductores y fotodiodos, esta conversión se logra típicamente mediante la creación
de pares de huecos de electrones libres (EHP) mediante la absorción de fotones, es decir, la creación de electrones en la
banda de conducción (CB) y huecos en la banda de valencia (VB). En algunos dispositivos, como los detectores
piroeléctricos, la conversión de energía implica la generación de calor que aumenta la temperatura del dispositivo, lo que
cambia su polarización y por lo tanto su permitividad relativa. Los dispositivos de tipo fotodiodo basados en uniones pn,
son pequeños y tienen alta velocidad y buena sensibilidad para su uso en diversas aplicaciones optoelectrónicas, la más
importante de las cuales es en las comunicaciones ópticas. En muchos fotodetectores, como los fotoconductores y
fotodiodos, esta conversión se logra típicamente mediante la creación de pares de huecos de electrones libres (EHP)

mediante la absorción de fotones, es decir, la creación de electrones en la banda de conducción (CB) y huecos en la banda
de valencia (VB). En algunos dispositivos, como los detectores piroeléctricos, la conversión de energía implica la generación
de calor que aumenta la temperatura del dispositivo, lo que cambia su polarización y por lo tanto su permitividad relativa.
Primero consideraremos los dispositivos de tipo fotodiodo basados en uniones pn, ya que estos dispositivos son pequeños
y tienen alta velocidad y buena sensibilidad para su uso en diversas aplicaciones optoelectrónicas, la más importante de
las cuales es en las comunicaciones ópticas.

La figura 72 (a) muestra la estructura simplificada de un fotodiodo de unión pn típico que tiene un tipo de
unión p+ n, es decir, la concentración de aceptor N en el lado P es mucho mayor que la concentración donante de Na en
el lado p es mucho mayor que la concentración del donante Nd en el lado n. El lado iluminado tiene una ventana, definida
por un electrodo anular, para permitir que los fotones entren en el dispositivo. También hay un revestimiento
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antirreflejante (AR), típicamente Si3N4, para reducir los reflejos de la luz. El lado p+ es generalmente muy delgado (menos
de una micra) y generalmente se forma por difusión plana en una capa epitaxial de tipo n. La figura 72 (b) muestra la
distribución de carga espacial neta a través de la unión p+ n. Estas cargas están en la región de agotamiento, o en la capa
de carga espacial (SCL), y representan los aceptores expuestos cargados negativamente en el lado p+ y los donantes
expuestos cargados positivamente en el lado n. La región de agotamiento se extiende casi por completo en el lado n
ligeramente dopado y, como máximo, tiene unas pocas micras.

El fotodiodo normalmente tiene polarización inversa. La polarización inversa aplicada V cae a través del ancho
de la capa de agotamiento altamente resistivo W y hace que el voltaje en W sea igual a Va + Vr donde Vo es el voltaje
incorporado. Normalmente, Vr (p. Ej., 5-20 V) es mucho mayor que V0 (menos de 1 V) y el voltaje en el SCL es
esencialmente Vr.

El campo E en el SCL se encuentra mediante la integración de la densidad de carga espacial neta pnet en la
Figura 72 (b) a través de W sujeto a una diferencia de voltaje de V0 + Vr, es decir, Vr. El campo solo existe en la región de
agotamiento y no es uniforme. Varía a lo largo de la región de agotamiento como se muestra en la Figura 5.1 (c), donde es
máximo en la unión y penetra en el lado n. Las regiones fuera de la SCL son las regiones neutrales en las que hay
portadores mayoritarios.

Fig. 72. (a) Un diagrama esquemático de un fotodiodo de unión pn con polarización inversa. (b) Carga espacial
neta a través del diodo en la región de agotamiento. Nj y Na son las concentraciones de donante y aceptor en los
lados p y n. (c) El campo en la región de agotamiento
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Cuando incide un fotón con una energía mayor que la banda prohibida E, se absorbe para fotogenerar un EHP
libre, es decir, un electrón en el CB y un agujero en el VB. Por lo general, la energía del fotón es tal que la fotogeneración
tiene lugar en la capa de agotamiento. El campo E en la capa de agotamiento luego separa los EHP y los desplaza en
direcciones opuestas hasta que alcanzan las regiones neutrales, como se ilustra en la Figura 72 (a). Los portadores a la
deriva generan una corriente, denominada fotocorriente Iph, en el circuito externo que proporciona la señal eléctrica. La
fotocorriente dura el tiempo que tarda el electrón y el agujero en cruzar el SCL (ancho, W) y alcanzar las regiones
neutrales. A medida que el electrón se desplaza en el SCL hacia el lado n neutro, hay un electrón que ha salido del lado n
y fluye alrededor del circuito externo hacia el terminal positivo de la batería. De manera similar, a medida que el hueco
se desplaza en el SCL hacia el lado p, hay un electrón que fluye en el circuito externo desde el terminal negativo de la
batería hacia el lado p. Cuando el agujero a la deriva alcanza la región neutra p+, se recombina con un electrón que entra
en el lado p + desde el circuito externo. De manera similar, cuando el electrón a la deriva en el SCL alcanza el lado n
neutro, ha reabastecido el electrón que había dejado el lado n para la batería. La fotocorriente Iph depende del número
de EHP fotogenerados y de las velocidades de deriva de los portadores mientras transitan por la capa de agotamiento.
Dado que el campo no es uniforme y la absorción de fotones se produce a una distancia que depende de la longitud de
onda, la dependencia del tiempo de la señal de fotocorriente no se puede determinar de forma sencilla.

Como se indica en la Figura 72 (b), el ancho de la capa de agotamiento Wp en el lado p es muy estrecho, mientras
que en el lado n, Wn, es mucho más ancho porque la cantidad de carga total en el SCL en el lado p debe ser el mismo que
en el lado n, es decir, NaWp = NdWn, Por lo tanto, para el fotodiodo p + n Wp << Wn y W aprox Wn. Cabe mencionar que
la fotocorriente en el circuito externo se debe al flujo de electrones solo, aunque haya tanto electrones como agujeros a la
deriva dentro del dispositivo. Suponga que hay N número de EHP fotogenerados. Si integramos la fotocorriente Iph para
calcular cuánta carga ha fluido, encontraríamos una cantidad de carga que se debe al número total de electrones
fotogenerados (eN) y no tanto a los electrones como a los huecos (2eN).

Necesitamos establecer una convención de signos para poder analizar circuitos de fotodiodos. El voltaje a través
de una unión pn se expresa en términos del lado p con respecto al lado n y se muestra como V en la Figura 73 (a). La
dirección de la corriente I se toma como la corriente que sale del lado n o entra en el lado p como se indica en la Figura 73
(a). Si el voltaje aplicado es una polarización inversa de 5 V, y por conveniencia lo escribimos como Vr = 5 V, como se
muestra en la figura 73 (b), entonces V = -Ve = -5V. Si iluminamos la unión pn, entonces habrá una fotocorriente Iph
fluyendo desde la terminal positiva de la batería hacia el lado n, como se muestra en la Figura 72 (a) y (b). Iph también se
muestra en la Figura 73 (b), donde Iph es positiva porque representa el flujo de corriente real. Sin embargo, la corriente
de diodo convencional I es negativa y se escribe I = -Iph.
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Fig. 73. (a) La convención de signos para el voltaje V y la corriente I para una unión pn. (b) Si la
unión pn está polarizada inversamente por VR = 5 V, entonces V = -Vr = -5V. Bajo iluminación,
la corriente de unión pn I = -Iph, y es negativa. (c) Las características I – V de una unión pn en la
oscuridad y bajo iluminación. (d) Una unión pn de cortocircuito bajo iluminación. El voltaje V =
0 pero hay una corriente de cortocircuito de modo que I = Isc = -Iph. (c) Una unión pn de

circuito abierto bajo iluminación genera un voltaje de circuito abierto Voc

La Figura 73 (c) muestra las características I–V de una unión pn ideal en la oscuridad y también bajo
iluminación. En la oscuridad, la característica I–V sigue la ecuación de diodo habitual, es decir (Ec. 38),
𝑒𝑉
𝐼 = 𝐼0 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] (38)
 𝑘𝐵 𝑇
donde I y V son la corriente y el voltaje del diodo como en la Figura 73 (a), I0 es la corriente de saturación inversa y  es el
factor de ajuste (no confundir con el símbolo de la eficiencia). Para una unión pn con polarización inversa, I = - I0 y es muy
pequeña, por lo que se desprecia en las características de oscuridad de la Figura 73 (c). Sabemos por la figura 72 (c) que,
en un cortocircuito, la fotocorriente es Iph, y está, en la dirección opuesta a la corriente de unión pn convencional, es decir,
I = Isc = -Iph, donde Isc es la corriente de cortocircuito del diodo. Esta situación de cortocircuito se indica en la Figura 73
(d). Podemos bosquejar las características I-V de la unión pn bajo iluminación simplemente desplazando la curva I-V
oscura hacia abajo hasta que la corriente en el eje I negativo se convierta en I = -Iph como se muestra en la Figura 73 (c).
Observe que la curva I–V de la unión pn corta el eje V en V = Voc. Este es el voltaje de circuito abierto que se generaría
cuando la unión pn se ilumina como se muestra en la Figura 73 (e) en un circuito abierto, sin ninguna corriente en el
circuito externo. Sin embargo, dentro del diodo en sí hay dos corrientes que se cancelan entre sí exactamente; uno debido
a la fotogeneración (Iph), y el otro debido a la corriente de diodo (Idiodo) causada por Voc, que actúa como una polarización
directa a través de la unión.
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Las regiones de la unión pn características I–V que están unidas por los ejes V positivo e I negativo, representan
un modo de funcionamiento fotovoltaico, que se muestra como la región gris en la Figura 73 (c). No hay polarización
aplicada y la luz genera una fotocorriente y un voltaje a través del dispositivo. Cuando la unión pn está en cortocircuito,
la corriente es Iph, y cuando está en circuito abierto, el voltaje es Voc. Si hay una carga de resistencia R conectada a la
unión pn, se requiere dibujar un circuito de línea de carga para encontrar la operación.

La región limitada por el eje V negativo y el eje I negativo representa un modo de funcionamiento de fotodiodo
polarización inversa; este es el modo de funcionamiento más común para la detección de luz. Sin embargo, no es el único

medio de fotodetección porque existen varios diodos de unión pn de tipo fotovoltaico utilizados en la detección de
radiación; dos buenos ejemplos son los diodos de unión pn infrarrojos InAs e InSb. Aunque se trata de uniones pn,
normalmente no están sesgadas debido a la gran corriente oscura que tienen. Se debe enfatizar que la corriente oscura
en la unión pn con polarización inversa fue ignorada en la Figura 73 (c), y se asumió que Iph era mucho mayor que la
magnitud de la corriente oscura inversa. Esta suposición no siempre es cierta, especialmente en condiciones de luz débil
y en uniones pn hechas de semiconductores con banda prohibida estrecha que tienen una alta I0. La figura 74 muestra
las curvas características de un fotodiodo bajo iluminación.

Fig. 74. Curvas características de un fotodiodo bajo iluminación

Para caracterizar el funcionamiento del fotodiodo se definen los siguientes parámetros:

• Se denomina corriente oscura (dark current), a la corriente en inversa del fotodiodo cuando no existe luz
incidente.
• Se define la sensibilidad (S) del fotodiodo al incremento de intensidad (I) al polarizar el dispositivo en inversa
por unidad de intensidad de luz, expresada en luxes o en mW/cm.
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El proceso de absorción de fotones para la fotogeneración, es decir, la creación de EHP, requiere que la energía
del fotón sea al menos igual a la energía de la banda prohibida, por ejemplo, del material semiconductor para excitar un
electrón de la banda de valencia a la banda de conducción. Por tanto, la longitud de onda de corte superior (o la longitud
de onda umbral) g, para la absorción fotogenerativa, está determinada por la energía de banda prohibida E, del
semiconductor, de modo que h (c / ) = Eg o (Ec. 39):
1.24
= =𝐾 (39)
𝐸𝑔 (𝑒𝑉)
Por ejemplo, para el Si, E=1.12eV y g es 1.11 m, mientras que para el Ge E = 0.66 eV y la correspondiente g
= 1.87 m. Es claramente notorio que el fotodiodo de Si no puede ser utilizado en comunicaciones ópticas a 1.3 m y 1.5
m, donde los fotodiodos de Ge son comercialmente disponibles en esas longitudes de onda. La tabla 10 enumera algunas

energías de banda prohibida típicas y las longitudes de onda de corte correspondientes de varios materiales
semiconductores de fotodiodos (Tabla 10).

Tabla 10. Energía de banda prohibida, por ejemplo, a 300 K, longitud de onda de corte g, y
tipo de banda prohibida (D directo e I indirecto) para algunos materiales fotodetectores

Los fotones incidentes con longitudes de onda más cortas que l se absorben a medida que viajan en el
semiconductor y la intensidad de la luz, que es proporcional al número de fotones, decae exponencialmente con la
distancia hacia el semiconductor. La intensidad de luz I a una distancia x de la superficie del semiconductor viene dada
por la ecuación 40.
𝐼(𝑥) = 𝐼0 exp⁡(−𝛼𝑥) (40)

donde I0 es la intensidad de la radiación incidente y  es el coeficiente de absorción que depende de la energía del fotón o
de la longitud de onda . El coeficiente de absorción  es una propiedad del material. La mayoría de la absorción de
fotones (63%) ocurre a una distancia 1/, y 1/ se llama profundidad de penetración o absorción . La figura 75 muestra
las características  vs.  de varios semiconductores, donde es evidente que el comportamiento de  con la longitud de
onda  depende del material semiconductor.

En los semiconductores de banda prohibida directa como los semiconductores III-V (p. Ej., GaAs, InAs, InP, GaP)
y en muchas de sus aleaciones (p. Ej., InGaAs, GaAsSb) el proceso de absorción de fotones es un proceso directo que no
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requiere la ayuda de las vibraciones de la red. El fotón se absorbe y el electrón se excita directamente desde la banda de
valencia a la banda de conducción sin un cambio en su energía.

Fig. 75. Coeficiente de absorción () frente a longitud de onda () para varios semiconductores.

No todos los fotones incidentes en un fotodiodo se absorben para crear pares de electrones libres y huecos (EHP)
que se pueden recolectar, es decir, dan lugar a una fotocorriente. La eficiencia del proceso de conversión de los fotones
recibidos en portadores de carga que se pueden recolectar se mide por la eficiencia cuántica externa o del dispositivo (QE)
e del detector definida por la ecuación 41.

𝑁ú𝑚𝑒𝑟𝑜⁡𝑑𝑒⁡𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠⁡𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠⁡𝑒𝑛⁡𝑙𝑎⁡𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑛𝑎𝑙⁡𝑑𝑒𝑙⁡𝑑𝑒𝑡𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟
𝑒 = (41)
𝑁ú𝑚𝑒𝑟𝑜⁡𝑑𝑒⁡𝑓𝑜𝑡𝑜𝑛𝑒𝑠⁡𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠
La fotocorriente Iph medida en el circuito externo se debe al flujo de electrones por segundo a las terminales del
fotodiodo, aunque tanto los electrones como los huecos se desplazarían dentro del detector, el número de electrones
recogidos por segundo es Iph/e. Si Po es la potencia óptica incidente, entonces el número de fotones que llegan por segundo
es Po/h. Por lo tanto, la QE también se define por la ecuación 42.
𝐼𝑝ℎ⁄
𝑒 = 𝑒 (42)
𝑃0⁄
ℎ
La responsividad R de un fotodiodo caracteriza su desempeño en términos de la fotocorriente generada (Iph)
por potencia óptica incidente (Po) a una longitud de onda dada, y esta definida por la ecuación 43.
𝐼𝑝ℎ 𝑒 𝑒
𝑅= = 𝑒 = 𝑒 (𝐴⁄𝑊 ) (43)
𝑃0 ℎ ℎ𝑐
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Una gráfica de Responsividad (R) frente a longitud de onda para un fotodiodo ideal y para un típico, barato y
comercial fotodiodo de Si se observa en la Fig. 76.

Fig. 76. Responsividad (R) frente a longitud de onda () para un fotodiodo ideal con QE =
100% (e = 1) y para un típico, barato y comercial fotodiodo de Si

EJEMPLO 14. Considere el fotodiodo que se muestra en la Figura 75. ¿Cuál es la QE en la máxima
capacidad de respuesta? ¿Cuál es la QE a 450 nm (azul)? Si el área del dispositivo fotosensible es de
1 mm2, ¿cuál sería la intensidad de luz correspondiente a una fotocorriente de 10 nA en el pico de
respuesta?

Solución:

La responsabilidad máxima en la Figura 76 ocurre aproximadamente a ≈ 940 nm donde R ≈ 0.56

A/W Por lo tanto, de la Ec. (41), tenemos que:
𝐴 𝑒 (1.6 × 10−19 )(940 × 10−9 )
𝑅 ≅ 0.56 ( ) = 𝑒 = 𝑒
𝑊 ℎ𝑐 (6.63 × 10−19 ⁡𝐽⁡𝑠)(940 × 10−9 ⁡ 𝑚⁄𝑠)
𝑒 = 0.74⁡𝑜⁡74%
Repitiendo el cálculo para ≈ 450 nm donde R ≈ 0.24 A/W
𝐴 𝑒 (1.6 × 10−19 )(450 × 10−9 )
𝑅 ≅ 0.24 ( ) = 𝑒 = 𝑒
𝑊 ℎ𝑐 (6.63 × 10−19 ⁡𝐽⁡𝑠)(940 × 10−9 ⁡ 𝑚⁄𝑠)
𝑒 = 0.66⁡𝑜⁡66%
De la definición de responsabilidad:
𝐼𝑝ℎ 𝐴 10⁡𝑛𝐴 10⁡𝑛𝐴
𝑅= = 0.56 ( ) = → 𝑃0 = = 18⁡𝑛𝑊
𝑃0 𝑊 𝑃0 𝐴
0.56 ( )
𝑊
Como el área del detector es de 1 mm2 la intensidad debe ser de 18
nW/ mm2

Sugerencia: Calcule cuantos fotones inciden para obtener esa

intensidad, así como el Flujo Luminoso que debe de tener un foco para
depositar esa intensidad a 1 metro de distancia
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El fotodiodo de unión pn simple tiene dos inconvenientes principales. Su capacitancia de capa de unión o de
agotamiento que no es lo suficientemente pequeña como para permitir la fotodetección a altas frecuencias de modulación.
Esta es una limitación de constante de tiempo RC. En segundo lugar, su capa de agotamiento es como máximo de unas
pocas micras. Esto significa que a longitudes de onda largas donde la profundidad de penetración es mayor que el ancho
de la capa de agotamiento, la mayoría de los fotones se absorben fuera de la capa de agotamiento donde no hay campo
para separar y derivar los EHP. La QE es correspondientemente baja en estas longitudes de onda largas. Estos problemas
se reducen sustancialmente en el fotodiodo pin (p-intrínseco-tipo n).

EL FOTODIODO PIN
En los fotodiodos PIN. Los portadores que se generan en la región de unión experimentan el campo más alto y,
por lo tanto, al separarse rápidamente, dan la respuesta de tiempo más rápida. El diodo PIN tiene una capa extra
intrínseca de alto campo entre las regiones p y n, diseñada para absorber la luz. Esto minimiza la generación de portadores
lentos y da como resultado un detector de respuesta rápida

CIRCUITOS BÁSICOS DEL FOTODIODO

El modo de funcionamiento del fotodiodo de polarización inversa (PD) se muestra en la Figura 77 (a).
Asumiremos el funcionamiento en estado estable. Por lo general, hay una resistencia RL en el circuito de polarización
inversa que puede ser una carga o una resistencia de muestreo a través de la cual se toma la señal, o simplemente una
resistencia limitadora de corriente para polarizar inversamente la PD. Las definiciones de I y V positivas, por convención,
son para el caso en el que el PD está sesgado hacia adelante; también se muestran en la Figura 77 (a). Las características
I–V del fotodiodo se muestran en la Figura 77 (b), donde tanto I como V tienen valores negativos que representan corriente

y voltaje inversos. En la oscuridad, hay una pequeña corriente inversa, que generalmente aumenta con la polarización
inversa. (Idealmente, debería ser simplemente constante e igual a la corriente de saturación inversa). Tras la iluminación,
se genera una fotocorriente Iph en el fotodiodo; Iph es proporcional a la potencia de la luz incidente a través de la capacidad
de respuesta R. Si los terminales del fotodiodo estuvieran en cortocircuito, la corriente de cortocircuito Isc bajo iluminación
sería -Iph como se indica en la Figura 77 (b).

La corriente a través de R y el voltaje a través de ella obedecen a la ley de Ohm. Sin embargo, se debe tener
cuidado de tener debidamente en cuenta los signos de corriente y voltaje. De la figura 76 (a), la corriente a través de RL
es: (Ec. 44)
[(−𝑉) − (+𝑉𝑟 )]
𝐼= = −(𝑉 + 𝑉𝑟 )/𝑅𝐿 (44)
𝑅𝐿
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Esta ecuación se llama línea de carga porque representa la carga R en los mismos ejes I y V que el fotodiodo.
Para I = 0, circuito abierto V = -Vr, y es un punto en la línea de carga. Para V = 0, I = -Vr / R, y este también es un punto en
la línea de carga. Por tanto, la línea de carga se puede dibujar rápidamente para pasar por estos dos puntos, como se
muestra en la Figura 77 (b). Tiene una pendiente negativa de -1/Rl. Corta las características de PD en P, que representa
el punto de funcionamiento del circuito; la corriente y el voltaje serán I y V como se indica en la Figura 77 (b). El ejemplo
particular de la Figura 77 (b) es para Vr = 6V y R = 1M.

De la Figura 77 (b) se concluye que, siempre que el PD tenga polarización inversa, la magnitud de la corriente
de operación I bajo iluminación es muy cercana a la fotocorriente Iph generada (la corriente de cortocircuito), es decir, I ≈
- Iph. Este no es el caso en el modo fotovoltaico en el que hay una resistencia de carga a través de la PD sin ningún Vr.
Además, podemos redirigir la fotocorriente a un convertidor de corriente a voltaje para convertir Iph en un voltaje de
salida Vout como en la Figura 77 (c), en el que la salida Vout = Rf Iph. La resistencia de retroalimentación RF determina
la ganancia de transimpedancia Vout/Iph. Observe que Vout con un aumento de Iph, es decir, la ganancia es positiva.

Fig. 77. Polarización básica de un fotodiodo en modo fotovoltaico

La polarización básica de un fotodiodo en modo fotovoltaico se muestra a continuación (Fig. 78)

(b)

Fig. 78. Polarización básica de un fotodiodo en modo fotovoltaico

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Los fotodiodos PD se utilizan ampliamente en optoelectrónica para medir señales de luz moduladas, podemos
construir fácilmente un circuito PD simple y rápido como se muestra en la Figura 79 (a). El PD tiene polarización inversa
a través de RB, y CB pone en cortocircuito tanto a RB como a la batería para señales transitorias; es un cortocircuito de
CA. Hay una pequeña carga o una resistencia de muestreo RL. La fotocorriente transitoria generada por un pulso óptico

desarrolla un voltaje transitorio a través de RL, que se puede acoplar a un amplificador de búfer rápido.

Fig. 79. Polarización de un fotodiodo en inversa para medir señales moduladas

La constante de tiempo RLCt debe ser menor que el pulso óptico que se va a medir. Ct en el circuito de la figura
79 (a) debe incluir también la capacitancia del amplificador de búfer, que puede ser comparable a la del PD. En lugar de
usar una resistencia de muestreo RL, se puede, por supuesto, alimentar la salida directamente a la entrada de un
amplificador convertidor de corriente a voltaje rápido como en la figura 77 (c). Entonces, la constante de tiempo crítica
es RFCt.