ARTÍCULO ACTUALIZADO 2010

José Luis Giordano

Septiembre 19, 2006 (Última revisión: Julio 12, 2010)

1-QUÉ ES

Este artículo trata de los dos más importantes

componentes electrónicos de conmutación.
Un SCR o TIRISTOR(thyristor en inglés) es un
componente electrónico rectificador de estado sólido de 3
terminales: ánodo (A), cátodo(K) y un electrodo de
control denominado puerta (G, gate), desarrollado por
la General Electric (U.S.A.) en 1957 (10 años después de
la invención del transistor bipolar de unión).

Es un dispositivo rectificador unidireccional (es decir, que

deja circular la corriente eléctrica en un solo sentido:
desde A hacia K como un diodo rectificador
semiconductor), pero además del estado "on" (cerrado,
conduciendo) del diodo común, tiene un segundo estado
estable: "off" (cortado, abierto, sin conducir). Si el
voltaje VGK entre G y K es el adecuado, conduce desde A
hacia K.
Su nombre "SCR" (Silicon Controlled Rectifier) proviene
de ser como un rectificador de silicio, pero controlado a
través de G. Es la versión en estado sólido de las antiguas
válvulas termoiónicas llamadas thyratron, y de ahí su
nombre "thyristor": thyratron y transistor.

La versión para corriente alterna (AC, Altern Current) del

tiristor es el TRIAC. Mientras que el tiristor es un diodo
controlado y por lo tanto, en general se utiliza en circuitos
de control de corriente continua (DC, Direct Current), el
triac es como un tiristor bidireccional, para utilizar en
circuitos AC.

Los terminales del triac en vez de K y A se denominan

"terminal principal 1" (Main Terminal 1, MT1) y
"terminal principal 2" (MT2), o simplemente "terminales
1 y 2", T1 y T2 (El electrodo de control también se
denominapuerta, G, como en el tiristor).

Si el voltaje VG1 entre G y T1 es suficientemente positivo,

en el primer semiciclo AC con VAK positivo (sentido
"directo" o forward) conduce desde T2 hacia T1 (como lo
haría un tiristor). Pero en el otro semiciclo VAK negativo
(sentido "inverso" o reverse), si el voltaje VG1 es
suficientemente negativo, el triac también conduce al
revés, desde T1 hacia T2.

En la Figura siguiente se muestra el símbolo del SCR y el

símbolo del triac, en circuitos básicos donde una fuente
DC y otra AC "alimentan" a una carga a través del
respectivo dispositivo de conmutación.
En la parte inferior derecha se muestran dos tiristores
conectados en "anti-paralelo" (back-to-back), indicando
que la función del triac puede ser implementada con dos
SCRs de ese modo.

Fig. 1: Se muestran los símbolos del thyristor y

del triac en 2 esquemas básicos, donde una fuente DC y
otra AC alimentan una carga a través de estos dispositivos
de conmutación (se han omitido los circuitos de disparo).

2-PARA QUÉ SIRVE

Además de la función de rectificación controlada del

tiristor, éste y el triac sirven como dispositivos de
conmutación de estado sólido en DC y en AC
respectivamente. Es decir, son como interruptores
(switches) pero compactos y pequeños, sin calefactor y de
bajo consumo, rápidos y silenciosos, sin partes móviles ni
contactos electromecánicos, sin chispas ni necesidad de
mantención, y que además pueden controlarse electrónica
y ópticamente.

Estos componentes se utilizan en circuitos muy diferentes,

como por ejemplo controles de velocidad de motores,
regulador de intensidad de iluminación
de ampolletas (dimmers y luces "psicodélicas"), para
activar sistemas de protección, o en convertidores de
voltaje para viajes, cargadores de baterías, magnetizadores
de imanes, relays de estado sólido (SSRs), controles de
temperatura de hornos y de potencia de calefactores.

3-DE QUÉ ESTÁ HECHO

El tamaño de un SCR o de un TRIAC puede ser

relativamente pequeño o grande, ya que como en el caso
de los transistores y los circuitos integrados en general, el
encapsulado (que es lo que vemos desde fuera) varía
según la potencia que deban disipar y la corriente máxima
de trabajo que deban tolerar. Hay algunos enormes, para
más de 1500 A, de diámetros entre 5 y 10 cm y con
cátodos y ánodos del grosor de un dedo. Estos pueden
costar unos USD 1000 o más! Otros, en cambio, son
pequeños (menos de 1 cm3), muy económicos (menos de
USD 2), y operan con corrientes menores que 5A o
disipando menos de 5W.
El triac BT 136-600 en encapsulado TO220 que se
muestra en la Figura siguiente (sobre la esquina superior
derecha de la página de un libro), cuesta unos USD 2,
tiene una masa de 2g, mide menos de 3 cm de largo, y
conduce hasta 4 A, en circuitos AC con voltaje de
red V RMS = 380V.

Fig. 2: Triac BT 136-600 sobre un manual Motorola de

dispositivos de disparo y de conmutación.

Como los diodos semiconductores de silicio, los SCRs y

los TRIACs se construyen con diferentes estructuras
demateriales semiconductores tipo-p, de silicio (Si)
dopado con elementos del Grupo III-A como el aluminio
(Al), galio (Ga) o indio (In), y tipo-n, de Si dopado con
elementos del Grupo V-A como fósforo (P), arsénico (As)
o antimonio (Sb).

Un diodo rectificador de unión n-p está formado por una

unión de 2 capas, una tipo-n (el K) y otra tipo-p (el A). La
física del diodo está en la unión y en la distribución de
portadores en cada material. Pero el SCR es más
complejo, y está hecho con 4 capas pnpn de
semiconductores: tipo-p (el A), tipo-n, tipo-p (la G)
y tipo-n (el K). En el centro de la siguiente Figura se
puede ver un diagrama esquemático de su estructura. Tres
capas forman un sandwich:tipo-p (el A), tipo-n y tipo-p.
Finalmente, el K se construye difundiendo material tipo-
n sobre la última capa tipo-p, y G se conecta muy cerca de
K, sobre la misma capa de material tipo-p.

El TRIAC está hecho de forma análoga a dos tiristores

puestos en antiparalelo, como si fuese un dispositivo de 5
capas npnpn de semiconductores. Su estructura central es
un sandwich: tipo-p, tipo-n y tipo-p, como el tiristor. Pero
el material tipo-n se difunde sobre ambas capas tipo-p,
para que funcionen como cátodos K en cada uno de los
sentidos de conducción. El MT2 se conecta a una
capa tipo-p y a la tipo-n difundida sobre ella. En el otro
extremo, se hace lo mismo con el MT1. Y el G también
está en contacto con la capa tipo-p y una porción de tipo-
ndifundida sobre ella.
Fig. 3: Símbolo del thyristor, su estructura, y un modelo
con 2 transistores bipolares de unión.

4-CÓMO FUNCIONA

Se considera separadamente:
(a) Cómo conmuta
(b) Causas más importantes de disparo
(c) Principales componentes de disparo

(a) Cómo conmuta

El funcionamiento del tiristor se puede entender como un
circuito implementado por dos transistores bipolares de
unión (BJTs) (ver Fig. anterior), en los que hay que tener
en cuenta las siguientes 2 características:

(I) Cuando a un BJT pnp de Si se le aplica un

voltaje VBE (entre base B y emisor E) suficientemente
negativo (superando el umbral de -0.6 V),

o cuando a un BJT npn de Si se le aplica un

voltaje VBE suficientemente positivo (superando el umbral
de +0.6 V),

el transistor "se dispara", i.e. conmuta

de off a on en saturación (conduce toda la corriente que el
circuito y él mismo permitan), desde el emisor E hacia el
colector C en el pnp, o desde C hacia E en el npn.

(II) Un BJT amplifica la corriente de base IB en un factor

dado aproximadamente por el parámetro denominado
"β(beta) del transistor" (o "ganancia de corriente"). Es
decir que la corriente de colector es IC ≈ β IB,
donde βdepende de la misma corriente IC.

Ahora bien, supóngase que se tiene un TIRISTOR al que

inicialmente solo se le aplica un voltaje VAK > 0 V.

Si se considera al tiristor como un transistor Tr1 npn de

ganancia β1 conectado con un transistor Tr2 pnp de
ganancia β2 como se esquematiza a la derecha de la Figura
anterior, se observa que:

(i) Inicialmente no hay conducción (IA = 0 A; tiristor

abierto, off).

(ii) Cuando se aplica un voltaje VGK de G a K

suficientemente positivo (VBE1 > 0.6V), una corriente de
puerta IG(≈ IB1) dispara al tiristor, comenzando la
conducción desde A hacia K (conmuta de off a on; tiristor
cerrado).

(iii) Entonces, después del disparo, cuando IG = 0 A,

es IB1 = IC2 ≈ β2IB2. Pero como IB2 ≡ IC1 ≈ β1IB1, se ve
que las corrientes del dispositivo se ajustan para
que β1 β2 ≈ 1, y por lo tanto la corriente de ánodo IA del
tiristor visto como 2 transistores, resulta aproximadamente
igual a IA ≡ IE2 = IC2+IB2 ≈ (β1+1) IB1.

(iv) Mientras haya voltaje VAK desde A hacia K

suficientemente positivo, seguirá existiendo
corriente IA (aunqueIG = 0 A), ya que la corriente de
colector del Tr2 mantiene alimentada la base del Tr1; y
ésta es la clave de su funcionamiento:

El SCR comienza a conducir desde A hacia K por la

señal que hubo en G

El funcionamiento del TRIAC en cada semiciclo AC, está

basado en el funcionamiento del tiristor en DC. El triac
puede estudiarse como dos tiristores conectados en anti-
paralelo, pero con un solo electrodo de control G. De
hecho, en circuitos de potencia para corrientes AC
superiores a 700 A, suelen implementarse dos tiristores
(ya que no existen triacs de tanta capacidad).

En la Figura siguiente se muestran las correspondientes

curvas características que resumen el comportamiento de
estos elementos de conmutación:
SCR: Curva IA vs. VAK (corriente de ánodo versus voltaje
ánodo-cátodo)
TRIAC: Curva I2 vs. V21 (corriente en el MT2 versus
voltaje entre MT2 y MT1)

Fig. 4: Curvas características de un thyristor y de

un triac.

La zona de corte y saturación (on-off), se encuentra en el

cuadrante I para el dispositivo unidireccional (SCR) y en
los cuadrantes I y III para el bidireccional (triac). Se
observa que el voltaje principal debe llegar a un cierto
valor para producir el disparo. Este valor cambia según las
condiciones en la puerta (intensidad y forma de IG y
de VGKo VG1). Una vez disparado, el voltaje entre A y K
(o entre MT2 y MT1) disminuye al valor de
conducción VON, que es de unos pocos volt (Sería "0 V"
en un interruptor ideal o perfecto). Despreciando la
disipación en la puerta, este voltaje residual multiplicado
por la corriente principal determina la potencia que el
encapsulado del componente debe disipar:

PD ≈ VAKIA para el tiristor, y PD ≈ V21I2 para el triac

En la curva característica del SCR también se ve (en el

cuadrante III) una corriente inversa de fuga, y para un
valor alto de voltaje inverso, la zona de ruptura donde se
destruiría el dispositivo.

(b) Causas más importantes de disparo

Es importante conocer que hay diferentes mecanismos o
formas o causas de disparo. El disparo por corriente en G,
se denomina cebado por puerta. Pero este disparo puede
producirse por corrientes inyectadas accidentalmente o
intencionalmente. Los casos más importantes son:

(i) Disparo por magnitud del

voltaje VAK inverso: Cuando una unión semiconductora
está polarizada inversamente, hay una fuga de corriente
inversa, que depende del material, de la temperatura y de
la iluminación. Si el voltaje inverso VAK es muy grande
cuando el tiristor está en off, la corriente inversa es mayor,
y también podría dispararse accidentalmente el tiristor.

(ii) Disparo por magnitud de la rapidez ΔVAK/Δt de

cambio del voltaje inverso: Cuando el thyristor está
en offy el voltaje entre A y K cambia con un ritmo
ΔVAK/Δt, se produce una corriente iT debida a
la capacidad de transición CT, entre las cargas Δq a un
lado y al otro de la unión:

iT = Δq/Δt = (Δq/ΔVAK) x (ΔVAK/Δt) = CT (ΔVAK/Δt)

O sea, se manifiesta el equivalente a una capacidad

eléctrica dada por

CT ≡ Δq/ΔVAK

Por lo tanto, un valor muy grande de ΔVAK/Δt produce un

valor también grande de iT, que puede producir
accidentalmente el disparo.

(iii) Disparo por elevación de temperatura: La corriente

inversa aumenta al doble aproximadamente cada 14°C.
Por lo tanto, un aumento en la temperatura, también
podría producir un disparo accidental.

Estos casos deben tenerse en cuenta en el diseño de

circuitos con conmutadores de estado sólido.
(iv) Disparo por iluminación: Los tiristores diseñados
con ventanas transparentes permiten la creación electrón-
agujero a partir de los fotones absorbidos por la unión
semiconductora polarizada inversamente. Por lo tanto,
mediante la luz también pueden dispararse tiristores. Este
es el fundamento de los fototiristores (photo-thyristors o
LASCRs, Light Activated SCRs).

Por último, hay que enfatizar que tanto los tiristores como
los triacs típicos, mientras haya voltaje y esté circulando
corriente, una vez disparados siguen conduciendo ("no
cortan solos"). Pero cuando el voltaje entre los electrodos
principales cruza por cero y/o desaparece la corriente,
conmutan a off y hay que volver a dispararlos. Por eso
los elementos de disparo suelen sincronizarse con el
voltaje de la red o de la fuente de alimentación.

(c) Principales componentes de disparo

Finalmente hay que mencionar que así como el tiristor y el
triac son componentes DC y AC de
conmutación(switching devices), existen componentes
DC y AC de disparo ( triggering devices), utilizados para
disparar a los tiristores y a los triacs.

Dependiendo del circuito y de la aplicación, un tiristor se

puede disparar con un conmutador unilateral de silicio,
SUS (silicon unilateral switch), que dispara a un voltaje
fijo entre 6 a 10 V. Otra opción es dispararlos con
un transistor uniunión, UJT (unijunction transistor), que
dispara a diferentes voltajes, o un transistor uniunión
programmable, PUT (programmable unijunction
transistor).

También pueden dispararse con otro tiristor, o una

ampolleta de neón, o usando transistores, o relays, o un
dispositivo optoacoplado, o a través de un transformador.

Un componente importante utilizado para disparo de

SCRs es el diodo de 4 capas o diodo Shockley, un
dispositivo precursor del SCR, también de 4 capas (npnp).
Tiene un estado off como un SCR abierto, pero cuando el
voltaje directo supera cierto umbral,
conmuta bruscamente a un estado on como el de un diodo
rectificador (pero con una caída de voltaje superior). Su
curva característica es similar a la curva de un varistor
asimétrico.

En un circuito AC, el dispositivo de disparo de un

conmutador bidireccional, debe ser también bidireccional.
ElDIAC (DIode for AC) es la versión bidireccional
del Shockley, que se utiliza como elemento de disparo
del triac. Posee un voltaje de disparo de aproximadamente
-32 V y +32 V (En algunos casos se utiliza un disparador
asimétrico). Un triac también puede dispararse con otro
triac, relay, dispositivo optoacoplado, o a través de un
transformador.
Fig. 5: Símbolos y curva característica de un diac (Se
encuentran adheridos a la pizarra un diac ST-2 y
varios diacsDB-3).

A continuación se muestran partes de las curvas

características I vs. V de dos diacs, utilizando
un trazador de curvas (Hameg HM6042-1 (V2.01) Curve
Tracer). Con este instrumento, de los 4 cuadrantes (I y IV
para polarización directa; II y III para polarización
inversa), solo se puede ver un cuadrante por vez.
En el eje vertical Y de la corriente tiene 8 divisiones
(div.Y) y un selector con 3 escalas: 0-2 mA (0.25
mA/div.Y),0-20 mA (2.5 mA/div.Y) y 0-200 mA (25
mA/div.Y).
En el eje horizontal X del voltaje tiene 10 divisiones
(div.X) y un selector con 3 escalas: 0-2 V (0.2 V/div.X), 0-
10 V (1 V/div.X) y 0-40 V (4 V/div.X).

Fig. 6: Cuadrante I de la curva característica

(0.25mA/div.Y; 4V/div.X) de un diac tipo ST-2 de silicio
(Diffused Silicon Bidirectional Trigger) de 32V/200μA
(Breakover Voltage/Current). En el instrumento se observa
un voltaje de disparo VBO ≈ 32.9V.
Fig. 7: Cuadrante I de la curva característica
(0.25mA/div.Y; 4V/div.X) de un diac tipo DB-3 (de la
Serie DB3/DB4 de STMicroelectronics) de 32V/50μA, de
0.15g y con encapsulado DO-35 (∅2mm, largo ≈4mm). El
instrumento indica VBO ≈ 31.5V.

REFERENCIAS

(1) Lilen H 1973 Thiristors et Triacs; Seconde édition

(Paris: Radio)
Traducción al Castellano: 1976 Tiristores y Triacs
(Barcelona: Marcombo)

(2) Motorola Inc. 1989 Thyristor Device Data; Serie C,

3rd Printing DL 137 REV 3 (USA: Motorola)
(3) Hempel H-P 1980 Semikron Power Semiconductor
Handbook (Nuremberg: Semikron International);
Traducido al Inglés

CÓMO HACER REFERENCIA A ESTE ARTÍCULO

Giordano J L 2010 Cómo funcionan las cosas:

El tiristor y
el triac (Santiago: http://www.profísica.cl)http://www.prof
isica.cl/comofuncionan/como.php?id=31 (Consulta: Mes
Día, Año)