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- Para fines prácticos se debe tomar en cuenta que el valor máximo de corriente de
saturación es el 90% de la ganancia total en , entonces:
-Beta es el factor que determina cuales son las corrientes de saturación en las tres
configuraciones diferentes como se puede observar.
Q = ( 5,95V ; 3,12mA )
- En la segunda parte (colector en retroalimentación con ), el punto Q
para el 2N3004 es de :
Q = ( 7,15V ; 4,43mA)
Q = (5,10V ; 2.95mA )
- Como se puede observar, en todos los casos al sustituir un transistor con una
ganancia mayor al anterior, el punto de reposo varía, las corrientes de reposo
se incrementan y los voltajes colector emisor de reposo se reducen
considerablemente y por consiguiente sí podemos afirmar que el punto de reposo
se mueve de la zona de saturación hacia la zona de corte.
Configuración emisor
Colector en retroalimentación
Colector en retroalimentación
(con )
c. ¿Do the remaining sensitivities [S( )] of table 10.10 support the fact that one
configuration is more stable than other?
c. Basado en los resultados de b. ¿Qué relación debe existir entre los elementos del
circuito para minimizar el efecto del cambio de los niveles de beta sobre los
niveles de ?
c. Basado en los resultados de la parte b. ¿ Qué relación debe existir entre los
elementos del circuito para minimizar el efecto del cambio de los niveles de beta
sobre los niveles de ?
c. Basado en los resultados de la parte b. ¿ Qué relación debe existir entre los
elementos del circuito para minimizar el efecto del cambio de los niveles de beta
sobre los niveles de ?.
- Como en el caso anterior, se busca una resistencia de base distinta, que haga
aproximar mejor el punto de reposo Q, al anterior definido por el otro transistor
7. ¿Comparando los resultados de los ejercicios 4(c), 5(c) y 6 (c), cuál de las
configuraciones debería tener la menor sensibilidad para los cambios en beta para
valores de resistencias de la misma magnitud?.