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Modelaje de transistores bipolares 7.1 INTRODUCCION En el capitulo 3 se presentaron aspectos como la construccién bésica, Js apariencia y las cearacteristicas del transistor. En el capitulo 4 se examin6 con detalle la potarizacién de de. En este apartado se examinard Ia respuesta de ac en pequena seal del amplificador a BJT mediante larevision de los modelos que se utilizan con mas frecuencia para representar al transistor en et dominio senoidal en ac, Uno de los primeros intereses en el andlisis senoidal en ac de las redes de transistores es la ‘magnitud de Ie sefial de entrada, porque ésta determinaré si deben aplicarse las técnicas de equefa sefal 0 de gran seftal. No existe una lines divisoria entre ambas, pero la aplicaci6n Ja magnitud de las variables de interés relacionadas con las escalas de las caracterfsticas del dispositive, por lo general, establecen con claridad cudl método es et adecuado. La técnica de equetia sefial se presenta en este capitulo y las aplicaciones de gran sefial se examinan en el capitulo 16. Existen dos modelos que se utilizan con frecuencia en el anilisis en ac de pequeta sefal de redes de transistores: el modelo r, y el equivalente hibrido, Este capttulo presenta n0 3610 ambos modelos, sino que define el papel de cada uno y la relacién que hay entre ambos. 7.2. AMPLIFICACION EN EL DOMINIO DE AC Enel capitulo 3 se demostr6 que se puede utilizar el transistor como un dispesitivo amplificador, Esto es, la sefial seni de salida es mayor que la sefial de entrada 0, dicho de otra manera, la ppotencia en ac de la salida es mayor que la potencia en ac de entrada, Luego surge la pregunta sobre la manera en que la potencia en ac de salida puede ser mayor que la potencia en ac deen twada, La conservacion de la energia establece que a través de! tiempo 1a potencia total de salida, Pde un sistema no puede scr mayor que sv potencia de entrada, Py que la eficiencia definida como 1 = P,/P, no puede ser mayor que 1. El factor que falta en Ta presentacién anterior que permite gue la potencia en ac de salida sea mayor que la potencia en ac de entra ¢s la potencia aplicada de de. Esta es una contribucién a la potencia total de salida, aunque parte de ella se disipe por medio del dispositivo y os elementos resstivos, En otras palabras existe un “intercambio” de potencia de de al dominio de 2c que permite el establecimiento de tuna mayor potencia de ac de salida. De hecho. se define una eficiencéa de conversion por medio de = Pac/Pyyen donde P.,,.,€8 la potencia en ac dela carga, y P, qe, €sTa potencia de de suministrada ‘Quizé el papel de ia fuente de de pueda deseribise mejor si se considera primero le red de de simple de la figura 7.1. La direccién de flujo resoltante esti indicada en Is figura junto con luna grafica de la corviente fen funciGn del tiempo, Ahora se insertard un mecanismo de control ‘como e] que se muestra en la figura 7.2. El meeanismo de control es tal, que la aplicacion de CAPITULO const) v 7 Figura 7.1 Comiente estable fijada mediante una fuente de, 3n1 a peered eee o 5 Figura 7.2. Electo de un elemento de control sobre el fyjo de estado testable del sistema eléctrico de la figura 7.1 312 ‘una sefial relativamente pequefia al mecanismo de control puede ocasionar una oscilaci6n mucho ‘mayor enel circuto de salida. Para el sistema de a figura 7.2 el valor pico de a oscilaciGn esté ccontrolado por el nivel de de establecido, Cualquer intento de exceder el Limite establecido por el nivel de de dard por resultado un “vecorte” (aplanado) ée la regién pico de la sefial de salida. Portanto, yen generale disefo adecuado del amplificador requiere que los componentes de y en ae sean sensiivos a los requerimientos y limitaciones del oro. Sin embargo, en realidad es una fortuna que los amplificadores de pequetia seal a ‘ransistores puedan considerarse lineales para la mayaria de las aplicaciones, ermitiéndose el uso del teorema de la superposicién para aislar el andlisis de del andliss a. 7.3 MODELAJE DE TRANSISTORES BJT Laclave para el andlisis en pequetia sofa de os transistores es el uso de circuitos equivalentes, (modelos) que se presentarén en este capitulo. ‘Un modelo es la combinacién de elementos del circuto, seleecionados de forma adecuada, que mejor se aproximan al comportamiento real de un disposiivo semiconductor que esté bajo condiciones especifcas de operacién. ‘Una vezque se determing el cicuito equivalente en ac, se puede reemplazar en el esquema el simbolo grafico del dispositivo por este circuito y pueden, entonces, aplicarse los méodos bésicos del analisis de circuitos ac (andlisis de malas, andlisis por nodos y el teorema de ‘Tnévenin) para determinar la respuesta del cireuito. Hoy en dia, existen dos importantes corrientes de pensamiento respecto al citeuito cequivalente que susttuiré al transistor. Durante muchos aflos tanto las instituciones industriales como las edcativas s¢ apoyaban mucho sobre los pardmetros hibridos (los cuales serén presentados en breve). Elcircuito equivalente de pardmetros hibridos sigue siendo muy popular, aunque shora debe compartir su utilizacién con un circuito equivalente que se derive directamente a partir de as condiciones de operacién del transistor: el modelo, Los fabricantes ‘continéan especificando los parémetro hibridos para una regién de operacin en particular en sus hojas de especificaciones. Los parémetros (0 componentes) del modelo r, pueden deri- vvarse de manera directa a partir de los parémetros hibridos. Sin embargo, el circuito hibrido cequivalente se condiciona por estar limitado & un conjunto en particular de condiciones de ‘operacién si se debe considerar como preciso. Los pardmetros del otro circuit equivalente pueden determinarse para cualquier regiGn de operacion dentro dela regin activa y no estén [imitados por el conjunto ‘nico de parémetros proporcionados en las hojas de especifcaciones. En contraste, el modelo r, fracasa por no considerar el nivel de impedancia de salida de] sen pequeta seta = partelwanitor 7 \, Vv, | feet i. i $ Figura 7.5. Redibujo de la figura 7.4 para el analisisen 2c y pequefia sefal 7.3. Modelaje de transistores BJT 313