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24. (a) Mediante las caracterfsticas de la figura 3.14a, determine i3,e cuando In 80 /-LA Y Vel' = 5 V.

(b) Repita el incise (a) cuando 18 5 /LA Y Va" 15 y.



(e) Repita el inciso (a) cuando 18 30 /-LAy VeE= 10 v.

(d) Revise los resultados de los incises (a) a! (c), /,el valor de i3",cambia de un punta a otro sabre las ~aracterfsticas? /,Donde se encontraronlos valores mas altos? i,Esposible desarrollar conclusiones generales acerca del valor de f30c sobre un conjunto de caracteristicas del colector (e) Los Runtos sel~ccionad?s en este ejercicio son los mismos que los empleados en el problema

23. SI se realize el problema 23, compare los valores de i3" y de i3de para cada punto y comente sobre la tendencia en la magnitud de cada cantidad.

25. Mediante las caracrensticas de Ia figura 3.14a, determine f3uc ruanda Is= 25 /LAy Va= 10 V. Luego calcu!e "de Y el nivel resultante de IE' (Utilice e1 nivel de Ic determinado por Ic = i3dJn')

26. (a) Dado que "de = 0.987, determine el valor de f3de correspondiente. (b) Dado que i3dc = 120, determine cl valor de IT correspondiente.

(e) Dado que f3de 180 e lc= 2.0 mA, encuentre he In.

27. De memoria y solo de memori~,. dibuje la configuracion de emisor com lin (para un npn y un pllp) e mserte el arreglo de polarizacion adecuado con las direcciones de corriente para [s.lc e IE.

§ 3.7 Configuracion de colec tor comun

28. Se aplica un volraje de 2 V rms (medidos de la base a tierra) al circuito de la figura 3.21. Asumiendo que el voltaje del ernisor sigue de forma exacta al voltaje de base y que VbeCnns) = 0.1 V calcule el voltaje de ampliflcacion del circuito (Av = VoNj) Y la corriente del emisor cuando RE ~ 1 kl1.

29. Para el transistor que tiene las caracterfsticas de la figura 3.14, dibuje las caracterfsticas de entrada y de salida para la configuracion de colector comiin.

§ 3.8 Limites de operacion

30. Determine la region de operacion para un transistor que tiene las caracterfsticas de la figura 3.14 si ICma, = 7 rnA, VeEm•x = 17 V Y PCmf>x = 40 mW.

31. Determine la region de operacion para un transistor que tiene las caracterfsticas de la figura 3.8 si Icm,,",6 rnA, VCBm" = 15 V Y Pamax = 30 mW.

§ 3.9 Hojade especificaciones de transistores

32. En referencia a la figura 3.23, determine el rango de temperatura para el dispositive en grados Fahrenheit.

33. Mediante la informacion proporcionada en la figura 3.23 con respeeto a PI V· I Y

V CE",' dibuje los lfmites de operacion del dispositive. "max' COm,\x' Cmax

34. Basese en los datos de la figura 3.23. /,Cm\l es el valor esperado de ICEO, utilizando el valor promedio de f3dc?

35. /,Como se compara el rango de heR (figura 3.23j, normalizada a partir de hpJ' = 100) con el ranco

de hI' (figura 3.23(1) para el rango de Ie de 0.1 alOmA? " '"

36. Mediante las caracterfsticas de la figura 3.23b, determine si la capacitancia de entrada de la confi-

guracion de base comtin se i~crementa 0 disminuye con los crecientes niveles de potencial de polarizacion inversa. /,Puede ex ph car par que?

Mediante las caracterfsticas de la figura 3.23f, determine que tanto ha cambiado el nivel de hIe a partir de su valor de I mA hasta el de I 0 n:~' Observe que la escala vertical es una escala logarftmi-

ca que puede requenr referenciar la seccion 11.2. i.EI cambio es tal que deba ser tomado en cuenta para la situacion de disefio?

* 38. Medi~nte las caracterfsticas de la figura 3.23j, determine el nivel de i3dc cuando Ic = 10 rnA para los tres niveles de te~peratura que apareeen en la figura. /,Es significativo el carnbio para el rango de temperatura especificado", /,es un elemento que debaser considerado en elproceso de disefio?

*37.

§ 3.10 Verificacion de transistores

39. (a) Mediante las caracterfsticas de lafigura 3.24, determine f3ac cuando Ie = 14 mA yVcr;= 3 V. (b) Determine i3dc cuando Ic = I mA y VCE = 8 V.

(c) Determine i3ac cuando Ic = 14 mA y VCE = 3 V.

(d) Determine f3dc cuando lc = I mA y VCE= 8 V.

(e) /,C6mo se cornpara el nivel de f3dc y de f3" en cada region?

(I) Para este conjunto de caractensticas, /,es valida la aproximaci6n de i3de == i3ac?

*Observar: Los asteriscos indican problemas con mayor dificultad.

162

Capitulo 3 Transistores bipolares de union

Polarizacion de de para BJTs

CAPiTULO

~ _'7!

4.1 INTRODUCCION

EI analisis 0 disefio de un amplificador a transistor requiere conocimiento tanto de la respuesta del sistema en de como en ac. A menudo, se piensa que el transistor es un dispositivo msgico que puede elevar elnivel de una sefial de ae de entrada sin la ayuda de una fuente de energia extema. En realidad, el nivel de potencia de la salida de ac mejorado es resultado de una transferencia de energfa proveniente de las fuentes de de aplieadas. Por esta razon, el analisiso disene de eualquier amplificador electronico posee dos componentes: la porci6n de de y la porcion de ae. Por fortuna, es posible aplicar el teorema de superposicion por 10 que el analisis de las condiciones de de puede efeetuarse de forma completamente independiente de la respuesta de ac. Sin embargo, se debe tener en cuenta que durante la etapa de disefio 0 de sfntesis, la seleccion de los parametres para los niveles de de requeridos afectaran la respuesta de ac y viceversa,

EI nivel de operacion de de de un transistor es controladopor diversos factores, que incluyen al rango de posibles puntos de operacion sabre las caractensticas del dispositivo. En la seccion 4.2 se especifica el rango para el caso del amplificador BJT. Una vez que se definieron los niveles de de tanto de la corrientc como del voltaje, se debera construir una red que establezca el punto de operacion deseado; en este capitulo se analizaran varias redes de este tipo. Cada disefio tambien deterrninara la estabilidad del sistema; -10 que representa la sensibilidad que tiene el sistema hacia las variaciones de temperatura- el cual es otro tema que se revisara en la parte final de este capitulo.

No obstante que en este capitulo se analiza una cierta variedad de redes, existe una similitud cormin entre el analisis de cada configuracion, esto debido a la recurrente utilizacion de las siguientes relaciones basicas para un transistor y que son muy importantes:

VeE = 0.7 V

h = ([3 + I)IB == Ie

Ie = (3IB

De hecho, una vez que el analisis de las primeras redes se ha entendido claramente, el camino hacia la solucion de las redes subsecuentes se tornara mas evidente. En la mayorfa de los casas, la primera cantidad que debera determinarse es la corriente de base lB' Una vez que esta se conoce, sera posible aplicar las relaciones de las ecuaciones 4.1 ala 4.3 para encontrar las cantidades de interes restantes. Las similitudes en el anal isis seran inmediatamente obvias a medida que avancemos a traves de este capitulo. Las ecuaciones para IB son tan parecidas entre las distintas configuraciones que es posible derivar una ecuacion de otra, simplemente me-

(4.1)

(4.2)

(4.3)

163

80~A

Si no se empleara la polarizacion, el dispositive inicialmente se encontrana completamente apagado, dando por resultado un punto Q en A, es decir, corriente cero a traves del dispositivo (y voltaje cero a traves de el). Debido a que es necesariopolarizar un dispositive de manen!. pueda responder ante el rango complete de sefiales de entrada, el punto A, por 10 tanto, no esconveniente. Para el punto B, si una selial se aplica al circuito, el dispositiv.o variara en corriente y en voltaje a partir del punto de operacion, con 10 que permitira al dispositive reaccionar ante (y posiblernente amplificar) las excursiones, tanto positivas como negarivas de la serial de entrada. Si la serial de entrada es seleccionada cuidadosamente, el voltajc y la corricnte del dispositive variaran pero no 10 suficiente como para llevar al dispositive al corte 0 a la saturacion. EI punto C permitira cierta variacion positiva y negativa de la seiial de salida, sin embargo, el valor pico a pico estara limitado por la proximidad de VCE = 0 Ve Ic:= 0 mA, Por otro lado, la operacion en el punto C provoca cierta preocupacion debido a las no linearidades que se introducen por el hecho de que el espacio entre las curvas de I B cambia rapidamente en esta region. En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositive es practicamente constante (0 lineal), para de esta forma, asegurar que la ampfificacion sobre la amplitud completa de la scfial de entrada sea la misma. El punto B es una region con un espaciado mas lineal y por 10 tanto, con una operacion mas lineal, como se muestra en la figura 4.1. EI punto D establece el punto de operacion del dispositive cerea del voltaje y nivel de potencia maxirnos. La amplitud del voltaje de salida en Ia direccion posit iva se encuentra de esta fo~ma limitada si el voltaje maximo no debe excederse, Por 10 tanto, el punto B parece ser el mejor punto de operacion en terminos de ganancia lineal y de mayor excursion posible de corriente y de voltaje. Esta es, generalmenre, la condicion deseada para los amplificadores de pequefia serial (capitulo 8), pero este no es necesariamente el caso para los amplificadores de potencia, como los que seran considerados en el capitulo 15. En este analisis, nos concentrarernos principal mente en polarizar el transistor para una operacion de amplificacion a pequeiia seiia I.

Existe otro factor de polarizacion muy importante que debe ser considerado. Una vez que se selecciono y se polarize el BJT en un punto de operacion, el efecto de la temperatura tambien se debe tornar en cuenta. La temperatura causa que los parametres del dispositivo como la ganancia de corriente (j3,tel del transistor y lacorriente de fuga (lcEo) del rnismo, s~mo~~tiquen.Mayores temperaturas provocan un incremento en las corrientes de fuga del dispositive con 10 que se modifica la condicion de operacion establecida por la red de polarizacion, La coilsecuencia de esto es que cl disefio de la red debera proporcionar tambien un grado de estabilidad en temperatura de manera que los cambios de temperatura provoquen las menores modificaciones en el punto de operacion, La conservacion del punto de operacion puede especificarse mediante un/actor de estabilidad, S, el cual indica el grad~ de .cambio en el punto de operacion debido a una variacion de temperatura. Es deseable un circuito alta mente estable por 10 que la estabilidad de algunos circuitos basicos polar.izaclos sera com~arada. . .

Para que un BJT pueda polarizarse en su region lineal 0 acnva, deben cumplirse las siguien-

tes condiciones:

diarue la eliminacion 0 adicion de uno 0 dos terminos. El principal proposito de este capitulo es desarrollar un nivel de farniliaridad con el transistor BJT que permita realizar un analisis de de de cualquier sistema que pueda ernplear un amplificadorBJT.

4.2 PUNTQ OE OPERA CION

EI termino polantncion que aparece en el titulo de este capitulo es un termino muy amplio que cornprende todo 10 rclacionado con la aplicacion de de de para establecer un nivel fijo de corriente y voltaje. Para los amplificadores a transistor, la corricnte de de y el voltaje resultames cstablecen un punto de operacion sobre las caracterfsticas que define la region que sera cmpleada para Ia amplificacion de la serial aplicada. Debido a que cl punto de operacion es un punto fijo sobre las caracterfsricas, se le denomina tambien como punto de reposo (se abrevia como punto Q, de! ingles: quiescent point). Por definicion, repose significa quieto, estatico, inactive, En la figura 4.1 se rnuestra la caractcrfstica general de la salida de un dispositive, en la que se indican cuatro puntos de operacion. EI circuito de polarizacion puede disefiarse para establecer la operacion del dispositive en cualquiera de estes puntos 0 en otros dentro de la region activa. Los valores maximos se indican en las caracteristicas de la figura 4. I con una linea horizontal para la corrientc maxima del colec tor ICmh y con una linea vertical para el voltajc maximo del colector-ernisor La restriccion de maxima potencia se define por la curva P Co." en Ia misrna figura. En el extreme inferior de las escalas, se encucntra la region de corte, que se define por fs :s 0 f.1.A, Y la region de saturacion, definida por V CE :s V CE .

EI dispositive BJT puede encontrarse polarizado para operar fuera de estos lf~rtes maximos, sin embargo, el resultado de tal operacion serfa el recorte de la vida uti! del dispositive, 0 bien la destruccion del mismo. Limitandonos a la region activa, es posible seleccionar varias areas 0 puntos de operacion diferentes. Frecuentemente el punto Q seleccionado, dependera del uso que se piense dar al circuito. Aun asf, es posible considerar algunas diferencias entre los distintos puntos de operacion que se muestran en la figura 4.1 con el objetivo cle presenrar algunas ideas basicas sobre el punto cle operacion y, por consiguiente, del circuito de polarizacion.

Ie (mA)

l. La union base-emisor debe estar en polarizacion directa (voltaje de la region p mas positivo), con un voltaje resultante en polarizacion directa entre 0.6 y 0.7 V.

2. La union base-col ector debe estar en polarizacion inversa (voltaic de la region 11 mas positivo), con el voltaje de polarizacion inversa dentro de los llmites maximos del dispositivo.

o 1 VCCsat

10

15

20

VCIi(V)

[Observe que para la polarizacion directa, eJ voltaje a traves de la union P-Il es p-positivo, mientras que para la polarizacion inversa es opuesto (inverso) con Il-positivo, Este enfasis en la letra inicial debera de servir como un medio para ayudar a memorizer la polaridadnecesaria del voltaic],

La operacionen las regionesde corte, de saturacion y lineal de las caracteristicas del BJT se proporcionan a continuacion:

l. Operacion en region lineal:

Union base-emisor en polarizacion directa Union base-colector en polarizacion inversa

2. Operacion en region de corte:

Union base-emisor en polarizacion inversa Union base-colec tor en polarizacion inversa

'1 A,I

Corte

Figura 4.1 Distintos puntos de operacion dentro de los lirnires de opcracion de un transistor.

164

Capitulo 4 Polarizacion de dc para BJTs

4.2 Punto de operacion

165

3. Operacion en region de saturacion:

Union base-ernisor en polarizacion directa Union base-colector en polarizacion directa

Mana colector-emisor

En la figura 4.5 se presenta la seccion colector-emisor de la red, junto con la direccion de la rricnte Ie indicada y la polaridad resultante sobre Re. La magnitud de la corrientedel

se encuentra relacionada dirccramcnte con In mediante

4.3 CIRCUITO DEP()LARlZACION FlJA

El circuito de polarizaclon fija de la figura 4.2, proporciona una introduccion relativamente directa y simple al analisis de la polarizacion en de de los transistores. lncluso aunque la red utiliza una configuraci6n de transistor npn. las ecuaciones y los calculos aplican de igual forma para las configuraciones del transistor pnp cambiando simplemente todas las direcciones de corriente y las polaridades de voltaje. Las direcciones de corriente de la figura 4.2 son direcciones reales, y los voltajes estan definidos por la notacion estandar de doble subfndice. Para el analisis de de, la red puede aislarse de los niveles de ac indicados reernplazando los capacitores con equivalentes de circuito abicrto. Ademas, la fuente de de voltaje Vec puede dividirse en dos fuentes (solamente para propositos de analisis), como se muestra en la figura 4.3, para permitir una separacion de los circuitos de entrada de los de salida; esto tambien reduce la conexi6n entre las dos, con la corriente de base lB' La separacion es sin duda valida como se observa en la figura 4.3, donde Vee se encuentra conectada directamente a Rs y aRc, justo como en la figura 4.2.

Es interesante observar que debido a que la corriente de base es control ada por el nivel de Ril y que J c esta relacionada con In por la constante {3, la magnitud de lc no es una funcion de la resistencia Re. El cambio de nivel de Re no afectara el nivel de IB 0 Ie siernpre y cuando se permanezca en la region activa del dispositive. Sin embargo, como verernos, el nivel de Rc determinara Ia rnagnitud de VeE, el cual es un parametro importante,

Si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff en direccion de las manecillas del reloj alrcdedor de la malla cerrada indicada en la figura 4.5, tendremos 10 siguiente:

VeE + lcRc Vce 0

y

Vee

la cual establece en palabras que el voltaje a traves de la region colector-ernisor de un transistor en la configuracion de polarizacion fija es igual a la fuente de voltaje menos la cafda de voltaje en Re.

Como un breve repaso de la notacion de subindice sencillo y doble recuerde que

Vee

RIJ L

Sefial . Ie

de ac de 0------) t--~--<'_--o---I

entrada C, B +

Figura 4.4 Malia base-ernisor.

166

Ademas, ya que

Sefial f------o de ac de

C2 salida

donde VeE es el voltaje colector-emisor y: Ve Y VE son los voltajes del col ector y del emisor a tierra respectivamente, Pero en este caso, dado que V E= 0 V, tenemos

Figura 4.2 Circuito de polarizaci6n fija,

Figura 4.3 Equivalente de de de la figura 4.2.

y como VE ::: 0 V, entonces

Polarizacion directa de base-emisor

Considere primeramente la mall a del circuito base-emisor de la figura 4.4. AI escribir la ecuaci6n de voltaje de Kirchhoff, en direcci6n de las maneciIlas del reloj, obtenemos

(4.10)

Tenga en mente que los niveles de voltaje como VeE se determinan mediante la colocaci6n de la punta de prueba roja (posit iva) del voltimetro en la terminal del colector, y la punta negra (ncgativa) en la terminal del emisor como se muestra en la figura 4.6. Ve es el voltaje del colector a tierra y se mide como se muestra en la misrna figura. En este caso, las dos lecturas seran identic as, pero en las redes que siguen, las dos pueden ser muy diferentes. Para la localizaci6n de fallas de las redes de transistores, es muy irnportante entender claramente la diferencia entre las dos medici ones.

Observe la polaridad de la caida de voltaje sobre RB establecida por la direcci6n de / o que se indica. Al resolver la ecuacion para la corriente //J el resultado es el siguiente:

(4.4)

La ecuaci6n 4.4 no es diffcil de recordar si se toma en cuenta que la corriente de base es la corriente a traves de Rs, y de acuerdo con la ley de Ohm, esta corriente es igual al voltaje a traves de Rn divido entre la resistencia Rn. EI voltaje a traves de Rs sera igual al voltaje aplicado en un extremo, menos la caida a traves de la union base-emisor (Vnd. Ademas, debido a que tanto el voltaje fuente Vee como el voltaje base-ernisor VSE son constantes, la seleccion del resistor de la base Rs, establecera el nivel de la corriente de base para el punto de operacion.

(4.5)

Figura 4.5 Malia errusor.

(4.6)

(4.7)

(4.8)

(4.9)

Figura 4.6 Mcdicion de V CE Y Vc,

Determine 10 siguiente para la configuraci6n de polarizacion fija de la figura 4.7. (a) IBQ e ICQ'

(b) VCEQ'

(e) VB Y Ve· (d) Vnc.

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.3 Circuito de polarizacton Iija

E]EMPLO 4.1

167

Vee =+12 V

Ie

.j Rc

2.2 kn

Ie c,

Salida +---It-( --de ac

+\ 10~F

VeE fh50

I

Re 240kO

_ C1

Entrad~ de ac ------,1--4-----1

lO~F

Figura 4.7 Circuito de de

-:-1------------------+

o VeE

polarizacion cjemplo 1

pam e l

(h)

(a)

Solucion

Figura 4.8 Regiones de saturacion: (a) real: (b) aproximada

12 V - 0.7 V

Rs = - 240 kn = 47.08 itA

Ico = /3IBQ = (50)(47.08 p.A) = 2.35 rnA

VeEQ = Vee JeRe

= 12 V - (2.35 mA)(2.2 kD) = 6.83 V

(a) Ecuaci6n (4.4):

Al aplicar los resultados al esquema de la red tendremos la configuracion de la figura 4.9.

Por tanto, y para el futuro, si existiera una necesidad inmediata de conocer la corriente de colector maxima aproximada (nivel de saturacion) para un diseiio particular, solamente se debe insertar un equivalente de corto circuito entre el colector y el emisor del transistor y calcular la corriente resultante del colector, En resumen, hay que establecer VeE = ° V. Para la configuracion de polarizacion fija de la figura 4.10, se aplico el corto circuito, ocasionando que el voltaje a traves de Re se convierta en el voltaje aplicado Vee. La corriente de saturacion resultante para In configuracion de polarizaci6n fija es

Ecuacion (4.5): (b) Ecuaci6n (4.6):

~'

)' RCE =00

(v CE = 0 Y, Ie = lc )

sa

(e) VB =: VBE = 0.7 V Ve = VeE = 6.83 V

(d) Al utilizar notacion de doble subindice tenernos

VIiC = VB - Ve = 0.7 V - 6.83 V -6.13 V

Figura 4.9 Determ.nacion Ie"l"

Vec J =-

e~ Rc

(4.11)

r-------<r-oVee

el signo negativo revela que la union se encuentra en polarizacion inversa, como debe ser para el caso de amplificacion lineal.

Rn

Saturacion del transistor

El termino saturacion se aplica a cualquier sistema donde los niveles alcanzan los valores maximos. Una esponja saturada es aquella que no puede absorber una gota mas de lfquido. Para el caso del transistor que opera en Ia region de saturacion, la corriente es el valor maximo para el diseiio particular. Si se cambia el disefio, el nivel de saturaci6n correspondiente puede incrementar 0 disminuir. Desde luego, el nivel de saturaci6n mas alto 10 define la corriente maxima del colector y se presenta en la hoja de especiticaciones.

Las condiciones de saturacion se evitan normalmente porque la union basc-colector ya no se encuentra en polarizacion inversa y la sefial arnplificada de salida se distorsionara, En la figura 4.8a se describe un punto de operacion en la region de saturacion. Observe que se encuentra en una region donde las curvas caracterfsticas se.unen y el voltaje colector-emisor se encuentraen 0 por debajo de V CE,,,,' Ademas, la corriente del colector es relativamente alta sobre las caracterfsticas.

Si aproximamos las curvas de Ia figura 4.8a con aquellas que aparecen en la figura 4.8b, se distingue de forma evidente un metoda directo para deterrninar el nivel de saturacion. En la figura 4.8b, la corriente es relativamente alta, y el voltaje VeE se asume de cero volts. Al aplicar la ley de Ohm, la resistencia entre las terminales del colector y el emisor puede determinarse de la siguiente forma:

+

Figura 4.10 Determinacion de Ie,,, para la configuracion de polarizaci6n Iija.

Una vez que Ie", se conoce, tendremos una idea de la corriente del colee tor maxima posible para el disefio seleccionado y el nivel bajo el cual debera permanecer si se espera una amplifiesci6n lineal.

Determine el nivel de saturacion para la red de la figura 4.7.

EjEMPLO 4.2

Solucion

Vee 12 V

Ie = ~ = -- = 5.45 rnA

vu Re 2.2 kD.

168

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

169

4.3 Circuito de polarizaci6n fija

EI disefio del ejernplo 4.1 dio por resultado Icc = 2.35 rnA, el cual sc encuentra lejos del nivel de saturacion y cerca de la mitad del valor maximo para el diseno.

Analisis por medio de la recta de carga

Hasta el memento, el analisis se ha efectuado utilizando un nivel de (3 correspondicnte con el punto Q resultantc. Ahora vercmos la forma en que los parametros de la red definen el fango posible de puntos Q y Ia forma en que se determina el punto Q actual. La red de la figura 4.11 a cstablece una ecuacion de salida que relaciona a las variables Ic Y V CE de Ia siguiente forma:

(4.12)

Las caracteristicas de salida del transistor tambien relacionan las mismas dos variables lc Y V CE como sc muestra en la figura 4.11 b.

POI' 10 tanto, basicamente tenemos una ecuacion de red Y un conjunto de caracterfsticas que unlizan las misrnas variables, La solucion cormin de las dos se presentara cuando las restricciones establecidas por cada una, se satisfacen de mantra simultanea. En otras palabras, esto es similar a encontrar la solucion de dos ecuaciones simultaneas: una de ellas establecida por la red Y la otra por las caracteristicas del dispositivo.

En la figura 4.11b se proporcionan las caracteristicas del dispositivo de Ie en funcion de V CEo Ahora deberemos sobreponer la linea recta definida por la ecuacion 4.12 sobre las caracterfsticas. EI metodo mas directo para graficar la ecuacion 4.12 sobre las caracterfsticas de salida es utilizar el hecho de que una linea recta se encuentra definida pOI' dos puntos. Si decidimos que Ie sea igual a 0 mA en la ecuacion 4.12, encontamos que

VeE = Vee (O)Re

y

(4.13)

que define un punto para la linea recta como se rnuestra en la figura 4.12.

Ie (rnA)
50 ~tA
40 ~A
6 V
30 I-tA
4
2Ol-tA
3 17
2 Wl-tA
"
f
VCE t 18=0 ~tA
I I _L
0 t 10 15 VCE (V)
ICEO
Ca) (b) Figura 4.11

Analisis par medio de la recta de carga: (a) la red; (b) las caractertsticas del dispositive.

170

Capitulo 4 Polartzacion de de para BJTs

Recta de carga

o

Figura 4.12 Recta de en polarizacion Iija.

Si ahora seleccionomos V CE igual a 0 V, 10 que establece al eje vertical como la linea sobre la cual se definira e1 segundo punto, encontramos que Ie queda determinada poria siguiente ecuacion:

e

(4.14)

de laforma en que aparece en la figura 4.12.

Al unir los dos puntos definidos pOl' lasecuacionesa.B Y 4.14; es posible trazar la linea rectaestablecidapor la ecuacion 4,12. La linea resultante en la gnifica de la figura 4.12 sedenomina recta de carga ya que esta definida POI' el resistor de carga Re. AI resolver para el nivel resultante de l». es posible establecer el punto Q real como se rnuestra en la figura 4.12.

Si el nivel de Ie se modifica al variar el valor de Rn, entonees el punto Q se movers hacia arriba 0 hacia abajo de la recta de carga como se muestra en la figura 4.13. Si Vce se manticne fijo y Rc cambia, la recta de carga se desplazara como se muestra en la figura 4.14. Si IB se mantiene fija, el punto Q se movera como se aprecia en la misma figura. Si Rc se mantiene tija y Vcc varia. la recta de carga se desplazara como se muestra en la tigura 4.15.

Ie
Ic Vee
R;-
Vee
Re
Vee
R;
Vee
Rj Figura 4.13

Movimiento del punto Q con niveles crecientes de ID'

4.3 Circuito de polarizacion Iija

171

~e ~E

Figura 4.14 Efecto del incremento en los niveles de Rc sabre la recta de earga y el punta Q.

4.4 CIRCUITO DE POlARlZACION ESTABIUZADO EN EMISOR

La red de polanzacion de de de la figura .4.17 contiene unresistor en el ernisor para mejorar el nivel de estabilidad de laconfiguracion en polarizacion fija; La mejora en la estabilidad scra demostrada mediante un ejernplo numerico mils adclante en esta secci6n. El analisis sc llevar.i a cabo examinando primerarnente la malla base-emisor y luego utilizarernos los resultados para investigar la mall a colector-ernisor.

Vee

Figura 4.15 Efecto de los valores bajos de Vee sabre la recta de carga y el punta Q.

Figura 4.17 Circuito de 1'0- larizacion para BJT con resistor en emisor.

E]EMPLO 4.3

~

Vj 0----1;1----+-----1

Ct

172

Dada la recta de carga de Ia FIgura 4.16 y el punto Q definido ell ella, determine los val ores de Vee, Re Y RB para la configuracion de polarizaci6n fija.

IC<mA)

50llA

10

Malla base-emisor

La malla base-ernisor de la red de la figura 4.17puede volverse a dibujar como semuestra en lafigura 4, 18.AI utilizar laley de voltaje de Kirchhoff alrededor dela mall a indicada en el sen' tido de las manecillas del reloj el resultado Sera la siguiente ecuaci6n:

(4.15)

Recucrde del capitulo 3 que

(4.16)

20 VeE Figura 4.16 Ejemplo 4.3.

Al sustituir h en la ecuacion 4.15 tenemos

Vee - IBRa - VeE - (f3 + I)I/JRE = 0

Solucion

De la figura 4.16,

V CE = Vee = 20 V a Ie == 0 rnA

y

Ie = a VeE = 0 V

Re

Vee 20V

Re = I; == 10 rnA == 2 kil

Vee - VEE

I B = -"'''--....._C::':;:

R8

Vee - VBE R8 = _;;..;;___=

18

20V

Al agrupar los terrninos resulta 10 siguiente:

-IB(RB + (f3 + l)Rd + Vee - VeE = 0 Al rnultiplicar por (-1) tenemos

con

IB(RB + (f3 + 1 )RE) IB(RB + (f3 + ORE)

Vee + VBE = 0

Vee VBE

y al resolver para IB obtenernos

(4.17)

O.7V ---- ==772kil 25 {LA

Observe que la unica diferencia entre esta ecuaci6n para IB y la obtenida para el caso de 1a configuracion en polarizaci6n fija es el termino ({3 + l)RE·

De la ecuaci6n 4.17 puede derivarse un resultado interesante si la ecuaci6n se utiliza para esquematizar una red en serie que resultaria en la misma ecuaci6n. Tal es el caso de la red en

y

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.4 Circuito de polarizacion estabilizado en emisor

Figura 4.18 Malia bse-emisor.

173

Figura 4.19 Red ecuacion

Figura 4.21 Malia colee torernisor.

174

de

Figura 4.20 Ni vel de impedancia

rcllejada Rr

la Figura 4.19. Al resolver para la corriente Is tendremos la rnisma ecuacion obtenida anteriormente. Observe que ademas del voltaje base-crnisor VSE> el resistor RE se refleja de regreso al circuito base de entrada por un factor de (f3 + I). En otras palabras, el resistor del ernisor, que forma parte de la malla colector-ernisor, "aparece como" (f3 + 1) RE en la malla base-emisor, Dado que tfpicamente el valor de f3 es de 50 0 mas, el resistor del emisor aparenta ser mucho mayor en el eircuito base. Por 10 tanto, en general, para la configuracion de la figura 4.20,

I Ri = ([3 + I )RE

(4.18)

La ecuacion 4.18 resultara ser uti! en el analisis que sigue, De hecho, proporciona una forma bastante facil de recordar la ecuacion (4.17). A traves de la ley de Ohm, sabemos que la corriente a traves de un sistema es igual al voltaje del circuito dividido entre la resistencia del mismo. Para el circuito base-ernisor, el voltaje neto es Vee - VBE. Los niveles de resistencia son RB mas RE reflejado por (fJ + I). El resultado es la ecuacion 4.17.

Vee

Malla colector-emisor

La rnallacolector-emisor se vuelve adibujar enIa figura 4.21. Despues de utilizar.la ley de voltaje de Kirchhoff, en el sentido de las manecillas del reloj, para la mall a indicada tendremos:

+IERE + VeE + IeRe - Vee == 0 Al sustituir h "" Ie y agrupar los terminos obtenemos

Vee Vee + Ic(Re + RE) = 0

El voltaje con subindice sencillo V E es el voltaje del emisor a tierra y se determina por

(4.20)

mientras que el voltaje del colector a tierra puede detcrminarse mediante VeE == Ve - VE

y

(4.22)

(4.21)

o

EI voltaje en la base con respeeto a tierra puede determinarse mediante

I VB = Vee - IBRB I (4.23)

0 I VB = VBE + VE I (4.24) Capitulo 4 Polarlzacion de de para BJTs

Para In red de polarizacion en emisor de la figura 4.22, determine: (a) lB'

(b) Ie· (e) Va (d) v,

(e) Vi:

(I) VB' (g) Vec·

+20Y

430 kQ

10 JlF Vi ----}I----+------'!

Figura 4.22 Circuito de polartzacion esrabihzado en ernisor del ejemplo 4.4.

Solucion

20 V 0.7 V

(a) Ecuaci6n (4.17): IB = RB + ({3 + I)RE

430 kfl + (51)(1 kfl)

19.3 V = 40.1 A

481kn p.

(b) Ie = st,

== (50)(40.lfLA) "" 2.01mA

(c) Ecuacion (4.19): VeE = Vee - Ic(Re + RE)

= 20 V (2.01 mA)(2 kfl + I kH) = 20 V - 6.03 V

= 13.97 V

(d) Ve = Vee IeRe

= 20 V (2.01 mA)(2 kn) = 20 V 4.02 V

15.98 V

(e) VB '" Vc - VeE

= 15.98 V 13.97 V

= 2.01 V

o VE IERE"" [eRE

= (2.01 mA)(1 kfl) == 2.01 V

(f) VB = VBE+ VE

= 0.7 V + 2.01 V = 2.71 V

(g) Vse = VB - Vc

= 2.71 V - 15.98 V

= -13.27 V (con polarizacion inversa como se requiere)

4.4 Cireuito de polarizacton estabilizado en emisor

E]EMPLO 4.4

175

Determine In corriente de saturacion de la red del ejemplo 4.4.

E]EMPLO 4.6

Estabilidad de polarizaci6n mejorada

La incorporacion del resistor del ernisor para la polarizacion de de para el BJT, proporciona una mejora en la cstabilidad, es decir, la corriente y el voltaje en polarizacion de permancceran eercanos a losniveles cstablccidos por el circulto a pcsar de cambios en las condiciones exteriores como hi temperatura y la beta del transistor. Mientras se proporciona un analisis mate matico en la seccion 4.12, es posible obtener un analivis comparative de la mejora como se demuestra en el ejernplo 4.5.

Solucion

I - ~--=-=c., - Rc + RE

20V

= --,,-~-"----

2kfl + I kn

6.67mA

20V 3kfl

EjEMPLO 4.5

10 cual representa cerca de tres veces el nivel de ICQ del ejernplo 4.4.

Vee

Figura 4.23 Determinacion de para el circuito de polarizaestabilizada en ernisor.

176

Prepare una tabla y compare el voltaje y las corrientes de polarizacion de los circuitos de las figuras 4.7 y 4.22 para el valor dado de {3 50 Y para el nuevo valor de {3 '" 100. Compare

los cam bios lc Y VeE para el mismo incremento de {3.

Solucion

Analisis por medio de la recta de carga

El analisis por medio de la recta de carga de la red de polarizacion en emisor es ligeramente difcrente del encontrado para el caso de la configuracion en polarizacion fija. EI nivel de 18 como 10 determina la ccuacion 4.17 define el nivel de 18 sobre las caracterfsticas de la figura 4.24 (denotado como I/3Ql.

Al utilizar los resultados calculados en el ejemplo 4.1 y luego repctir para un valor de f3;;; 100 tendremos 10 siguiente:

(3 I,,(}.LA) Ic;(mA) V,,(V)
Ie
50 47.08 2.35 6.83
100 47.08 4.71 1.64
Vee
Rc+ RE La corriente del colee tor del BJT cambia 100% debido al cambio de 100% en el valor de {3. 18 se mantiene igual, y Vcc disminuyo 76%.

AI utilizar los resultados calculados en el ejemplo 4.4 y luego repetirlos para un valor de {3 '" 100, tendremos 10 siguiente:

(3 I,,(}.LA) Ic(mA) ViE (V) Figura 4.24 Recta de carga
50 40.1 2.01 0 Vee VCE para la configuration de polari-
13.97 zacion en emisor.
100 36.3 3.63 9. II La ecuacion de la malla colector-emisor que define a la recta de carga es la siguiente:

VCE = Vcc Ic(Rc + RE)

Ahora, la corriente del colector del BJT se incremento 81 % debido al incremento del 100% en f3. Note que II! disminuyo, para ayudar a mantener el valor de I c, 0 al menos para reducir el cambio global de Ic como consecuencia del cambia en f3. El cambio en VCE cayo en cerca de 35%. La red de la figura 4.22 es par 10 tanto, mas estable que la de la figura 4.7 para elmismo cambio en {3.

Al seleccionar leO mA, tcnemos

(4.26)

segun se obtuvo para la configuracion de polarization fija, Al seleccionar V CE'" a v tenemos

Nivel de saturaci6n

(4.27)

EI nivel de saturacion del colector 0 corriente maxima del colector, para un disefio de polarizacion en emisor puede determinarse al utilizar elmismo enfoque que se aplico para la configuracion de polarizacion fija: Aplicando un "corto circuito" entre las terminales colector-emisor como se rnuestra en la figura 4.23 y calcule lacorriente del colector como se observa en la figura 4.23:

como se muestra en la figura 4.24: Niveles diferentes de ISQ desplazaran, como es evidente, al punto Q haciaarriba 0 hacia abajo sobre la recta de carga.

(4.25)

4.5 POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

En las configuraciones de polarizacion previas, la corriente ICQ y el voltaje V CEQ de polarizacion eran funcion de la ganancia de corriente (f3) del transistor. Sin embargo, debido a que f3 es sensible a la temperatura, especial mente para el caso de los transistores de silicio, y a que el valor real de beta norrnalmente no se encuentra bien definido, seria rnuy deseable desarrollar un cir-

La incorporacion del resistor del emisor redujo el nivel de saturacion del col ector por debajo del que se obtuvo con una configuracion de polarizacion fija que utiliza el mismo resistor del colector.

Capitulo 4 Polartzacion de de para BJTs

4.5 Polarizacion por divisor de voltaje

177

Vee

Ie

RTh: La Fuente de voltaje se rccmplaza por un cquivalente de COrlO circuito como se muestra en la figura 4.28.

ETh: La Fuente de voltaje Vee se reincorpora a la red yse calcula e! voltaje Thevenin de circuito abierto de la figura 4.29 como sigue:

Al aplicar Ia regia del divisor de voltaje:

(4.29)

Luego la red de Thevcnin se vuelve a dibujar como se muestra en la figura 4.30, y po-

dra dcterminar IBQ al aplicar primerarnente la ley de voltaje de Kirchhoff en direcci6n de las manecillas de reloj para la malIa que se indica:

ETh - fsRTh - VSE - JERE 0= 0 AI sustituir hi = (f3+ 1)111 Y resolver para IB tenemos:

Figura 4.25 Configuracion de polanzacion per divisor de volta]e.

Figura 4.26 DefI01Cl("n del punta Q bajo la conliguracion de polarizacion de divisor de voltajc

(4.30)

cuito de polarizacion que sea menos dependientc, 0 de hecho, indepcndiente de la beta del transistor. La configuracion de polarizaci6n por divisor de voltaje de la figura 4.25 es una red que cumple con tales condiciones. Si esta se analiza sabre una base rigurosa, lasensibilidad a cambios en beta es muy pequefiu, Si los parametros del circuito son seleccionados adecuadamente, los niveles resultantes de ICQ Y V CEQ llegan a ser casi total mente independientes de beta. Recuerde de analisis anteriores que un punto Q se define pOI' un nivel fijo de Ic y VCEQ como se muestra en In FIgura 4.26, EI nivel de 1l1Q se altcrara con cambios en beta, per6 el punto de operacion sobre las caractensticas definido por I cQ.Y V CEQ puede permanecer fijo si se ernplean panimetros apropiadosdel circuito,

Como se indica antes, existen dos metodos que pueden aplicarse para analizar la configuraci6n por divisi6n de voltaje, La razon para la elcccion de los nombres para esta configuracion sera obvia con el analisis siguiente, EI primero que se demostrara es el metodo exacto que puede aplicarse en cualquier configuraci6n por division de voltaje. EI segundo se denomina 11113todo aproximado Y puede aplicarse solamente si sc satisfuccn condiciones especfficas. EI metodo aproximado permite un analisi» mas directo que ahorra tiempo y energfa. Ademas, es particularrncnte uti! para la modalidad de dixefio que se describira en una seccion posterior. En general, el enfoque aproximado puede aplicarse a In mayorfa de las situaciones por 10 que debora estudiarse con el mismo interes que el metodo exacto.

Aunque la ecuaci6n 4.30 inicialmente pareee diferente de aqucllas que hemos elaborado antes, observe que nuevamente el numerador es la diferencia entre dos niveles de voltajc y que cl denominador es la suma de la resistencia de base y el resistor del emisor reflejado pOl' (j3 + 1),10 eualciertamente es muy similar a la ecuaci6n 4.17.

Una vez que se conoce Is, las cantidades restantes de la red pueden encontrarse de la mismaforma que la empleada para la configuracion con polarizaci6n en emisor. Es decir,

(4.31)

10 eual es exactamente igual a la ecuaci6n 4.19. Las ecuaciones restantes para VE, Vc Y VB son tarnbien las mismas que las obtenidas para la eonfiguraei6n de polarizaci6n en emisor.

~~-o_ 1 .. 1 RTI;

":" "='

Figura 4.28 Dcttrmin~t(':l~)n de RT11>

F:~';

':'

Figura 4.29 Dcterrninac ion de Erh.

Figura 4.30 lnscrcion del circuuo cqulvalcnrc de Thcvenin.

Determine el voltaje de polarizaci6n de de VCE y la corriente lc para la configuracion pOl' divisor de voltaje de la figura 4.31.

EjEMPLO 4.7

Soluclon

Analisis exacto

La parte de la entrada en la red de la 4.25 puede vol verse a dibujar como se presenta en Ia figura 4.27 para el anal isis de de. La red equivalente de Thevenin para Ia red a la izquierda de la terminal de la base puede determinarse de la siguiente forma:

+22 V

. ,

Figura 4.27 Rcdibujo de la parte de entrada de la red de

Thevenin la figura 4,25.

Figura 4.31 Circuito de beta estabilizada para el ejemplo 4.7.

178

Capitulo 4 Polarization de de para BJTs

4.5 Polarizacion par divisor de voltaje

179

RdlR2

(39 kf1)(3,9 kn)

y R2 podran ser considerados elementos en serie. EI voltaje a traves de R2, que en realidad es el voltaje de base, puede deterrninarsc mediante la regla del divisor de voltaje (de uhf el nombre de III configuracion). Esto es,

Ecuacion (4,28): RTb

= O.85mA

Ecuacion (4.31): VeE = Vee - h(Re + RE)

= 22 V - (0,85 mA)(IO kfl + 1.5 kfl)

= 22 V 9.78 V

= 12.22 V

Ecuacion (4.29):

Ecuaci6n (4.30)

3,55 Hi

39 kfl + 3.9 k!'l

(432)

(3,9 kf1 )(22 V)

-'-----'---'- = 2 V

39 kn + 3.9 kfl

Debido a que R; ([3 + I )R£ "" [3RE la condicion que definira 51 el enfoque aproxima-

do puede aplicarse sera la siguiente:

(4.33)

RTh + ([3 + I)RE

2 V - 0,7 V

1.3 V

----

355 kfl + 211.5 kf1

En otras palabras, si f3 veces el valor de RE es al menos 10 veces el valor de R], es posible aplicar el enfoque aproximado con un alto grade de exactitud.

Una vez que VB se determine, el nivel de VE puede ser calculado con

3,55 kn + (141)(1.5 Hl) := 6.05 /LA

Ie = [3In

= (140)(6.05 /LA)

(4.34)

y la corriente del emisor se determine a partir de

r..»: ~

(4.35)

e

(4.36)

El voltajecolector a emisorse determina por

Vee JeRe

Analisis aproximado

La secci6n de entrada de Ia configuraci6n por divisor de voltaje puede ser representada poria red de la figura 4.32, La resistencia R; es la resistencia equivalente entre la base y la tierra para el transistor con un resistor en el emisor RE, Recuerde que en la seeci6n 4,4 (ecuaci6n 4.18) la resistencia reflejada entre la base y el emisor se define por R; = ({3 + I) RE• Si R, es rnucho mayor que la resistencia R2, la corriente III sera mucho menor que J2 (la corriente siempre busea el camino con menor resistencia) e 12 sera aproximadamente igual a II. Si se acepta Ia aproximacion de que III es esencialmente cero amperes, comparada con II 012, entonces II = 12 Y RI

+

180

pero dado que IE

(4,37)

Observe que en la seeuencia de calculos dcsde la ecuacion 4.33 ala ecuacion 4.37, f3 no aparece y que IB no fue calculada, EI punto Q (scgun se determine por ICQ y VCEQ) sen! pOI' 10 tanto independiente del valor de {3.

Repita el analisis de la figura 4.3 I utili zan do ahora la tecnica de aproximacion, y compare las soluciones para leQ y VaQ,

Soluci6n Probando:

[3RE 2: lORz

(140)(1.5 kfl) 2: 10(3.9 kfl) 210kfl2: 39 kfl (satisfecha) R2Vee VB=---

RI + Rz

,

1 B -11-

....

Ecuaci6n (4,32):

RI RI »Rz (II ;;;, 12)

Figura 432 Circuito de polarizacion parcial para caleular el voltaje de base aproximado VB,

(3.9 kfl)(22 V) 39 kfl + 3,9 kfl

=2V

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

45 Polariaacion por divisor de voltaje

181

Observe que el nivel de VB es el misrno que el de RTh determinado en el ejemplo 4.7.

Esencialmente, por 10 tanto, In principal diferencia entre las tecnicas exacta y aproxirnada es el efecto de RTh en el caso del analisis exacto, el eual scpara ETh y VB'

Ecuacion (4.34): VE = VB VBE

= 2 V - 0.7 V 1.3 V

Al tabular los resultados se obtiene:

f3

(v)

140 70

0.85

12.22 12.46

1.3 V

--- = 0.867 rnA i.s in

Los resultados clararnente muestran la insensibilidad relativa del circuito ante cambios en f3.

Incluso cuando f3 se divide drasticamente a la mitad, de 140 a 70, los niveles de y

son esencialmente los mismos.

cornparado con 0.85 mA bajo anal isis exacto. Finalmente,

VeE" Vee - Ic{Rc + RE)

22 V - (0.867 rnA)(lO kV + 1.5 kfl) 22 V - 9.97 V

12.03 V

contra 12.22 V obtenido en el ejemplo 4.7.

Los resultados de leQ Y VCEQ son ciertamente muy cercanos, y considerando las variaciones reales en los valores de los parametres, puede considerarse uno tan preciso como el otro. Mientras mayor sea el nivel de R, cornparado con Rz, mas cercana se encontrara la solucion aproxirnada a la ex acta. El ejcmplo 4.10 cornparara las soluciones bajo un nivel muy por debajo de la condici6n establccida por la ecuacion 4.33.

Determine los niveles de ICQ y VCEQ para la ccnfiguracicn de divisor de voltaje de la figura 4.33 mediante las tecnicas exacta y aproximada y compare las soluciones, En este caso, las condiciones de la ecuacion 4.33 no scran satisfechas, sin embargo, los resultados revelaran la diferencia en las soluciones si el criterio de la ecuacion 4.33 se ignora.

18V

Este ejemplo no presenta una comparaci6n entre los metodos exacto y aproximado sino una prueba acerca de cuanto se rnovera el punto Q si el nivel de f3 se divide a la mitad. RTfz yEn, son los mismos:

Figura 4.33 Conliguracion de divisor de volia]e para el ejcmplo 4.10.

EjEMPLO 4.9

Repita el analisis exacto delejemplo 4.7 si [3 se reduce a 70y compare las soluciones para IcQY VCEQ'

Soluclon

RTh = 3.55 kn,

ETh Vae

liJ = -._-._--

RTh + ([3 + l)RE

2 V - 0.7 V

---- = --------

3.55 kfl + (71)(I.5 kH)

= I I.81 /LA

lcu = et,

= (70)(11.81 /LA) == 0.83 m A

VCEQ = Vcc - IcCRe + RE)

= 22 V - (0.83 mA)(lO kn + 1.5 kf!)

Solucion

1.3 V

Por analisis ex acto

3.55 kH + 106.5 kn

Ecuacion (4.33): f3RE;::: IOR2 (50)(1.2 kfl);::: 10(22 kH)

60 kH it 220 kf! (no satisfecha)

RTh = RdlR2 82 kf11122 k!1= 17.35 kfl

R2VCC 22kfl(18V) = 3.81 V

ETh = R I + R2 = 82 kfl + 22 kfl

3.81 V -:.. ... f}}__ V __ = ~~ == 39.6 {LA

17.35 kG + (51)(1.2 kG) 78.55 kf!

== 12.46 V

182

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.5 Polarizacion por divisor de voltaje

183

{3JB == (SO)(39.6/-LA)

y

(439)

1.98 rnA

Vee - Ic(Rc + RE)

18 V (1.98 mA)(S.6 kf1 + 1.2 kfl)

4.54 V

(4040)

Por analisis aproximado

VB = ETh 3.81 V

VI VB VEE 3.8IV-O.7V=3JIV

3.11 V

El nivel de J B es. desde luego. determinado por una ecuacion diferente para las configuraciones de polarizacion por divisor de voltaje y de polarizacion en ernisor.

1.2kD

2.59 rnA

VeEQ Vee IdRc + RE)

18 V (2.59 mA)(5.6 kn + 1.2 k{l)

= 3.88 V

Mathcad

EI poder y la utilidad de Mathcad puedcn demostrarse ahora para el caso de la red del ejemplo 4.7. Cuando se utiliza Mathcad, no hay necesidad de preocuparse sobre cual metodo (exacto 0 aproximado) debora de emplearse para la red de polarizaci6n por divisor de voltaje: ya que Mathcad siempre proporcionara los resultados mas precisos posibles para los datos capturados.

Como se muestra en la figura 4.34. primero se capturan todos los parametres (variables) de la red, sin necesidad de incluir las unidades de medici6n. Aunque el listado aparece como el mostrado en la figura 4.34, en el almacenamiento (disco duro intemo 0 disco flexible) es posible modificar los parametres en cualquier momento con una actualizacion inmediata de los resultados. Todas las ecuacioncs luego se introducen en un orden que permita utilizar los resultados para calcular la siguiente cantidad de interes, Esto es, las ecuaciones se deberan capturar de izquierda a derecha y hacia abajo de la pantalla. En este ejemplo, IB se determina primero ya que sera utilizada para encontrar IC en la siguiente lfnea,

Mediante Mathcad, los resultados obtenidos corresponden exactamente para el caso de 18 e IC y sonligeramente difercntcs para VCE debido a que el nivel de precisi6n para Ie que maneja Mathcad para la solucion es mayor. La grandiosa ventaja de mantener esta secuencia de calculos almacenada, es que puede ser recuperada en pantalla para cualquier red de divisor de voltaje, y que es posible obtener los resultados de forma rapida y precisa, carnbiando simplemente las magnitudes de variables especfficas.

Tabulando los resultados tenemos:

ic,(mA) (V)
Exarto 1.98 4.54
Aproxirnado 2.59 3.88 Los resultados revelan las diferencias entre las soluciones exacta y aproximada. J c es casi 30% mayor con elanalisis aproximado, mientras que VCE es cerca de 10% menor. L~s resultados son notoriamente difercntcs en magnitud, pero inclusoaunque {3R" es s610 cerca de tres veces mayor que R2, losresultados son aun relativamente cercanos entre sf. En el futuro, sin embargo, nuestro analisis sent estipulado por la ecuacion 4.33 para asegurar una similitud cercana entre las soluciones exacta y aproxirnada.

Saturacion del transistor

Rl :=39,103

RE:= 15103

El circuito de salida colecto-emisor para la configuracion del divisor de voltaje posce la misma apariencia que la del circuito de polarizacion en cmisor analizado en la seccion 4.4. La ecuacion resultante para la corriente de saturacion (donde Veli se haec cero volts en la grafica) es por tanto, la misrna que se obtuvo para la configuracion de polarizaci6n en emisor, Esto es,

VCC :=22

bet. := 140

VBE :=0.7

RTh:=Rl'~ (Rl+R2)

ETh:=R2·~ (RI+R2)

(4.38)

IB :=.,-o:-;=-E~T-:ch;--_(VB--:-E:-:) =:(RTh1-(1x:1a+.I)·RE)

IB = 6045'10--6

IC:=bela,IB

-4 IC = 8.463'10

Analisis por medio de la recta de carga

Las similitudes con el circuito de salida de la configuracion de polarizaci6n en ernisor provocan las mismas intersecciones para la recta de carga de la configuracion del divisor de voltaje. POl' 10 tanto, la recta de carga tendra la misma apariencia que la de la figura 4.24, con

VCE :=VCC-IC(RC+ RE)

VCE" 12.267

Figura 4.34 Verificacion de los resultados del ejernplo 4.7 mediante Mathcad.

184

Capitulo 4 Polarizacion de de para BjIs

4.5 Polarizacion pOl' divisor de voltaje

185

4.6 POLARlZACION DE DC CON RETROAUMENTACION DE VOLTAJE

MalIa base-emisor

con la ausencia de R' de la configuracion de polarizacion fija, R' = R£ para la configuracion de polarizacion en ernisor (con ([3 + 1) == (3), y R' = Rc + RE para el arreglo de retroalimentacion del colector. El voltaje V' es la diferencia entre losdos niveles de voltaje.

Ya que Ie = [31 s.

{3V'

R8 + PR'

En general, mientras mas grande sea {3R' comparada con Rs, menor sera la sensibilidad de ICQ ante variaciones en la beta. Obviamente, si [3R' ;;, Rs y Rs + [3R' == [3R', entonces

{3V' V'

I - =-

eo - RB + {3R' - {3R' R'

e ICQ es independiente del valor de beta. Debido a que normalmente R' es mayor para la configuracion de retroalimentacion de voltaje que para la configuracion de polarizaci6n en emisor, la sensibilidad variaciones de [3 es menor. Desde luego, R' es igual a cero ohms para la configuraci6n de polarizaci6n fija y es pOl' tanto muy sensible ante las variaciones en beta.

La figura 4.36 muestra la mall a base-ernisor para la configuracion de retroalimentacion de voltaje. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de esta mall a en Ia direccion de las rnanecillas de reloj tenemos el siguiente resultado

Vee - IeRe lyRB - VBE - hRE = 0

posible obtenerun mejor nivel de estabilidad al introducir una traycctoria de retroalimcntacion desde cl colector ala base. como semuestra en la figura 4.35. A pesar de que el pllntoQ no es completamente independiente de la beta (incluso bajo condiciones de aproximacion), la sensibilidad ante cambios en la beta 0 a variaciones de temperatura es normalmente menor que la que se encuentra en las configuraciones de polarizacion fija 0 de polarizaci6n en emisor, EI analisis nuevamente So cfectuara comenzando por analizar la malla base-ernisor con los resultados aplicados luego a la mall a colector-cmisor,

Figura 4.35 Circuito de polarizacion de de con retroalimentaci6n de volta]e.

Mana colector-emisor

La malla colector-emisor para la red de la figura 4.35 se proporciona en la figura 4.37. AI aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de esta, en sentido de las maneeillas de reloj, el resultado es

IERE + VCE + IeRe - VCC 0

Dado que Ie = Ie y que l e = fe, tenemos

fe(Re + RE) + VeE - Vee = 0

y

(4.42)

Figura 4.36 Malla base-ernisor para la red de la figura 4.35.

el eual es exactamente el obtenido para las configuraciones de polarizacion en emisor y de divisor de voltaje.

Figura 4.37 MalIa colcctor-emisor para la red de la figura 4.35.

Determine los niveles de reposo de ICQ y V CEQ para la red de la figura 4.38.

E]EMPLO 4.11

Es importante observar que la corriente a traves de Rc no es Ie sino Ie (siendo Ie = Ie + 18)' Sin embargo, los niveles de lee Ie exceden por rnucho al nivel de Is por 10 que la aproximaci6n

n == Ie es normalmente utillzada. Al sustituir I~, = Ie f3IB e h; = fe resultara

Vee - f3IBRe - IeRs - VilE - f3IBRE := 0

Al agrupar los terminos tenemos

Vee - VBI' - (3Is{Rc + RE) - IBRB := 0 y a1 resolver para Is resulta

Solucion

Ecuaci6n (4.41):

Vee - VBE

I B == --=-----.::.:=---

RB + f3(Re + RE)

lOY - 0.7V

250 k'o + (90)(4.7 k'o + 1.2 k'o)

9.3 V

9.3 V

(4.41)

------- - ---

250 k'o + 531 kH 781 kH

11.91p.A

lcQ= f3Is = (90)(H.91 p.A) = 1.07 rnA

VeEQ = Vee - h(Re + RE)

10 V (1.07 mA)(4.7 kH + 1.2 kH)

10 V - 6.31 V

= 3.69 V

EI resultado es muy interesanteen cuanto a quesu formato es muy similar al de las ecuaciones parais obtenidas para configuraciones anteriores. Nuevamente elnumerador es la diferencia entre los niveles de voltajc disponibles, mientras que el denominador es igual a la resistencia de la base mas los resistores del colector y del emisor reflejados por beta. En general, por tanto, la trayectoria de retroalimentaci6n da por resultado un reflejo de la resistencia Rc de regreso hacia el circuito de entrada, de la misma forma que el reflejo de RE•

En general, la ecuaci6n para Is ha tenido el siguicnte formato:

V'

I ----s - Rs + f3R'

186

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

lOY

Figura 4.38 Red del ejernplo 4.11.

4.6 Polarizacion de de con retroalimentacion de voltaje

187

Solucion

EJEMPLO 4.12

Repita el ejernplo 4, II pero utilice ahora una beta de 135 (50% mayor a la del ejemplo 4, 11),

En. este caso,Ja rcsistencia de Ia base para el analisis en de est! form ada por dos resistores y un capacitor concctados desde su union a tierra. En modo de. el capacitor es equivalente aun y R/i =R1 + R2,

Al resolver para 1/1 teucmos

Solucicn

Es importanteobservar en Iii solucion de /B en eI ejemplos. II que el segundo termino en el denominador de Ia ecuacion es mayor que el primero. Recuerde de lin aruilisis anterior que mientras mayor sea este termino cornparado con el primero, menor sera la sensibilidad a cambios en beta, En este ejemplo, el nivel de beta se incremento 50%, 10 cual incrernentara la magnitud de este segundo tennino aun mas comparado con el primero. Sin embargo, es mas importante observar en estos ejernplos. que una vez que 01 segundo terrnino es relativamente mayor al primero, la sensibilidad ante cambios en beta es significativamente menor.

AI resolver para Iii resulta

II! = ---__:~--____:::"-----.

RB + P(Rc + RE)

18V O,7V

=' ~~-,.-,~-""~~,--"'-,--~~---'~-.-~~-_-

(91 kfl + 110 kfl) + (7S)(3.3 kf1 (),SI kf1)

17,3 V 486,75 kfl

y

9,3 V

--------

250 kfl + 796.5 kf1

= 8,89/-LA

ICQ = PIB

= (135)(8,89 /-LA) = 1.2 rnA

VC£'Q = Vce - le(Re+ RE)

10 V ~ (L2 mA)(4,7 kfl + 1.2 kn)

9.3 V

201 kfl + 285,75 kfi 35.5/-LA

Ie = (318

(75)(35.5/-LA)

= 2,66 mA

Ve = Vee leRe == Vee - lcRe

IB = ----:___::___~__:::'---

R8 + P(Rc + RE)

_______ IO_V __ -0_,_7_V_' __

250k!l + (135)(4,7kfl + L2kfl)

1046,5 kfl

e

18 V (2,66 mA)(3.3 kfl)

18 V - 8,78 V

= 9.22 V

Condiciones de saturacion

10V - 7.08 V 2.92 V

Al utilizar la aproximaci6n It '" Ie, la ecuacion para la corriente de saturacion es la misma que la obteuida para las configuraciones de divisor de voltaje y de polarizacion en emisor, Esto es,

Incluso aunque el nivel de {3 se incremento en un 50%, el nivel de IeQ s610 10 hizo 12,1% mientras que el nivel de VCE disrninuyo cerca de 20,9%, Si la red fuera un diseno de polarizaci6n fija, lin incremento deo 50% en {3 resultaria en un incremento de 50% en Ie. Y un cam-

bio dranuitico en la localizaci6n del punto Q, Q

Vee

I, =--

e"", Re + R£

(4,43)

18 V

Analisis por medio de la recta de carga

Si continuamos con la aproximacion It = Ic tendremos la misma recta de carga definida para las configuraciones de divisor cle voltaje y de polarizaci6n en emisor, El nivel de IHQ estara definido por la configuracion de polarizacion selcccionada.

EjEMPLO 4.13

Determine el nivel cle de de If! Y Vc para la red de 1a figura 4,39,

10 IlF v i o-----)!I--~i----------l

4.7 DlVERSAS CONFIGURACIONES DE POLARlZACION

Existen muchas configuraciones de polarizacion para BJT que no coinciden con el patr6n basico de aquellas analizadas en las secciones previas, De hecho, existen tantas variaciones en el diserio que se requerirfan muchas mas paginas de las que son posibles para un libro de este tipo. Sin embargo, el proposito principal aqui, es hacer enfasis en aquellas caracterfsticas del dispositivo que permiten un anal isis de de de la configuraci6n y establecer lin procedimiento general para la solucion deseada. Para cada configuraei6n discutida hasta ahora, el primer paso ha sido la obtenci6n de una expresi6n para la corriente de base, Una vez que la corriente de base se conoce, es posible deterrninar de forma considerablernente dirccta, la corriente del colector y los

Figura 4.39 Red del ejernplo 4.13.

188

Capitulo 4 Polartzacion de de para BJTs

4.7 Diversas configuraciones de pclarizacion

189

niveles de voltajc del cireuito de salida. Esto no irnplica que todas la soluciones tornaran este

camino, pero una posible ruta a seguir si se encuentra una nueva configuracion.

E1 primer ejernplo es uno donde simplemente el resistor del emisor ha sido eliminado de la configuracion de rctroalimemacion de volraje de la figura 4.35. EI analisi» es rnuy similar pero requiere.dcshacerse deRE de la ecuacion aplicada.

Determine Vc Y VB para la red de la tigura 4.41.

E]EMPLO 4.15

Figura 4.41 Ejemplo 4

fJE;\;1PLO 4.14

Para la red de la figura 4.40:

(a) Determine y VCEQ'

(b) Encuentre VB' Vc, VE Y VilC'

Vee =20 V

Figura 4.40 Retroalimentacion del colector con R[ 0 fl.

Soluci6n

Al aplicar Ia ley de voltajc de Kirchhoff en direccion de las manecillas del reloj para la mall a base-ernisor tendrernos como resultado

Soluci6n

(a) La ausencia de RE reduce el reflejo de los niveles resistivos simplernente al nivel de Rc Y la ecuacion para I B se reduce a

Vec - VBE

I B = ~'---'---'-==

RB + ee;

20 V - 0.7 V

e

-fuRl! - VBE + VEE VEE - VEE f =----

B RB

o

Pormedio de sustitucion tenemos

680 kil + (120)(4.7 kil)

19.3 V

9 V 0.7V

fB= 100 kil

8.3 V

1.244 Wl

lOOk!} = 83 fJ,A Ie = f3IIJ

== (45)(83 /LA) = 3.735 mA Ve = -lcRc

= -(3.735 mA)(1.2 kil) = -4.48 V

== 15.51 /LA

IeQ = f3IB = (120)( 15.5 1 /LA) = 1.86 rnA

(b)

VCEQ = Vee - IeRc

= 20V - (1.86rnA)(4.7kil) = 11.26 V

VB = VBE = 0.7 V Ve == VeE = 11.26 V VE == OV

VBe = VB - Vc= 0.7V 11.26 V

= -10.S6V

VB == -IBRB

= -(83 ,uA)(lOO kil) -8.3 V

En el siguiente ejemplo, el voltaje aplicado se coneeta a la terminal del emisor y Rc se conecta direetamente a tierra. Inicialmente, este pareciera un tanto heterodoxo y diferente de los que hcmos revisado hasta ahora, pero Ia aplicacion de la ley de voltaje de Kirchhoff sobre el eircuito de la base traera por resultado la corriente de base buscada.

El siguiente ejemplo emplea una red denominada de configuracion emisor~seguidor. Cuundo esta misma red se analiza sobre una base de ac, encontraremos que las senales de salida y entrada se encuentran en fase (una siguiendo ala otra) y que el voltaje de salida es ligeramente menor que el de la serial aplicada. Para el anal isis de de, el colector esta conectado a tierra y el voltaje aplicado se eneucntra en la terminal del emisor.

190

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.7 Diversas configuraciones de polarizacion

191

EjEMPLO 4.16

192

c!

Vi o----J't--~----I IOIlF

VEE -20V

Figura 4.42 Conflguracio-. de cole-tor comun

Solucion

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de entrada tendrernos como resultado -IBRB - VBE - hRE + VEE = 0

If = (f3 + 1)/8

VfE - VBE (f3 + 1 )IBRf IaRe =0

pero

y

I - VEE VBE

a - R8 + (f3 + 1 )RE

Al sustituir val ores tenemos

con

20V - 0.7 V 240kD + (91)(2kD)

19.3 V 19.3 V

------- = ---

240 kD + 182 xn

= 45.73 /LA

Ie = f318

= (90)(45.73 /LA) = 4.12 rnA

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, tenemos

422kD

pero

~VEE + IERE + VCE = 0 IE = (f3 + 1)18

VCEQ = VEE - (f3 + 1 )18RE

= 20 V (91)(45.73 /LA)(2 kD)

= 11.68 V

IE = 4.16mA

y

Capitulo 4 Polarizaei6n de de para BJTs

Todos los ejemplos hasta este punto han ernpleado una configuracion de emisor-comun 0 de colector-comun. En el siguiente ejernplo analizarernos la configuraci6n base-cormin Bajo esta situacion, el circuito de entrada se utilizara para determinar h en lugar delB' La corriente del colector, entonces, se encontrara disponible para efectuar un analisis del circuito de salida.

Determine el voltaje VCH y la corricnte 18 de la configuraci6n de base-cornun de la figura 4.43.

EjEMPLO 4.17

13=60

Figura 4.43 Configuracion de base-comun.

Solucion

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alcircuito de entrada obtenernos VEE + lERE + VHE = 0

VEE - VHE

IE =

RE

e

Al sustituir valores, obtenemos

4 V - 0.7 V

Ir = == 2.75 rnA

z 1.2 kD

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida obtenemos -VCB + leRc - Vcc = 0

y

VC8 = Vec - IcRcconlc= IE

= 10 V - (2.75 rnA)(2.4 kD) = 3.4V

Ie

IB = Ii

2.75 rnA 60

= 45.8p..A

EI ejemplo 4.18 ernplea una fuente doble por 10 que requerira Ia aplicacion del teorerna de Thevenin para determinar las incognitas buscadas,

4.7 Diversas configuraeiones de po!arizaci6n

193

red de la figura 4.44.

IOpF

ETh

Figura 4.4 7 Sustitucion del circuito equivalcnte de The\"Cnin.

C, \'. O----··-lI------1f--_I<r,--I

AI sustituir iro-= (f3 + 1)18 tenemos

VEE ETh - VBE (f3 + I)IBRE IeRTh = 0

VEf;= - 20 V

e

Figura 4.44 Ejempio 4.18.

RTh + (f3 + l)RE

20 V - 11.53 V - 0.7 V 1.73 k!1 + (121)(1.8 k!1) 7.77 V

219.53 k!1

= 35.39 (LA

Ie = f3lu

= (120)(35.39 (LA)

Soluci6n

Se determinan la resistencia y el voltaje de Thevenin para la red de la izquierda de la terminal de la base como se muestra en las figuras 4.45 y 4.46.

8.2 kQ

'cc I zo v

= 4.25 rnA

Ve = Vee IeRe

= 20 V - (4.25 mA)(2.7 k!1) = 8.53 V

Figura 4.45 Determinacion de RTh.

Figura 4.46 Determinacion de En,.

VB = -ETh - IBRTh

== -(11.53 V) (35.39(LA)(1.73k!1)

= -11.59 V

RTh = 8.2 kH112.2 kn = 1.73 kH

I = Vee + VEE = 20 V + 20 V

RJ + R2 8.2 k!1 + 2.2 kH

= 3.85 rnA

40V 10.4 kn

4.8 OPERACIONES DE DISENO

Hasta ahora la discusi6n se ha centrado en el analisis de redes existcntes. Todos los elementos se encuentran ya .definidos y simplemente es cuestion de resolver los niveles de corriente y de voltaje de la configuracion. El proceso de disefio es aque! en el que la corriente y/o el voltaje pueden estar definidos y se deberan determinar los elementos requeridos para establecer los niveles deseados. Este proceso de sfntesis requiere de un claro entendimiento de las caracteristicas del dispositivo, de las ecuaciones basicas de la red y un firme entendimiento de las Ieyes basicas del analisis de circuitos, tales como la ley de Ohm, la ley de voltaje de Kirchhoff, etcetera. En la mayorfa de los casos, se requiere un proceso de razonamiento de mayor nivel para el caso del proceso de diseiio que el requerido para la secuencia de anal isis. Ya que el camino hacia la soluci6n se encuentra menos definido y de hecho, podrfa requerir algunos supuestos basicos que no se requieren realizar cuando solamente se analiza una red.

£o[,h = IR2 - VEE

= (3.85 mA)(2.2 k!1) 20 V

11.53 V

La red puede vol verse a dibujar como se rnuestra en la figura 4.47 donde la aplicacion d

la ley de voltaje de Kirchhoff dara como resultado ' e

194

Capitulo 4 Polarizacicn de de para BJTs

4.8 Operaciones de diseno

195

La secucncia de diseno es obviamente sensible ante los elementos que ya han sido prccisados y ante los que seran determinados. Si las fuentes y los transistores se encuentran especificados, el proceso de disefio simplemente debera deterrninar los resistores requeridos para un disefio en panicularLlnavez que los valores teoricos de los resistores.se determinaronnorrnalmente se seleccionan los valores comerciales mas cercanos a estos y cualquier variacion que resulte como consecuencia de no haber utilizado los valores de rcsistcncla exactos se aceptara como parte del diseno. Estu es sin duda, una aproxirnacion valida si se consideran las tolerancias normalmente asociadas con los elementos resistivos y con los parametres del transistor.

Si se requiere determinar val ores resistivos, una de las ecuaciones mas poderosas cs simplemente la ley de Ohm en la siguicnte forma:

Val ores estandares de resistor:

Rc 2.4 kfl ·R[! = 470 kfl

Al utilizar valorcs estandares de resistor tenernos

II! == 41.1 [LA

el eual Se encuentra dentro del 5% de valor espccificado.

(4.44)

Dados IeQ = 2 rnA y VCEQ::: 10 V, determine RI Y

I Rdcsconodda

18 V

Para un disefio particular, el voltajc a traves de un resistor puede a menu do ser determinado a partir de los niveles especificados. Si especificacioncs adicionales definen el nivel de corriente, puede utilizarse la ecuacion 4.44 para calcular el nivel de resistencia requerido. Los primeros ejernplos dcmostraran la forma de dcterminar elementos particulares a partir de niveles especificados. Luego, se presentara un proceso completo de disefio para dos configuraciones comunes.

Vee

Figura 4.49 Ejernplo 4,20,

EjEMPLO 4.19

A partir de las caracteristicas del dispositivo de la figura 4.48a, determine Vee, R8 Y Re para la configuracion de polarizacion fija de la figura 4.48b.

Ie (rnA)

20V VCE

(a)

Soluci6n

De la recta de carga

y

con

196

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

.".

Soluci6n

VE= hRE"" /CRE

= (2 mA)(J.2kfi) = 2.4 V

VB = VBE + VE = 0.7 V + 2.4 V = 3.1 V

R2Vee

V =---=3.1V

/J RI + Rz

(18 kfi)(18 V) = 3.1 V RI + 18 kfi

324 kfi = 3.1R[ + 55.8 kf1 3.lRI = 268.2 kf!

= 268.2 kf! = 86.52 kfi

RI 3.1

(b)

Figura 4.48 Ejernplo 4.19,

y

20V

Ie

Vee I

Rc VCE=ov

con

VRt

Rc = -I . = /

e e

Ve = VeE+VE= 10V + 2.4 V =12.4 V

18 V - 12.4 V

20 VA = 2.5 kn, 8m .

Ecuaci6n (4.44):

VEE RB=----

IB

20 V 0.7 V

40 [LA

= 482.5 kfi

y

2mA = 2.8 kfi

19.3 V 40 [LA

El valor comercial mas cercano a RI son 82 y 91 kfl. Sin embargo, si se utiliza una c~~binacion en serie de los val ores estandares de 82 kfl y de 4.7 kfl = 86.7 kfl que resulta un vaior

muy cercano al nivel del disefio.

4.8 Operaciones de diseno

197

de polarizacion en ernisor de ia figura 4.50 posee las siguicntes cspecifica-

'«: = 8 rnA, Vc 18 V, y f3 110. Determine Re. RE y Ro.

Para valores estandares:

Re = 2.4 kH RE = lkf1

R8 620 kf1

Figura 4.50 Ejemplo 4.21

Los argumentos siguientes presentaran una tecnica para el diseno de un circuito completo que opere en un punto de polarizaci6n especificado. Regularmentc, las hojas de cspecificaciones del fabricante proporcionan informacion sobre un punto de operacion sugerido (0 region de operacion) para un transistor particular. Ademas, otros componentes del sistema conectados a la etapa de amplificacion determinada pueden tam bien definir para el diseiio, la amplitud la corriente, del voltaje, del valor de la fuente de voltaje cormin, etcetera.

En la practlca real, existen otros muchos factores que deb en ser considerados y que pueden afcctar la seleccion del punto de operacion deseado, Por el momento, sin embargo, debemos concentrarnos en la determinacion del valor de los componentes para obtener un punto de operacion espccifico. La discusion estara limitada a las configuraciones de polarization en emisor y de divisor de voltaje, aunque puede aplicarse el .mismo procedimiento para una varied ad de otros circuitos de transistores.

f3 110

Soluci6n

Disefio de un circuito de polarizacion

con un resistor de retroalimentacion en emisor

28 V - 18 V --4-m-A-- = 2.5 kH

Consideremos primero el disefio de los componentes en polarizacion de de de un circuito amplificador que cuenta con estabilizacion de polarizacion por resistor en emisorcomo se muestra en la figura 4.51. El voltaje de la fuente y el punto de operacion fueron seleccionados de la informacion del fabricante del transistor utilizado en el amplificador.

y

Vee I' - _ __;;_;;;__-

C,,, - Rc + RE

Vee 28 V

Re + RE = -_ == -- = 3.5 kH

Ie"" 8 rnA

RE = 3.5 kD - Re

= 3.5 kn - 2.5 k!1 = lkO

1 = IeQ _ 4 rnA _

BQ f3 - 110 - 36.36 fJ.A

1 - Vee - VBE

8a - R8 + (f3 + 1 )RE

RB + (f3 + l)RE = Vee - VBE IBQ

Vcc~20V

C1 Entrada .'1----+-----1

deac~ VB 2N4401

10 !IF (f3 = ISO)

Figura 4.51 Circuito de polarizacion estabilizado en emisor paca consideracion de diseno.

y

36.36 f.LA = 639.8kH

111 kH

La seleccion de los resistores del colector y del emisor no puede derivarse directamente de la informacion especificada, La eeuaci6n que relaciona los voltajes alrededor de la malla colector-emisor presenta dos cantidades desconocidasrlosresistores Re y RE. En este punto debera efectuarse algiin tipo de juicio de ingenieria, como el del nivel del voltaje del emisor en comparacion con el voltaje de alirnentacion aplicado. Recuerde qne la raz6n de incluir un resistor del emisor a tierra se debfa a la necesidad de proporcionar una forma de estabilizaci6n en polarizacion de de, de tal forma que el cambio en la corriente del colector debido a fugas de corriente en el transistor y a la beta del transistor, no causaran un desplazamiento considerable del punto de operacion. EI resistor del emisor no puede ser excesivamente grande porque el voltaje a traves de el, limitarfa el rango de la amplitud del voltaje para el voltaje que va del colector al emisor (que se observara cuando se analice la respuesta de ac). Los ejemplos revisados en

con

Vec - VBE

RB = I . - (f3 + l)RE

Bo

28 V 0.7 V

36.36f.LA - (111)(1 kD)

27.3 V

198

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.8 Opcraciones de diseno

199

Determine los valores de Reo RE, RI y R2 para la red de la figura 4.52 para racion sefialado.

este capitulo, ,indican que el voltaje del emisor a tierra es norrnalrnente de cerca de una cuarta parte, a una decima part: del vcltajc de alimentacion, Si seleccionarnos el caso conservador de un decimo nospernuura calcular el resistor dclemisor RE y el resistor Rc de una forma similar a la de los ejernplos recien concluidos. En el siguiente ejcmplo, efcctuarernos un diseno cornpletode la red de la figura 4.5 I utilizando el criterio recien presentado para el voltajedel cmisor.

4.23

Solucion

EJElI!PLO 4.22

Determine los valores de los resistores para Ia red de la figura 4.51 para el punta de oper' .,

y alimentacion de voltaje indicados. acton

R£ VE
It - Ie v, roVce = ro(20 V) = 2 V _2:Y__ = 200 o lOrnA

Vee VeE - VE 20V

-_.---_ ..

Ie 10 rnA

lOV 10mA

Solucion

2 rnA

lkn

lkO

VB VEE + VI = 0.7 V + 2 V = 2.7 V

VE = roVee = ro(20 V) = 2 V

VE VE 2 V

RE

2V

8V 2 rnA

Las ecuaciones para el calculo de los resistores de la base R I Y R2 requeriran de un mayor esfuerzo de analisis. Al utilizar el valor del voltaje de la base calculado anteriormente y el valor del voltaje de alimentacion se podra obtener una ecuacion, pero con dos incognitas, R I Y R2· Es posible obtener una ecuacion adicional al entender como funcionan estos dos resistores para proporcionar el voltaje de la base necesario. Para que el circuito opere de manera eficiente, se asume que la corriente a traves de R I Y R2 sera aproximadamente igual 0 mucho mayor a la corriente de la base (al menos en proporcion 10: 1). Este hecho junto con la ecuacion del divisor de voltaje para el voltaje de la base, proporcionan las dos relaciones necesarias para determinar los resistores de la base. Esto es,

Re = VRc Ie

= 4kn

I =!S:_ - 2 rnA - 13.33 II A

B f3 - 150 - r

2mA

R8 == VRo = Vee - VBE

18 IB

== 1.3Mn

V~ = 20 V - 0.7 V 13.33 IJ-A

2V

y

Disefio de un circuito con ganancia de corriente estabilizada (independiente de beta)

EI circuito ?e la figura 4.52 proporciona estabilizacion ante cambios provocados tanto por fugas, de cornente como por ganancias en esta (beta). Deben obtenerse los valores de los cuatro resistores ~ostrados para el punta de operacion sefialado, Si se utiliza un juicio de ingenieria p,ara seleccionar el valor del voltaje del emisor, VE, de la misma forma que hicimos en las consideraciones de. disefio previas, esto nos llevara a una solucion clara y directa para todos los valores de los resistores, Los pasos del diseiio para esto se demuestran en el siguiente ejemplo.

Sustituyendo tenernos

y

Rz :$ro(80)(0.2 kD) = 1.6 k!l

(1.6 k!l)(20 V) VB = 2.7 V == RI + 1.6 kD

2.7RI + 4.32 kD = 32 kD

2.7RI = 27,68 k!l

RI = 10.25 kn (use 10 kD)

Vce =20V

Ct Entrad_a_ .... , deac~~--~------~

10 ~F

4.9 REDES DE CONMUTACION CON TRANSISTORES

Figura +.52 Circuito de ganancia estabilizada para consideraciones de diseno.

Las aplicaciones de los transistores no se limitan unicamentea la amplificacion de sefiales. Mediante un disefio apropiado, se pueden utilizar como interruptores para aplicaeiones de computo y de control, La red de la figura 4.53a puede emplearse como un inversor para circuitos 10- gicos de compute. Observe que el voltaje de salida Ve es el opuesto del que se aplica en la terminal de la base 0 de entrada. Ademas, observe la ausencia de una fuente de de conectada al cireuito de Ia base. La unica fuente de de se encuentra conectada al colector 0 lado de salida y, para aplicaciones de computo, este es generalmente igual a la magnitud "alta" de la serial apli-

eada, que para este caso son 5 V.

200

Capitulo + Polarlzacion de de para BJTs

4.9 Redes de ronmutacion con transistores

201

/

~-{

'"

1

Vee; 5 V

El nivel de I/J en la region activa justa antes de que ocurra la saturacion puede aproximarse con la siguiente ecuacion:

5V

hFE 12S __

Para el nivel de saturacion debemos, por Jo tanto, asegurar que satisface la siguicnte (00- dicion:

(4.-16)

(a)

Para la red de la figura 4.53b, cuando Vi = 5 V, eJ nivel de IB resultunte es el siguiente:

Ie (mA)

e

Vcc 5 V

[ = - = --- ~ 6.1 rnA

c", Rc 0.82 in

Ics,,=6.1 rnA" 6

AI pro bar la ecuacion 4.46 tenemos

6.1 rnA 4 8 A

I8 = 63 JLA > = -- = 8 JL

f3dc 125 .

4

o -~I""""""

VeE.",,;; OV

ICEO =OrnA

10 cual se satisface. Desde luego, cualquier nivel de IB mayor de 60 JLA pasara a traves de un punta Q sobre la recta de carga que se encuentra muy cercana al eje vertical.

Cuando V; = 0 V, 18 = 0 /-LA, Y dado que estamos asumiendo que lc = lCEO = 0 rnA, la cafda de voltaje a traves de Rc. determinada par VRc ::: [cRc = 0 V, resulta en V c = + 5 V para la respuesta indicada en la figllra4.53a.

Ademas de contribuir con la logica computacional, el transistor puede tambien emplearse como un interrupter utilizando los mismos extremes de 1a recta de carga. En la saturacion, lao corriente Ic cs muy alta y el voltaje VCE es muy bajo. EI resultado es un nivel de resistencia, entre las dos terrninales, determinado por

(b)

Figura 4.53 Transistor inversor.

y representado en la figura 4.54.

Un disefio apropiado para el proceso de inversion requiere que el punta de operacion alterne entre el corte y la saturacion durante la recta de carga demostrada en la figura 4.53b. Para nuestros prop6sitos, asumiremos que I c = I CEO = () rnA cuando IB 0 JLA (10 que es una execlente aproximaci6n a la luz de las mejoras en las tecnicas de construccion), como se muestra en la figurn4.53b. Adernas de esto, asumirernos que VCE = V CE,,, = 0 V en lugar del valor comun de 0.1 a OJ V.

Cuando Vi = 5 V, el transistor se encontrara "encendido" y eldisefio debera asegurar que la red se encuentra altamente saturada por un nivel de 18 mayor que el asociado con la curva de Is que aparece cerca del nivel de saturacion. En la figura 4.S3b, esto requiere que I8 > 50 /-LA. EI nivel de satnracion de la corriente del colector para el circuito de la figura 4.S3a estii definido pOI'

Figura 4.54 Condiciones de saturation y la resistencia

de terminal resultame.

Al utilizar un valor promedio tfpico de V CE", como 0.15 V tenemos

= 0.15 V = 24.6 n 6.1 rnA

(4.45)

el cual es un valor relativamente bajo y ~ 0 n cuando es colocado en serie con resistores del rango de los kiloohms.

202

Capitulo 4 Polanzacion de de para BJTs

4.9 Redes de conmutacion con transistores

203

204

obtenemos

60 fJ,A

lOY - 0.7V

ISS kf1

Seleccionar R/J = 1 SO k!1, el cual cs un valor estandar. Entonees

~ 0.7 V 10 V 0.7 V

Figura 455 Condiciones de corte Y Ia resistenciIA de terminal re5Ult~nte

62 flA

Rli ISOkD

Cuando Vi = 0 V. como se muestra en Ia figura 4.55. In condicion de corte ocasionara un nivel de rcsistencia de magnitud siguiente:

Reorte

SV OmA

'Xn

fs == 62/-LA >

f3Jc

POl' 10 tanto, se debe utilizar R[J 150 kfl Y Rc = 1 kD.

10 que resulta en equivalencia de circuito abierto. Para un valor tfpico de lcro = 10 J.lA, la

magnitud de la resistencia de corte

5V

-_ = SOOkD 10 J.lA

Existen transistores que denominan como transistorcs de conmutaclon debido a la velocidad con In que pueden conmutar de un nivel de voltaic al otro. En la tigura 3.23c se presentan los periodos definidos como t., td, t; y If graficados en funci6n de la corriente del colector, Su irnpacto sobre la velocidad de respuesta de la salida del coleetor se define poria respuesta de la corriente del colector de la figura 4.57. EI tiempo total requerido para que el transistor conmute clel estado cle "apagado" al de "encendido" se dcsigna como t,"cc"<iido Y se de tine pOl'

el cual, ciertamente aproxima a una equivalencia de circuito abierto para varias situaciones.

(4.47)

Determine R8 Y Rc para el transistor inversor de la figura 4.56 si lc; = 10 mAo

Vee = 10 V

Figura 4.56 lnversor del ejemplo 4.2'1.

Solucion

En la saturacion:

y

por 10 que

lOY

Re= -- = lkD lOmA

En la saturacion:

I Ie,,, 10 rnA

8~- = -- = 40J.lA e: 250

Al seleccionar I[J = 60 /LA para asegurar la saturaci6n y utilizar

- 0.7 V R8

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

donde t" el tiempo de retraso en el estado de carga de la entrada y el inicio de una respuesta de la salida. EI elemento de tiempo In es el tiempo de subida de 10% a 90% del valor final.

Transistor "encendido"

Transistor "apagado"

t

--+_.J....;;O~v:._..L __ t

Figura 4.57 Definicion de los intervalos de ticrnpo de una forma de onda de pulse.

EI tiempo total requerido para que un transistor alterne entre el est ado de "encendido" y el de "apagado" se denomina como t"ragado y se define como

I laragaa" = Is + If I

(4.48)

donde Is es el tiempo de almacenamiento y If es el tiempo de caida de 90% a 10% del valor inicial.

4.9 Redes de conmutaci6n con transistores

205

., 0.7 V Si ., 0.3 V Ge

Figura 4 .. 58 Vcriiicacion del nivel de de de VB'"

206

Para el transistor de proposito general de la figura 3.23c cuando Ie= IOm A, tenernos t, 120 ns

25 ns

cornun de la fuente y la punta de prueba roja con la terminal inferior del transistor. La ausencia de corriente del colector y una cafda resultante a (raves de Rc ocasionaran una lectura de 20 Y. Si el medidor se conecta eonla terminal del colector del BJT, la lectura sera de 0 Y, ya que Vee se encuentra bloqueado del dispositive activo a causa del circuito abierto. Uno de los errores mas cornunes en la experiencia dcllaboratono es .el empleo del de Ia resistencia para un diseiio dado. Imagine el impacto de utilizar un resistor de 680 !1 en R8 en lusar del valor del diseno de 680 k!1. Para un valor de Vee = 20 V y una configuracion de polarizacion fija, el valor resultante de la corriente de base serfa

y

por 10 que

t, 13 ns tf'" 12 ns

tenccndido = t, + ta = ! 3 ns + 25 ns 38 us

y

= t, + t] = 120 ns + 12 ns '" 132 us

20 Y - 0.7 Y = 28.4 rnA 6800

Al comparar los val ores anteriores con los siguientes parametres de un transistor interrupter BSV52L se haee evidente uno de los motives para seleccionar un transistor de conmutaci6n cuando es necesario.

en lugar del valor deseado de 28.4 J,tA, [una diferencia muy importante!

Una corriente de base de 28.4 mA efectivamente situarfa al diseno en una region de saturaci6n y posiblemente dafiaria al dispositivo. Debido a que los valores reales de los resistores son generalmente distintos de los valores nominales que se dan mediante los c6digos de color (recucrde los niveles de tolerancia comunes para los elementos resistlvos), bien vale la pena tamar la mediei6n del resistor para conocer su valor real antes de incluirlo en la red. El resultado de esto es hacer que los val ores reales sean 10 mas cercanos a los valores te6ricos y lograr con esto una mayor seguridad de que los valores correctos de resistencia se estan empleando.

Sin embargo, existiran momentos frustrantes; se habra verificado el dispositivo en un trazador de curvas, 0 en algiin otro instrumento de pruebas para BJT y al parecer, se encuentra en buenas condiciones. Todos los niveles de los resistores parecen eorrectos, las conexiones se muestran s6lidas, se esta aplicando el suministro de voltaje correcto; ~que sigue? Ahora, quien se encargue de la localizaci6n de la falla, debera arreglarselas para llegar a un nivel mayor de sofisticaci6n. lPodrfa ser que la conexion interna entre el cable y la conexi6n final de la punta se encuentre dafiada? /.Cmintas veces el simple hecho de tocar una punta en ellugar correcto acarrea una situaci6n de "funciona/no funciona" entre las conexiones? Quiza la fuente se encendi6 y se coloco en el voltaje correcto, pero la perillaque limita la corriente se dejo en la posici6n de cero, evitando un nivel de corrienteadecuado para el consumo del disefio de la red. Obviamente, mientras mas sofisticado seael sistema, mayor sera el rango de posibilidades. En cualquier caso, uno de los metodos mas efectivos para veriticar la operaci6n de una red es probar distintos niveles de voltaje con respecto a tierra conectando la punta de prueba negra (negativa) de un voltimetro con tierra y "tocando" las terminales mas importantes con la punta de prueba raja (positiva). En la figura 4.61, si la punta de prueba roja se encuentra cone.ctada dire~tamente con Vee, se debera obtener la lectura de Vee volts ya que la red posee una tierra comun para la fuente y para los componentes de la red. En el punto Vela lectura deber~ ser menor, determinada por la caida a traves de Re, Y VE debera ser menor que Ve por el voltaje colector-emiSOl' VeE' La falla al obtener en cualquiera de estos puntos 10 que debiera ser un nivel de voltaje razonable, deberia ser en sf mismo suficiente para identiticar al elemento 0 ala conexi6n deficiente. Si VR. Y VR r tienen valores razonables, pera V CE es igual a ° Y, existe la posibilidad de que el BJT s~ encu~ntre danado y muestre una equivalencia de corto circuito entre las terminales del colector y del emisor. Como se observo anteriormente, si VeE registra un valor cercano a 0.3 Y, la red podria encontrarse en saturacion como 10 define VeE = Vc - VE (la diferencia entre los dos niveles como se midi6 antes) con un dispositivo que se encuentre 0 no defectuoso,

Del analisis anterior, parecena algo obvio que la parte del voltimetro de un YOM 0 DMM (multimetro digital) sea muy importante para el proceso de localizaci6n de fallas. Par 10 general,los niveles de corriente se calculan apartir de los niveles devoItaje a travesde los resistores, en lugar de "romper" la red e insertar el miliamperfmetrodel mu\tfmetro. En diagr~mas grandes se proporcionan niveles de voltaje especiticos con respecto a tierra para una verificacion e identificaci6n mas facil de posibles areas problernaticas. Para las redes que se cubren en este capitulo, es importante considerar los niveles tfpicos dentro del sistema, definidos por el potencial aplicado y por la operacion general de la red.

De todas formas, el proceso de localizacion de fallas es una verdadera prueba del claro entendimiento del comportamiento adecuado de una red y de la habilidad para aislar las areas problematicas utilizando unas cuantas mediciones basicas con los instrum?nt~s adec~a~os. La experiencia es la clave y esta vendra unicamente con el contacto con los circuitos practices.

tencendido '" 12 ns

y

tapagado = 18 us

4.10 TECNICAS PARA LOCAUZACION DE FALLAS

EI arte de la localizaci6n de fallas es un campo tan amplio que no es po sible cubrir las numerosas posibilidades y tecnicas en unas cuantas secciones de un libro. Sin embargo, el profesional del area debe conocer algunas mediciones y maniobras basicas que pueden ayudar a aislar el area del problema y posiblemente a identificar una solucion.

Obviamente, el primer paso para poder detectar problemas en una red es el entender completamente el comportamiento de esta, y contar con cierta idea sobre los niveles esperados de corriente y de voltaje. Para la regi6n activa del transistor, el nivel de medida de de mas importante es el voltaje de base a ernisor.

Para un transistor en estado de "encendido", el voltaje VBE debe andar alrededor de 0.7 V. Las conexiones apropiadas para medir V 8E se rnuestran en la figura 4.58. Observe que la pun. ta de pruebapositiva (roja) se conecta a la terminal de la base para el caso de un transistor npn y que la punta de prueba negativa (negra) se conecta a la terminal del emisor. Debera desconfiarse de cualquier 1ectura completamente diferente del nivel esperado de 0.7 Y, tal como 0, 4012 V, 0 un valor negativo, y debenin verifiearse las conexiones de la red 0 del dispositivo. Para un transistor pnp, se pueden utilizar las rnismas conexiones, pero se debera esperar un valor negativo.

Un nivel de voltaje de igual importancia es el voltaje de colector a emisor. Rccuerde de las caracterfsticas generales de un BJT, que para dispositivos saturados (una condici6n que no deberia presentarse a menos que el dispositivo se utilice como conmutador) el nivel de VCE se eneuentra en la cercania de 0.3 Y. Sin embargo,

Para el transistor amplificador tipico en la regi6n activa, V CE normalmente se encuentra de 25% a 75% de Vee.

Para cuando Vee = 20 Y, una lectura de 1 a 2 Yo de 18 a 20 Y como se muestra en la figura 4.59 es, sin lugar a dudas, un resultado inusual, y a menos que haya sido disefiado para proporcionar esta respuesta, la operaci6n y el diseno deberan ser veriticados. Si VeE:::: 20 Y (can Vee = 20 Y) tenemos al menos dos posibilidades: ya sea que el dispositivo (BJT) se encuentra dafiado y presenta las caracterfsticas de un circuito abierto entre las terminales del colector y del emisor,o se encuentra abierta una eonexi6n entre la malla colector-emisor o baseemisor como se muestra en la figura 4.60, provocando que Ie se encuentraenO mA y VRc:::: 0 Y. En lafigura4,60, la punta de prueba negra delvoltfmetro se encuentraconectada con latierra

OJ V = saturaci6n

o V = cstado del corto circuitc o de una mala conexlcn Per to general unos pocos voltlos 0 mas

Figura 4.59 de VCE'

Revision el nive!

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.10 Tecnicas para localizacion de fallas

Figura 4.60 Efecto de una

conexion 0 un disposi-

tivo danado

Vee
.. <,
\
\
\
\
\ ,
\
?
Re Figura .4.61 Revision de niveles de volta]e con respecto a tierra.

207

4.11 TRANSISTORES PNP

E]EMPLO 4.25

Con base en las lecturas que se proporcionan en la figura 4.62. determine si In red se cncuentra operando de forma correcta y si no 10 esta, la causa probable de esto.

Hasta ahora, el analisis se ha lirnitado completamente a transistores npn para asegurar que el analisis de las configuraciones basicas sea 10 mas clare y sencillo posible al no altemar entre tipos de tran.istorcs. Por fortuna, eI analisis de pnpsigue el misrno patron que se esrablecio para los transistores npn. Primero se determine el nivelde lB. seguido poria aplicacion de las relaciones apropiadas del transistor para determinar la lista de canridades desconocidas. De heche, la unica diferencia entre las ecuaciones resultantes para una red en la que un transistor npn reemplazo por un transistor pllp es el signo asociado a las cantidades particulares.

Como se observe en In figura 4.64. la notacion de doble subindice continua, como corminmente definio. Sin embargo, las direcciones de la corriente se invirtieron para reflejar las direcciones reales de la conduccion. Mediante las polaridades definidas en la figura 4.64, tanto VilE como VeE seran cantidades negativas,

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a la mall a base-emisor, obtcndrernos la siguiente

ecuacion para la red de la figura 4.64:

Figura 4.62 Red del ejemplo 4.25

Al sustituir IE '" (f3 + I)/B Y resolviendo para In tenernos

Soluci6n

(4.49)

La !ectura de 20 V en el colector inmediatamente revel a que Ie:: 0 mA debido a un circuito abierto 0 a un transistor inoperante. EI nivel de VRII:: 19.85 V tarnbien revela que el transistor se encuentra "apagado" ya que la diferencia de Vee - VRII '" 0.15 V es menor que la requerida para "encender" al transistor y proporcionar algrin voltaje para VE. De hecho, si asumimos una condicion de corto circuito entre la base y el emisor, se obtiene Ia siguiente corriente a traves de R/J:

La ecuacion obtenida es la misma que la ecuacion 4.17, excepto por el signo de VUE' Sin embargo, en este caso, VBE:: -0.7 V y la sustitucion de los valores resultara en el mismo signo para cada terrnino de la ecuacion 4.49 como en la ecuacion 4.17. Tenga en mente que la direccion de I B se define ahora opuesta a la del transistor pnp como se muestra en la figura 4.64.

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a la mall a colector-emisor, tenernos la siguiente ecuacion:

10 cual coincide con la obtenida de

I -~! - 19.85 J_ -

R, - R/J - 250 kD - 79.4 /LA

Si la red se encontrara operando adecuadameute, la corriente de base deberfa ser

I = Vee - VBE _ = _____l!J_~_G_2Y_. 19.3 V _

8 RIJ + (f3 + I)RE 250 kD + (101)(2 kD) - 452 kD - 42.7/LA

EI resultado, por 10 tanto, es que el transistor se encuentra dafiado, con una condicion de corto circuito entre la base y el emisor.

Al sustituir t, ~ t; tenemos

(4.50)

La ecuacion rcsultante tiene el rnismo formato que la ecuacion (4.19), pero el signo frente a cada tcrmino al lado derecho del signo igual ha cambiado. Dado que Vee sera mayor que la magnitud del termino subsiguiente, el voltaje V CE tcndra un signo negativo como se advirtio en un parrafo anterior.

Con base en las lecturas que aparecen en la figura 4.63, determine si el transistor se encuentra "enccndido" y si la red se encuentra opcrando adecuadamente.

Determine VeE para la configuracion de polarizacion por divisor de voltaje de la figura 4.65.

r--r- -c -18 V

v<>-t----I

E]EMPLO 4.26

20Y

sow

4.7k!l

v

208

Figura 4.63 Red del ejcrnplo 4.26.

20kil

Solucion

Figura 4.65 Transistor una configuracion de por divisor cle voltaje.

Con base en los valores de losresistores RI y Rz; y la magnitud de Vee, el voltaje VB = 4 V pareceadecuado (y de hecho 10 es). Los. 3.3 V en el emisor ocasionan una caida de 0.7 V a traves de la union base-ernlsordel transistor, 10 que sugiere un transistor "encendido;'. Sin embargo, los 20 V en el col ector indican que Ie = 0 mA, a menos que la conexion con la fuente fuera "solida", los 20 V no debenan aparecer en el colector del dispositive, Existen dos posibilidades: puede existir una conexion pobre entre Re y la terminal del colector del transistor 0 el transistor tiene una union base-colector abierta. Primero verifique la continuidad en la conexion del colector utilizando un ohmetro; si esta correcta, debera verificarse el transistor utilizando alguno de los metodos presentados en el capitulo 3.

4.11 Transistores PNP

Capitulo 4 Polarizaciou de de para BJTs

~----4 -Vee

Figura 4.64 Fl transistcr de tipo de

209

Solucion

Cualquiera de estos faetores puede ocasionar que el punto de polarizacion desvfe del

punto de operacion determinado. En la tabla 4.1 se muestra como cambian I co Y Vrif: con el incremento en la temperatura para un transistor particular. A temperatura ambientc (aprox, 25°C) leo= 0.1 nA. mientras que a 1000e (punto de ebullicion del agua) leo es cercade 200 veces mas, grande en 20 nA. Para la rnisma variacion de temperatura. f3 se incremento de 50 a 80 y VBE cayo de 0.65 a 0.48 V. Recucrde que Ie es muy sensible al nivel deVB£. especialmente para niveles mas alla del valor del umbral,

Comprobando la condicion

da por resultado

{3R£ :::=,' lOR, (t20)(LJ kO) :::=, 10(10 kO)

132 kf! :::=, 100 kf! (satisfecho)

Al resolver para VB. tenernos

R2!,:c:_c: __ = (10 kH)(-18 V)

-3.16 V

TABLA 4.1 Variacion en los parametres del transistor de silicic con la temperatura

47 kf.! + IOkil

Observe la similitud en el formate de la ecuacion con el voltaje negative resultante para Vii' AI aplicar In ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la Olalla base-ernisor genera

+ VB - VBE Ve = 0

T(OC)

e

0.2 X 10-) 20 0.85
25 0.1 50 0.65
100 20 80 0.48
175 3.3 x 10' 120 0.3 y

Al sustituir valores, obtenernos

V£= -3.16V (-0.7 V) -3.16 V + 0.7 V

= -2.46 V

EI efecto de los cam bios en la corriente de fuga (leo) Y en la ganancia de corriente (f3) sobre el punto de polarizacion en de se demuestra por las caracterfsticas del colector emisor-conuin de las figuras 4.66a y b. La figura 4.66 muestra como las caracterfsticas del colector del transistor cambian de una temperatura de 25°e a una de lOO°e. Observe que el incremento importante en la corriente de fuga no solo ocasiona que las curvas se eleven sino tambien ocasiona un incremento en beta, como 10 muestra el mayor espaciamiento entre eurvas.

Es posible especificar un punto de operacion al dibujar la recta de carga de de del cireuito sobre la grafica de la caracteristica del colector y observar la interseccion de la recta de carga con la corriente de base de de establecida por el circuito de entrada. En la figura 4.66a se marco un punto arbitrario en 1/3 '= 30pA Debido a que el circuito de polarizacion fija proporciona una corriente de base cuyo valor dcpende aproximadamente del voltaje de la fuente de voltaje y del

Observe en la ecuaci6n anterior la utilizacion de la notacion estandar de subfndice sencillo y doble. Para un transistor npn la ecuacion VE", VB - VBE sena exactamente la rnisrna. La iiniea diferencia surge cuando los valores se sustituyen.

La corriente

Ve 2.46

IE = -R = == 2.24 rnA

e 1.1

Para la mall a colector-emisor:

-[£RE + VeE [eRe + Vec == 0

Al sustituir Ie = Ie y agrupar terminos, resulta

VCE - Vee + le(Re + Rd

[c(rnA)

[c(mA)

6

Al sustituir valores, se obtiene

5

VCE = -18 V + (2.24 rnA)(2.4 kf! + l.l kil) -18 V + 7.84 V

-10.16 V

4.12 ESTABILIZACION DE LA POLARIZACION

2

[1 .... ---

La estabilidadde un sistema es una medida de lasensibilidad de una red ante variaciones en sus parametros.Para cualquier amplificador que emplee un transistor, .la corriente del colector Ices sensible a cada uno de los siguientes parametres:

f3: se incrementa con el aumento de la temperatura

IvBd: disminuye cerea de 7.5 m V por cada incremento de la temperatura de un grado Celsius (OC)

leo (corriente de saturaci6n inversa): se dliplica en su valor par cada incremento de lOoe en la temperatura

°

(a)

(b)

Figura 4.66 Desplazamiento del puma de polarizaci6n de de (punta Q) debido al cambio en la temperatura: (a) 25°(; (b) 1000e

210

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

4.12 Estabilizacion de la polartzacion

VeE

211

resistor de la base y que ninguno de los do, se afecta por la temperatura 0 por el cambio en la corricnte de fuga 0 en la beta, ex istira la misma magnitud de la corriente de base a temperaruras altas, como 10 muestra In figura 4.66b. Como 10 senala 13 figura. esto ocasionani un desplazamiento del punto de polarizacion de dc hacia una mayor corriente de colector y hacia un punto de operacion con un voltaje colector-emisor menor. Llevado al extreme. el transistor puede

a lasaruracion, De cualquier forma. el nuevo punto de operacion puede no set del todo satisfactorio y ocasionar una distorsion importante debido al del punto de polarizacion. Un mejor circuito de polarizucion es aquel que estabiliza 0 mantiene la polarizacion de de original mente establecida, de forma que el amplificador pueda emplearse en un ambiente con cam bios de temperatura.

SUeo).

Factor de estabilidad

Factores de estabilidad S(Ico), S(VllE) Y 5(/3)

, R8

'-\--~-----;;tlJ__"-::-l------- RE ante la

l<,/R, la configuracion de

polanzacion en ermsor

Se define un factor de estabilidad 5, para cada uno de los parametres que afectan la estabilidad de la polarizacion, segun la siguiente lista:

Cuando Rn/RE <~ I, la ecuacion 4.54 aproxirnara al siguiente nivel (como 10 muestra

la figura 4.67):

(4.51)

5(Ieo) = ({3 +

(4.56)

(4.52)

Ale 5({3) = A{3

(4.53)

con 10 que se manifiesta que el factor de estabilidad se aproxirnara a su nivel mas bajo a medida que RE se vuelva 10 suficicntcmcnte grande. Sin embargo, tenga en mente que un adecuado control de la polarizacion requiere normal mente que RB sea mayor que R£- EI resultado de esto, evidenternente, es que tenemos una situaci6n donde los mejores niveles de estabilidad se encuentran asociados a un criterio de un disefio pobre, Obviamente, debera existir un compromise que satisfaga tanto la estabilidad como las especificaciones de polarizacion, Es intcrcsante observar en la figura 4.67 que el valor mas bajo de 5(/eo) es 1,10 que indica que siempre Ie se incrementara a un ritrno igual 0 mayor que leo.

Para el rango deRBIRE que va de 1 hasta ((3+ 1), el factor de estabilidad esta determinado por

En cada caso, el simbolo delta (~) significa un cambio en dicha cantidad, EI numerador de cada ecuacion es el cambio en la corriente del colector ocasionado por el cambia en la cantidad del dcnorninador. Para una configuracion particular, siun cambio en leo no es capaz de producir un cambio significative en Ie. el factor deestabilidad, definido comoS(lco) = MclMco sent muy pequefio. En otras palabras:

Las redes que son muy estables y relativamente insensibles ante variaciol1es de la temperatura timen jactores de estabilidad bajos.

De alguna forma, podrfa parecer mas apropiado considerar a las cantidades definidas por

las ecuaciones (4.51 a 4.53) como factores de scnsibilidad ya que:

Mientras mayor sea el jactor de estabilidad, mds sCllSible SefC! la reel ante variaciones en ese parametro.

EI estudio de los factores de estabilidad requiere del conocimicnto de calculo difercncial.

Sin embargo, nuestro proposito aqui solamente es revisar los resultados del analisis matematico y evaluar de forma general los factores de estabilidad para algunas de las configuraciones de polarizacion mas comunes. Existe un amplio acervo de literatura sobre este tcma, si el tiempo 10 permite se le exhorta a estudiar mas sobre el.

(4.57)

como se muestra en la flgura 4.67. Los resultados revelan que la conflguracion de polarizacion en emisor cs 10 mas estable cuando la relacion RlJ1RE es 10 mas pequena posible y 10 menos estable cuando la rnisma razon se aproxima a «(3+ 1).

Calcule el factor de estabilidad y la variacion en Ie desde 25°C hasta 100°C del transistor definido en la tabla 4.1 para los siguientes arreglos de polarizacion en ernisor.

(a) RB/RE 250 (RIJ = 250Rd·

(b) RB/RE = to (Rn = lORd.

(c) RB/RE 0.01 (R£ = 100RB).

E]EMPLO 4.28

S(/co): Configuracion de polarizacion en emisor

Para la configuracion de polarizacion en emisorel analisis de la reddara por resultado

Solucion

(a) S(l~o)

1 + RsiRr ({3+ 1.) ({3+ 1) +RB/RE

5{;1: 2;5°0) = 51G~:)

42.53

(4.54)

Cuando RB/R£ ~ ({3 + 1), la ecuacion 4.54 se reduce a la siguiente:

I SUd = f3 + I

(4.55)

el cual comienza a aproximarse al nivel definido por (3+ 1 = 51

como se rnuestra en la grafica de 5(leo) en funcion de R81RE en la figura 4.67.

Mc = [5(Ico)](Mco) = (42.53)(19.9 nA) ~ 0.85 /LA

212

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.12 Estabilizacion de la polarizacion

213

Figura 4.68 Circuito equivaIente para la conliguracion de divisor de voltaje.

214

(b) S(Ieo)

I +

cion correspondiente es RIc' > RTll 0 RThlRE 10 mas pequeno posible. Para la configuracion de polarizacion por divisor de voltaje, RTh puede ser mucho menor que la correspondientc RB de la configuracion de polarizacion.en emisor y aun asi tener un disefio eficaz,

(f3 + I) I + f3 + RelRE

= 51(_~L~~- 10 ) 5 r(!L)

51 + 10 61

9.2

!':J.lc = [S(Ico)](Mco) (9.2)(19.9 nA)

Configuraci6n de pelarizacion por retroalimentacion (RE = 0 n)

En este caso.

(4.60)

== 0.18 pA

(e) SUO;)

I +

(f3 + I) ! + f3 + RelRE

Debido a que la ecuacion es similar en su formato a la obtenida para las configuraciones de poIarizacion en emisor y de polarizacion por divisor de voltaje, se pueden aplicar aqui las mismas conclusiones con respecto a la razon R/lIRc.

( 1 + 0.01 ) 51----

51 + 0.01

1.01

( .(1)

51-- 51.01

Impacto fisico

EI tipo de ecuaciones que se desarrollaron antes a menudo no pueden proporcionar un significado fisico acerca de por que las redes se comportan como In hacen. Ahara estamos conscientes de los niveles relatives de estabilidad y de como la seleccion de los parametres puede afectar la sensibilidad de la red, pew sin las ecuaciones nos serfa diffcil explicar con palabras por que una red es mas establc que otra. Los siguientes parrafos intentan lIenar este vacto mediante el uso de algunas de las relaciones mas basic as asociadas con cada configuracion.

Para la configuracion de polarizacion fija de la figura 4.69a, la ecuacion para la corriente de base es la siguiente:

el cual verdaderamente se encuentra muy cercano al nivel de I pronosticado si RslRE «; I

Me = [S(Ieo)](Mco) = 1.01(19.9 nA) == 20.1 nA

EI ejernplo 4.28 revela como los niveles mas y mas bajos de I co de los transistores BJT mas modernos, han mejorado el nivel de estabilidad de las configuraciones de polarizacion basicas. Aun cuando el cambio en Ic sea considerablemente diferente en un circuito que cuente con estabilidad ideal (S "" 1) de uno que tenga un factor de estabilidad de 42.53, la variacion en Ie no sera tan significativa. Por ejemplo, la magnitud de la variacion en Ie de una corriente en polarizacion de de, establecida en, digarnos 2 rnA,seria de 2 a 2.085 mA en el peor de loscasos, 10 cuales claramente 10 suficiente pequeno como para ignorarse para la mayoria de las aplicaciones. Algunos transistores de potencia presentan corrientes de fuga mayores, pew para la mayorfa de los circuitos amplificadores los men ores niveles de leo han tenido un impacto muy positive sobre el asunto de la estabilidad,

con Ia corriente de colector deterrninada por

Ie = [3/IJ+([3 + I)Ieo

(4.61)

Si Ic como se encuentra definida en la ecuacion (4.61) se incrementa como resultado de un incremento de leo, no hay nada en la ecuacion para IjJ que intente corrcgir este incremento no deseado en el nivel de la corriente (asumiendo que VUE permanece constante). En otras palabras, el nivel de Ie continuara incrementandose can la temperatura, con In manteniendose en lin nivel abiertamente constante, 10 cual prescntara una situacion muy inestable,

Sin embargo, para la configuracion de polarizacion en emisor de la figura 4.69b, un incremento en lc como resultado de un incremento en/co ocasionara que el voltaje VI< = IERE ~ IeRE se incremente. EI resultado sera una cafda en el nivel de In como 10 determina la siguiente ecuacion:

I Vce - VilE - VE t

In'" (4.62)

R8

Una cafda en 18 tendra el efecto de reducir el nivel de Ie mediante la accion del transistor y, por tanto, compensar la tendencia de Ie a incrementarse debido al aumento en la temperatura.

Conflguracion de polarizacion fija

Para la configuracion de polarizacion fija, si multiplicamos tanto la parte superior como la inferior de la ecuacion 4.54 por RE y luego hacernos que RE = 0 fl, tendremos la siguientc ecuacion:

I S(Ico) = [3 + 1 I

(4.58)

Vee

Observe que la ecuacion resultante coincide con el valor maximo para la configuracion de polarizacion en emisor. EI resultado es una configuraci6n con un factor de estabilidad muy pobre y con una alta sensibilidad ante las variaciones de Leo-

Configuraci6n de polarizacion por divisor de voltaje

Recuerde de Ia seccion 4.5 el desarrollo de la red equivalente de Thevenin que aparece en la figura 4.68, para la configuracion de polarizacion por divisor de voltaje. Parala red de la figura 4.68, la ecuacion para S(l co) es la siguiente:

,-----< Vee

Figura 4.69 Revision de mecanismos de polarizacion y del [actor de estabilidad SUe,,)-

Vee

(4.59)

Observe las similitudes con la ecuacion 4.54, donde se determine que S(lco) tiene su nivel mas bajo y la red tiene su mayor estabilidad cuando RE > RjJ. Para la ecuaci6n 4.59, la condi-

(c)

(b)

(d)

(a)

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.12 Estabiltzacion de la polarizacion

215

En total, par tanto, la conflguracion es tal que existc una reaccion ante un incremento en l c que tcndera a oponerse al cambio en las condiciones de polarizacion.

La configuracion dc retroalimcntacion de la figura 4,69c opera de forma muy similar a la configuracion de polarizacion en emisor en cuanto a niveles de estabilidadse refiere. Si Ie se incrementa cornoresultado del incremento en el nivel de temperatura, el nivel de se incrementaraenla siguiente ecuacion:

Soluci6n

(a) Ecuacion (4.65): S(VBE)

(3

Rn 100

y

240 kfl -0.417 X 10-3 Me [S(VSdJ(tiVBE)

(-0.417 X 10-3)(0.48 V 0.65 V)

(-OA17 X 10-3)(-0.17 V)

70.9 p.A

(b) En este caso, ({3+ I) = 101 Y RBIRE = 240. La condicion ({3 + 1) P RB/RE no se sarisface, 10 cual niega el uso de la ecuacion 4.67 y requiere del usa de la ecuacion 4.64.

RIJ y el nivel de I B disminuira. EI resultado es un efecto estabilizador como el descrito para la COIlfiguracion de polarizacion en ernisor. Es necesario estar conscientes de que la accion descrita anteriormente no sucede en una secuencia de paso a paso; mas bien. se trata de una accion simultanea para mantcner las condiciones de polarizacion cstablecidas. En otras palabras, en el precise memento en que Ic comienza elevarse, la red percatara de esta variac ion y tendra lugar el efecto de estabilizacion descrito antes.

La configuracion mas estable es la red de polarizacion por divisor de voltaje presentada en la FIgura 4.69d. Si la condicion {3RE p lOR} se satisfacc, el voltaje VB permanccera razonablemente constante ante los niveles cambiantes de lc. EI voltaje base-ernisor de la configuraci6n se encuentra dcterminado por VBE = VB VEo Si Ie se incrementa, VElambien!o hara como se describio antes, y para un VB constante, el voltaje VBE caera, Una caida en VBE establecera un menor nivel de IB, el cual tratara de compensar el incremento de nive! de Ie.

(4.63)

Ecuacion (4.64):

S(VBE) = R + ({3 + l)R

B E

-100

-------- = ----

240 kil + (101)1 kD

= -0.293 X 10-3

100

341 kD

EI factor de estabilidad definido por

Me S(Ved =-ti VUE

resultaraen la siguienteecuacion para la configuracion de polarizacion en emisor:

(4.64)

10 eual es cerca de 30% menor que el valor en polarizacion fija debido al termino adicional ({3t l)RE en el denominador de la ecuacion S(Ved·

Me = [S(V8e)](ti Vee)

=(-0.293 X 10-'3)(-0.17 V) == 50 fl,A

Al sustituir RE = 0 il como OCU1Te para el caso de la configuracion de polarizacion fija, dara por resultado

(c) En este caso,

RB 47 kil

(f3 + I) = 101 p - = --- = 10 (satis/echa)

RE 4.7 kil

(4,65)

Ecuacion (4,67): S(VBrJ =

La ecuaci6n 4.64 puede escribirse de la siguiente forma:

RB/Re + ({3 + I) Al sustituir la condicion ({3 + I) p RriRE tcndrernos Ia siguiente ecuacion para S(Vnd:

(4.66)

(4.67)

y

4.7kfl

= -0.212 X 10-3 Me = [S(VBE)]( ti VBE)

= (-0.212 X 10-3)(-0.17 V) = 36.04 (LA

con loque se manifiesta que mientras mayor sea la resistencia RE, menor sera el factor de estabilidady el sistema sera mas estable.

E]EMPLO 4.29

Determine el factor de estabilidad S(VBd y la variacion de Ic desde 25°e hasta 1000e para el transistor definido en la tabla 4.1 con los siguientes arreglos de polarizaci6n.

(a) Polarizaci6n fija con RIJ = 240 kil y {3 = 100.

(b) Polarizacion en emisor con R8 = 240 kil, Re = 1 kil y {3 = 100. (c) Polarizaci6n en emisor con RB =' 47 kil, R£ = 4.7 kil y {3 = 100.

En el ejemplo 4.29, el incremento de 70.9 /LA tendra cierto impacto sobre el nivel de leQ, Para el caso cuando I cQ = 2 mA, la corriente del colector resultante se incrementara a

ICQ 2 mA + 70.9 J-tA

0= 2.0709 rnA

un incremento de 3.5%.

216

Capitulo 4 Polariaacion de de para BJTs

4.12 Estahilizacion de la polarizacion

217

Para la configuraci6n por divisor de voltaje, el nivel de RB se carnbiara por el de R1:1 en la ecuacion 4.64 (segun se definio en la figura 4.68), En el ejemplo 4.29 al utilizar RB = 47 kfl tenemosundiserio discutible. Sin embargo, para la configuracion por divisor de voltaje, RTh puede encontrarse en este nivel o incluso menor y preservar las caracteristicas de un buen diseno, La ecuaci6n desarrollada para S(VBEl para la red de retroalimeniacion sera similar a la de la ecuacion 4.64 al reemplazar RE por Rc.

Inicialmente, la ecuaci6n podria parecer muy compleja, pero observe que cada cornponente de ella es s610 un factor de estabilidad para la configuracion multiplicado por el cambio resultante en un parametroentre los limites de temperatura de interes, Ademas, el bIc que se calculara es unicamente el cambio en I c a partir del nivel a temperatura arnbiente.

Por ejemplo, sianalizamos la configuracion de polarizacion fija, la ecuacion 4.70 se cone vierte en la siguiente:

EI ultimo factor de estabilidad que analizarernos es el de S(f3). El desarrollo matematico es mas complejo que el que se encontro para S(lco) y S(VEE.), como 10 sugiere la siguientc ecuacion para la configuracion de polarizacion en ernisor:

(4.71)

scm

. Mc 1 + Re/RE)

S(f3) = bf3 = f31(1 + f32 + Ra/RE)

(4.68)

dcspues de sustituir los factores de estabilidad como se derive en esta seccion. Ahora se utilizara la tabla 4.1 para hallar el cambio en la corriente del colector ante un cambio en la temperatura de 25°C (temperatura ambiente) a 1000e (el punto de ebullicion del agua). Para este rango, la tabla muestra que:

Mco 20 nA - 0.1 nA = 19.9 nA

!':l. VBE = 0.48 V - 0.65 V == -0.17 V (observese el signo) !':l.f3 = 80 - 50 == 30

y

La notaci6n ICI y f31 se ernplea para definir sus valores bajo un conjunto de condiciones de la red, mientras que la notacion {32 se utiliza para definir un valor de beta nuevo establecido por causas tales como alteraciones en la temperatura, variacion en {3 para el mismo transistor 0 un carnbio en los transistores.

Iniciando con una corricnte de colector de 2 mA con un RB de 240 kfl, el cambia resultante en lc como consecuencia de un incremento de 75°C en la temperatura es el siguiente:

E]EMPLO 4.30

Determine ICQ para una temperatura de 1000e si ICQ = 2 rnA a 25°e. Utilice el transistor descrito en la tabla 4.1, donde {31 = 50 Y {32 = 80, Y la relacion RBIRE es 20.

50 2 rnA

Mc == (50 + 1)(19.9 nA) - 240 kfl (-0.17 V) + 50(30)

= 1.01 p.A + 35.42}-tA + 1200}-tA

= 1.236 rnA

Soluci6n

Ecuaci6n (4:68):

Ie (1 + RB/RE) S(f3) = f31C! '+ f32+ RB/RE)

(2 XlO-3)(l + 20) (50)(1 + 80 + 20) = 8.32 X 10-6

Me = [S(f3)][!':l.f3]

= (8.32 X 10-6)(30) "" 0.25 rnA

42 X 10-3 5050

10 cual es uncambio importante debido principalmente al cambio en (3. La corriente del colector se ha incrementadcde 2 a 3.326 mA;lo cualerade esperarse ya que enesta secci6n identificamos a la configuracionpor polarizacion fija como la menos estable.

Si se emplea la configuracion mas estable por divisor de voltaje con una relaci6nRTh/ RE = 2 y con RE = 4.7 kil, entonces

S(Ieo) 2.89, S(VBE) = -0.2 X 10-3, S(f3) '" 1.445 X 10-6

Mc = (2.89)(19.9 nA) - 0.2 X 10-3(-0.17 V) + 1.445 X 10-6(30)

y

y

= 57.51 nA + 34}-tA + 43.4}-tA = 0.077 rnA

Por tanto en conclusion, In corriente del colec tor se modific6 de 2 mA a temperatura ambiente a 2.25 mA a 1000e, 10 cual representa un cambio de 12.5%.

(4.70)

La corriente resultante es 2.077 mA, basicamente 2.1 mA, comparada con los 2.0 mA a 25°C. La red obviamente es mucho mas estable que la configuraci6n por polarizaci6n fija, como se menciono en analisis anteriores. En este caso, S(f3) no anula a los otros dos factores y los efectos de S(VBE) y de S(lco) fueron igualmente importantes. De hecho, a mayores temperaturas, los efectos de S(lco) y de S(VBEl seran mayores que S(j3) para el dispositive de la tabla 4.1. Para temperaturas inferiores a 25°C, Ic disminuira ante niveles crecientes de temperaturas negativas.

EI efecto de S(lcolsobre el proceso de disefio se ha convertido en una preocupacion menor, debidoa las. mejoras en las tecnicas de fabricacion que contimian disminuyendo el nivelde Ico = ICBo' Tambien debe mencionarseque para.un transistor particular la variaci6nen los niveles de I CBO Y V BE de un transistor a otro dentro de un lote es practicamente despreciable en cornparacion con la variaci6n en beta. Adernas, los resultados del analisis anterior sustentan el hecho de que para un adecuado disefio estable:

Las relaciones RBIRE 0 RTI/RE deberan ser 10 mas pequeiias posibles bajo las debidas consideraciones de todos los aspectos de diseiio, incluyendo la respuesta en ac.

A pesar de que el analisis anterior puede resultar algo confuso debido a algunas ecuaciones complejas de ciertas sensibilidades, el propos ito aqui fue el de desarrollar un mayor nivel

Para la configuracion por polarizacion fija S(f3) = Ic/f31 Y para la configuracion por divisor de voltaje RB de la ecuaci6n 4.68 se reemplaza por RTh•

Para la configuracion por retroalimentaci6n en colector con RE = 0 fl,

(4.69)

Resumen

Ahora que se presentaron los tres factores de estabilidad mas importantes, es posible deterrninar el efecto total sobre la corriente del colee tor mediante la siguiente ecuacion:

218

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.l2 Estabilizaclon de la polarizacion

219

de cornprension de los factorcs invclucrados COIl un adecuado diseno y de conocer de cerca los parametros de los transistores y su irnpacto sobre el desempeno de Ia red. EI analisis de las secclones anterioresse dirigi« a situacioncs idcalizadas con val ores invariables de parametros.

estamos mucho Inas conscientes de como la respuesta en de del disefio puede como

resultado de lasvariacionesde parametrosdc un transistor.

do de encendido del transistor podra continuar fluyendo a traves del diodo, eliminando el cambio severo en el nivel de eorriente. Debido a que !a corriente inductive se transfiere al diode de forma practicamente instantanea una vez que el estado de apagado se establece, el diode-debe tener un valor nominal decorriente equivalente a la corriente a traves del inductor y del transistor cuando se encuentre en el estado cncendido. Eventualmente, por causa de los elementos resistivos en la malla, que incluyen la resistencia de las vueltas del devanado de la bobina y al diodo rnismo. la variacion a alta frecuencia (rapida oscilacion) del nivel de voltaje a traves de la bobina decaera a cero, y el sistema sc asentara.

4.13 APUCACIONES pRACTICAS

De la rnisma forma que para los diodos en el capitulo 2, serfa virtualrnente irnposible proporcionar incluso un tratamicnto superficial de las amplias areas de aplicacion de los BJTs. Sin embargo, se seleccionaron algunas aplicaciones para dernostrar como los distintos aspectos de las caracterfsticas de los BJTs se emplean para realizar distintas funciones.

Transistor interrupter

En la figura 4.7Ia, se ernplea un transistor como un interrupter para controlar los estados de encendido y apagado de una lampara electrica en su colec tor. Cuando el interrupter se encuentra en la posicion de encendido, tenemos una situacion de polarizacion fija donde el voltaje baseernisor se encuentra en su nivel de 0.7 V y la corriente de base 1'1 controlan el resistor R I Y la impedancia de entrada del transistor. La corriente a traves de la larnpara sera entonces de beta veces la corriente de la base y la lampara encendera. Sin embargo, puede surgir un problema si la lampara no se ha encendido por un tiernpo. Cuando una lampara se prende por primera vel, SU resistcncia es muy baja, aun cuando esta se incrementa rapidamente a medida que la lampara permanezca encendida. Esto puede causar un breve nivel alto de la corriente del colector que con el tiernpo podna dafiar a la lampara y al transistor. En la figura 4.71 b, por ejernplo, se incluye la recta de carga para la misma red, con una resistencia en frio y en caliente para la himpara. Observe que incluso aunque la corriente de base es deterrninada por el circuito de la base, la interscccion con la recta de carga ocasiona una corriente mayor para la lampara en frio. Cualquier problema con respecto al nivel de encendido puede corregirse al insertar un pequeno resistor adicional en serie con la lampara, como se muestra en la figura 4.7! C, solo para asegurar un limite en la sobrecarga inicial de corriente cuando la lampara se encicnde por primera vel.

Manejador de relevador

Esta aplicacion es de alguna manera una continuaci6n del analisis presentado para los diodos sobre como es posible minimizar los efectos del impulso inductive mediante un diseno apropiado. En la figura 4.70a, se ernplca un transistor para establcccr la corriente necesaria para activar cl relevador en el circuito del colector. Sin entrada en la base del transistor, tanto In corriente de base, la corriente de colector y la corriente de la bobina son esencialmente de 0 A, Y el relevador permanecera en el estado inactivo, no energizado (normal mente abierto NA). Sin embargo, cuando se aplica un pulso positive en la base, el transistor se encenderti, estableciendo suficiente corriente a traves de la bobina del electroirnan para cerrar al relevador. Pueden surgir problemas cuando la sefial de la base se desconecta para apagar al transistor y desactivar al relevador. Idealmente, la corriente a traves de la bob ina y del transistor caera rapidamente a cero, el brazo del relcvador se liberara y el relevador sirnplernente pcrmanecera inactive hasta la siguiente serial. Sin embargo, sabcrnos por nuestros cursos basicos de circuitos, que la corriente a traves de la bob ina no puede cambial' instantaneamentc, y que de hecho, micntras mas rapido cambie, mayor sera el voltaje inducido a traves de la bobina como 10 define: VD = L(diJdt). En este caso, lacorriente que cambia rapidamente a traves de la bobina.desarrollara un voltaje mayor a traves de la bobina con la polaridad quese rnuestra en la figura 4.70a y que se presentara directamente a traves de la salida del transistor. Es probable que su magnitud exceda los niveles norninales maximos del transistor, y el semiconductor quedara dafiado pennanentemente. El voltaje a traves de la bobina no permaneccra en su nivel de conmutacion mas alto sino que oscilara como se muestra, hasta que su nivel caiga a cero a medida que el sistema se asiente.

Esta accion destructiva puede anularse al coloear un diodo a traves de la bobina como se muestra en la figura 4.70b. Durante el estado de encendido del transistor, el diodo se encuentra en polarizacion inversa, permancciendo como un circuito abierto sin afectar. Sin embargo, cuando el transistor se apaga, el voltaje a traves de la bobina se invertira y polarizara de forma directa al diodo, encendiendolo, La corriente a traves del inductor establccida durante el esta-

(b)

(a)

Vee

Figura 4.71 Utilizacion del transistor como un interrupter para controlar los estados de eneendido-apagado de una larnpara: (a) red; (b) efccto de una resistcncia baja de la lam para sobre la corriente del coleetor; (c) resistor lirnitador.

AI apagarse

\,-

f.

Fuente de corriente constante (FCC)

Si asumimos que las caracteristicas de un transistor son como las presentadas en la figura 4.72a (con beta constante siernpre), puede construirse una excelente fuente de corriente empleando la configuracion de transistor simple de la figura 4.72b ya que sin importar cual es la resistencia de carga, la corriente de colector 0 de carga perrnanecera igua! como 10 muestra la figura 4.72c. La corriente de base se encuentra fija, y sin importar donde se encuentre la recta de carga, la corriente del colector permanecera siendo la misma. En otras palabras, la corriente del colector es independiente de la carga en el circuito del colector: una fuente de corriente perfecta. Sin embargo, debido a que las caracterfsticas reales son mas cercanas a las present ad as en la figura 4.71b, donde la beta varia de un pllnto a otro, y a pesar de que la corriente de base sea

~NA

II~NC

v---<'NA

II NC

+

Vi

Cuando el transistor se apaga

o VapuguJo r

(a)

(b)

Figura 4.70 Manepdor de relcvador: (a) can ausenda de dispositivo de protecci6n; Cb\ con un diode a Iraves de In bobina del relevador.

220

4.13 Aplieaciones pn\ctieas

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

(e)

221

te, asumiendo ide ales del EJT: caractensucas ide ales; (1;') red: (c) dC:DWStracion de In Ie permaneCe

222

Ie

1-----134 !------- fs} 1---------- fH}

"-----~/Bl

(a)

(b)

o

( Vee VeE

Recarga RgranJe

ee)

fija debido a la configuracion, la beta varian! de un punto a otro con la interseccion de la carga, e lc li. variara, 10 cual no es una caracterfstica de una fuente de corriente buena. Sin embargo, recuerde que la configuracion por divisor de voltaje provoca un bajo nivel de sensibilidad a la beta, por 10 que quiza si se emplea ese arreglo de polarizacion, la fuente de corriente equivalente se encuentre mas cercana a la realidad. De hecho, este es el caso. Si se utiliza un arreglo de polarizacion como el que se presenta en la figura 4.73, la sensibilidad ante los cambios del punto de operacion debidos a cargas variables sera mucho menor y la corriente del colector permanecera practicamente constante ante cambios en la resistencia de carga en la seccion del colector. De heeho, el voltaje del ernisor quedara determinado por

VE = VB - 0.7 V con la corriente del colector 0 de carga determinada por

VE VB - 0.7 V

Ie ==lE = _,_ = -=---

RE RE

Figura 4.73 Red que establece una Fuente de eorriente practicamcnte eonstante debido a su reducida sensibilidad ante cambios en beta.

Empleando la figura 4.73, es posible demostrar la mejora en la estabilidad analizando el caso en el que Ie pueda tratar de elevarse por cualquier motivo. El resultado sera que IE = Ie tambien se elevara y el voltaje VRE = hRE se incrementara, Sin embargo, si asumimos que VB se encuentra fijo (un supuesto correcto debido a que su nivello determinan dos resistores fijos y una fuente de voltaje), e1 voltaje base-ernisor VBE = VB - VRE caera, Una cafda en VBE ocasionara que IB y por tanto Ie(= f3IB) caigan. El resultado de esto sera una situaci6n donde cualquier tendencia de f e a incrementarse se topara con una reaccion de la red que trabajara en contra de este cambio con el objetivo de estabilizar al sistema.

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

Sistema de alarm a con FCC

En la figura 4.74 se presents un sistema de alarma con una fuente de corriente constante del tipo que seacaba de revisar. Dadoque (3RE = (100)( 1 kfl) = 100 kfl es m~cho mayor que . R b podernos utilizar el enfoque aproximado y encontrar el voltaje VR, como sigue:

2 kD(16 V)

2 kD + 4.7 kfl

4.78 V

y luego el voltaje a traves de RE:

VR, = VR, 0.7 V == 4.78 V - 0.7 V = 4.08 V

y final mente la corriente del ernisor y del colee tor:

4.08 V

---~ = 4.08 rnA ~ 4 rnA Ie

IW .

+16V

__ --,_-c + 16 V

} ,r~

tbb

'-"-~-

Salida

2 kfl.

Interrupter en la puerta

Larninado en ventana

Al circuito de timbre de alarma

Interrupter mugnetico

Figura 4.74 Sistema de alarrna con una Fuente de eorriente constante y un op-arnp como comparador,

Puesto que la corriente del colector es la eorriente a traves del circuito, la corriente de 4 rnA permanecera practicamente eonstante ante ligeras variaciones en la carga de la red. Ob~erve que la corriente pas a por una serie de elementos sensores y finalmente por un op-amp disefiado para comparar el nivel de 4 rnA con un nivel de referenci.a de 2 rnA. (A pesar de q~e el op-amp pueda ser un dispositivo nuevo para usted, este se a~ahzanl con detall~ en:l capitulo 13 y no sera necesario conocer los detalles de su comportamiento para esta aplicacion.)

El amplificador operacional, op-arnp, LM2900 de la figura 4.74 es uno de los cuatro que se encuentran en eI encapsulado de circuito integrado de doble lfnea que aparece en la figura 4.75a. Las terminales 2, 3,4,7 Y 14 se utilizaron en el disefio de la figura 4.74. Solamente por motivo de interes, observe en la figura 4.75b el numero de elementos requeridos para establecer las caracteristicas terminales buscadas del op-arnp; como se menciono anteriormente, los detalles de su operaci6n interna se dejan para otro momento. Los 2 rnA en la terminal 3. del opamp es una corrientedereferencia que establecen la fuente de 16 VyRref en laparte mversoradela entrada del op-amp. El nivel de eorriente de 2 rnA se requiere como un nivel con el cual se comparani lacorriente de4 rnA de laredo Entanto la corriente de4 rnA en la entrada no inversora del op-amp permanezca constante, el op-amp proporcionara un v_oltaje de sa!ida ".alto" que excedera a 13.5V, con un nivel tfpico de 14.2 V (de acuerdo c.on las hojas de espe~lfic~clo~es del op-amp). Sin embargo, si la eorriente del sensor cae de un myel de 4 rnA a un nivel inferior a 2 rnA, el op-amp respondera con un voltaje de salida "bajo" que tfpicamente es .~ercano a 0.1 V. La salida del op-amp entonees avisara al circuito de alarma sobre esta alteracion. Observe de 10 anterior que no es necesario que la corriente del sensor caiga completamente hasta 0 rnA para avisar al circuito de alarma; solo se requiere una variacion con respecto al nivel de refereucia que parezca inusual, 10 cual es una buena caracteristica de la alarma.

4.13 Aplicaciones practices

223

Encapsulado de Ifnea doble

E."l- [:-I. [s· SA- SA-

TRADA 3+-rRADA 4+ TR_-\D,;' .r-

EN-

Sobre e1 encapsulado identificar ruimeros de las terminales

TRADA mADA 2+ TRADA 2 L!DA:'

VISTA SUPERIOR (a)

4

Salida

(b)

(e)

Figura 4.75 Amplificador opcracional LM2900: (a) encapsulado de doble linea (DIP, del ingles Dual-in-Line Package); (b) componentes; (c) impacto de una impedancia de entrada ba]a.

224

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

Una caractenstica muy importante de este op-amp en particular es su baja impedancia de entrada, como 10 muestra la figura 4.75c. Esta caracterfstica es importante ya que no se desea queel circuito de alarma reaccione ante cualquier pico devoltaje 0 turbulencia que llegue a Ia linea debidoa cualquier accion de interrupcion externa 0 a fuerzas externas como rayos. Par ejemplo, en lafigura 4.75c, si un pico de voltaje apareciera en la entrada de la configuracion en scrie, la mayor parte de este voltaje se presentaria a traves del resistor en serie, en lugar de en cl op-amp, impidiendo de esta forma una salida falsa y una activacion de la alarrna.

Compuertas logicas

Hasta ahora, quiza sea una sorpresa para el lector que los transistores en modo de se empleen para multiples aplicaciones. Para la mayona de los estndiantes que cuentan con un conocimicnto previo acerca de los transistores, el supuesto inicial es que un transistor se ernplea iinicarnente como un amplificador de ae. De heche, la mayona de los componentes elecuonicos cuentan con una variedad de aplicaciones tanto en ae como en de.

En esta aplicacion, explota al maximo el hecho de que la impedancia del colector al emisor de un transistor es muy baja, cercana al punto de saturacion (0 sobre ell y muy grande en el punto de corte (0 en el). Por ejemplo, la recta de carga define saturacion como el punto donde la corricnte es muy alta y el voltaje colector-emisor muy bajo como se muestra en la figura 4.76. La resistencia resultante, definida por

V CE", (bajo)

R,at = -[--- , es muy pequetia y generalmente se aproxima a un circuito cerrado. En el

C,,,(alta)

corte, la corriente es relativamente baja y el voitaje se encuentra cercano a su valor maximo como se muestra en la figura 4.76, ocasionando una impedancia muy alta entre las tenninales del coleetor y las del emisor, 10 cual se aproxima com iin mente por medlo de un circuito abierto.

Figura 4.76 Puntas de operacion para una campuerta logica de BJT.

Los niveles de impedancia anteriores establecidos por transistores de encendido y apagado hacen que sea relativamente fticil entender la operacion de las compuertas logicas de la figura 4.77. Dado que cada compuerta cuenta con dos entradas, existen cuatro posibles combinaciones de voltajes en la entrada de los transistores. Un I 0 estado encendido se representa por un voltaje alto en la terminal de la base que enciende al transistor. Un 0 0 estado apagado se representa pot 0 V en la base.asegurando conesto que el transistor se encuentre apagado. Si tanto A como B para la compuerta.logica OR dela figura 4.77a cuentan con una entrada baja 0 de 0 V, ambos transistores se .encontraran apagados (en corte), y la impedancia entre el colector y el emisor de cada transistor se podra aproximar a un circuito abierto. Si mentalmente se reernplazan ambos transistores por eircuitos abiertos entre el colector y el emisor se eliminara cualquier conexi on entre la polarizacion apJicada de 5 V y la salida. El resultado sen! una corriente cero a traves de cada transistor y a traves del resistor de 3.3 kil. EI voltaje de salida es por tanto 0 V 0 "bajo" (un estado 0). Por el otto lado, si el transistor QJ se encuentra encendido y Q2 se encuentra apagado debido a un voltaje positive en la base de QJ Y 0 V en la base de Q2, entonces se podra aplicar el equivalente a un circuito cerrado entre el colector y el emisor de QIo y el voltaje en la salida sera de 5 V 0 "alto" (un estado 1). Finalmente, si ambos transistores se encienden gracias a un

4.13 Aplicaciones practicas

225

Vee 5 V

Figura 4.78 Espejo de corriente empleando dos transistores BJT.

similares (idealmente las misrnas), En otras palabras, una corriente de base de 1.0 /LA en =: quiera de ellos provocara la misma corriente de colector para cada uno; el voltaje base-emisor de cada uno en el estado encendido sen! el mismo, etcetera.

La operacion de la configuraci6n se define mejor si primero se establece I~ corriente de control al nivel deseado, digamos IR,. Esto definira el nivel de lei Y de fe, a partir de le/f3t = I If.!. Y establecera el nivel de VOE como 10 muestra la figura 4.79. Dado que se trata de tran-

R, 1"1 .' I . I d I

sistores pareados, identicos, VBE, ::: VBE2, y el nivel resultante de IB, sera.e nusmo que e eo,·

EI resultado es la misma corriente de colector (corriente de carga) dcfinida por li. ::: Ie, = ~21s2 dado que ambas betas son iguales. En general, por 10 tanto, t:= fe, ::: lc, ::: [R para transisto-

res equivalentes. .' ,

La red tambien contiene una medida de control integrada que intentara asegurar que cual-

quier variaci6n en la corriente de carga sera corregida por la n:isma configuraci6n. POI' ~~emplo, si li. intentara incrementarse por cualquier motivo, la cornente de base de Q2 tambien se incrementarfa debido ala relacion Is, = le/f3, = h1f3,. Regresando a la figura ~.79, encontramos que un incremento en 18 ocasionarfa quetambien se incrementara el voltaje VBE2· Dado que la base de Q2 se encuertt!a conectada directamente c?n el colector de qlo el voltaje VCE, tambien se incrementara. Esta acci6n ocasiona que el voltaje a traves del resistor de control R diminuya, provocando que [R caiga. Pero si [R cae, la corriente de base [~ ~~era, ocasionando que tanto IB, como IB, caigan tambien. EI resultado, pOI' tanto, es una sensibilidad ante carnbios no deseados que la red intentara corregir.

La secucncia completa de eventos recien descrita puede presentarse en una sola linea como se muestra adelante. Observe que en un extrerno la corriente de carga se trata de incremental', y en el otro extremo, al final de la secuencia, la corriente de carga se ve obligada a regresar a su nivel original.

IOkfl

c= +/J Compuerta
AND
.".
i\ B C
0 0 0
0 1 ()
1 0 ()
1 1 1
(b) Compuerta OR

Figura 4.77 Compuertas logicas BJI (1) OR: (2) AND.

A B C
0 0 ()
0 1
1 ()
1 1
1 = alto
0= bajo
(a) voltaje positivo aplicado a la basede.cada uno, ambos aseguraran que el voltaje de salida sea de 5 V o "alto" (un estado I). Con esto queda correctamente definida la operaci6n de una compuertaOR: se obtiene una salida si cualquier terminal de entrada cuenta con un voltaje aplicado de encendido 0 si ambas se encuentran en el estado de encendido. Un estado 0 se presentara solamente si ambas no cuentan con un estado I en las terminales de entrada.

La compuerta AND de la figura 4.77b requiere que la salida sea alta solamente si ambas entradas euentan con un voltaje de encendido aplicado, Si ambas se encuentran en el estado de encendido, es posible emplear un equivalente de circuito cerrado para la conexi6n entre el colector y el emisor de cada transistor, proporcionando una lfnea directa que va de la fuente aplicada de 5 V a la salida, estableciendo un estado alto 0 de I en Ia terminal de salida. Si uno 0 ambos transistores se encuentran apagados como consecuencia de tener 0 V en la terminal de entrada, se colocara un equivalente de circuito abierto en serie con la linea directa que va de la fuente de voltaje de 5 V a la salida, con 10 que el voltajc de salida sera de 0 V 0 un estado apagado.

Espejo de corriente

EI espejo de corriente es una red de de en la cualla corriente a traves de la carga es la imagen en espejo de otra corriente de Ia misma red. Si la corriente de control en la red se modifica, la corriente a traves de la carga tambien 10 hara.

En la figura 4.78 se presenta un espejo decorriente comun construido con dostransistores npn. La corriente de carga es la corriente del colector de Q2 y la corriente de control es la corriente del coleetor de Qt. Observe que; en particular, la corriente del colector de Q I se encuentra conectada directamente con Ia base del mismo transistor, estableciendo el mismo potencial para cada punto. EI resultado es que Vel = VB, = VB,::: 0.7 V para el transistor encendido. El elemento que controla es el resistor R. Si se modifica este valor, se modifica la corriente de control como 10 determina IR = lc, = (10 V - 0.7 V)/R (ignorando la cafda en lc, debida a [B como 10 muestra la figura 4.78).

Una vez que Ia resistencia se varia, la eorriente del colector de Q2 cambiara inmediatamente al nuevo nivel. La operaci6n de la red de espejo es completamente dependiente del hecho de que tanto QI como Q2 son transistores equivalentes, esto es, transistores con caracterfsticas muy

Indicador del nivel de voltaje

La ultima aplicaci6n que se presentara en esta secci6n, el indicador del ni~el de vol~aje, incorpora tres de los elementospresentados hasta este punto d~1 texto: el. transistor, el diodo Zener y el LED. EI indicador de nivel de voltaje es una red relativamenresimple qu~ emplea un. LED verde para indicar cuando el voltaje de la fuentese encuentra cercano a su mvel de 111On:toreo de 9 V. En la figura 4.80 el potenci6metro se regula para establecer 5.4 V en el punto md.lcado. EI resultado es un voltaje suficiente para encender tanto al Zener de 4.7 V como al transistor y para establecer una corriente en el colector a traves del LED de magnitud suficiente como para encender al LED verde.

Una vez que se mantiene fijo el potenci6metro, el LED emitira su luz verde mientras el vol-

taje de la fuente se encuentre eercano a 9 V. Si~ ,embargo, si .e: voltaje en I.as tern;inales de la bateria de 9 V disminuye, el voltaje que establecio la red del divisor de voltaje podna caer a 5 V de 5.4 V. En el nivel de 5 V, el voltaje es insuficiente para encender tanto al Zener como al

226

4.13 Aplicaciones practicas

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

Figura 4.79. Caracterist.cas de.la base para el transistor (y Q2)'

227

Figura 4.80 Indtcador del nivel de voltajc

10. Cuando se analiza la polarizacion de de para una configuracion por retroulimcntacion de voltaje, debe estar seguro de recordar que tanto el resistor del emisor como el.del colector se retlejan al circuito de la base multiplicados por beta. La menor scnsibilidad

beta seobtiene cuando la resistencia retlejadaes mucho mayor que el resistor de retroalimentacion entre la base y el colec tor.

11. Para la conflguraci6n de base comun, la corriente del emlsor norrnalmente se determina primero por la presencia de la union base-emisor en la misma malia. Luego se aprovecha el hecho de que la corriente del emisor y del col ector son basicamentc de la nus-

ma magnitud.

12. Un claro entendimiento del procedimiento emplcado para analizar una red de transistores en de general mente perrnitira un disefio de Ia rnisma configuraci6n con un mini~~ d: dificultad y de confusi6n. Sencillamente comic nee con aquellas relaciones que nnnnmzan cl mimero de incognitas, y luego proceda a tomar decisiones acerca de los elementos

desconocidos de la red.

13. En una configuraci6n de conmutacion, un transistor se desplaza rapidarnente entre la saturacion v eI corte, 0 viceversa. Esencialmente, la impedancia entre el colector y e1 enuSOl' puede aproximarse como un circuito cerrado para la saturaci6n y como un circuito

abierto para el corte.

14. Al verificar la operacion de una red de transistores en dc, primero verifique qu.e el voltaje base-emisor se encuentre muy cercano a 0.7 V Y que e1 voltaje colector-emlsor se encuentre entre 25 y 75 % del voltaje aplicado Vee·

15. E1 analisis de las configuraciones pnp es exactamente el mismo que el aplicado p~r~ los transistores npn con la excepcion de que las direcciones de las corrientes se lnvertiran y que los voltajes tendran polaridades opuestas.

16. La beta es muy sensible a la temperatura, y V/JE disrninuye cerca de 7.5 m V (0.0075 V) por cada incremento de 1 ° en la temperatura en la escala de Celsius. La corriente de saturaci6n inversa tipicamcnte se duplica por cada incremento de 10° en la esc ala de Celsius.

17. Tenga en mente que las redes que son las masestables y las mcnossensibles ante variaciones de temperatura tienen los facto res de estabilidad mas pcqueiios.

r, 1

9 v -«--,-------.------

transistor, y el transistor se encontrara en el cstado de apagado. EI LED inmediatamente se apagani, mostrando que el voltaje de la fuente ha cafdo por debajo de los 9 V 0 que Ia fuente de alimentacion se ha desconectado,

4.14 RESUMEN

Conclusiones y conceptos importantes

l. Sin importar el tipo de configuraci6n en el que sc utilice un transistor, las relaciones basicas entre las corrientes son siempre las mismas y el voltaje base-em is or es el valor de umbral si el transistor se encuentra en estado encendido,

2. El punto de operacion define donde ope rani el transistor sobre sus curvas caracterfsticas bajo condiciones de dc. Para el caso de arnplificacion lineal (minima distorsi6n), el punto de operaci6n de de no debera ser muy eercano a los valores nominales maximos de poteneia, corriente 0 voltaje y se debenin evitar las regiones de saturaei6n y de corte.

3. Para la mayoria de las configuraciones, el analisisde de inicia con la determinacion de la corriente de la base,

4. Para el anal isis de de de una red de transistores, todos los capacitores se rcernplazan par un equivalente de circuito abierto.

5. La configuracion de polarizaci6n fija es la mas simple para la polarizaci6n de un transistor, pew tambien es muy inestable debido a su sensibilidad a la beta en el punto de operaei6n.

6. La determinacion de la corriente de saturacion (maxima) del colcctor para cualquier configuracion puede realizarse de forma sencilla si se sob repone un circuito cerrado lmaginario entre las terminales colec tor y emisor del transistor. La corriente resultante a traves del corto sera entonces la corriente de saturacion.

7. La ecuacion de la recta de carga de una red de transistores puede encontrarse al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff a la red de salida 0 del colector. EI punto Q se dctermina, por tanto, al encontrar la iuterseccion entre la corriente de base y la recta de carga trazada sobre las caracteristicas del dispositive.

8. El arreglo de polarizaci6n por estabilizaci6n en emisor es menos sensible ante cam bios en beta, 10 que proporciona una mayor estabilidad para la red. Tenga en mente, sin embargo, que cualquier resistcncia en.la terminal del emisor se "observa" en Ia base del transistor como un resistor mucho mayor, un hecho que reducira lacorriente de base de la configuraci6n.

9. La eonfiguraci6n pOI' divisor de voltaje es probablemente la mas comiin de todas las configuraciones. Su popularidad se debe principalmente a su baja sensibilidad ante cam bios en la beta de un transistor a otro dentro de un mismo lote (con la misma etiqucta de transistor). EI analisis exacto se puede aplicar a cualquier configuracion, pero el aproximado s610 puede aplicarse si la resistencia del emisor reflejada en la base es mucho mayor que el resistor mas bajo de la configuraci6n de polarizaci6n por divisor de voltaje conectada a la base del transistor.

Ecuaciones

VBE == 0.7 V

IE == ({3 + 1)18 == lc lc = {3IB

Polarizacion fija:

Estabilizacion en emisor:

Polarizaci6n por divisor de voltaje:

Exacto: RTh = RiliR2

228

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

4.14 Resumen

229

Aproximado: Probar (3RE 2': lORz

R2VcC RI + R2

VE = VB VSE

Polarizacion de con retroalimentacion de voltaje:

Base comun:

Redes de transistores de conmutaci6n:

Pactores de estabilidad:

S({3) = ~i

Polarizaci6n fija: S(Ico) = (3 + 1

S(/ ) - ({3 + I) 1 + R8/R/'

co - ({3 + I) + RB/RE

"Polarizacion por divisor de voltaje: Cambiar Rs por RTh en la ecuacion de arriba,

Polarizaci6n por emisor:

*Polarizaci6n por retroalimentaci6n: Cambiar RE por Rc en la eeuaci6n de arriba.

230

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

f3 Polarizacionfija: S(VBE) = _-

Rll

Polarizacion por emisor:

S(VBE) = -R-B -+-(:-J3-+-1-)R-E

"Polarizacion por divisor de voltaje: Cambiar RB por RTh en la ecuacion de arriba. "Polarizacion por retroalimentacion: Cambiar RE por Rc en la ecuacion de arriba.

S(f3):

Polarizacion fija:

I S(f3) = _s (31

Polarizacion en emisor:

S(f3)

tPoiarizaci6n por divisor de voltaje: Cambiar Rs por RTh en la ecuacion de arriba. +Polarizaci6n por retroalimentaci6n: Cambiar RE por Rc en la ecuacion de arriba,

4.15 ANAuSIS POR COMPUTADORA PSpice para Windows

CONFlGURACION POR DIVISOR DE VOLTAJE

Ahora se veri fie an in los resultados del ejemplo 4.7 mediante PSpice para Windows, La red de lafigura 4.81 puede construirse ernpleando los metodos descritos encapftulos anteriores, Recuerde que el transistor puede localizarseen labiblioteca EVAL.slb, lafuente de de bajo SOURCE.slb y el resistor bajo ANALOG.slb. EI capacitor aparecera tam bien dentro de labiblioteca ANALOG.slb. En la figura 4.81 aparecen tres VIEWPOINTS (puntos de observaci6n) obtenidos de la biblioteca SPECIAL.slb. La corriente del colector sera detectada por la opcion IPROBE, que tambien aparece en la biblioteca SPECIAL.slb, Recucrdc que se obtiene un resultado positivo en IPROBE si la direccion convencional de la corriente entra por la parte del sfrnbolo con In curva interna que representa la escala de medicion. Ahora buscaremos que el valor de la beta del transistor coincida con la del ejemplo. Esto se logra haciendo clie en el sfrnbolo del transistor (para obtener el delineado rojo) seguido por Edit-Model-Edit Instance Model (text) para obtener el Model Editor (Editor del modelo), Luego se modi fica Bf a 140 para igualarla con el valor del ejemplo 4.7. Oprima OK y la red estara preparada para el analisis,

+

824.22uA

VCC-=-22V

I

R1

R2

4,15 Analtsis por eomputadora

Figura 4.81 Aplicacion de PSpice para Windows a la connguraci6n por divisor de voltaje del ejernplo 4.7.

231

Para este caso, debido a que estamos intercsados unicamcnte en la respuesta de de, el Pro-

be Setup Analysis debera habilitar la opcion Do not auto-run Probe, Esto nos evitara tener

pasar poria respuesta de Probe antes de ver el archivoo la pantalla de salida, La secuenAnalysis-Simulate ocasionaralos niveles de de que aparecen en la figura 4,81, que seacercall a los del ejemplo 4,7, EI voltaje colector-cmisor es de 13;76 V- 1.259 V = 12,5 V, contra 12,22 V del cjemplo 4,7, y la corriente del colector es de 0,824 mA, contra 0,85 m A. Las diferencias son debidas al hccho de que estamos empleando transistores reales con un conjunto de parametres que no se consideran en nuestro analisis, Recuerde la diferencia en beta entre el valor especificado y el valor obtenido de la grafica del capitulo anterior,

Debido a que la red de divisor de voltaje es una de las cuales tiene menor sensibilidad ante variaciones de beta, regresemos al transistor y reemplacernos la beta de 140 por el valor implicito, "por default", de 225,9 e inspeccione los resultados, EI analisis producira los niveles de de que aparecen en la figura 4.82, los cuales son muy cercanos a los de la figura 4,8 I,

+

vee~22V

R1

R2

Figura 4,82 Respuesta obtcnida dcspues de carnbtarla fJ de HO

a 255,9 para bred dela figura 4,81.

EI voltaje del colector-emisor es 13,69 V 1,266 V = 12.42 V, el eual es muy eercano al

obtenido al emplear una beta mucho menor. La corriente del col ector real mente se encuentra mas cercana a la del nivel calculado a mano, 0,832 mA contra 0,85 mAo Por tanto, no hay duda que la configuracion pOI' divisor de voltaje muestra una baja sensibilidad ante variaciones en beta, Sin embargo, recuerde que la configuracion de polarizacion fija era muy sensible a los cambios en beta, procedamos ahora con el mismo tipo de analisis para la configuracion de polarizacion fija a tin de compararlas,

CONFIGURACION DE POLARIZACION FIJA

La configuracion de polarizacion fija de la figura 4.83 proviene del ejernplo 4, I para permitir una cornparacion de los resultados, La beta se fijo en 50 por medio del procedimiento descrito antes, Para este caso, emplearemos un VIEWPOINT para leer el voltaje de colector-emiSOl' y habilitaremos el despliegue de las corrientes de polarizacion (mediante el icono con la letra I mayuscula), Ademas, inhibirernos el despliegue de algunas corrientes de polarizacion utilizando el icono con la letra I mayiiscula mas pequefia y el simbolo del diode, EI toque final sera mover algunasde las corrientes desplegadas para depurar III prescntacion.

Un analisis PSpice de la red generara los niveles que aparecen en la figura 4,83, Los cuales son muy cercanos a los obtenidos con la solucion hecha a mano, teniendo al voltaje del colector en 6,998 V contra 6,83 V, la corriente del colector en 2,274 mA contra 2.35 mA, y la corriente de base en 47,23 p.A contra 47,08 /LA.

Anora probemos la sensibilidad ante variaciones de la beta cambiando al valor implfcito de 255,9, Los resultados se presentan en la figura 4.84, Observe la cafda dramatic a en V c a 0,113 V comparada con 6,83 V Y la importante elevacion en ID a 5.4 mA contra la solucion de 2,35 mA Obviamente la configuracion de polarizacion fija es muy sensible a beta,

232

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

1

vee -==-12V

I

RB 240k

l Q1

~

Figura 4.83 rizacion fija

de [lola.

vee-=--12V

I

RB 240k

Figura 4,84 Red de la Iigura 4,83 can una fJ de 255,9

Electronics Workbench

Anora se aplicara Electronics Workbench para la red de polarizacion fija del ejernplo 4.4 para proporcionar una oportunidad para revisar las opciones intern as del transistor en el paquete de software y para comparar los resultados con 1a solucion realizada a mano.

Se encuentra disponible una seleccion amplia de transistores al solo seleccionar la opcion de transistor del Component Tool Bar (Barra de herramientas de componentes). Con esto se prescuta un cuadro de dialogo informative Component Browser del cual es posible elegir un componente (Select Component). Bajo la lista de componentes (Component List) se tienen distintos transistores de donde se selecciono el transistor 2N2712. Una vez que esto se realice, apareceran los datos del modele (Model Data) que muestran los parametres importantes del dispositivo. Haga clic en OK, y entonces sen! posible posicionar el transistor en cualquier lugar de la pantalla como se muestra en la tigura 4,85, Haga doble clic sobre el dispositivo y aparecera un cuadro de dialogo BJT NPN que Ie permitira modificar algunos de los parametres de nuestra aplicacion. Seleccione primero Edit, y cambieBf a 50 e Is a 1 nA, y seleccione Change Part Model para modificarlo. Haga die enOKy el.transistor de la pantalla presentara ahora un asterisco sobre su etiquetapara indicar que.se ha efectuado un cambio en los parametres. EI nuevo valor de beta puede desplegarse en la pantalla utilizando la opci6n Place Text bajo Edit. Con un clic del boron Izquierdo se establcccra la posicion del texto que se capturara. Una vez que se haya tecleado BF=50, con un doble clic la casilla con la informacion se establecera alrededor del ingreso de datos. Con un clie Izquierdo adicional, la etiqueta se habra ingresado, Para eliminarla, solamente hay que seleccionar la casilla con un clic Izquierdo del raton sobre la etiqueta, y luego mediante un die del boron derecho seleccionar de la lista de opciones presentadas la opcion Cut. Puede accederse a la opcion Place Text (Colocar texto) en cualquier memento con un clic derecho del raton, despues de 10 cual se continua con el proceso descrito anteriormente.

4,15 Analisis por eomputadora

233

Figura 4.85 verificacion de los

resultados del 4.4 me-

Debido a que siempre es importante conocer el estatus del control de simulacion (Simulation), se recornienda colocar un interruptor simulado (Simulate Switch) en la pantalla en todo momento, ya que una vez que la opcion de ejecucion (RUN) se selecciona debajo de Simulation, no es posible realizar cambios en la red hasta que la simulaci6n (Simulation)se detenga. EI interrupter claramentemostrnm el estatus de la sirnulacion con un 1 0 un O. Para desplegar el interruptor, solamente seleccione Show Simulate Switch debajo de la opci6n View.

Una vez que el transistor se encuentra en su lugar, los elementos restantes pueden 'coloca!"se como 10 muestra la figura 4.85 empleando el procedimiento descrito a detalle en capitulos previos. EI unico amperfmetro empleado para medir la corriente del colector se obtiene mediante la secuencia Indicators-Ammeter H-OK, mientras que los vclumetros se obtienen mediante Indicators- Voltmeters V-OK.

Por ultimo, la simulaci6n se arranca seleccionando ell, con 10 que se obtcndran los resultados de la figura 4.85. Observe en particular que el voltaje base-ernisor es de 2.554 V - 1.934 V = 0.62 V en lugar de los 0.7 V supuestos para el nivel relativamente bajo de corriente de este transistor. Sin embargo, todas las lecturas se encuentran muy cercanas a las obtenidas asumiendo un modelo muy simple del transistor, proporcionando una validaci6n de las aproximaciones presentadas en este capitulo.

PROBLEMAS

§ 4.3 Circuito de polarizacion fija

1. Para la eonfiguraci6n de polarizaci6n fija de la figura 4.86, determine:

(a) IBQ• 16 V

(b) IcQ• (e) VCE,. (d) Ve. (e) VB' (f) VE•

fJ=90

\',:

Figura 4.86 Problemas 1,4,11.47.51.52 Y 53.

234

Capitulo 4 Polarizacion de de para BJTs

2. Con la informacion que aparece en la figure 4.87, determine: (a) Ie.

(b) Re.

(c)RB·

(d) VCf'

3. Con la informacion que aparece en la figura 4.88, determine: (a) Ie.

(b) Vee.

(c) f3.

(d) Re.

4. Encuentre 13 corriente de saturacion (Ie",) para la configuracion de polarizacion fija de la figura 4.86.

• 5. De acuerdo con las caracterfsticas del transistor BJT de la figura 4.89:

(a) Dibuje una recta de carga sabre las caractertsticas determinadas por E = 2! V Y Rc = 3 ki1 pa-

ra una configuracion de polarizacion fija. "

(b) Seleccione un punta de operacion a mitad del camino entre el corte y Ia saturacion. Determine

el valor de RB para establecer eI punta de operacion resultame. (c) i, Cuales son 10 valores resultantes de ICa Y V CEQ?

(d) l,Curil es el valor de f3 en el puma de operacion?

(e) lCual es el valor de ex definido por el punto de operacion? (f) l,Cual es la corriente de saturacion (/c",) del disefio?

(g) Bosqueje la configuraci6n de polarizaci6n fija resultante. .,

(h) l,Cual es la potencia de de disipada par el dispositive en el punto de operacion? (i) l,Cuul es la potencia suministrada por Vee? . '.

(j) Determine la potencia disipada por los elementos resistivos tornando la diferencia entre los resultados de los incisos (h) e (i).

40~A

4

30 VeE (V)

Figura 4.89 Problemas 5, 10, 19, 35 Y 36.

Problemas

12

Figura 4.87 Problema

Figura4.88 Problema3

235

T

(

'" 1

Figura 4.92 Problema 8

236

§ 4.4 Circuito de polarizacion estabilizado en emisor

6. Para el circuito de polarization con estabilizacion en emisor de la figura 4,90, determine: (a)

(b) (e) (d) Vc

ee) VB,

(f) VE•

20V

2,4kn

fh 100

Figura 4.90 Problemas 6, 9, n, 48,

7, Con la informacion proporcionada en la figura 4,9i, determine: (a) Re,

(b) RE, (c) RB• (d) Va. (e) Vn.

12V

'-----"""'-112 rnA

Figura 4.91 Problema 7.

8. Con la informacion proporcionada en In figura 4.92, determine: (a) (3.

(b) Vee.

(e) Rn.

9. Determine la corriente de saturacion (Ie",) de la red de la figura 4.90.

,no. Empleando las caracterfsticas de la figura 4.89, determine 10 siguiente para una ccnfiguracion de polariza~i6n en emisor, si se define un punta Q en ICQ = 4 mA y VeEQ >= 10 V.

(a) Rc SI Vee = 24 V y RE = 1.2 kfl,

(b) La (3 en el punto de operacion.

(c) RB.

(d) La potencia disipadapor el transistor. (e) La potencia disipada par el resistor Re.

'.11. (a) Determine lc Y VCE para la red de Ia figura 4,86.

(b) Modifique (3 a 135 y determine los nuevos valores de Ie Y VCE para la red de la figura 4.86, (e) Determine In magnitud del cambio porcentual en lc Y en VeE empleando las siguientes ecuaciones:

x 100%,

x 100%

Capitulo 4 Polarizaclon de dc para BJTs

(d) Determine lc Y VCE para Ia red de la figura 4.90,

(el Modifique f3 a i:\O Y determine los nuevos valores de Ie Y VeE para la red de 11 figura 4,90, (f) Determine b. nwgnitud del cambio en Ie Y en VCE cmpleando las siguientes ecuaciones:

X 100\;

I

I x lOOti.

(g) En cada uno de los incises anteriores, se incremento la magnitud de f3 en 50%, Compare cl cambia porcentual en Ie Y VCl para cada configuracion y corncnte sobre cual perece ser [a menos

sensible ante carnbios de (3.

§ 4.5 Polarizacion por divisor de voltaje

12. Para la configuracion de pclarizacion por divisor de voltaje de la figura 4.93, determine: (a) Illc'

(b)

(e)

(d) Vc (e) VE• (f) VB'

13. Con la informacion proporcionada en la figura 4.94. determine: (a) Ic.

(b) VE•

(e) VB'

(d) RI•

14. Con la informacion que apareee en la figura 4.95, determine: (a) t..

(b) VE•

(c) Vee.

Cd) VeE'

(e) VB'

(r) RI•

15. Determine la corriente de saturacion (Ie,,,) para la red de la Figura 4,93.

,n6. Determine 10 siguiente para la configuraci6n POI' divisor de voltaje de Ia figura 4.96 mediante el enfoque aproximado, si sc satisfuce la condici6n cstablecida poria ecuacion 4.33.

(a) Ie.

(b) VCE'

(e) I/J'

(d) VE•

(e) VII'

~------~--~18V

8.2 kn

Figura 4.94 Problema 13.

Figura 4.95 Problema 14,

16V

f3 = 80

Figura 4.93 Problemas 15,

1(3, 20, 24. 49, 5 i, 52 Y

18V

Problemas

Figura 4.96 Problemas 16, 17 Y 21.

237

+16 V

\'c

[3= 120

Figura 4.97 Problemas 22 y56.

238

~ 17. Repita el problema 16 ernpleando el enfoque exacto (Thevcnin) y compare las soluciones. Con base en los resultados, ~el enfoque aproxirnado es una tecnica de annlisls valida si la ecuacion 4.33 se satisface?

18, Determine Ico' VeEQ e. illQ para la red del problema 12 (figura 4.93) empleando el enfogue aproximadoincluso si.la condici6n establecida por la ecuacion 4.33 no se satisface.

(b) Determine VCEQ e IBe mediante el cnfoque exacto,

(e) Compare las soluciones y cornente acerca de si la diferencia es 10 suficientcmcnte grande como para requerir que se tome en cuenta la ecuacion 4.33 cuando se deterrnina el enfoque gue se utilizani.

"19. (a) Empleando las caracterfsticas de la figura 4.89. determine Rc Y RE para una red de divisor de vol-

taje que cuenta con un punto Q de = 5 rnA = 8 V. Utilice Vee = 24 V y Rc 3RE•

(b) Encuentre V E.

(e) Determine Vg.

(d) Encuentre R, si R! = 24 kfl asumiendo que {3 RE 10 Re. (e) Calcule {3 para el punta Q.

(f) Compruebe la ecuacion 4.33 y observe si el supuesto del incise (d) es correcto,

·'20. (a) Determine lc Y VCE para la red de 1'1 figura 4.93.

(b) Modifique {3 a 120 (incremento de 50%), y determine los nuevos valores de lc Y Vel' para la red de la figura 4.93.

(c) Determine la magnitud del cambio porcentual en lc Y VeE utilizando las siguientes ecuaciones:

'24, (a) Determine los niveks de lc Y VeE para la red de la figura 4.99.

(b) Modifique fJ a 135 (incremento de 50'!c) y calcule ahara los niveles de Ic Y Vet'

(e) Determine la rnagnitud del cambio poreentua1 en/e Y VCE utilizando las siguientes ecuacioncs:

x 100%

x

(d) Compare los resultados del inciso (e) COf) aquellos del problema ll(e), II(/) y 20(c). "Como funciona la red de retroalimentacion en colector respecto a otras configuraciones en cuanto a sensibilidad a cambios en (30

25. Determine el range de posibles valores de V c para la red de la figura 4.100 mediante el potenciometro I \m.

+12 V

Figura 4,100 Problema 25.

lIe - i: I

%!1le = .,,"' " '""',) X 100%,

{3 = 180

x 100%

(d) Compare la soluci6n del inciso (e) con las soluciones obtenidas para los incises (e) y (/) del problema 11. Si no se realizaron, observe las soluciones proporcionadas en el apendice E.

(e) Con base en los resultados del ineiso (d), i,cmll configuracion es la menos sensible a las variacioncs en {3?

.21. (a) Repita los incisos (a) al (e) del problema 20 para la red de la figura 4.96, Cumbie {3 a 180 en el inciso (b):

(b) i,QllC conclusiones generales pueden extraerse aeerea de las redes donde la condicion {3RE > 10R2 se satisface y se determinaran las cantidades Ic Y VeE como respuesta a un cambio en {3?

3.3 kQ

'~26. Dado VB" 4 V para la red de la figura 4.101. determine:

Ca) VE, (b) l., (c) Vc' (d) Vet. (e) lB' (f) {3.

§ 4.6 Polarizacion de de con retroalimentaci6n de voltaje

22, Para la configuracion de retroalimentacion en colee tor de la figura 4.97, determine: (a) 10,

(b) Ie'

(c) Ve.

23, Para la red de retroalimentaci6n por voltaje de la figura 4,98, determine: (a) Ie.

(b) v,

(c) VE,

(d) Va- 30 V

18V

6,2 kQ

Figura 4.101 Problema 26.

jJ

§ 4,7 Diversas configuraciones de polarizacion

27, Dado V c = 8 V para la red de la fig lira 4.102, determine: (a) lB'

(b) Ie.

(c) {3.

(d) VeE'

Figura 4.98 Problema 23.

Capitulo 4 Polarizaci6n de de para BJTs

Problemas

+22 V

Figura 4.99

18 V

Figura 4.102 Problema 27

239

+16 V

Figura 4.103 Problema

240

(a) Mediante las caractensticas de la figura 323c, determine ten~endkJo Y tapag<\do parauna corriente de 2 mAo Advierta el uso de esc alas logarftmicas y la posible necesidad de recurrir a seccion 11.2.

(b) Repitael inciso(a) para una corriente de IOmA. ~C6mo cambiaron,t,ncc<ldido y eon el

incremento en la corriente del colector?

(e) Para los incisos (a) y (b). csquematice la forma de onda de pulso de la figuru 4.57 y compare los resultados,

f3 120

'~28. Para la red de la flgura 4, I 03, determine: (a) Iii'

(b) Ie

(c) VCE'

(d) Vc

,'29. Par:t la red de la (a) III'

(b) Ie

(e) VE,

(d) VeE'

v

4, I 04, determine:

,'30. Determine el nivel de VE e 1/ para la red de la figura 4.105,

., 31. Para la red Ia figura 4, 106 determine:

(a) IE'

(b) Ve,

(e) VeE'

6V

OV

Vi

Sy

510 k!1

38,

130

J~},,,"

fl()V

510 k!1

Figura 4.104 Problema 29,

Figura 4,105 Problema 30,

Figura 4,106 Problema 31.

§ 4.8 Operaciones de diseno

§ 4.10 Tccnicas para localizacion de Iallas

Figura 4,107 I'robkma

Figura 4.108 Problema 37,

.~ 39. Las mcdiciones de la figura 4, 109 revelan que la red no esta funcionando correctarncnte. Enumcre tantas razones como pueda acerca de las medici ones obtcnidas.

32, Determine Re Y R[J para una contiguraci6n de polarizacion fija si Vce = 12 V, f3 = 80 e ICQ = 2,5 mA con VU'Q = 6 V Uti lice valores estandar,

33. Disene una red estabilizada en emisor donde ICQ = ~Ic,", Y VCEQ = ~Vcc. Utilice Vee 20 V, lc.; = 10 mA, f3 = 120 Y Rc = 4RE, Utilice val ores de resistores estandar,

34, Discfie una red de polarizaci6n por divisor de voltaje utilizando una alimentacion de 24 V, un transistor con una beta de 110 y un punto de operacion de I eQ = 4 mA y V ceQ = 8 V Selcccione VE = ~Vcc, Utilice valores esrandar,

·,,35. Mediante las caracterfsticas de la figura 4.89, disefie una configuracion par divisor de voltaje que tenga un nivel de saturacion de 10 mA y un punta Q de la mitad de la distancia entre la saturacion y el corte, La alimentaci6n disponible es de 28 V, Y V E sera de una quinta parte de Vec, La condicion establecida por la ecuacion 4.33 tambien debora cumplirse para proporcionar un factor alto de

estabilidad. Utilice valoresesuindares. ..

20V

470k!1

§ 4,9 Redes de conmutaci6n con transistores

,'36, Mediante las caracterfsticas de la tigura 4,89, determine la apariencia de la forma de onda de salida de la red de In figura 4, 107, Inciuya los efectos de V CE", Y determine In, In,,", e Ie"" cuando Vi" 10 V. Determine la resistencia colector-emisor en la saturaci6n y en el corte,

>1<37, Disefic el transistor inversor de la t1gura 4, 108 para que opere con una corricnte de saturacion de 8 mA empleando un transistor con una beta de 100, Uti lice un nivel de fa igual a 120'70 de In",,,, Y valores estandar,

(a)

Figura 4,109 Problema 39,

Capitulo 4 Polarlzacion de de para BJTs

470k!1

(b)

20V

470kQ

(c)

Problemas

241

qo.

~43. Responds las siguientes prcguntas acerca del circuito de Ia figura 4.113. (a) i.QUe le sucede al voltaje Ve si el resistor RB se encuentra abierto

(b) "Que deberfa sucederle a VCE si f3 se incrementa debido a la temperatura?

(c) "Como se afectara VE cuando se reemplace el resistor del colector por otrocuya resistencia se encuentre en la parte Inferior del rango de tolerancia?

(d) Si la conexion del colector del transistor se abre, i,que le succdera aVE? (e) ;,Que podria ocasionar que VeE sc acerque a 18 yo

Las mediciones que aparecen en la figura 4.11 0 mucstran que las redes no estrin funcionando correctamente. Sea especifico al dcscribir por que los nivcles obtcnidos rcflejan un problema con c! comportamiento esperado de la red. En otras palabras, los nivelcs obtenidos reflejan un problema muyespecffico en cada case.

16 V

I

~91 kQ

44. Determine Ve, VeE e Ie para la red de la figura 4.114.

45. Determine Vee Is para la red de In figura 4.115.

46. Determine It y Ve para la red de la figura 4.116.

§ 4.11 Transistores PNP

f3

100

100

-22 V

(a)

-12V

(b)

Figura 4.110 Problema 40.

+8V

510 kO

41. Para el circuita de la figura 4.111.

(a) Si R8 se incrementa, L Vc disminuira 0 se incrementara? (b) Si f3 se reduce, &Ie disminuini 0 se incrementar.i?

(e) iQue sucede con Ia corriente de saturaci6n si f3 se incrementa?

(d) Si Vee sereduce.j.la corriente del colec tor disminuira 0 se incrcmentara?

(e) i,Quesucede can Va·si el transistor se reernplaza por otro can una f3 mas pequefia?

42. Responda las siguicntcs preguntas can respecto al circuito de Ia figura 4.1 ! 2.

(a) i,Quc Ie sucede al voltaje Ve si el transistor se reernplaza por otro que tenga un valor mas grande de f37

(b) ~Que le sucede al voltaje V CE si la terminal de tierra del resistor R82 se abre (no se conecra a

tierra)?

(c) ~Que Ie sucede a Ie si el voltaje de alimentacion es bajo?

(d) i,Que voltaje Vo; se obtendni si la union base-emisor del transistor falla y qucda abierta?

(e) i,Que voltaje VeE se obtendra si la union base-emisor del transistor falla y convierte en corto?

'i'E f3 = 100

Figura 4.115 Problema 45.

Figura 4.114 Problema 44.

Figura 4.116 Problema 46.

§ 4.12 Estabilizaci6n de la polarizaci6n

47. Determine 10 siguiente para la red de la figura 4.86. (a) S(leo).

(b) S(VBE)'

(c) S(f3) utilizantlo T, como la temperatura a la cual se especifican los valores de los parametres y f3(T2) como 25% mayor que (J(TI).

(d) Determine el carnbio neto en lc si un cambia en las condiciones de operacion provocan que leo se cleve de 0.2 a 10 j.LA, VBE caiga de 0.7 a 0.5 Y Y f3 se incremente 25%.

'~48. Para la red de la figura 4.90 determine: (a) S(leo).

(b) S(VB£)'

(e) S(f3) utilizando T, como la temperatura a Ia cual se cspeciflcan los valores de los panimctros y (T2) como 25% mayor que f3(T,).

(d) Detennine el cambio nero en Ie si un cambia en las condiciones deoperacion provocan que leo se eleve de 0.2 a 10 j.LA, V8E caiga de 0.7 a 0.5 Y Y f3 se incremente 25%.

*49. Para Ia red de Ia figura 4.93 determine: (a) S(leo).

(b) S(VBEl.

(c) S(f3) utilizando T, como la temperatura a Ia cual se especifican los valores de los parametres y f3(T2) como 25% mayor que f3(Trl.

(d) Determine el cambio neto en Ie si lin cambia en las condiciones de operaci6n provocan que leo se eleve de 0.2 a 10 j.LA, VBE caiga de 0.7 a 0.5 Y Y f3 se incremente 25%.

Vee = 20 V

r---_"'-O +Vee = 16 V

Re l6kQ

f3 = 80

{3 = 120

R£ l.2kQ

Figura 4.111 Problema 41.

Figura 4.112 Problema 42.

242

Problemas

VCe=18V

Rc 2.2kQ

f3 90

Figura 4.113 Problema 43.

f3 = 110

243

., 50. Para I" red de la figura 4.102 determine: (a) S(lco)·

(b),S(Vlid·

(e), S({3) mediante TI como la temperatura In cual se especificanlos valore-. de

{3(T,) como que {3(TO,

(d) Determine el cambio nero en Ie si un cambio en las condiciones de provocan que leo

se eleve de 0.2 a I() p_A. caiga de 0.7" O.S V Y {3 se incrernente 25\L

.t51. Compare los valores relatives de estabilidad de los problemas I? "I 50. Los resultados de los ejercicios 47 y 49 pueden encontrarse en el apendice E. i,Es posible derivar conclusioues generale-, de los resultados"

'·52. (a) Compare los nivcles de cstabilidad pam la configuracion polarizacion flja del problema 47.

(b) Compare los nivelcs de estabilidad para la configuraci6n por divisor de voltaje del problema 49. (e) ;,ClI:lies parecen ser los facto res de los incises (a) y (b) que ticnen mavor influencia sobre I" estabilidad del sistema, 0 no existe lin patron general a partir de los resuuadov?

CAPITULO

Transistores de efecto de call1po

§ 4.15 Analists por computadora

53. Realice un amllisis con PSpice para la red de la figurn 4.86. Es decir, determine Ie, Vo; c Iii'

54. Repita el problema 53 para la red de la figura 4.90.

55. Repita el problema 53 para la red de In figura 4.93.

56. Repita cl problema 53 para la red de la figura 4.97.

57. Repita el problema 53 utilizando Electronics Workbench.

58. Repita el problema 54 utilizando Electronics Workbench.

59. Repita el problema 55 utilizando Electronics Workbench.

60. Repita el problema 56 utilizando Electronics Workbench.

5.1 INTRODUCCION

"Observe:

asteriscos indican problemas con mayor dificultad.

El transistor de efecto de campo (PET) (por sus siglas en ingles Field Eject Transistorv es un dispositivo de tres terminales que se utiliza para diversas aplicaciones, en gran parte, similares a las del transistor BJT que se describio en los capitulos 3 y 4. Aunque existen diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, tarnbien es cierto que tienen muchas similitudes que se presentaran en las siguientes secciones.

La principal diferencia entre los dos tipos de transistores es el heeho de que el transistor BJT es un dispositivo controlodo por coiriente como se describe en la figura 5.1a, mientras que el transistor JFET es un dispositive controlado pOI' volta]« como se muestra en la figura 5.1 b. En otras palabras, la corriente Ie de la figura 5.la es una funcion directa del nivel de lB. Para el FET la corriente /serauna funcion del voltaje VGS aplicado al circuito de entrada, corno.se muestra en la figura S.lb. Encada caso, la corriente del circuito de salida se eontrola por un parametro del circuito de entrada, en un caso es con un nivel de corriente y en el otro, con un voltaje aplicaclo.

(Corricnte fB'---'-

decontrol)_

BIT

Ic

+

(Voltajc Vas

de control)

Figura 5.1 Amplificadores controladcs (a) por corriente; (b) por volta]e.

(a)

(b)

\

Asfcorno existen transistores bipolares npn y pllp, tambien hay transistores de efec- '.

to de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante recordar que el transistor BJT es un dispositive bipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conduccion esta en funci6n de dos portadores de' carga: los electrones y los huecos, El FET es un dispositivo unipolar que depende unicarnente de la conduccion de eleetrones (canal-a) 0 de huecos (canal-p).

EI termino "efecto de campo" en el nornbre asignado merece cierta explicacion, Todos estamos familiarizados con la eapacidad de un iman permanente para atraer limaduras de metal hacia el iman sin necesidad de un eontacto real. El campo magnetico del iman perrnanente en· vuelve las limaduras y las atrae hacia el iman mediante un esfuerzo por parte de las lineas de flujo magnetico con objeto de que sean 10 mas cortas posibles. Para el caso del FET, se establece un campo electrico mediante las cargas presentcs, que controlara la trayeetoria de con-

244

Capitulo 4 Polarizacion de dc para BJTs

245