INSTITUTO POLITÈCNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica

y Eléctrica
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ACTIVIDAD: Practica 9

Profesora: VARGAS REYES ORLANDO

Alumno:
 Mora Barrera Kevin Josué

Grupo: 4CV24

Materia: ELECTRONICA ANALOGICA

Ciclo escolar: 2021-2022

1. Construya el circuito que se ilustra en la Fig. 16-3, observando la polaridad correcta de las
fuentes de energía. No conecte ninguna tensión a la compuerta y la fuente (EGS) por
ahora. Ajuste la tensión entre el drenaje y la fuente (EDS) a 20 V. No sobrepase esta
tensión con la fuente de EDS o correrá el peligro de dañar al FET. Mida y anote la corriente
entre el drenaje y fuente (IDS) según se observa en el miliamperímetro. IDS = 1.13 mA cd.
Esta medición indica la corriente de electrones de la fuente al drenaje con una tensión de
compuerta igual a cero.
2. Con EDS a 20 V, aplique y aumente lentamente la tensión de unión compuerta- fuente
(EGS) hasta que no fluya corriente alguna en el circuito de salida, según se observa en el
miliamperímetro y anote la tensión EGS, que indica el voltímetro. No exceda el valor de 30
V cd con la fuente de EGS, porque puede dañarse el FET.
Ebs (Corte) =0.77 vcd

Esta tensión entre la compuerta y la fuente corresponde a la de corte del FET (similar a la
tensión de corte de un tubo al vació).

3. Con EGS en el nivel de corte, haga variar EDS entre 5 y 20 V observando el voltímetro y la
corriente que registra el miliamperímetro en el circuito del drenaje. Anote sus
observaciones. R= El voltímetro sigue teniendo el mismo valor de la fuente de voltaje,
mientras que en el miliamperímetro no se registra ninguna corriente entre la fuente y el
drenaje a la tensión de corte.
¿Debe haber un flujo de corriente entre la fuente y el drenaje a la tensión de corte? R=
No, porque al FET se le sigue proporcionando una tensión de corte que impide el flujo de
corriente sin importar cuanto cambie el valor de
4. Con la tensión entre el drenaje y la fuente (EDS) a 20 V, haga variar alternativamente EGS
arriba y debajo del nivel de corte registrando en el punto 2. NOTA: No sobrepase el valor
de 30 V. Observe el miliamperímetro del circuito del drenaje conforme varía EGS. Anote
sus observaciones: R= Mientras la tensión de EGS esté por debajo del nivel de corte (0.77
V), existirá un flujo de corriente. Sin embargo, conforme se vaya acercando al nivel de
corte, el flujo de corriente irá disminuyendo y cuando la tensión de EGS está por arriba
del nivel de corte, el flujo de corriente será nulo.
¿Puede una pequeña tensión de compuerta controlar una gran corriente de salida? R= Si,
solo se necesita una tensión mínima en la compuerta para generar un flujo de corriente
mayor a la salida, siempre y cuando no se llegue a la tensión de corte. ¿Cree usted que el
FET podría funcionar como amplificador? R= Si, porque gracias a la tensión de corte se
puede mediar el flujo de corriente y ver si se desea reducir o ampliar.
5. Construya el circuito que se ilustra en la Fig. 16-4. El potenciómetro R2 debe colocarse en
su posición media.

Ajuste la tensión entre el drenaje y la fuente (EDS) a 20 V, sin conectar aún el generador
de AF a la entrada ni el osciloscopio a la salida. Anota la tensión de polarización el
amplificador con FET indicada en voltímetro. E polarización = 0.75 Vcd
6. Conecte el generador de AF al circuito amplificador con el FET y el osciloscopio calibrado
(con la punta de medición de 10X) a la salida del generador; ajuste el generador a AF para
obtener una salida de 0.4 volts de pico a pico a 400 Hz, según se observa en el
osciloscopio. Ahora conecte el osciloscopio a las terminales de salida y ajuste R2 para
obtener una señal máxima sin distorsión. Mida u dibuje la forma de salida, así como la
tensión de pico a pico que haya observado en el osciloscopio. E salida = volts de pico a
pico. ¿Es la forma de onda de salida una reproducción real de la de entrada?

7. Calcule la ganancia de tensión de amplificador con FET usando los datos obtenidos en el
punto 6. AE =

PRUEBE SUS CONOCIMIENTOS

1. ¿Cuál es la principal diferencia entre un tubo al vacío y un transistor PNP o NPN? R= Se
puede obtener una ganancia de tensión mucho mayor con el transistor.
2. ¿Qué amplifica el FET, tensión o corriente? R= La corriente.
3. ¿Qué es la región de vaciamiento? R= Es la ausencia de potencial aplicado, es decir, las
uniones P-N están sin polarización y por ende existe una zona de deplexión (región
carente de portadores libres) o región de vaciamiento.
4. ¿Cuáles son los elementos del FET que son comparables al cátodo, la rejilla y This study
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23:01:52 GMT -05:00 https://www.coursehero.com/file/110047428/Practica-9pdf/ la
placa de un tubo al vacío? R= Drenador, fuente y puerta.
5. ¿Cómo se polariza normalmente la unión compuerta-fuente del FET, directa o
inversamente con relación al drenaje y la fuente? Se polariza de manera inversa para que
no haya circulación de corriente por ese terminal, salvo la corriente de fuga.
6. ¿Hay un desfasamiento de 180º entre las formas de onda de entrada y salida cuando se
usa un FET? R= Si