E L T IR IS T O R E N C O N M U T A C IÓ N

corriente de cebado es muy débil. Por ello, la dv/dt que soporta el tiristor depen­
de de la tensión final de ánodo: un determinado tiristor que no admita más que
5 0 V /p s para una tensión final de 5 0 0 V admitirá 100 V /p s cuando la tensión
final sea de 3 0 0 V (fig. 4- 18) .

dv_
di
% de la tensión
dv 300
directa en el estado 75
de bloqueo 50
Qt'yZUO 25

160
'•FTT
Fig. 4-16. — Limite de la deri­ Tiempo
vad a de tensión directa que no
provoca c e b a d o en los C 35. 120

60

20 40 60 80 100 120 140 160

Tem peratura de la unión (°C)

Fig. 4 - 1 7 . — Influencia de la
polarización negativa so b re un
tiristor de aleación (sin corto­
circuito de emisor).

C o rrie n te n e g a tiv a de puerta i (m A )

V
500
Ceba do *

400 A
/
1C
/
Fig. 4-18. — Ensayo d e dv/dt:
el tiristor c e b a a 5 0 V/ps c u a n ­ 300 L\ /
do la tensión final e s de 5 00
volt, m ientras que cu a n d o e s ta
200
/ <
ten sió n e s de 3 0 0 V el tiris­ \
tor so p o rta 100 V/ps. / 5 s

100
/ /
/
)
V
10 12
Mji »)
52 TIRISTORES Y TRIACS

8. Régimen de conducción directa

E l tiristor en conducción directa presenta una caída de tensión relativamente

pequeña. E sta caída es función de la intensidad de corriente. L as figuras 4 - 1 9 y
4 -2 0 muestran su evolución para tiristores de 3 5 A eficaces.
Este comportamiento impone unas pérdidas de potencia que calientan el ele­
mento, limitando así sus posibilidades de conducción para una tem peratura dada.

9. Influencia de la temperatura

Los límites de funcionamiento de un tiristor se definen por una magnitud

esencial: la tem peratura m áxim a admisible en la unión. Puede ser de 125 o de
1 5 0 ° C. Las especificaciones técnicas de cad a tipo de tiristor dan los valores lími­
tes de la tem peratura de trabajo, que pueden ser, por ejemplo, de — 5 5 ° C a
+ 1 2 5 ° C.
L a energía eléctrica disipada en el tiristor, independientemente del sentido
en que circule la corriente, aparece en la form a de energía térm ica a nivel de las
uniones, de form a que la potencia total perdida en el cristal implica una elevación
de temperatura de la unión.
E sta cantidad de potencia disipada no representa de hecho más que una ín­
fima parte de la potencia total puesta en juego en el circuito, pero no debemos

Fig. 4-19. — C o rrien te de pico

en un t i r i s t o r TS 4 3 5 FA de
S S C en f u n c i ó n d e la caida
d e tensión d e pico (v a lo res
máxim os).

0,5 1 2 3 4
C aíd a máxima d e ten sió n en e l tiristo r (V f u ) V
 E L TIRISTOR E N CO N M U TA C IÓ N 53

olvidar que el nivel energético a partir del cual se efectúa la elevación de la tem­
peratura de la unión viene fijado por la tem peratura ambiente. Por consiguiente,
la tem peratura de unión puede alcanzar valores relativamente elevados, sobre todo
si tenemos en cuenta que las tem peraturas ambientes industriales suelen ser, con
bastante frecuencia, del orden de los 5 0 ó 6 0 ° C.

Fig. 4-20. — C o m e n t e de pico

en el e s t a d o co n d u c to r de alto
nivel en función d e la caíd a de
ten sió n d e pico en el mismo
elem ento 3 5 A ef tipo T S 435.

C ald a m áxim a de ten sió n en e l tiristo r (V f u ) V

Así pues, en el caso de un tiristor, si la tem peratura de la unión no debe

sobrepasar los 1 2 5 ° C , por ejemplo, habrá que asegurar su eficaz refrigeración
fijando el tiristor sobre un radiador, refrigerado a su vez ya sea por las corrientes
de convección del aire ambiente, sea por una corriente forzada de aire o incluso
por circulación de agua.
Conviene pues definir las principales magnitudes térmicas características.

9.1. Tem peratura de la unión

E sta tem peratura, simbolizada T j, no es medible directamente, por lo que

es preciso determinarla en función de la tem peratura ambiente y de las imposicio­
nes eléctricas.
E n régimen permanente se establece un equilibrio térmico entre las uniones
y el aire ambiente que circula en torno al radiador del tiristor. Este equilibrio se
obtiene cuando la energía térm ica radiada en cada segundo por el radiador com ­
pensa exactam ente la potencia disipada en el cristal. L a cantidad de calor que se
54 TIRISTORES Y TRIACS

desprende del cristal es proporcional a la diferencia existente entre la tem peratura

de la unión y la del ambiente.
Por analogía con la ley de Ohm podemos entonces asignar carácter de dife­
rencia de potencial térmico a esta diferencia de tem peratura, y definir una co ­
rriente de conducción térm ica com o la cantidad de calor que escapa, cada segun­
do, del radiador.
A partir de ello se impone, por sí misma, la noción de resistencia térm ica;
esta resistencia es la que determina la circulación térmica entre la unión y el am­
biente, y se mide en grados Celsius por watt ( ° C /W ) .
H ay que hacer notar que para un solo impulso de calor, la tem peratura de
la unión evoluciona tal com o indica la figura 4- 21.

9.2. Tem peratura de la cápsula

L a temperatura de la cápsula, T c (C inicial de “case”) es la que se mide en

Ja cápsula que encierra el cristal, en el punto más caliente, esto es, en el punto
más cercano a las uniones, accesible no obstante desde el exterior.

10. Potencia disipada

L a potencia disipada en la unión de un tiristor depende de las cinco causas si­

guientes:

1.a Las pérdidas por conducción directa;

2 .a Las pérdidas por conmutación durante el cebado;
3 .a Las pérdidas por conm utación durante la extinción;
4 .a Las pérdidas durante el bloqueo;
5 .a Las pérdidas en el circuito de puerta.

Los fabricantes suelen dar unas familias de curvas que indican la potencia
media disipada por un cierto tiristor, en función del ángulo de conducción (cuyo
significado veremos más adelante), cuando se trabaja en régimen senoidal (frecuen­
cia hasta de 4 0 0 H z, por ejemplo).
E n la figura 4 -2 2 se puede ver un ejemplo de una familia de curvas de
este tipo.

10.1. Resistencia térm ica

E sta potencia disipada se manifiesta bajo la forma de calor, que eleva la tem ­
peratura de la unión T.t. En la práctica se usa la ecuación:

T.t — T c = P R th
donde:

T j es la tem peratura de la unión, en grados C.

T r es la tem peratura de la cápsula, en grados C.
P es la potencia media disipada en la unión, en watt;
R„, es la resistencia térm ica unión-cápsula, en grados C por watt ( ° C / W ) , y
esto en régimen estable.
 E L TIRISTOR E N C O N M U TA CIÓ N 55

E sta ecuación sirve para calcular la potencia máxima admisible en c.c. cuan­
do se tom a T j = tem peratura m áxim a.

Im pulso
de calor t

Fig. 4-21. — R esp u esta de la tem p e­

ratura de la unión a un impulso de
Tem peratura
de la unión (°C ) energía.
AT=PRr

A m biente Tiem po

7Ü

Continuo
60
/
\ Á ngulos de conducció n y
S 50 > 180* /
1
Fig. 4-22. — Potencia media disipada en 0• 1
F / / y
Angulo de co n d u cció rr, /
función de la co rriente directa media r y / y
para distintos valores del ángulo d e c o n ­ o. 30
/ Vt y /
ducción en tiristo res de la s e rie C 35. -5 / , '/ y
/ / y & yy
/ M &y >
/ Tj=125X:
5 10
Á
I i
£ 0 8 12 16 20 24 2G 32 36
C o rrie n te media d irecta (A)

10.2. Im pedancia térm ica

Si se trabaja en régimen transitorio, por ejemplo en régimen de impulsos,

la tem peratura de la unión sobrepasa los valores que permite calcular la fórmula
anterior.
E s necesario entonces recurrir a la noción de impedancia térmica. L a mayo­
ría de los fabricantes dan el valor de la impedancia térm ica Z,h en régimen tran­
sitorio en form a de una curva com o la de la figura 4 -2 3 .

Im pedancia té rm ica del tir is to r m ontado sobre

Im pedancia una aleta de 100 x 100 mm (unión a am biente)

Fig. 4-23. — Irppedancia térmi­

ca t r a n s i t o r i a d e tiristores
C35, d e General Electric.
56 TIRISTORES Y TR IA C S

Con un tiempo de funcionamiento t suficiente, la expresión siguiente da la

diferencia de tem peratura unión-cápsula.

T j — T c = P Z fft

donde P es la potencia media disipada durante el tiempo t.

11. Corriente media máxima

Partiendo de la máxima tem peratura de cápsula admisible, se establece una

familia de curvas que dan la corriente media directa que puede suministrar un
tiristor en régimen recurrente (fig. 4 -2 4 ).

Fig. 4-24. — C orriente directa media

(valor máximo) para tiristo res de la
serie C 3 5 en función del ángulo de
conducción.

C o rrie n te m edia directa (A)

Esas curvas se han trazado en función del ángulo de conducción, para tiris­
tores C 35 (3 5 A eficaces) de General Electric. Vem os que, de 3 5 A en c .c ., la
corriente pasa a 13 A , por ejemplo, para un ángulo de conducción de 6 0 ° .
No obstante, sólo son válidas cuando se puede despreciar el fenómeno de
di/dt. E n el caso de conducciones no repetitivas, o en régimen senoidal no per­
manente, es necesario calcular los límites admisibles teniendo en cuenta las for­
mas de onda, las pérdidas y la im pedancia térm ica.
 CAPITULO 5

D IF E R E N T E S T I P O S DE T IR IS T O R E S

L a palabra “ tiristor” es en definitiva el nombre genérico de toda una familia

de com ponentes sem iconductores, dotados de ciertas características comunes. En
la descripción que aquí damos distinguiremos entre:

— L os tiristores propiamente dichos (con los dispositivos de optoelectrónica);

y luego, en capítulos sucesivos:
— E l triac;
— Los elementos de disparo;
— L os elementos compuestos.

1. Tiristores de frecuencia industrial

Son los elementos más utilizados. Se destinan al funcionamiento en c.c. o a

frecuencias de hasta 4 0 0 ó 1 0 0 0 H z. Su sensibilidad es más bien media, a fin de
evitar los disparos esporádicos por tensiones parásitas. Todos poseen una misma
estructura, con la puerta próxim a al cátodo, y se emplea abundantemente en
ellos la técnica de los cortocircuitos de emisor.
L a gam a de los productos disponibles es muy amplia. E n intensidades de
corriente, se extiende desde algunos cientos de miliampere hasta las centenas de
am pere; en tensiones, llega hasta los 2 0 0 0 V , e incluso hasta 3 0 0 0 ó 4 0 0 0 V.
L a elección de un modelo, con destino a una aplicación dada, debe hacerse
teniendo en cuenta, en especial, los criterios siguientes:

— Tensión bloqu eable: el elemento debe poder bloquear una tensión máxima su­
perior, no sólo al valor de cresta de la red usada sino también a los valores máxi­
mos de las sobretensiones parásitas o de conm utación.
— Intensidad de corriente: es necesario considerar no sólo el valor medio o eficaz
sino también el valor de pico, que puede llegar a ser muy alto cuando sea pequeño
el ángulo de fase. Tam poco debe olvidarse la posibilidad de una sobrecarga, por
ejemplo un cortocircuito. E s a menudo este último punto el que determina el ca­
libre del tiristor en las instalaciones de potencia.
— Parámetros d e conmutación (dv/dt; d i/d t): en general, los elementos de uso
corriente presentan unas características suficientes para frecuencias bajas o de red
y cargas normales. No sucede lo mismo cuando se trata ya de frecuencias elevadas,
en las que estos parám etros cobran una importancia primordial.
58 TIRISTORES Y TRIACS

— Sensibilidad: contrariam ente a lo que acostumbran ciertos usuarios — quienes

piensan que siempre es posible “em pobrecer” cualquier tiristor colocando un re­
sistor entre puerta y cátodo — es preferible utilizar elementos cuya sensibilidad no
sea demasiado grande; la inmunidad frente a parásitos será así mejor. No obstan­
te, es preciso asegurarse de que los valores de IH (corriente de mantenimiento) y
de IL (corriente de enganche) resulten adecuados para el m ontaje considerado.
— Cápsula: además de las consideraciones económ icas, la elección es función so­
bre todo de su facilidad de empleo. A este respecto, hay que recordar que las
cápsulas aisladas (aunque sean algo más caras) simplifican con frecuencia el pro­
blema de la evacuación de calorías en régimen de funcionamiento.

2. Tiristores sensibles

Son elementos de baja potencia, utilizados mayormente en circuitos electró­

nicos de baja tensión. Su estructura suele ser del tipo planar o, más recientemente,
del tipo mesa-vidriado. L a intensidad de la corriente de mando suele ser de algu-

Fig. 5-1. — Estructura del ICD.

TIR ISTO R I TIRISTO R

p rin cip al ! s e n s ib le

ñas decenas de m icroam pere, con tensiones de puerta del orden de 0 ,7 volt. Su
empleo en la red de c.a . a 5 0 H z tropieza con ciertas dificultades debidas pre­
cisamente a su gran sensibilidad; de ahí el interés por un dispositivo que per­
mite soslayar este inconveniente: el ICD (Integrated Control D evice*).

CARGA
Fig. 5-2. — Aplicación del ICD. U san d o sólo un i— w w v -----------
c o n d e n sad o r y un re s is to r p u e d e m o n tarse un va-
A 0 ,5 Mn :
riador de velocidad para g o b e rn a r un m otor de V
una perforador rotativa, po r ejemplo. Al final de A
esta obra se en c o ntrarán e s q u e m a s d e m ontajes
clásicos equivalentes con los q u e p u e d e e s t a b l e ­ / '
c e rs e la com paración. 50 n F j

* Patente y m arca registradas por Hutson Industries.

 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 59

E n suma, se trata de una estructura compuesta, form ada por un tiristor sen­
sible que gobierna el elemento principal a través de la cap a N2. Un “cortocircuito”
variable con la tem peratura permite además el correcto funcionamiento del con­
junto a tem peraturas relativamente elevadas (fig. 5 -1 ).
E l elemento com ercializado permite controlar una corriente de 6 A en red
de c.a . de 1 1 0 ó 2 2 0 V . L a corriente de mando es de aproximadamente 2 5 pA
(figura 5 -2 ).
A pesar de ciertas similitudes, el ICD es muy diferente del Darlistor, que des­
cribiremos posteriorm ente. Con respecto a éste, el ICD tiene la ventaja de necesitar
menos silicio para la estructura de m ando; de ahí la posibilidad de la fabrica­
ción de elementos pequeños sin gravar demasiado los costes.

3. Tiristores rápidos

L a elaboración de tiristores rápidos se enfrenta a dos tipos de dificultades.

Por un lado, las relativas a la obtención de tiempos cortos de descebado; por otro,
las introducidas por unos circuitos de utilización que imponen, además de la ra­
pidez, exigencias particularm ente severas de conm utación.
E n esencia, la disminución del tiempo de descebado de un tiristor se logra
disminuyendo la vida media de los portadores inyectados en las bases.* Para ello
basta incluir “tram pas” , principalmente de oro, en el silicio. Según la cantidad de
oro que exista — función de la tem peratura de difusión — será menor o mayor
la vida media de los portadores. Pero las limitaciones aparecen pronto. En efecto,
el aumento de la rapidez se traduce en una degradación de las características de
bloqueo y sobre todo, en un aumento de la caída de tensión directa. Se trata pues
de respetar este com prom iso y buscar por un m ejor control de los diferentes pará­
metros la obtención de características superiores.
E s así com o se pueden fabricar hoy día tiristores de media potencia con
tiempos de descebado inferiores a 5 ps sin perder, no por ello, la capacidad de
bloqueo por encima de 7 0 0 V .
De todos modos, las restricciones impuestas por el circuito aumentan con la
potencia y por esto los tiristores rápidos de fuerte intensidad suelen ser ya del
tipo Darlistor.

4. El Darlistor

Fabricado por la firma Silec Semi-Conducteurs, el Darlistor, cuyo nombre

proviene de la contracción de Darlington (autor de un circuito clásico bien cono­
cido) y de tiristor, se presenta al usuario com o un tiristor rápido de altas presta­
ciones.

4.1. C aracterísticas di/dt

P ara aumentar las prestaciones de un tiristor es necesario mejorar sus carac­

terísticas en di/dt. En efecto, com o se recordará de lo dicho en el apartado 2 del
capítulo 4, el hecho de que la zona primaria de cebado sea una estrecha franja

* Se entiende de los tran sistores cu y o co n ju n to equivale a un tiristor (véase F ig. 2 -4 ).

(N . d e! T.)
60 TIRISTORES Y TRIACS

de cátodo próxim a a la puerta hace que sea posible la destrucción del elemento
por disipación excesiva de potencia (figs. 5 -3 y 5 -4 ) en volumen reducido.
Se puede retardar la aparición de este fenómeno destructivo variando la ve­
locidad de propagación de la zona de cebado, la cual aumenta cuando crece la

Fig. 5-3. — En el cierre d e un tiristor, la corriente

(c urv a a, 2 0 0 A p o r cuadro, di/dt = 8 0 0 A /n s) y
la tensión (c urv a b, 1 00 V p o r c u a d ro ) p ro ducen
una potencia cuyo valor d e pico p u e d e alca n zar
c o ta s c o n s id e ra b le s com o s e ap recia en la figura
siguiente.

“sensibilidad” del transistor superior.* E ste resultado puede lograrse reduciendo

el ancho de base P i, disminuyendo la densidad de los cortocircuitos de emisor
(figura 5 -5 ) y manteniendo una vida media alta de los portadores, lo cual, des­
afortunadamente, redunda en detrimento del tiempo de extinción tq y de la resis­
tencia a rampas de tensión directa (<dv/dt ).

p
(kU

Fig. 5-4. — Potencia d e p i c o

corresp o n d ien te a las curvas
de la f i g u r a precedente: en
e s te c a s o alcanza, com o s e ve,
un valor d e 27,5 kW.

0 0,4 0,8 1^2 1,6 2

i (rs)
Parece pues claro que las altas prestaciones en d i/d t son incompatibles con
las de velocidad de crecimiento de la tensión directa y de tiempo de extinción.
No obstante, el Darlistor permite conciliar estas dos exigencias, por estar, en
realidad, constituido por dos tiristores (fig. 5 -6 ) integrados en la misma pastilla de
silicio:

1. El tiristor de m ando: su característica principal es la de ser sensible, por lo

que basculará en primer lugar cuando se aplique un impulso de m ando a la puer­
ta, absorbiendo una parte de la energía de conm utación. Su corriente principal
servirá com o corriente de disparo para el segundo tiristor (tiristor principal);

* Se refiere al tran sistor N P N del m o n taje equivalente al tiristo r. E l a u to r usa co n sta n ­

tem ente de esta equ ivalencia, aludiendo u na y o tra vez al “e m iso r” , “ las bases” , e tc. (N. del T.)
 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 61

2. El tiristor principal: su cebado provoca la extinción del tiristor auxiliar, que

dispone entonces de una im portante fracción del tiempo de conducción del ele­
mento para volver al estado de bloqueo inicial.

CO NTACTO
C O N TAC TO d e p uerta de cáto d o

Fig. 5-5. — La situación d e s ­ - L Ú

crita po r las c u rv as an terio res A . 15 P1
e s tanto m ás g ra v e cu a n to que
la corriente de p u e r t a sólo ii
i i
afecta a una región restringida i 1 i N2
que d eterm ina la zona primaria
de cebado. P2
.

ZONA prim aria CO N TAC TO d e án o d o

d e ce b ad o

E l tiristor principal posee una zona prim aria de cebado con una superficie
importante, gracias a la corriente elevada de disparo que recibe, lo cual constitu­
ye una ventaja esencial del m ontaje. Adem ás, su sensibilidad es escasa debido a
cortocircuitos existentes entre emisor y base. Por consiguiente soportará perfec­
tamente altas d v /d t adem ás de presentar un tiempo muy corto de extinción, ca­
racterísticas que se encontrarán en definitiva en la asociación Darlistor.

Fig. 5-6. — El Darlistor e s un conjunto de d o s t¡-

ristores: el tiristor d e d isparo o tiristor auxiliar, Ti,
q ue e s m ás sen sib le y p o s e e un corto tiempo de
c e b a d o , y el tiristor principal de potencia, T2, que
e s poco sen sib le y de c e b a d o m en os rápido que Ti,
p e ro con u n as e x c elen tes c a ra c te rístic as en cu an ­
to a dv/dt y al tiempo de ap ertura Tq.

4.2. C ebado del D arlistor

L a presentación del D arlistor es idéntica a la de un tiristor clásico; esto es,

hay tres conexiones accesibles: el cátodo, el ánodo y la puerta (fig. 5 -7 ). No se
imponen pues restricciones suplementarias y el elemento puede dispararse si­
guiendo los métodos clásicos (transform ador de impulsos entre cátodo y puerta o
cualquier otro sistema tradicional).
El impulso aplicado en la puerta ceba en primer lugar al tiristor auxiliar. L a
técnica de fabricación, la estructura misma del elemento son tales que el tiristor
auxiliar presenta un tiempo de cebado inferior al del tiristor de potencia. L a co­
 TIRISTORES Y TRIAC S

rriente principal del tiristor auxiliar se inyecta en la puerta del de potencia, y pue­
de verse que se produce una amplificación en las corrientes de disparo (fig. 5 -8 ),
con una ganancia considerable que asegura la inyección de una corriente muy ele­
vada en puerta del elemento de potencia. El com ponente, por tanto, soporta unas
d i/dt muy superiores a las admisibles por un elemento clásico.

_ . . , .. . P u erta d el D arlisto r
C o n tacto de cáto d o

C O R T O C IR C U IT O
cátodo tiris to r a u x ilia r
tiris to r p rin c ip a l

Fig. 5-7. — Estructura del D ar­

listor integrado.

TIR ISTO R P R IN C IP A L

a u x ilia r

Fig. 5-8. — Efecto de la amplificación de la co rrien­

te de puerta en el Darlistor. S ie ndo la e s c a la de
tiem pos de 1fis/cuadro, tenem os, en a la corriente
de puerta del tiristor auxiliar (1 A/cuadro), y en b
la corriente q ue realm ente s e inyecta en la puerta
del tiristor principal (e s c a la de 10 A por cuadro ).

No obstante, hay que advertir que puede aparecer una reacción diferente
de la producida por los tiristores clásicos, sobre el propio circuito de disparo. En
la figura 5 -9 a se ha representado un D arlistor con un posible circuito elemental
de mando. E n el esquema simplificado equivalente (fig. 5 -9 b ) puede estudiarse el

— mwv

Fig. 5-9. — Circuito d e d isparo

del Darlistor: (e n a); y en b el
e s q u e m a e q u i v a l e n t e simpli­
ficado.

©
 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 63

com portam iento del sistema frente a la señal de puerta, siendo el resistor r 23 una
impedancia parásita de integración cuyo valor es del orden de la fracción de ohm.
Cuando conduce el tiristor auxiliar, su corriente principal pasa por r 23 im­
poniendo una contratensión / 23 r 23 al circuito de cebado. Por esta razón, en cuanto
se cierra el elemento auxiliar, se observa una disminución de la señal de cebado,

Fig. 5-10. — S e a p re c ia aqui la deform ación de

la corrien te de puerta del tiristor auxiliar, fe­
nóm eno é s t e c a ra c te rístic o del Darlistor. S ie n ­
do la e sc a la de tiem pos d e un m icrosegu ndo
por cuadro, te n e m o s en a la corriente de p uer­
ta del tiristor auxiliar sin corriente d e mando,
en b la corrien te d e puerta en régim en d e c o n ­
ducción con un g e n e ra d o r d e puerta de 5 0 V, y
en c con un g e n e ra d o r d e 3 0 V. V em os en este
último c a s o q ue la co rriente de p uerta p a s a
p o r un valor negativo.

la cual puede incluso llegar a anularse y hasta a cam biar de signo (fig. 5 -1 0 ). La
deformación es tanto más pequeña cuanto m ayor es la tensión del generador. El
fenómeno es característico del Darlistor, pero no indica absolutamente nada, a
priori, sobre su funcionamiento.

4.3. C ondiciones de cebado

P ara admitir d i/d t del orden de los 5 0 a 1 0 0 A /p s , los tiristores clásicos ne­
cesitan una señal “fuerte” de m ando, de 1 A , con un flanco ascendente muy corto
(inferior a 1 ps), de form a que se ensanche al m áxim o la zona primaria de
cebado.
E l D arlistor, aunque menos exigente, no ha sido concebido para impulsos de
mando muy inferiores — en amplitud o en velocidad de subida — a los de los ti­
ristores clásicos. E n efecto, si se intenta obtener las m áximas prestaciones posi­
bles (más de 4 0 0 A /p s ), es necesario conservar la ventaja que supone la ampli­
ficación de la corriente de puerta, y no perderla a nivel del circuito de mando del
conjunto.
P or otro lado, una señal demasiado “ floja” se traducirá en una dispersión de
los tiempos de cebado que resultará indudablemente molesta a la hora de asociar
varias unidades en serie o en paralelo.
Por tanto, aunque se hayan podido obtener funcionamientos satisfactorios
(di/dt = 5 0 0 A /p s ) con señales de puerta de flancos de subida superiores a
10 ps, para amplitudes de 3 0 0 A , es aconsejable limitarse a las especificaciones,
que indican unas características para el generador de E = 2 0 V , R = 2 0 Q, tr =
= 1 ps.
E n definitiva, podemos decir que el Darlistor, en razón de sus especiales ca­
racterísticas, es adecuado para aplicaciones difíciles, com o la descarga de líneas
de retardo para moduladores de radar, troceo de corriente continua para vehículos
de tracción eléctrica, etc.
64 TIRISTORES Y TR IA C S

5. El tiristor complementario

L a estructura descrita hasta ahora es la utilizada en la casi totalidad de los

tiristores actuales. No obstante, se puede imaginar un elemento complementario,
que se obtendría por doble difusión N en el silicio de tipo P y posterior realización
del ánodo por difusión P localizada (fig. 5 -1 1 ).

Fig. 5-11. — Tiristor co m plem entario (c o n p uerta de án o d o ).

Un elemento de este tipo simplificaría ciertos montajes a la vez qiie podría

presentar características interesantes en conm utación. N o obstante, su fabricación
presenta una serie de dificultades tecnológicas que elevan considerablemente su
coste.

6. El tiristor de puerta doble

El tiristor de doble puerta (fig. 5 -1 2 ) es un elemento de tecnología planar en

el que las tres uniones están situadas sobre la misma ca ra de la pastilla de silicio
(figura 5 -1 3 ).
A nodo Anodo

Puerta
<Je ánodo

Cátodo Cátodo

Anodo
Fig. 5-12. — Tiristor de doble puerta:
en a , re p re s e n ta c ió n de principio, en
b e s q u e m a equ ivalen te y en c su
Puerta símbolo.
de cátodo

C átodo
 D I F E R E N T E S TIPOS D E TIRISTORES 65

E n él se tiene acceso a las cuatro zonas del tiristor. L a zona N 2 (puerta de

ánodo) va soldada a la cápsula, mientras que las N i (cátodo), P i (puerta de c á ­
todo) y P 2 (ánodo) van unidas a los terminales aislados de una cápsula R O 3 8 m
(T O -1 8 con cuatro terminales de conexión).

D ISPARO APERTURA

Fig. 5-13. — En a, es tru c tu ra real del tiristor d e doble pu erta (llam ado a v e c e s tiristor tetrodo).
En b, s e ñ a le s d e d isp aro y en c s e ñ a le s de apertura.

Se pueden utilizar los dos transistores, N iP iN 2 y PaN 2P i; sus ganancias res­

pectivas de corriente varían entre 10 y 8 0 , para el N PN y entre 0 ,2 y 2 para el
PN P, según las características de difusión.
E l disparo del tiristor se puede efectuar inyectando corriente en la puerta de
cátodo (la tensión de la puerta de cátodo es superior a la tensión de cátodo) o en
la puerta de ánodo (V Ga < V A).
Tam bién se puede bloquear el tiristor, en tanto que la corriente principal no
supere los 5 0 m A , inyectando una corriente de sentido inverso a la de disparo en
una u otra de las puertas.
E ste tipo de tiristor se caracteriza por el débil valor de las corrientes de dis­
paro necesarias ( I Gt c < 1 pA e I GTa < 1 0 0 pA) lo que hace posible su utilización
en contadores en anillo o com o transistor uniunión programable.

7. El tiristor bloqueable

El tiristor bloqueable puede:

• Dispararse, si se aplica un impulso positivo a su electrodo de mando;

• Bloquearse de nuevo, si se aplica un impulso negativo a este mismo electrodo
de mando.

E sta propiedad es consecuencia de que al abrir el circuito, el elemento pro­

porciona una ganancia de corriente. E l origen de las distintas siglas utilizadas para
designar este tiristor es:

— GTO = gate turn-off switch;

— GCS = gate controlled switch;
— GCO = gain de courant á l’ov ertu re* (Nombre registrado por S.S.C .)

* T ra d u cid o literalm en te: ganancia d e corriente en la apertura. (N. del T.)