126 T IR IS T O R E S Y T R IA C S

cad a semionda y , luego lo d escarga ya totalm ente al principio de la sem ionda si­
guiente (fig. 1 2 -1 1 ).
E n la figura 1 2 -1 2 se representa el esquem a de principio de este “ interruptor
de dos niveles” . E l detector de ce ro está form ado por los dos transistores T i y T 2

I---------------------------------------------------------------------------- 1 *syn CARGA

Fig. 12-1 1. — E squem a sin ó p tic o d e l p A 7 4 2 a p lic a d o a u n m o n taje típico.

In terru p to r d e d o s n iv e le s

Fig. 1 2 -1 2 . — In terru p to r d e
d o s n iv eles d e l pA 7 4 2 .

que hacen entrar en conducción, respectivam ente, a T 3 al principio de la semi­

onda positiva y a T , al principio de la sem ionda negativa (T 3 y T 4 son tiristores
con puerta de ánodo). E l diodo zener D z tiene la misión de lim itar a unos 8 V la
tensión residual de C j tras la sem ionda negativa. L a corrien te de disparo para
la semionda positiva siguiente la suministra la carg a residual correspondiente a
esa tensión.
E n el capítulo 2 0 se encon trarán algunos esquemas de aplicación de este
circuito integrado que se cita aquí por lo especial de sus características.
 CAPITULO 13

G O B I E R N O DE T IR IS T O R E S Y T R IA C S : V A R IA CIÓ N
DE PO T E N C IA P O R Á N G U LO DE C O N D U C C IÓ N

1. Principios

Si la variación ha de producirse con una constante de tiempo relativamente

co rta (por ejem plo, si se trata de variaciones de luz en un sistema de iluminación)
es necesario recurrir al recorte de las semiondas de tensión alterna. L o más có ­
m odo, cuando se emplean interruptores con tiristores o triacs, es adoptar las mo­
dalidades / o g de la figura 1 2 -1 .
L as relaciones entre potencia suministrada a la carg a (resistiva, en los casos
considerados) y m áxim a potencia posible, y entre tensiones, de cresta V p (m áxi­
m a en estado cond uctor), V p, (eficaz) y media, vienen indicadas en las figuras 13-1
en función del ángulo de conducción (a ) o de bloqueo (qp), según que se trabaje
con semiondas o con períodos com pletos.
E l recorte de la onda de la tensión de alimentación introduce armónicos de
orden elevado que pueden perturbar la recepción de las ondas radioeléctricas.
E s pues necesario dotar a los circuitos variadores de potencia por recorte de ten­
sión de un filtro antiparasitario del que se indican dos esquemas posibles en la
figura 13 -2 .
E l principio general del gobierno por ángulo de conducción consiste en re­
tardar sistem áticam ente el instante de disparo introduciendo una constante de
tiem po, obtenida por lo general m ediante un circuito R C (fig. 1 3 -3 ).
E n efecto, el condensador se carg a a través del resistor R s, retardando el
m om ento en que se alcanza la tensión de cebado. L a form a de onda de la señal
de salida es entonces sólo una fracción de la sem ionda positiva, reduciéndose así
el valor m edio de la corriente en la carga.
L a tem porización depende de:

• L a constante de tiempo R s C ;
• L a pendiente de la tensión de ánodo.

E n este circuito, el diodo Di descarga el condensador durante el semiperíodo

negativo evitando la aplicación de una fuerte tensión negativa a la puerta.
A ctuando sobre el resistor R s disponemos pues de un medio cóm odo para
hacer variar el ángulo de conducción. E n el montaje de la figura 1 3 -4 , este resis­
to r R es un potencióm etro y el ángulo de bloqueo a , durante el cual no puede
pasar corriente, varía aproxim adam ente entre 0 y 1 8 0 ° .
 TIR IS T O R E S Y T R IA C S

<|> = ángulo de bloqueo

a = ángulo de conducción
c*«(f> =180*

20* 40* 60* 80"90*100"120* WT ISO* 180*

Angulo de bloqueo <P (grados) F¡g. 1 3-1 . — C u r v a s c a ra c te rís tic a s
d e l co n tro l d e p o te n c ia p o r á n g u lo
(Jj = ángulo de bloqueo d e c o n d u c c ió n e n se m io n d a (a) y en
ángulo de conducción <{>+•<=180 *
o n d a c o m p le ta (b ).
Rectificado
Total conducción

Angulo de bloqueo $ (grados)

E l diodo D 2 sirve para carg ar negativam ente la arm ad u ra superior del co n ­

densador durante el sem iperíodo negativo, lo que perm ite que el ciclo empiece
siempre a partir de un nivel constante de carga.
Com o la corriente de cebado la sum inistra la tensión d e red a través del resis­
to r R , el condensador debe perm itir una corriente de ca rg a grande com parada
con IGT, aún p ara ángulos pequeños d e conducción.
 V A R IA C IÓ N D E P O T E N C IA PO R Á N G U L O D E C O N D U C C IÓ N 129

Fig. 1 3 -2 . — D o s e je m p lo s d e
filtro s a n tip a r a s ita rio s u s a d o s
ju n to c o n e l m a n d o p o r á n g u ­
lo d e fa s e . En a, filtro d e u n a
c é lu la p a ra d é b ile s p o te n c ia s
(L e s d e u n o s p o c o s m ilihen-
ry ) y d e p é r d i d a s e le v a d a s;
Cs y R: sirv e n p a ra am o rtig u ar
CARGA
la s o s c ila c io n e s c o n , p o r e je m ­
plo, C = 0 ,2 p F y R = 2 7 0 f i.
En b, m o n taje d e d o s c é lu la s
p a ra p o t e n c i a s m ayores; L
p u e d e s e r d e a l g u n o s mill-
h en ry .

Fig. 1 3-3 . — P rincipio d e l m an­

d o re ta rd a d o , d e b id o a la c a r­
g a del c o n d e n s a d o r C.
130 TIR IS T O R E S Y T R IA C S

H agam os notar la diferencia esencial entre los dos circuitos precedentes:

— E n la figura 1 3 -3 el resistor de puerta está alim entado directam ente por la ten­
sión alterna V 8.
— E n la figura 1 3 -4 en cam bio, el resistor de puerta está conectado al ánodo del
tiristor; por tanto, la puerta se alim enta a través de la carga.

Fig. 1 3-4 . — D isp a ro re ta rd a d o

c o n alim en tació n a la p u e rta a
tra v é s d e la c a rg a .

2. Cebado por red RC y rectificación de onda com pleta

El mismo principio de ceb ad o puede aplicarse a un sistem a co n un único ti­

ristor en el que se alim enta la ca rg a con tensión rectificada de onda com pleta.
E l artificio consiste en disponer el tiristor en la diagonal de un puente rec­
tificador (fig. 1 3 -5 ). E n este caso , la ca rg a n o puede ser inductiva.

Fig. 13-5. — A lim entación d e

u n a c a rg a e n c .a . co n u n so lo
tiristor.
 V A R IA C IÓ N D E P O T E N C IA POR Á N G U L O D E C O N D U C C IÓ N

3. Disparo por circuito desfasador

E ste m ontaje n o se aplica m ás que para el ca so de alimentación en c .a .,

aunque la carg a recibe la alim entación en c .c . (fig. 1 3 -6 ).
L a red desfasadora lleva una bobina o un condensador. A l electrodo de man­
d o se le aplica una tensión alterna desfasada co n respecto a la que a ta ca al ánodo.

-o * T e n s ió n d e s a lid a c .c

T e n s ió n de
a lim e n ta c ió n
d e c .a .

P ara L
,P a r a

Fig. 13-6. — Principio del disparo por red desfasadora.

E l potencióm etro R c sirve p a ra ajustar el ángulo de conducción entre 0 y

1 8 0 ° , p ara ca d a una de las sem iondas. E l transform ador con tom a intermedia
debe sum inistrar una tensión d e pico V c igual o superior a 2 5 V , dependiendo
el v alor ex a cto de la m ism a del tipo d e tiristor usado. Puesto que el desfase varia
co n la frecuencia, deben respetarse algunas otras condiciones:

• L a L o la C del desfasador se escogen de form a que, siendo F la frecuencia

de alim entación, en hertz.

1
— 9
2 n FC
o

donde:

C = capacidad, en farad ;
L = inductancia, en henry.
• E l resistor serie de pu erta, R s , medido en ohm , debe cum plir la relación:

V c — 20
 TIR IS T O R E S Y T R IA C S

• Finalm ente, el resistor de tem porización R c debe ser:

R c> T lS c ° Ro> 2 * F L -1 0

4. Disparo m ediante circuitos con semiconductores (generalidades)

Si bien los circuitos d e disparo R C presentan la ventaja de su sencillez, tam ­

bién presentan dos tipos de inconvenientes:

— L a red R C debe adaptarse a c a d a tipo de tiristor.

— T o d a la corriente d e ceb ad o pasa p o r el resistor, que disipa así una potencia no
siempre despreciable.

L a solución inversa, que consistiría en acum ular la energía útil, p a ra suminis­

trarla bajo form a de impulso en el m om ento deseado, perm itiría, p o r el con trario:

• Sobrealim entar la puerta, lo que está autorizado h a ce r en régimen de impul­

sos. Consecuentem ente se podrían acep tar tolerancias m uy am plias p a ra las c a ­
racterísticas del circuito de disparo;
• R educir la potencia consum ida al valor de la p otencia estrictam ente n ecesa­
ria (o casi);
• T o d o esto usando sólo com ponentes m odestos, incluso p a ra el caso de tiristo­
res importantes.

E ste funcionam iento se logra, naturalm ente, acum ulando la energía necesa­
ria en un condensador que se d escargará después sobre el circuito de puerta del
tiristor, a través de un dispositivo “a d h o c ” .
P o r lo general este último será un circuito de relajación que aproveche los
fenómenos de resistencia negativa. C onviene entonces exam in ar aquí sus ca ra c ­
terísticas generales.
Consideremos pues el relajador de la figura 1 3 -7 a ; el dispositivo tiene una
tensión de disparo V s, una corrien te de disparo Is, y una tensión y una corriente
de mantenimiento, V n e I„ .
Su curva característica se ha representado en b co n dos rectas d e carg a c o ­
rrespondientes a dos valores diferentes de resistencia. Si aum entam os R ! al valor
m áxim o que mantienen las oscilaciones, vem os que su re cta de c a rg a c o rta a la
curva característica del dispositivo en un punto (1 ) en que la pendiente d e la re­
sistencia negativa es igual a la d e la re cta d e ca rg a de R 2. E se punto, situado muy
ce rca de V s y de Is no es, em pero, exactam ente el m ism o, y a que las especifica­
ciones de estos parám etros se dan p a ra el punto preciso en que la pendiente de
la característica es vertical, lo que representa una resistencia dinám ica nula.
Cuando se alcanza el punto de disparo ( 1 ) , el punto de trab ajo se desplaza a
(2 ), descargando así el condensador con una punta de corriente ip y produciendo
una punta de tensión e p en el resistor d e ca rg a R 2 (en el que se incluye igualmente
la im pedancia presentada por la p u erta del tiristor). L a descarga del condensador
lleva de nuevo el punto d e trabajo de (2 ) a ( 3 ) donde la pendiente de la resistencia
negativa es o tra vez tangente a la recta de carg a. E l punto de trab ajo pasa enton­
ces de (3 ) a (4 ), el condensador vuelve a cargarse a través de R i y la oscilación
prosigue.
 V A R IA C IÓ N D E P O T E N C IA POR Á N G U L O D E C O N D U C C IÓ N 133

Si se m odifica R i haciendo que to m e el mínimo v alor que perm ite la oscila­

ción, su nueva re cta de ca rg a c o rta a la característica del dispositivo en el pun­
to (3 ). T o d o v alor inferior tiende a dejar el dispositivo en conducción, en un punto
de funcionam iento estable situado entre (2 ) y (3 ). P o r el contrario, si aum enta­
m os R i p o r encim a del valor m áxim o que perm ite la oscilación, el dispositivo
queda en un punto de funcionam iento estable situado entre (1 ) y el origen.
U n parám etro m uy im portante y que no está especificado en m uchas ocasio­
nes es el tiem po d e conm utación o tiem po d e subida. U n dispositivo que conmute
lentam ente de (1 ) a (2 ) n o llegará jam ás a este punto, ya que el condensador se
irá descargando gradualm ente; el punto de trabajo co rta rá a la característica en
algún lugar entre (1 ) y (2 ). E s te tiem po de conm utación puede ser un im portante
fa cto r restrictivo si n o resulta despreciable com parado co n la constante de tiem­
po de d escarga C R 2. P a ra valores grandes de C R 2, superiores a 1 0 veces el tiempo
d e conm utación, la tensión de impulsión, ep es simplemente igual a la diferencia
entre la tensión de disparo V s y la caíd a de tensión directa en conducción V F.
E n estas condiciones, podem os determ inar la am plitud d e pico del impulso
de corriente exam inando el punto de co rte de la re cta de ca rg a R 2 co n la ca ra c­
terística.
C uando C R 2 es pequeña, del orden del tiempo de conm utación, ep e ip se
ven reducidos sim ultáneam ente p o r la resistencia aportada durante la conm uta­
ción p o r el dispositivo.
C om o los efectos del tiem po de conm utación no aparecen siempre con cía-
134 TIR IS T O R E S Y T R IA C S

ridad en las hojas de características p a ra los dispositivos destinados al gobierno de

tiristores, se suele indicar la tensión de pico del impulso que ap arece en R 2. El
valor de R 2 se escoge de m odo que simule la im pedancia de p u erta; igualmente
se especifica el v alor del condensador que se d escarga sobre R 2.
L a terminología cam b ia según se tra te de un transistor uniunión (U J T ), de
un conm utador unilateral (SU S), de un diac o de un tubo de neón; en el cuadro
siguiente hem os resumido su correspondencia:

C a r a c te ­
U JT S U S D ia c N eó n
rística

V s vP v8 V Br V/

1* lp •s Ib r

V „ v„ v„ vc
!h L •h

Gp V q BI V 0 e P ¡p

¡p

Precisadas ya estas pocas nociones, vam os a exam in ar ah o ra las condiciones

de cebado, usando distintos elem entos, y em pezarem os p o r el transistor uniunión.

5. Disparo por UJT

5.1. Fundam entos

E l transistor uniunión (U J T ) se utiliza m uy frecuentem ente en el disparo de

tiristores pues perm ite realizar un excelente relajador co n muy pocos com ponentes.
E l circuito básico utilizado p ara el disparo d e tiristores es sencillam ente un
circuito de relajación com o el de la figura 1 3 -8 . E n este circuito el condensador
C i se ca rg a a través d e R , hasta que la tensión de em isor alcan za el nivel V p; en
ese m om ento, el U J T bascula y C x se d escarga sobre R Bi . C uando la tensión de
emisor cae a un valor de unos 2 V , el em isor deja de conducir, el transistor uni­
unión se bloquea, y vuelve a em pezar el ciclo.
E l periodo de oscilación T , que es prácticam ente independiente d e la ten­
sión de alimentación y de la tem peratura, viene dado p or:

T = - p — R l C ] loge - J - L - = 2 ,3 R , C , log.o

P a ra un valor nominal aproxim ado de la relación intrínseca t) de 0 ,6 3 :

T = R i C \.

L a s condiciones de establecim iento de un circuito de disparo con U J T no

son muy rigurosas. G eneralm ente se limita R Bi a un v alor inferior a 1 0 0 Q aun­
que pueden encontrarse en ciertas aplicaciones valores de 2 .0 0 0 ó 3 .0 0 0 Q.
 V A R IA C IÓ N D E P O T E N C IA POR Á N G U L O D E CO N D U CCIÓ N 135

E l resistor R , tiene un valor com prendido entre 3 kQ y 3 M Q ; el límite infe­

rior p ara R i se debe al hech o de que la re cta de ca rg a de R j y V i debe co rta r a
la cu rv a característica de em isor en 3 puntos p ara que el U J T bascule.

V,

H a c ia
l a p u e rta
d e l t i r is t o r

Fig. 1 3-8 . — El UÍT co m o g e ­

n e ra d o r d e im p u lso s.

VB1
j a
E l lím ite superior de R i está determ inado de form a que la corriente de pico
de em isor perm anezca superior a Ip, a fin de que pueda bascular el transistor uni-
unión.
L a tensión de alim entación debe situarse en una gam a com prendida entre 10
y 3 5 V ; esta gam a está determ inada, por abajo p o r el mínimo valor aceptable de
la señal d e disparo obtenida, y , p o r arriba p o r la potencia m áxim a admisible por
el U JT .
Si se aplica el impulso de salida (V B1) del circuito de la figura 1 3 -8 , directa­
m ente o por m edio de resistores en serie, a las puertas d e los tiristores, el valor
d e R B1 h a de ser lo bastante pequeño p ara evitar que la tensión continua produ­
cid a por la corrien te d e interbase tom e un v alor superior a la tensión m áxim a de
puerta V Gt que no ceb a el tiristor (p a ra la tem peratura de unión m áxim a a la que
debe funcionar el dispositivo).

5.2. Determinación práctica del circuito

L a determ inación p rá ctica de un circuito de disparo se hace fácilmente par­

tiendo de familias de curvas co m o las de la figura 1 3 -9 , relativas al U J T tipo
2N 2647.
 136
T IR IS T O R E S Y T R IA C S

Familia de curvas para determ inar las condiciones de disparo seguro en un tiristor mediante un UJT (2 N 2 6 4 7 ).
 V A R IA C IÓ N D E P O T E N C IA PO R A N G U L O D E C O N D U C C IÓ N 137

E sta s curvas indican la tensión d e alim entación m ínim a, V i, necesaria para

obtener un ceb ad o seguro en la gam a de tem peratura m encionada, en función de
la capacidad de em isor C i y de la resistencia R Bi o del transform ador de acoplo.
E l resistor R j n o interviene m ientras que perm ita la oscilación; generalmente
se aconseja intercalar un resistor en serie co n la base 2 o co n la alim entación, de
100 Q o m ás para evitar cualquier posible avalancha térm ica.

5.3. Sincronización del UJT

Se puede sincronizar un U J T m ediante un impulso que reduzca la tensión in-
terbase o la de alim entación, y esto en cualquier m om ento del ciclo (fig. 1 3 -1 0 ).
E ste impulso reduce, en efecto , la tensión de pico, V p, de disparo del U JT .

-o ♦

VB2 Im puiso de
II- sin cro n iza ció n
VA Qi
ir

Fig. 1 3 - 1 0 . — S in cro n izació n -O -

. d e u n UJT.

E n la figura 1 3 -1 1 se han indicado dos form as de obtener la sincronización

a partir de la red. Se utiliza una tensión rectificada de onda com pleta, obtenida
por ejem plo de un puente, tanto para la tensión de alimentación com o para la
sincronización del circu ito de disparo.
E l diodo zener Z , sirve para lim itar y regular los picos de tensión. Al termino
de cad a sem ionda la tensión de la base 2 de Q i cae a cero , lo que provoca el
disparo de Q i. L o s condensadores C i están pues descargados al em pezar cada
sem iperíodo, por lo que los circuitos están sincronizados por la tensión de red
138 T IR IS T O R E S Y T R IA C S

E n el esquem a a se obtiene un impulso de salida al final de cad a semionda,

lo que produce el cebado del tiristor que deja pasar una pequeña corriente a la
carga. Si no se desea que ocurra esto, se puede utilizar un segundo U J T p ara des­
cargar el condensador al final de ca d a sem iperíodo (en b).

©
r m . r m

H a c ia
la p u erta
d e l tir is to r

©
m n n n
V ------------- V M V -

d2

=Í=C2

®
C . A.

*
re c tific a d a _
onda z
c o m p le t a
Oí o2 H a c ia
la p u e rta
d e l tlr la to r

Fig. 13-1 1. — D o s fo rm a s d e s in c ro n iz a r un UJT a p a rtir d e la red.

El diodo Do y el condensador C 2 suministran una tensión de alim entación

de c .c . constante a Q 2. L a tensión existente en Q i cae a ce ro al term ino de cad a
semionda, lo que produce la descarga de C i, m ás a través de Q i que a través de
la carg a R m . H ay que escoger Q x de m odo que su relación intrínseca q sea supe­
rior a la de Q 2.

6. Disparo m ediante SUS y SBS

El conm utador unilateral (SU S) se usa para disparo de tiristores según el es­
quema de principio de la figura 1 3 -1 2 . E l SU S proporciona impulsos de salida
de amplitud superior a 3 ,5 V (en los term inales de un resistor R s de 2 0 Q ) cap a­
 V A R IA C IÓ N D E P O TEN C IA POR A N G U L O D E C O N D U C C IÓ N 139

ces de disparar prácticam ente cualquier tipo de tiristor. Adem ás puede asegurar­
se la sincronización aplicando una señal positiva a la puerta.
E n la figura 1 3 -1 3 se da un esquema práctico de montaje. L a puerta del
SUS vuelve a la línea superior de alim entación lo que permite dispararlo en cada
sem iperíodo (por ejemplo, en el negativo) de la tensión de alim entación; al hacer­
lo, descarga el condensador que luego se carg ará de nuevo a partir de un nivel
fijo, durante los semiperíodos positivos.
E l disparo por conm utador bilateral o SBS, que no es sino la asociación en
antiparalelo de dos SUS, se basa en los mismos principios (fig. 1 3 -1 4 ).

SUS

Fig. 13-1 2. — C ircu ito d e d isp a ro co n

SUS.

P u e r ta
( s i n c r o n iz a c i ó n )

í
Carga

A 13D

<70kn

2<0V 1M O SC R Fig. 13-13. — C ircuito com p le­

rVr G 20D to co n triac y S U S .

C .
& su s
D 13D 1
R1
100Q
7 ” (G E )

SB S

# ■
Fig. 13-1 4. — E sq u em a d e principio
p a ra el d is p a ro p o r S B S .
Entrada Puerta Re S a lid a

L a figura 1 3 -1 5 da un ejemplo de m ontaje en el que se ha incluido un filtro

simple antiparasitario; el acceso a la puerta se ha dejado disponible. No obstante,
este circuito sigue siendo de principio, ya que en realidad adolece de una histé-
resis cuyas causas verem os más adelante. Com probarem os que ha desaparecido
aquí el diodo D de la figura 1 3 -1 3 ; con elementos bidireccionales su empleo ca ­
recería de sentido.
I 40 T IR IS T O R E S Y T R IA C S

200HH
1 Carga

4.7k Q :
Fig. 13-1 5. — E sq u em a p rá c ti­
:/ SB 5 c o d e utilización del S B S . La
120V 0,1 p F —— IM n i 'Ikl/ OI>*>
o > i« n n < t p u e rta q u e d a d isp o n ib le p a ra
u n a e v e n tu a l sin cro n iza ció n .

0.1HF^=

7. Disparo por diac

E l disparo por diac se basa en los mismos principios y su em pleo resulta

muy simple, por lo que verem os una gran variedad de esquemas de aplicación. E n
la figura 1 3 -1 6 se h a representado un esquem a de principio.
E n el capítulo dedicado al disparo de triacs volverem os a ocuparnos co n más
detalle de este m étodo para exam inar un fenóm eno específico, el de la histéresis.

C a rg a

Fig. 13 -1 6. — E sq u em a d e principio
p a ra el d isp a ro c o n diac.

8. Disparo por diodo Shockley

Tam bién el diodo de cuatro capas puede servir para disparar un tiristor, aun­
que el circuito es sensiblemente m ás com plejo (fig. 1 3 -1 7 ).
E l ¿io d o de cuatro capas D i sum inistra una onda diente de sierra (V A) que
se superpone a la tensión continua ajustable aplicada al cátodo de D 2 p ara go­
bernar su salida de bloqueo. L a s variaciones de tensión que resultan en V n se
aplican a la puerta del tiristor gobernado.

9. Disparo por lámpara de neón

L a lám para d e neón presenta aproxim adam ente las m ism as características
básicas que un diac, por un precio m enor. N o obstante, la corriente que sumi­
nistra es bastante débil y la tensión de cebado elevada. U n a lám para tipo 5A H
(de G E ), por ejem plo, se ioniza entre 6 0 y 1 0 0 V y suministra una corrien te de
pico de 2 5 m A min, sobre una carg a de 2 0 Q.