Laboratorio de Electrónica de Potencia I – UNMSM

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Universidad del Perú, DECANA DE AMÉRICA)
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

Profesora: ♦ Dra. Teresa Núñez Zúñiga

Tema: ♦ Lab 1: El SCR

Informe: ♦ Previo N°1

Curso: ♦ Electrónica de Potencia I

Alumnos: 26/0 ♦ Changanaqui Torres Brandol 15190141

♦ Lizonde Pinedo James 15190

4/20
♦ Villanueva Arquinigo Jesus Angel
15190172

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LAB 1: EL SCR

Objetivos.
 Familiarizarse con el SCR (Rectificador Controlado de Silicio).
 Determinar experimentalmente sus principales características.

Materiales y equipos.
 Un SCR (C106M o BT151) u otro cualquiera.
 Una resistencia de 5-50Ω a 10-30 Watts.
 Resistencias varias.
 Potenciómetros.
 Multímetro.
 1 Miliamperímetro.
 1 transformador de 220V /9V.

Introducción teórica.
El rectificador controlado de silicio es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material
semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP que se emplea como dispositivo de control.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate. La puerta es la encargada de controlar el
paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo
rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se
aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que
se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR
se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un
circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

Fig. 1 Estructura y símbolo del SCR.

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos

corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente
de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez

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causa más corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1. Este proceso
regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

Fig. 2 Funcionamiento del SCR.

 Parámetros del SCR:

 VRDM: Máximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)

 VFOM: Máximo voltaje directo sin cebado (VG = 0)
 IF: Máxima corriente directa permitida.
 PG: Máxima disipación de potencia entre compuerta y cátodo.
 VGT-IGT: Máximo voltaje o corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado
 IH: Mínima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR
 dv/dt: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
 di/dt: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR.

 Curva característica del SCR:

En la siguiente figura se muestra la dependencia entre el voltaje de conmutación y la corriente

de compuerta. Cuando está polarizado en inversa se comporta como un diodo común. En la
región de polarización en directo, se comporta también como un diodo común, siempre que ya
haya sido activado (On). Para valores altos de corriente de compuerta (IG), el voltaje de ánodo
a cátodo es menor (VC). Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. Concluyendo, al
disminuir la corriente de compuerta IG, el voltaje ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de
que conduzca.

Fig. 3 Curva característica del SCR.

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Procedimiento.

Conclusiones.

Bibliografía.
 Guía N°1 de Laboratorio de Electrónica de Potencia I – FIEE UNMSM.
 https://www.academia.edu/7728470/CIRCUITOS_DE_DISPARO_DE_TIRISTORES_PARA
_RECTIFICADORES_CONTROLADOS?auto=download
 https://www.bwass.org/bucket/10_CIRCUITO_DE_DISPARO_PARA_SCR.pdf
 https://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio
 https://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-
scr/rectificador-controlado-silicio-scr.shtml
 https://unicrom.com/scr-silicon-controled-rectifier/

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