EXPERIENCIA N°3: MULTIPLICADOR DE FRECUENCIA

CON FET “CARACTERÍSTICA CUADRATICA”

Galindo Cabrera Jholyeser 20144565J
Diaz Bustamante Breitner 20142696J
Ramon Chavez Daniel 20171284H

I. PROCEDIMIENTOS a. ¿Cuáles fueron los valores determinados

para el FET de IDSS y Vp? (Verifique Y
A. Material Necesario: compare con los datos del fabricante)

 Simulador - Para IDSS:

 Emulador de Osciloscopio
 Dispositivos y elementos del simulados:
transistores, bobinas, capacitares, resistencias,
potenciómetros, cristal, según los valores
requeridos por cada circuito.

B. Realice la simulación para tener los

resultados del circuito de la figura.

Síntesis del procedimiento:

 Implementar el circuito que se muestra en la i. Cortocircuito entre compuerta y fase:
figura. VGS = 0.
ii. Aumentar VD desde cero a valores positivos,
cuidando de no sobrepasar el voltaje de ruptura
VGS, hasta que ID alcance su nivel de
saturación, esto es IDSS.

V D ¿V =0 12
I DSS = GS
= =25.54 mA
R 470

- Para VP:

 Conectar la señal de entrada V1Coswt, de tal

manera que V1/Vp = 0.25 y fo =1MHz, y
sintonice el tanque de salida a esta frecuencia;
luego llene la siguiente tabla:

-V1/Vp 0.25 0.5 0.75 1.00 1.25 1.5

Vo 4.453 4.075 4.256 7.458 6.546 5.332
VD (dc) 2.718 3.6 7.954 3.345 5.123 7.645
VG(dc) 4.568 7.860 6.946 6.421 7.567 3.547
V1 7.324 6.875 3.765 5.114 2.150 7.87

Síntesis del procedimiento:

II. INFORME FINAL i. Alimentar el circuito con VDC = 12V.
 ii. Variar BAT desde cero a valores negativos
hasta que el voltaje del multímetro se haga
cero (Vmeter = 0), esto es IDSS = 0.

V P=V GS ¿ I =0
D
=1V

b. ¿Qué conclusión u observación ha obtenido,

de las formas de onda de salida, para el caso
en que el tanque resonaba a 2Wo?

Durante la simulación notamos que el Vpico

obtiene un valor de casi el doble de su valor
inicial de frecuencia de resonancia. Esto se
debe a la relación que tiene el voltaje V pico con
la corriente IDSS que a su vez depende de la
frecuencia, los cuales presentan una relación
directamente proporcional entre estas dos
variables.

c. Observaciones y Conclusiones.

 La frecuencia resonante y por ende el ancho de

banda depende del tipo de bobina; en este caso
es la bobina roja.
 El valor de IDSS del transistor FET 2n3819 debe
estar entre 1 a 20mA basándonos en su
datasheet.
 Una frecuencia de entrada igual a f RF /2 puede
duplicarse hasta obtener fRF por el término de
mezclado de ley cuadrática y combinarse
enseguida con fLO para producir salida en fIF.
 Para transistores de efecto campo (FET) la
característica es no lineal y se aproxima a una
forma cuadrática, por lo que produce niveles
de intermodulación y de armónicos bajos.
 El margen de frecuencias va de algunos MHz a
10GHz, pero existe una constante mejora de
estos transistores por lo que este margen de
frecuencias se extiende rápidamente.