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TCNICAS DE CARACTERIZACIN
DE NANOESTRUCTURAS

Ph.D LUZ MARINA BALLESTEROS RUEDA


Auxiliar: Ingrid Nathaly Rangel Muoz
CARACTERIZACIN ESTRUCTURAL POR 2

MICROSCOPA

Los microscopios pticos se usan generalmente para


observar micromateriales con alta resolucin, pero se
ven LIMITADOS debido a su rango de trabajo de
LONGITUD DE ONDA .
Se han desarrollado TCNICAS DE OBSERVACIN
de tamaos INFERIORES a los micromateriales.

LAS TCNICAS SE BASAN EN PRINCIPIOS DIFERENTES. SU


CARACTERSTICA EN COMN ES LA GENERACIN DE
IMGENES DE ALTA DEFINICIN DE LA SUPERFICIE
ANALIZADA
Joshi et. All.: Characterization techniques for nanotechnology aplications in textiles
SEM 3
Scanning Electron
Microscopy
Tcnica de microscopa que
toma imgenes de la muestra
mediante un HAZ DE
ELECTRONES DE ALTA ENERGA.
El haz de electrones interacta
con los tomos de la superficie
del material
Se emite una seal el forma de
ELECTRONES SECUNDARIOS,
ELECTRONES RETRO
DISPERSADOS y RAYOS-X
CARACTERSTICOS que generan
informacin sobre la superficie
del material

REVELA DETALLES DE 1-5 nm DE TAMAO DE MUESTRA


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SEM
Scanning Electron Microscopy

La SEMrequiere que la muestra sea


CONDUCTORA, para que permita el paso del haz
de electrones a travs de la superficie.
Algunos materiales NO CONDUCTORES son APLICACIONES
recubiertos con la leve capa de material
conductor, o se utiliza una Enviromental SEM Muestra imgenes tridimensionales
que opera a menores voltajes. detalladas de alta resolucin
(mayores x300000)

Imgenes a blanco y negro

Joshi et. All.: Characterization techniques for nanotechnology aplications in textiles


AFM 5
Atomic Force Microscope

Mide cuantitativamente la escala


nanomtrica de superficies y
permite visualizar su NANO-TEXTURA.

Es una tcnica NO DESTRUCTIVA y


tiene una resolucin espacial
tridimensional muy alta.
Cosiste en la utilizacin de una
PUNTA AFILADA de tamao nominal
del orden de 10nm que escanea la
superficie usando ESCANERS
PIEZOELECTRICOS

SE MONITOREAN CAMBIOS DURANTE LA INTERACCIN MEDIANTE DETECTORES PTICOS


AFM 6
Atomic Force Microscope

Durante la AFM se mantienen parmetros constantes para generar las imgenes mediante un
FEEDBACK entre el detector ptico y los escneres piezoelctricos.
Tres tipos de escaneo AFM, CONTAC MODE, NON CONTAC MODE y TAPPING MODE.

Joshi et. All.: Characterization techniques for nanotechnology aplications in textiles


AFM 7
Atomic Force Microscope

APLICACIONES

Altamente utilizado para la exploracin de


nanoestructuras, propiedades, superficies
e interfaces de fabricas de FIBRAS TEXTLES.

Herramienta poderosa para la


CARACTRIZACIN DE TEXTLES.

Joshi et. All.: Characterization techniques for nanotechnology aplications in textiles


STM 8
Scanning Tunneling
Microscopy

Instrumento para producir


imgenes con resolucin lateral a
escala atmica..

Se escanean superficies
conductoras con la ayuda de un
CRISTAL PIEZOELECTRICO a una
distancia de 0.5-1 nm
STM 9
Scanning Tunneling Microscopy

Se basa en el principio del TUNEL DE CUANTO.


Al llevarse a cabo la punta se lleva muy cerca de la
superficie conductora o semiconductora de tal forma
que un sesgo entre estos permite que los electrones
formen un TNEL DE VACO entre estas.
La STM puede ser usada no solo en vacos ultra altos,
sino en LQUIDOS o GASES y al ambiente a rangos de
temperatura definidos
Se requiere de superficies muy limpias para su anlisis.

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STM
Scanning Tunneling Microscopy

APLICACIONES

Caracterizacin y modificacin de gran


variedad de materiales.

Caracterizacin de NANOTUBOS DE
CARBONO
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BIBLIOGRAFA

Joshi et. All.: Characterization techniques for nanotechnology aplications


in textiles. Department of Textile Technology, Indian Institute of
Technology, New Delhi, India. 2008.

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