1. DEFINICON GENERAL DE LOS PARAMETROS HIBRIDOS DE LOS BJT.

- Los parámetros
híbridos son parámetros de ingeniería eléctrica y demás ingenierías derivadas de la
misma. Engloban a los parámetros de impedancia y a los de admitancia, de ahí su
nombre de "híbridos".
2. DESCRIPCION DE CADA PARAMETRO HIBRIDO
a) hie La resistencia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del
emisor re).
b) hre Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de
VCE. Es usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se
considera cero).
c) hfe La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente
referido como hFE o como la ganancia de corriente contínua (βDC) in en las
hojas de datos.
d) hoe La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente
especificado como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a
impedancia.
3. REPRESENTACION GRAFICA (DETERMINACION GRAFICA) DE LOS PARAMETROS
HIBRIDOS.
a) hie
La definición gráfica de hie se encuentra
en la figura. Valor típico hie = 5 Kohmios

b) hre
La definición gráfica de hre se
encuentra en la figura. Valor típico
hre=3*10 ^-4
 c) hfe
La definición gráfica de hfe se encuentra
en la. Valor típico hfe=200.

d) hoe
La definición gráfica de hoe se
encuentra en la figura. Valor típico hoe
= 24µA/V = 1/24 µ ohmios. => 1/hoe =
41.5 K ohmios

4. CIRCUITO EQUIVALENTE HIBRIDO COMPLETO PARA UN BJT

5. ECUACIONES DE CONVERSIÓN EXACTA. –
Configuración en emisor común.

Configuración en base común

 Configuración en colector común

6. ECUACIONES DE CONVERSIÓN APROXIMADA

Configuración en emisor común
 Configuración en base común

Configuración colector común

7. EJEMPLOS
a) hie
Ej: ICQ= 10 mA
β= 100
m= 1
hie= 25mV.100/10mA= 250Ω
ΔVbe=(733-718)mV
ΔIb=(20-10)uA
Vce=8.4V
Considerando que m puede variar entre 1 y 2; y β puede fluctuar en una
relación de 1 a 3 ( 50 y 150), entonces:
125 Ω < hie < 750 Ω
 Esta medición es relativa al punto Q . Si el valor de ICQ es menor el valor de
hie será mayor, puede alanzar valores del orden de algunos KΩ.

b) hre
El parámetro hre, puede calcularse al dibujar primero una línea horizontal a través
del punto Q en IB. La selección natural consiste en escoger un cambio en VCE y
encontrar el cambio resultante en VBE como se muestra en la figura (Ej. Para IBQ=
15mA).
ΔVbe=(733-725)mV
ΔVce=(20-0)V

c) hfe
A partir del punto Q, se introduce un cambio en ib (desde IB1 hasta IB2 )
manteniendo VCE = constante. Las variaciones de ib, producen los cambios
correspondiente en ic.
ΔIc=(2.7-1.7)mA
ΔIb=(20-10)uA
 d) hoe
La determinación del parámetro hoe, se obtiene manteniendo la IBQ (IB =
constante) y a través de producir un cambio en VCE se obtiene el cambio
correspondiente en IC.
ΔIc=(2.2-2.1)mA
ΔVce=(10-7)v

Bibliografía
Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (2003). ELECTRONICA:TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRONICOS. pearson.

Ruiz Robredo, G. A. (2001). ELECTRONICA BASICA PARA INGENIEROS . SANTANDER: El autor.