PRACTICA Nº 5 FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO (SEMICONDUCTORES)

(ETN-501) (Docente:Teodoro Busch Decovice)

1.- Para un semiconductor especial a T = 300ºK, se sabe que:

EG  1.45eV , N C  1018 cm3 , NV  1019 cm3 .Determinar la posición del nivel de
Fermi intrínseco con respecto al centro de la banda prohibida y la concentración intrínseca
ni a esa temperatura.

2.- a) Calcular la concentración de electrones frente a la temperatura en el rango de 200ºK a

600ºKen intervalos de 100ºK cuando N D  1014 cm 3 , N A  0 para silicio y germanio
b) Obtener E f  EFi para el silicio en el rango del apartado (a) y explique su variación

3.- Suponer una oblea de silicio, otra de arseniuro de galio y otra de germanio tienen igual
concentración de átomos dopantes, N D  1013 cm3 , N a  2.5 x1013 cm 3 a 300º K .
para cada una de las tres obleas: a) ¿De qué tipo es el semiconductor?, b) calcular n y p.

4.- En una oblea de germanio de tipo N hay un átomo donador por cada 108 átomos de
germanio. Se pide determinar: a) si la temperatura es de 400ºK, ¿a qué distancia del borde
de la banda de conducción está el nivel de Fermi?, b) ¿Dónde estaría EF si se añaden
impurezas hasta tener un átomo donador por cada 103 átomos de germanio?
Datos: peso atómico de germanio es 72.59, densidad de germanio es 5.32 g / cm3 .

5.- Calcular la concentración de electrones y huecos en una muestra de silicio a 300ºK que
tiene una concentración de átomos donadores N D  2 x1014 cm 3 y de aceptores
N A  3 x1014 cm 3 . Dibujar el diagrama de bandas ¿ Cuánto vale EC  EF ? .

6.- a) Calcular las concentraciones de portadores libres en equilibrio, electrones y huecos,

para germanio a 300ºK si EC  EF  0.195eV , b) Calcular electrones y huecos para silicio
a 300ºK si el nivel de Fermi se encuentra 0.22eV encima de la banda de valencia, c)
Calcular los electrones y huecos para arseniuro de galio a 400ºK, d) El valor de huecos a
para silicio a 300ºK es 1015 cm 3 . Determinar EC  EF y n , y e) Suponer EF  EV
a 300ºK en silicio. Calcular p.

7.- Para el germanio: a) Determinar la posición de nivel de Fermi a T = 300ºK sabiendo

que: EG  0.67eV , me*  1.64me mh*  0.28eV , b) calcule el numero de electrones por
unidad de volumen en la banda de conducción a 250ºK, 300ºK y 350ºK.
Solución: 0.3eV , 1.91x1012 cm3 , 3.34 x1013 cm3 , 2.68 x1014 cm.3

8.- Suponiendo que la masa efectiva de los huecos en un cierto metal es cuatro veces la de
los electrones, ¿a qué temperatura el nivel de Fermi sería cambiado en un 10% desde la
mitad de la brecha de la energía prohibida?. Suponer que la energía de la brecha es 1.1eV.
Solución: 613ºK
9.- La concentración intrínseca en un semiconductor se expresa como ni  n. p donde n y
p son la concentración de los electrones y huecos respectivamente en equilibrio, a)
Desarrolle esta expresión en función de las características del semiconductor y las variables
del sistema, b) Calcule la concentración intrínseca de electrones para el silicio sabiendo
que: EG  1.12eV , me*  0.98me , mh*  0.49me , me  9.11x1031 Kg .
Solución: 5.786 x1013 m 3

10.- El germanio ( EG  0.67eV ) es dopado con 2.2 x1015 cm 3 de galio. El nivel de

impureza aceptora se encuentra 0.011eV por encima del bode superior de la banda de
valencia, a) a temperatura ambiente, ¿cuál es la concentración del nivel de impureza si el
nivel de Fermi coincide con el nivel aceptor?, b) Calcular el nivel de Fermi para la
temperatura ambiente. Justifique cualquier suposición.
Solución: 1.47 x1015 cm 3 ,0.41eV

11.- Se sabe la masa efectiva de los huecos en un material es 4 veces la de los electrones.
¿A que temperatura el nivel de Fermi estará un 20% por encima del punto medio de la
banda prohibida EG  1.2eV

12.- Considere un silicio de tipo N con una energía de donador de 45meV por debajo de la
banda de conducción. La muestra está adulterada a 1017 cm 3 . Calcule la temperatura a la
que el 90% de los donadores están ionizados.

13.- En una muestra de GaAs a 300 K, el nivel de Fermi coincide con el borde de la banda
de valencia. Calcule la densidad de electrones empleando: a) medio integral de Fermi-Dirac
F1 / 2 (5) , b) aproximación de Joyce-Dixon tomando en cuenta el criterio de nivel de Fermi
deba ser  5k B T dentro de la banda antes de que el material pueda ser llamado
degenerado.

14.- Una muestra de Ge tipo N posee una concentración de impurezas donadora dada por
N D  1015 cm 3 . Determinar la concentración de electrones y huecos a 500ºK sabiendo
que la concentración intrínseca a 300ºK es 2.4 x1013 cm 3 y E G  0.67eV .

15.- Halle la variación de resistividad de Si intrínseco de 100ºK a 400ºK, tomando en

cuenta me*  1.1me y m h*  0.59me y considerando que dentro este rango de
temperaturas, las movilidades de los portadores están dadas por las ecuaciones:
 n  2.1x10 9 T 1.5  cm 2 / Vs  y  p  2.3x10 9 T 2.7  cm 2 / Vs  .

16.- Una muestra semiconductora de tipo N a T = 300 K tiene una resistividad de 5cm .
Se conocen los siguientes datos
 n  1600cm 2 / Vs,  p  600cm 2 / Vs, ni  1.4 x1010 cm 3 .
La densidad efectiva de estados en la banda de conducción es N C  1019 cm 3 . Se pide
calcular: a) la concentración de electrones y huecos, b) la posición de nivel de Fermi,
c) la probabilidad de que un estado del nivel donador y la probabilidad de que esté vacío si
E C  E D  50meV .
17.- Se tiene una muestra de tipo N de GaAs a T = 300 K. La concentración de electrones
varía linealmente desde 1018 cm 3 a 7 x1017 cm 3 en una distancia de 0.1 cm.
Calcular la corriente de difusión a 450 K, si el coeficiente de difusión para los electrones es
Dn  225cm 2 / s.

18.- Por medio de aproximación de Joyce-Dixon, calcule la posición de cuasi – nivel de

Fermi del electrón y del hueco cuando una densidad de e-h de 2 x1017 cm 3 , se inyecta a
silicio puro (no adulterado) a 350 K ( m n  1.1me y m p  0.59me ).
*

18.- Un semiconductor es dopado con donadores, dándole una resistencia R1 . el mismo

semiconductor es dopado con una cantidad desconocida de aceptores, donde N A  N D ,
produciendo una resistencia R2  0.75 R1 . Hallar N A  f ( N D ) . Suponer que
Dn / D p  75.

19.- En una muestra de AsGa de tipo N a 300 K, la densidad de aceptores está en función
de x, tal que N A  N o e 0 , x 0  0.5m. Calcular el campo eléctrico interno, densidad
x/x

de corriente de arrastre y difusión de huecos en condiciones de equilibrio.

Datos: D p  10cm / s,  p  400cm / Vs.
2 2

20.- Calcular a 400 K, a) la resistencia de un bloque de Si, de longitud l = 1 mm y de

diámetro D = 0.1 mm, b) el número de par electrón – hueco en el semiconductor
intrínseco, c) la resistencia del mismo bloque, si añadimos impurezas aceptantes en
proporción 2 / 10 6 .
Datos a 300 K:
  2.5 x10 5 cm,  n  1350cm 2 / Vs ,  p  480cm 2 / Vs , D  2.33g / cm 3 , A  28g / mol ,
N a  6.02x10 23 átomos/ mol, me*  1.08me , mh*  0.81me , ni  1.54x1010 cm 3 , EG  1.12eV .
21.- La densidad de corriente que circula en un semiconductor es constante J  4.8 A / cm 2
y está compuesta por una corriente de arrastre y una de difusión. La concentración de
electrones es n  1016 cm 3 y la de huecos p ( x)  1015 e  x / l cm 3 para x  0. Se
conocen:
l  12m, D p  12cm 2 / s,  n  1000cm 2 / Vs. Se pide calcular: a) la densidad de
corriente de difusión de huecos en función de x, b) la densidad de corriente de difusión de
electrones en función de x, c) la expresión del campo eléctrico E en función de x.

22.- Una muestra de germanio intrínseco a 300ºK se dopa con una concentración de
donadores N D  2 x1014 cm 3 y de aceptores N A  3 x1014 cm 3 . se pide hallar:
a) Concentración de electrones y huecos resultante del dopado, indicando el tipo de
semiconductor obtenido. Dibujar el diagrama de bandas, b) Si las concentraciones de
impurezas fueran N D  N A  1015 cm3 , ¿Qué tipo de de semiconductor resultaría?,
c) Si se aplica un campo eléctrico E  2(V / m), ¿cuál sería la densidad de corriente en los
apartados (a) y (b)?. Datos:  n  3600(cm 2 / Vs, uh  1700(cm2 / Vs
23.- Calcule la densidad efectiva de estado para las bandas de conducción y de valencia del
GaAs a 450 K.

24.- Un semiconductor es dopado con donadores ( N D ) , dándole una resistencia R1 . El

mismo semiconductor es dopado con una cantidad desconocida de aceptores ( N A ) , donde
N A  N D , produciendo una resistencia R2  5R1 . Encontrar N A en función de N D
. Suponga que Dn / D p  50.

25.- En una muestra de Silicio tipo P a 300 K, la densidad de aceptores es una función de
x, tal que: N A ( x)  N o e o , xo  0.5m . Calcular el campo eléctrico interno, la
x/x

densidad de corriente de arrastre y difusión de huecos en condiciones de equilibrio. Con

datos: D p  10 cm / s,  p  0.04cm / Vs.
3 2 2

25.- Calcule: a) la resistencia de un bloque de Silicio intrínseco de longitud 1 mm y de

diámetro 0.1 mm , b) el número del par electrón hueco en el semiconductor intrínseco,
c) la resistencia del mismo bloque, si añadimos impurezas aceptores en proporción de
2 / 106. Datos:
  2.5 x105 cm, n  1350cm2 / Vs,  p  480cm2 / Vs, D  2.33 g / cm3 , A  28 g / mol ,
N a  6.02 x10 àtomos / mol.
23

26.- Un semiconductor intrínseco tiene una brecha prohibida EG  0.2eV . Las mediciones
muestran que la resistividad a temperatura ambiente (T = 300ºK) es de 0.3m. ¿Cómo
sería su resistividad a 350ºK?. Solución: 0.17m

27.- ¿Cuántos gramos de fósforo hay que agregar a 100 g de germanio para obtener una
resistividad de 0.2cm a temperatura ambiente?. Suponer que la distribución uniforme
del fósforo en el germanio y considerar que la movilidad de los electrones 3600(cm2 / Vs ) ,
siendo la densidad del germanio 5.36( g / cm3 ) y el peso atómico del fósforo de
30.9( g / mol ). Justifique todas las suposiciones realizadas para hacer los cálculos.
Solución: 8.32 x106 g

3ni
28.- Una pastilla de germanio es dopado con densidad de átomos donadores de .
2
Calcular la densidad de electrones y huecos.

29.- Calcule las energías del donador y aceptor en el germanio y el radio de la órbita en el
estado fundamental. Datos:
ml*  1.64me , mt*  0.082me , mhh *
 0.28me , mlh *
 0.044me y  r  16 .

30.- Si EC  E F  0.25eV en el arseniuro de galio a 400 K

a) Calcule la densidad de electrones y huecos
b) determina la diferencia EC  E F , a 300 K si las masas efectivas se mantienen
constantes
31.-La probabilidad de que un hueco sea atrapado por un nivel aceptor es 70% y la
densidad de adulteración es N A  1016 cm 3 . Calcular la densidad de huecos ligados a los
átomos aceptores y la localización del nivel de Fermi respecto al nivel de energía de los
aceptores para 350 K.

32.- Un nuevo semiconductor tiene una banda prohibida EG  0.9eV y se corta en forma
de paralelepípedo de longitud L = 0.6 mm y sección A  0.1.mm 2 . Se han introducido
dopantes donadores y aceptores, N D y N A , en todo semiconductor. Esto sitúa el nivel
de Fermi a 0.2 eV por debajo del nivel intrínseco a temperatura ambiente. De los dos tipos
de dopantes, solamente se conoce N D  2 x1015 cm 3 . Se pide calcular: a) N A , b) Se
calienta el semiconductor hasta 550ºK y se la aplica una diferencia de potencial de 1.2 eV.
Calcular la intensidad de corriente total a través de él.
Datos:
EG  0.0eV ; N C  NV  3 x1019 cm 3 ;  n  1000(cm 2 / Vs );  p  500(cm2 / Vs ) .

33.- Sabiendo que la conductividad de un semiconductor intrínseco en equilibrio uede

escribirse como:
3/ 2
 2 me* .m*p kT 
 E 
   0 . exp  G  siendo  0  2e   u n  up 
 2kT   h2 
 
donde “e” es la carga del electrón,  n y  p son las movilidades de electrones y huecos
respectivamente, encuentre la conductividad y resistividad del silicio intrínseco a 100ºK,
300ºK y 400ºK y considerando que dentro de tal rango de temperaturas las movilidades
están dadas, aproximadamente, por las ecuaciones:
 n  2.1x105 T 2.5 ( m 2 / Vs ) y  p  2.3 x105 T 2.7 ( m 2 / Vs )
Solución: 8.545x1023 (m) 1 , 1.684 x104 (m) 1 , 0.0278(m) 1 .

34.- Se dopa silicio, germanio y arseniuro de galio de impurezas dadoras y aceptoras:

N D  1017 cm 3 y N A  2 x1017 cm 3 . Calcular la resistividad eléctrica de los tres
cristales a 500ºK. Determinar la corriente de arrastre si el campo eléctrico es 105 (V / cm).