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FASE 3: DISEÑAR LA ETAPA DE POTENCIA Y FILTRADO

WILMER FABIAN SOSA ZEA

1052383238

INGENEIRO EDISON ANDRES ARTEAGA

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTAY A DISTANCIA “UNAD”

CEAD DUITAMA

ESCUELA DE CIENCIAS, TEGNOLOGIAS E INGENIERIAS

INGENIERIA ELECTRONICA

2019
INTRODUCCIÓN

Después de haber recorrido la etapa de planeación, de trabajar en la etapa de


conmutación por SPWM, llegamos al momento de diseñar la etapa de potencia y
filtrado.

Para cumplir con los objetivos trazados para esta unidad 3, nos enfocaremos en
investigar en diferentes fuentes, lo relacionado con el diseño del circuito driver, del
cual haremos su explicación, mostraremos su funcionamiento y desde luego que
haremos el diseño del circuito.

Finalmente, con base en la investigación, en el intercambio de conceptos con los


integrantes del grupo, así como el acompañamiento del tutor del curso, trataremos
de presentar una propuesta de método de regulación de la tensión y corriente de
salida frente a la distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no
lineales.

Es imprescindible la participación grupal, así como la guía de nuestro tutor, para


que atendiendo a las consultas y por medio de video tutoriales, poco a poco
vayamos despejando dudas y esto nos permita conseguir los objetivos trazados.
OBJETIVOS

General

Presentar el circuito driver de la etapa de potencia y explicar la función del mismo.

Específicos

Diseñar y o explicar la etapa driver de los conceptos adquiridos en el desarrollo de


la unidad.
Diseñar o explicar la salida de potencia del inversor en puente H.
Presentar una breve explicación de los transformadores de salida en el puente H.

Diseñar o explicar los conceptos que nos permitan diseñar un Circuito LC con el
objetivo de filtrar la salida del puente inversor.

Poner en práctica los conocimientos adquiridos en etapas anteriores que nos


permitan cumplir con los requerimientos de la presente unidad y tener bases
suficientes para enfrentarnos a la última etapa del curso que consistirá en Simular
y analizar los resultados obtenidos.
DESARROLLO DE LA ACTIVIDAD

Continuando con el desarrollo de las tareas indicadas en la guía de actividades del


curso de Electrónica de Potencia, en esta tercera etapa, se nos pide dar desarrollo
a 3 puntos que, para ser resueltos, me he basado en las indicaciones realizadas por
nuestro tutor en las web conferencias y en las investigaciones hechas en la red, así
como el acompañamiento del tutor del laboratorio y los intercambios de dudas con
otros compañeros.

3.1 Se debe presentar el circuito driver de la etapa de potencia y se debe explicar


la función del mismo.

Antes de dar explicación y mostrar el diseño del circuito Driver, debemos entender
de qué se trata, por lo que podríamos empezar diciendo que el circuito driver es en
el que recae la función de tomar la señal de control de cualquier transistor y
adaptarla o convertirla en una señal que cumpla las condiciones que en la zona de
saturación o corte se necesitan.

Las características principales que debe tener el Driver, son el suministrar una
entrada de alta impedancia respecto al circuito de control, regular los niveles
presentes en la tensión, así como crear espacios de tiempo “muertos” y las
adecuadas protecciones.

Para la selección del driver se debe tener en cuenta aspectos tales como la tensión
máxima de salida del driver sea mayor que la tensión mínima necesaria en la puerta
del MOSFET para que así se realice la conmutación a la frecuencia seleccionada.

Existen diferentes opciones a la hora de seleccionar un driver. Se pueden emplear


componentes discretos para diseñar un driver, opto-acopladores o drivers
fabricados como circuitos integrados. Cada uno de ellos tiene unas ventajas e
inconvenientes.

En la figura 1, se explica el funcionamiento de los principales componentes del


driver.
Figura 1circuito integrado driver de Mosfet

Figura 2. Etapa driver de mosfet de potencia

DRIVERS “CONTROL DE LOS MOSFET EN EL PUENTE H”

En todo sistema electrónico de control de potencia se requieren circuitos


especializados para controlar la actuación de los dispositivos conmutadores de
potencia.

Estos circuitos de manejo de compuerta (drivers), deben cumplir las siguientes


funciones básicas:
1- Proporcionar aislamiento entre los circuitos de control y los altos niveles de
tensión y corriente manejados por los dispositivos electrónicos de control de
potencia.

2- Generar las formas de onda de voltaje y corriente necesarias para que los
dispositivos de potencia operen hasta en las condiciones máximas de voltaje y
corriente definidas por el fabricante.

3- Proporcionar protección local contra fallas especialmente en situaciones de


sobre cargas.

Adicionalmente, es imprescindible que estos circuitos estén incluidos en un


circuito impreso que contenga también todas las fuentes de alimentación y los
componentes de interfaz necesarios, para minimizar las inductancias y capacidades
parásitas y facilitar el armado del sistema de potencia.

Algunos fabricantes, como I.R. y H.P., ofrecen circuitos integrados que contienen
algunas de las funciones básicas de un circuito de manejo de compuerta; estos
integrados son económicos pero no pueden ser conectados directamente a los
dispositivos de potencia. Es necesario construir fuentes de tensión de alimentación
independientes con aislamiento de tierra y proporcionar las funciones faltantes de
protección o de interfaz aislada con el controlador. Circuito de Manejo de Compuerta
de Bajo Costo para MOSFET e IGBT.

Tabla 1. Tabla lógica del driver

MOSFET DE POTENCIA

Un transistor MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que


requiere solo de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación
es muy alta siendo los tiempos de conmutación del orden de los nanosegundos. Los
MOSFET DE POTENCIA están encontrando cada vez más aplicaciones en los
convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los
problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, sin embargo
los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por los que su manejo
requiere de cuidados especiales además, es relativamente difícil protegerlos bajo
condiciones de falla por corto circuito. Los MOSFET son de dos tipos: (1) los
MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET tipo
agotamiento, de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p, tal y como se
muestra en la siguiente figura. Con dos silicios n fuertemente dopados para tener
conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del canal mediante una
delgada capa de óxido. Las tres terminales se conocen como compuerta. Drenaje y
fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a
fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si VGS es negativo, algunos de los
electrones del área del canal n estarán repelidos, y se creara una región de
agotamiento, por debajo de la capa de óxido, que resultara en un canal efectivo más
angosto y en una alta resistencia de drenaje, a fuente RDS. Si VGS se hace
suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente, ofreciendo un alto valor
en RDS y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando esto ocurre,
el valor de VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp por otra parte VGS se
hace positivo, el cual se ensancha, e IDS aumenta debido a la reducción en RDS. Con
un MOSFET tipo agotamiento de canal p se invierten las polaridades de V DS, IDS, y
VGS. Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n y p, sucede un proceso similar al
anterior.

Figura 3. Transistores MOSFET

TOPOLOGÍA PUENTE H O COMPLETO.

La topología “Puente completo” emplea cuatro interruptores como se observa en la


figura 3.0. De esta forma, con una sola fuente de continua, se pueden aplicar a la
carga tanto tensiones positivas como negativas o cero con un simple cambio de los
interruptores que conducen en cada momento. Esta topología incorpora ventajas e
inconvenientes de las topologías Push Pull y puente medio.
Figura 4. Topología puente H

En la siguiente tabla. Se han recopilado algunas de las ventajas e inconvenientes


que presenta esta topología. No cabe duda que el principal inconveniente es la
complejidad, pero al trabajar con altas potencias, las ventajas cobran mayor
importancia que los inconvenientes. Por tanto esta es la topología adecuada más
empleada para altas potencias.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE USAR PUENTE H EN INVERSORES.

VENTAJAS DESVENTAJAS
 La tensión aplicada en la carga  Se duplica el número de
es la tensión de la fuente de interruptores con respecto a
continua (Salvo polaridad). topologías anteriores.

 Se puede aplicar a la carga  Dos de los interruptores no


+Vdc, Vdc y 0V. están referidos a masa, por lo
que serán necesarios circuitos
 Mejor utilización del bus DC. Ya de disparo que permitan aplicar
que la tensión máxima de salida una tensión flotante.
es la tensión del bus DC.

 La tensión que deben soportar


los interruptores es el valor de la
fuente de continua.
Tabla No.2. Ventajas y Desventajas
Figura 5. Salida de potencia, topología puente H con transformador

Las resistencias R 13, 14, 17 y 18 apagan al dispositivo después de conducir,


llevándolos a tensión negativa la compuerta.

Las resistencias R11, R12, R15 y R16 en paralelas con los Diodos D4, D5, D6 y D7,
acoplan la señal que proviene de la etapa driver, así mismo los diodos protegen la
compuerta.

La resistencia R31 es la shunt detecta la corriente que consume el circuito.

Tabla 3. Estados de suicheo del puente H

Para la implementación del inversor spwm se clasifican los mosfet IRFP 2907 por
sus características de velocidad de suicheo, tensión y amperaje de trabajo.
Anexamos el data sheet del Mosfet elegido
.

Figura 6. Transistor Mosfet

Tabla 4. Características eléctricas del transistor IRFP 2907


TRANSFORMADOR

El transformador recibe la tención RMS de salida del puente H, y la transfiere al


secundario en una amplitud, de acuerdo a la constitución del transformador

El transformador hace parte de la salida de potencia del inversor, su constitución


depende de las exigencias del diseño del inversor, como por ejemplo si es diseñado
para 120 VCA o 220 VCA

Un transformador es una máquina eléctrica estática que transforma la energía


eléctrica recibida en otra energía eléctrica de características distintas, bien sea de
tensión, intensidad, etc.

El transformador es uno de los equipos eléctricos más útiles de los utilizados en la


electricidad, puede aumentar o disminuir la tensión, puede aislar un circuito de otro.
El transformador se utiliza, la mayoría de las veces, para rebajar la tensión de
alimentación a valores más bajos y así poder manipular los circuitos sin riesgos para
los usuarios.

El devanado primario es el que recibe la energía y el devanado secundario es el


que la cede. Un transformador, al ser una máquina estática, no tiene pérdidas
mecánicas y por tanto puede alcanzar rendimientos del 98%.

CONSTITUCIÓN DEL TRANSFORMADOR.

Está constituido por dos circuitos principales que son:

 Circuito eléctrico.
 Devanado primario.
 Devanado secundario.
 Circuito magnético.
 Chapas magnéticas
Figura 7. Diagrama esquemático y pictórico del transformador.

Anexo la tarjeta del circuito impreso del inversor, que nos entrega el simulador con
los elementos y la tarjeta siguiente es el impreso de lado del circuito

Figura 8. Tarjeta del circuito impreso del inversor SPWM.

Figura 8. Tarjeta del circuito impreso del inversor.


Figura 9. Diagrama en bloque del circuito del inverso

3.2 Se debe diseñar el circuito LC que filtrara la salida del puente inversor. ¿Por qué
es necesario filtrar la salida?

Recordemos que un filtro es un circuito electrónico de entrada y salida que son


sensibles a la frecuencia y que permite eliminar o excluir las señales que no se
sitúen en un determinado rango, permitiendo así que las señales de otras
frecuencias pasen.

Figura 10 diagrama en bloque de un filtro pasa bajo

Generalmente los filtros se dividen en activos y pasivos, siendo los primeros los
basados en circuitos electrónicos con elementos amplificadores activos. Los
segundos, están basados en elementos pasivos básicamente en la inductancia y la
capacidad.

Una parte muy importante de los filtros pasivos, la constituyen los filtros designados
como RC, RL, RLC y LC, si bien no son los únicos. Es importante hacer notar que
todo filtro eléctrico requiere, por lo menos, de un elemento reactivo, bien sea
explícito, como una bobina o un condensador, o bien sea implícito en su estructura
o comportamiento.

De esta clase de filtros y para nuestro caso, destacamos los de tipo LC, que sirven
para garantizar la calidad de los inversores.

Si lo que se requiere es obtener que la onda sinusoidal sea pura, nos vemos
obligados a la utilización de que reúnan ciertas condiciones, y para este caso, los
más apropiados son los filtros LC pasa bajos ya que éstos eliminan las
componentes armónicas que se presenten en bandas laterales a la frecuencia de la
onda portadora.

De lo anterior, podemos decir que, para diseñar nuestro circuito, éste en su salida
debe ser en paralelo para así reducir el contenido armónico, pero sin que sin afecte
en su salida la frecuencia fundamental.

En el desarrollo de este tipo de circuito, es preciso que la corriente que se recibe en


la entrada, deba ser mayor a la corriente de carga, obteniendo así mayor factor de
calidad en el resultado.

FILTROS LC.

El objetivo del filtro es conseguir aplicar a la carga únicamente el armónico


fundamental de todo el espectro que aparece a la salida del puente H. Se trata de
un filtro LC paso bajo de segundo orden que se muestra, presenta la función de
transferencia de este filtro sin considerar los efectos de carga ni parásitos. Donde n
es la frecuencia natural del filtro.

En la siguiente figura, se muestra el diagrama de Bode en módulo y Fase del filtro


LC en función de la frecuencia natural del filtro Wn. Se puede observar que a
frecuencias
Figura11. Diagrama de Bode. Universidad Carlos III. Delgado Martin Raúl.

Menores que la frecuencia natural del filtro (W < Wn) la ganancia del filtro es 0dB y
para frecuencias mayores (W > Wn) el filtro atenúa la señal a razón de -40dB = dec.
Sin embargó, a frecuencia W= Wn aparece un gran pico de resonancia. Para
diseñar el filtro se debe tener en cuenta que:

Debe atenuar los armónicos producidos por la conmutación, que aparecen a


frecuencias ftri y múltiplos o 2ftri y múltiplos según el tipo de modulación.

Debe dejar intacto el armónico fundamental.

No debe amplificar los armónicos de baja frecuencia. (En relación al pico de


resonancia)

Dado que la atenuación crece a razón de 40dB = dec, la frecuencia natural del filtro
debe encontrarse al menos una década antes de los primeros armónicos producidos
por la conmutación. Si estos armónicos, para el peor de los casos (Modulación
bipolar) aparecen alrededor de la frecuencia de la señal portadora ftri = 10Khz,
implicará que la frecuencia natural del filtro debe ser:

El filtro pasa bajo debe ser calculado con las siguientes exigencias:

La frecuencia de corte debe ser 10 veces menor con relación a la señal portadora.
La frecuencia de corte debe ser 10 veces mayor que la frecuencia de la señal
fundamental.

9,3 KHz señal portadora < 10 veces = 930 Hz


60 Hz señal fundamental > 10 veces = 600 Hz.

Sumadas las dos señales son da 1530 KHz, dividida entre dos es la frecuencia por
la cual calcularemos el filtro = 765 Hz

Tomando arbitraria mente la capacidad del condensador a 1 uf

1 1
𝑓= 𝑑𝑒𝑝𝑒𝑗𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑙 𝑦 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑙 =
2𝜋 ∗ 𝑙 ∗ 𝑐 2𝜋 ∗ 𝑓 ∗ 𝑐
1
𝑟𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑙 = = 208 𝑚𝐻
2𝜋 ∗ 765𝐻𝑧 ∗ 1𝑢𝑓

Figura 12.Diagrama del filtro pasa bajo pasivo.

Figura 13. Filtro pasa bajo en el puente H


3.3 Proponga un método de regulación de la tensión y corriente de salida frente a la
distorsión armónica inyectada por la conexión de cargas no lineales.

En el diseño de un inversor SPWM diseñado análogamente, se toma una muestra


de la tensión que entrega, y es llevada a la tensión de referencia en el oscilador
Bubba. En ese circuito la tensión de referencia tiene una variación con la amplitud
de la señal fundamental y la cual varía con el índice de amplitud, en tensión y
corriente.

Lógicamente esta señal de muestra de la salida debe ser tratada con anterioridad.

En el diseño de un inversor SPWM con construcción digital (utilizando


microcontroladores para generar la señal spwm y la etapa driver de potencia), la
retroalimentación se toma y se procesa, llevándola a un nivel entre 2,5 Vdc y 3,1
Vdc, la cual es llevada a una entrada del microcontrolador y conformando un
algoritmo se manipula la amplitud del voltaje de salida. Esta variación de amplitud
ataca directamente a los índices de amplitud en el bloque de oscilación en el micro
controlador.

Figura 14. Sistema dinámico de control del inversor SPWM.

Filtros Activos

Están compuestos por elementos pasivos y transistores controlados, son capaces


de eliminar prácticamente todos los armónicos de baja frecuencia y no tienen los
inconvenientes de los filtros pasivos.

Los filtros activos pueden ser conectados en serie o en paralelo. Los filtros serie
actúan como fuente de voltaje, proporcionan una alta impedancia para los
armónicos e impedancia reducida para la frecuencia de la red. Los filtros activos en
paralelo, actúan como fuente de corriente en paralelo con la carga, inyectando o
absorbiendo corriente según sea necesario.

Existe la posibilidad de combinar filtro activo y pasivo, formando un filtro híbrido.


Conclusiones

Figura 15.

Reductor de armónicos CC (Harmonic reducer DC)


Este convertidor se conecta en paralelo con la carga, como se muestra en la
siguiente figura.

Figura 16.

En esta configuración el filtro actúa como fuente de corriente, la tensión del


condensador debe ser mayor a la tensión máxima de entrada.
CONCLUSIONES

Nos apropiamos de los conceptos, a lo largo del desarrollo del curso en la unidad
tres, realizando con propiedad la actividad de esta fase.

Después de la realización del presente trabajo, destacaría que se optó por el diseño
de circuito Driver con la implementación del integrado IR2110

La relación al circuito LC, se optó por aportado en este documento, esperando que
cumpla con el objetivo de filtrar la salida del puente inversor.

La utilización del simulador Proteus, es de gran ayuda para comprender y poner en


práctica conceptos adquiridos.

Como se puede apreciar en los aportes hechos en el foro, cada participante tiene
un punto de vista diferente, pero ajustado a la información encontrada en los datos
bibliográficos y en la red, por lo que se espera unificar criterios para poder entregar
un buen consolidado gripal.
BIBLIOGRAFIA

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Potencia: Teoría y Aplicaciones. 199 - 235 paginas.

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http://www.gte.us.es. (s.f.). Obtenido de CONVERTIDORES CC/AC.:
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