PREINFORME LABORATORIO I:

ACTIVIDAD DE REPASO
Brandon Styven Rosero Moran María Camila Oviedo Michael David Figueroa Arce
Brandons.roserom@uqvirtual.edu.co mcoviedom@uqvirtual.edu.co mdfigueroaa@uqvirtual.edu.co.
ARMENIA-QUINDIO
Universidad Del Quindío

Resumen- En el presente informe se analizará el II. MÉTODOS E INSTRUMENTOS

comportamiento de los diferentes
circuitos conformados por distintas A. Amplificador Emisor Común
características del transistor el cual se hará su
parte teórica y se comprobará con su parte de Para el siguiente circuito:
simulación, igualmente se procederá hacer estos
mismos procedimientos al aplicar los conceptos
del diseño de circuitos transistores para lograr
obtener su respuesta en frecuencia. Este trabajo
contiene componentes comoobtener el
comportamiento de la curva
característica de entrada y salida para un transistor
BJT y FET, así como analizar tanto en DC y en AC el
cual se comprobará de forma experimental en la
herramienta de multisim.

I. INTRODUCCIÓN

En la evolución de la es de vital importancia encontrar

los transistores que son componentes semiconductores
probablemente más importante de la electrónica actual,
se dice que fue el componente que marco el verdadero
inicio de la revolución electrónica, puesto que ha sido el Fig..1.0. Amplificador Emisor Común.
punto de partida para la invención de la mayoría de los
dispositivos que hoy conocemos (radios, televisores,
reproductores de audio, video, computadoras, teléfonos).
el transistor BJT es un dispositivo controlado por la Figura 1 (Circuito 1)
corriente de base, siendo este un dispositivo bipolar que
trabaja con las cargas libres de los huecos y
electrones, donde la corriente de colector IC es una 𝑉𝐶𝐶 (𝑅1)
𝑉𝐵𝐵 =
función de la corriente de la base IB que depende de un 4𝑋103 + 19𝑋103
valor β que es llamado un factor de amplificación, posee 12(4𝑋103 )
𝑉𝐵𝐵 = = 2.086𝑉
una ganancia alta de corriente y voltaje que relaciona la 4𝑋103 + 19𝑋103
línea entre IB e IC.
(4𝑋103 )(19𝑋103 )
𝑅𝐵 = 𝑅1 //𝑅2 = = 3.304𝐾𝛺
Mientras que el transistor JFET es controlado (4𝑋103 ) + (19𝑋103 )
por una tensión, es dispositivo unipolar que trabaja con
las cargas libres de los huecos del canal p o Se realizó el análisis en DC en donde los capacitores de
electrones del canal n la corriente de Drain ID es una acoplamiento y de paso desaparecen se comportan como
función de la tensión que se produce entre gate y source un circuito abierto ya que está asociado a la reactancia de
y tiene un valor llamado gm que se conoce como el los capacitores ya que se asume que la frecuencia es muy
factor de transustancia. Pero a comparación del bjt la alta y la reactancia es 0 de esta.
ganancia de corriente y de voltaje son menores.

Como objetivo principal de esta práctica es determinar

las diferentes características de funcionamiento de estos
transistores que son el BJT y FET y por medio de un
software de simulación y cálculos matemáticos
comprobar que todos los requerimientos propuestos para
esta práctica de laboratorio de cumplan.
 Fig.1.2. Modelo en AC
Fig.1.1. Modelo en DC

Primero la malla de entrada (1)

Malla de salida (1)
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐵. 𝐼𝐵. + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐸. 𝐼𝐶.
0 = 𝐼𝐶 𝑅𝑝 + 𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐸 𝑅𝑒
𝐼𝐸≈ 𝐼𝐶
𝐼𝐶
𝐼𝐵= Las relaciones de la las corrientes que refleja la carga.
𝛽
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 (𝑅𝑝 + 𝑅𝐸 )
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐶 ( +𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐵𝐸 Sumatoria de voltajes y corrientes
𝛽

𝑅𝐵 𝑇𝐶 = 𝐼𝐶𝑄 + 𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 ( +𝑅𝐸 )
𝛽
2.086 − 0.7 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶 ´ − 𝐼𝐶𝑄 (1)
= +𝑅𝐸 = 𝐼𝐶
3.304
+ 200 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 + 𝑉𝐶𝐸
400
[𝐼𝐶 = 6.655𝑚𝐴] 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 ´ + 𝑉𝐶𝑄 (2)

La malla de salida (2) Las ecuaciones (1)Y(2) se remplazan en la recta de carga.

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐸 𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝑒 ´ − 𝑉𝐶𝑄 = (𝐼𝐶 ´ − 𝐼𝐶𝑄 )(𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 )
Si 𝐼0 = 0 𝑅𝑃 = 𝑅𝐿 ||𝑅𝐶 = 500𝛺

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉 Cuando 𝑉𝐶𝐸 ´ = 0

Si 𝑉𝐶𝑐 = 0 −𝑉𝐶𝑄 = (𝐼𝐶 ´ − 𝐼𝐶𝑄 )(𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 )

𝑉𝐶𝐶 12𝑣 𝑉𝐶𝑄 4.014v

𝐼𝐶 = = . 10𝑚𝐴 𝐼𝐶 ´ = + 𝐼𝐶𝑄 = + 6.655Ma
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 1200 𝛺 𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 700

𝐼𝐶 ´ = 12.38𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12𝑉 − (6.655𝑚𝐴)(200𝛺 + 1𝑘𝛺)
Para cuando 𝐼𝐶 ´ = 0
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 4.04𝑣
𝑉𝐶𝐶 ´ = 𝐼𝐶𝑄 (𝑅𝑃 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝑄

𝑉𝐶𝐶 ´ = 6.655𝑚𝐴(500 + 200) + 4.014𝑉

Análisis en AC
Los Capacitores se comportan como corto y las fuentes
en DC se remplazan por tierras.
𝑉𝐶𝐶 ´ = 8.672𝑚𝐴
Para graficar se sacan los puntos tanto de DC Y AC, se
observa punto de operación del transistor.

En AC

𝐼𝐶 ´ = 12.38𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 ´ = 8.672𝑚𝐴

EN DC

𝑉𝐶𝐶 = 12𝑉
 𝐼𝐶 = 10𝑚𝐴

Análisis en frecuencia

• Baja Frecuencia

Fig.1.3. Modelo de baja frecuencia.

La función de transferencia del emisor común

[𝑠 2 ]
𝐴𝑣 (𝑆) = [𝐴𝑣 ]
(𝑆 + 𝑊𝑖 )(+𝑊0 ) Fig.1.4. Grafica Vo Max

Polos y ceros los da los capacitores de acople.

Se analiza el capacitor de entrada, por lo tanto El modelo hibrido en pequeña señal

𝐶0 = 𝐶2 = 𝐶𝑜𝑟𝑡𝑜

𝜏1 = 𝐶1 𝑅𝐸𝑄

𝑅𝐸𝑄 = 𝑅𝐵 ||(ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑐 )

Rad
𝑅𝐸𝑄 = 315.25 = 50.173𝐻𝑧
Seg

1
𝑤1= = 𝜏𝑞 = 𝐶1
𝜏𝑎

1 1
𝑤1= = = 500 𝑅𝑎𝑑/𝑆𝑒𝑔
𝜏𝑎 (1𝑚𝑓)(2𝑘𝛺)

𝐹𝑜 = 79.5 + 𝐻𝑧 Fig.1.5. Modelo Hibrido

Se remplaza en la función de transferencia

[𝑠 2 ]
𝐴𝑣 (𝑆) = [𝐴𝑣 ]
(𝑆 + 𝑊𝑖 )(+𝑊0 )
26𝑚𝑉 400(26𝑚𝐴)
ℎ𝑖𝑒 = 𝛽 = = 1.56𝑘𝛺
[−2. .452𝑠 2 ] 𝐼𝐶𝑄 6.655𝑚𝐴
𝐴𝑣 (𝑆) = [𝐴𝑣 ]
(𝑆 + 500)(𝑆 + 315)
Se divide en 2 el circuito hibrido de pequeña señal.

Fig.1.6. División del Circuito.

Capacitancias parasitas, teniendo en la 𝐼𝐶𝑄 = 6.655

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 4.014𝑉 Siguiente hacemos el teorema de Miller.

𝑉𝐽 = 0.6𝑉

𝐶𝑑1 = 10𝑝𝐹

𝐶1𝑏 = 25𝑝𝐹

𝐹𝑇 = 300𝐻𝑧
Fig.1.9. Teorema de Miller
Se halla 𝐶𝐵𝐸 𝑌 𝐶𝐵𝐶 en siguiente:

𝐶𝐵𝐸 = 𝐶𝑏 + 𝐶𝐽𝐶

𝐼𝐶𝑄
𝐶𝑏 =
2π. Ft. Vt
6.685𝑚𝐴
𝐶𝐵 = = 136.40𝑃𝑓
2π(300m)(28mV

𝐶𝑏
𝐶𝐽𝐶 =
3 VBE
√1 − 𝑉
𝐽

Fig.1.9.1. Circuito Z
25𝑃𝑓
𝐶𝐽𝐶 = = 45.428𝑃𝑓 𝑉1
√1 − 0.7v
3
𝐼1=
0.6v 𝑍1

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐶𝐶𝑄 − 𝑉𝐵𝐸 Para hallar 𝑍𝑖𝑛

𝑉𝐵𝐶 = 3.3144𝑣 𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐸 ||(𝐻𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸 )

𝐶𝐵𝐸 = 𝐶𝑏 + 𝐶𝐽𝐶 𝑍𝑖𝑛 = 3.304𝑘𝛺||(1.562𝑘𝛺 + (400)(200𝛺)

𝐶𝐵𝐸 = 136.40𝑃𝑓 + 45.428𝑃𝑓 = 181.828𝑃𝑓 𝑍𝑖𝑛 = [3.172𝑘𝛺]

10𝑃𝑓 10𝑃𝑓 Para hallar 𝑍𝑜𝑢𝑡 apagamos la fuente de voltaje.

𝐶𝐵𝐶 = = = 5.36𝑃𝑓
√1 − 3.314v
3
3 VBc
√1 − 𝑉 0.6v
𝐽

Se trabaja con frecuencia alta para que los capacitores

parásitos tomen acción donde su capacitancia toma su
función así.

Fig.1.9.2. Circuito sin fuente

Figura 3 (Zout)

Fig.1.7. Circuito paracito. 𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑐 = 1𝑘𝛺

Las ganancias:
𝑉0
𝐴𝑣= ∶ 𝑉0 = 𝐼0 (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 )
Figura 4 () 𝑉𝐼
𝑅𝑃 = (𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 ) = 500𝛺
𝑉0 = 𝐼0 (𝑅𝑃 )
Fig.1.8. Circuito. 𝐼0 = −𝐼𝐶 = −𝛽𝐼𝐸
 [𝑉0 = −𝛽𝐼𝐵 (𝑅𝑃 )]

Para 𝑉𝐼

𝑉𝐼 = 𝐼𝐵 (ℎ𝑖𝑒 ) + 𝐼𝐵 (𝛽𝑅𝐶 )

𝑉𝐼 = (ℎ𝑖𝑒 ) + (𝛽𝑅𝐶 )𝐼𝐵

𝑉0 −𝛽(𝑅𝑃 ) Fig.1.9.3 Circuito C.

𝐴𝑣= = = [−2.452]
𝑉𝐼 ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑅𝐸

𝐼0 −𝛽(𝑅𝐶 )
𝐴𝐼= => 𝐼0 = 𝐶𝑇1 = 𝐶𝐵𝐶 + 𝐶𝑚1
𝐼𝐼 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿
Corriente para 𝐼𝐵 𝐶𝑇0 = 𝐶𝐶𝐸 + 𝐶𝑚0
𝐼1 . 𝑅𝐵
𝐼𝐵 =
ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑒 + 𝑅𝐵 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐵 ||ℎ𝑖𝑒
Reemplazando 𝐼𝐵
𝐼1 . 𝑅𝐵 − 𝛽𝑅𝐶 𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
𝐼0 =
(ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑒 +𝑅𝐵 )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )
𝐼0 −𝛽𝑅𝐵 𝑅𝐶
=
𝐼𝐼 (ℎ𝑖𝑒 + 𝛽𝑖𝑒 +𝑅𝐵 )(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )
−400(3.304kΩ)(1kΩ)
((1.502kΩ) + (400)(200𝛺) + (3.304𝑘𝛺))(200𝛺)
𝐼0
= [−7.706]
𝐼𝐼 Fig.19.4 Modelo Req.

1 𝑉1 − 𝑉2
Z= 𝐼1=
SC Z
𝑇ℎ1 = 𝐶𝑇1 𝑅𝐸𝑄
𝑉1 𝑉2
𝐼1= (1 − ) 𝑇ℎ1 = 𝐶𝑇0 𝑅𝐸𝑄0
Z 𝑉1
𝑉1 1
𝐼1= (1 − 𝐴𝑣 ) 𝑊ℎ=
Z 𝑇ℎ1
Igualando las ecuaciones
𝑉1 𝑉1 1
= (1 − 𝐴𝑣 ) 𝑊ℎ0=
Z Z 𝑇ℎ0
1 1 1 1
[Z = ] => = (1 − 𝐴𝑣 ) 𝐴𝑣 ||(¿ ) = 𝐴𝑣 .
SC 𝑧1 Z (𝑆 + 𝑊ℎ1 ) + (𝑆 + 𝑊ℎ0 )

1 1 La función de transferencia, se hace la suma de su

[ = (1 − 𝐴𝑣 )] transferencia original.
1 1
S𝑐1 SC

Se iguala y se elimina S y queda lo siguiente:

𝐶1 = C(1 − 𝐴𝑣 ) = 𝐶𝑚2

1 1 1
= (1 − )
𝑧1 Z 𝐴𝑣

Despejamos

1
𝐶2 = C (1 − ) = 𝐶𝑚0
𝐴𝑣

𝐶𝑚1 = 𝐶𝐵𝐶 (1 − 𝐴𝑣 )

1
𝐶𝑚0 = 𝐶𝐵 (1 − )
𝐴𝑣
Fig.19.5. Diagrama de Bode.
 3.93 − 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
= 7.5𝑚𝐴 (1 − )
2𝑘Ω −5𝑣
B. Amplificador Dreno Común
Resolviendo:

VGS1=-1.886v

VGS2=-9.78v

Por lo tanto, en (1):

3.93𝑣 − (−1.886𝑣)
𝐼𝐷 = = 2.908𝑚𝐴 = 𝐼𝐷𝑄
2𝑘Ω
Lvk en la malla de salida:

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷𝑅𝑆

𝑉𝐷𝑆 = 10 − (2𝑘Ω)(2.908𝑚𝐴) = 4.184𝑣 = 𝑉𝐷𝑆𝑄

Para la recta de carga:

Fig.2.1. Amplificador Dreno Común
Cuando VDS=0
𝑉𝐷𝐷 = 10𝑉 𝑅1 = 840𝑘Ω 𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷 = = 5𝑚𝐴
𝐶1 = 1𝜇𝐹 𝑅2 = 1.3MΩ 𝑅𝑆
𝐶2 = 1𝜇𝐹 𝑅𝑆 = 2𝑘Ω Cuando ID=0
𝑅𝐿 = 10𝑘Ω 𝑉𝐷𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 = 10𝑣
𝐼𝐷𝑆𝑆 = 7.5𝑚𝐴 𝑉𝑝 = −5𝑣
Análisis AC
Análisis en DC: Para este análisis los capacitores se comportan como un
Para este análisis los capacitores se comportan como un cortocircuito y se apaga la fuente de alimentación como
circuito abierto y se halla un equivalente de Thévenin en se observa en la Fig.2.3.
la entrada del circuito:

Fig.2.2. Equivalente en DC Fig.2.3. Equivalente en AC

𝑉𝐷𝐷 ∗ 𝑅1 10𝑣 ∗ 840𝑘Ω Analizando este circuito se tiene en cuenta las siguientes
𝑉𝐺𝐺 = = = 3.925𝑘Ω
𝑅1 + 𝑅2 1.3𝑀Ω + 840𝑘Ω relaciones:

840𝑘Ω ∗ 10.3𝑀Ω 𝐼𝐷′ = 𝐼𝐷𝑄 + 𝐼𝐷 => 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝐷𝑄 (1)

𝑅𝐺 = 𝑅1||𝑅2 = = 510.28𝑘Ω
840𝑘Ω + 840𝑘Ω
Ahora se procede a analizar este nuevo circuito: 𝑽𝑫𝑺′ = 𝑽𝑫𝑺𝑸 + 𝑽𝑫𝑺 => 𝑽𝑫𝑺
Lvk en la malla de entrada: = 𝑽𝑫𝑺′ − 𝑽𝑫𝑺𝑸 (𝟐)

𝑉𝐺𝐺=𝐼𝐺𝑅𝐺+𝑉𝐺𝑆+𝐼𝐷𝑅𝑆 LVK en la malla de salida:

𝑉𝐺𝐺−𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = (1) 𝑉𝐷𝑆 = −𝐼𝐷(𝑅𝑠||𝑅𝐿) (3)
𝑅𝑠
Teniendo en cuenta la relación de ID:
𝑉𝐺𝑆 Reemplazando (1) y (2) en (3)
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑠𝑠(1 − ) (2)
𝑉𝑝
𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄 = −(𝑅𝑠||𝑅𝐿)(𝐼𝐷′ − 𝐼𝐷𝑄)
(1) = (2)
𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 2 Luego se procede a calcular los cortes con los ejes para la
= 𝐼𝐷𝑠𝑠 (1 − ) recta de dinámica:
𝑅𝑠 𝑉𝑝
Cuando VDS’=0 2𝐼𝐷𝑠𝑠 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = (1 − ) = 1.868𝑚𝑠
|𝑉𝑝| 𝑉𝑝
𝑉𝐷𝑆𝑄
𝐼𝐷’ = + 𝐼𝐷𝑄 = 5.1486𝑚𝐴 Después se procede a hallar la ganancia de voltaje (Av) y
𝑅𝑠||𝑅𝐿
corriente (Ai) del circuito analizando el circuito de la
Cuando ID’=0 Fig.2.5 teniendo en cuenta sus correspondientes
relaciones:
𝑉𝐷𝑆 ′ = 𝑉𝐷𝑆𝑄 + 𝐼𝐷𝑄(𝑅𝑠||𝑅𝐿) = 9.031
𝑉𝑜
𝐴𝑣 =
Luego se procede a grafica la recta dinámica y la recta de 𝑉𝑖
carga las cuales se intersecan en el punto de operación Donde:
confirmando así el buen análisis en DC y AC
𝑉𝑜 = 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆(𝑅𝑠||𝑅𝐿)
𝑉𝑖 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆(𝑅𝑠||𝑅𝐿)
Entonces:
𝑔𝑚(𝑅𝑠||𝑅𝐿)
𝐴𝑣 = = 0.757
1 + 𝑔𝑚(𝑅𝑠||𝑅𝐿)

𝐼𝑜
𝐴𝑖 =
𝐼𝑖
Donde:
𝑔𝑚𝑉𝐺𝑆 ∗ 𝑅𝑠
𝐼𝑜 =
𝑅𝑠 + 𝑅𝐿
𝑉𝑖 𝑉𝐺𝑆(1 + 𝑔𝑚𝑅𝑠)
𝐼𝑖 = =
𝑅𝐺 𝑅𝐺
Fig,2.4. Recta Dinámica y Recta de carga Entonces:
𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝑠 ∗ 𝑅𝐺
Luego se procede a hallar el voltaje máximo 𝐴𝑖 = = 33.5427
(1 + 𝑔𝑚 ∗ 𝑅𝑆)(𝑅𝑆 + 𝑅𝐿)
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐷𝑆 ′ − 𝑉𝐷𝑆𝑄 Respuesta en Frecuencia:
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 9.031𝑣 − 4.184𝑣 Ahora se procede a analizar el comportamiento del
circuito cuando en la entrada hay una señal con una
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 4.847𝑣 frecuencia baja y alta.

Análisis en Pequeña Señal: Respuesta en Baja Frecuencia

Para este análisis se unas el modelo hibrido que se Para el análisis el aporte del capacitor de entrada (C1) se
observa en la Fig.2.5 el cual nos da una mejor toma en corto el capacitor de salida (C2) y viceversa.
aproximación del comportamiento del transistor. Teniendo en cuenta que la constante de tiempo (𝜏𝑖 ) está
dada por:
𝜏𝑖 = 𝐶1 ∗ 𝑅𝐺 = 0.51028
Ya que RG es la impedancia vista desde el capacitor de
entrada.
Ahora se encuentra la frecuencia de corte que genera este
capacitor
1
𝜔𝑖 = = 1.959 𝑟𝑎𝑑/𝑠 = 311.896𝑚𝐻𝑧
𝜏𝑖
Ahora teniendo en cuenta que la constante de tiempo (𝜏𝑜 )
está dada por:
Fig.2.5. Modelo hibrido
𝜏𝑜 = 𝐶1 ∗ 𝑅𝐿 + 𝑅𝑠 = 0.012
Luego se procede a hallar la impedancia vista desde la Ya que RL y Rs están en serie visto desde el capacitor de
entrada (Zin) y salida (Zout) del circuito: salida.
Ahora se encuentra la frecuencia de corte que genera este
𝑍𝑖𝑛 = 𝑅𝐺 = 510.28𝑘Ω capacitor
𝑍𝑜𝑢𝑡 = 𝑅𝑠 = 2𝑘Ω 1
𝜔𝑜 = = 83.333 𝑟𝑎𝑑/𝑠 = 13.26𝐻𝑧
Ahora teniendo en cuenta las características físicas del 𝜏𝑜
transistor se halla su transconductancia (gm): Teniendo en cuenta la función de transferencia de esta
configuración:
𝑠2 𝑠2
𝐴𝑣(𝑠) = 𝐴𝑣 = 𝐴𝑣
(𝑠 + 𝜔𝑖 )(𝑠 + 𝜔𝑜 ) (𝑠 + 311.896𝑚𝐻𝑧)(𝑠 + 13.26𝐻𝑧)

Respuesta en alta Frecuencia

Para las constantes de tiempo se tiene:

Fig.2.6. Modelo para encontrar las constantes de tiempo Fig.2.7. Simulación del Circuito

Donde: Siguiente se coloca las puntas de para medir la corriente

y voltaje de la simulación como se muestra en la Fig.2.8.
𝑅𝑇𝐻𝑖 = 𝑅𝐺 = 510.28𝑘Ω Se mira los resultados en cada una de ellas.
𝑅𝑇𝐻𝑜 = 𝑅𝑆||𝑅𝐿 = 1.666𝑘Ω
Las capacitancias parasitas del transistor están dadas por:
𝐶𝑔𝑠 = 1.2𝑝𝐹
𝐶𝑔𝑑 = 4𝑝𝐹
𝐶𝑑𝑠 = 0.8𝑝𝐹
Por el efecto de Miller se tiene:
𝐶𝑚𝑖 = 𝐶𝑔𝑑 (1 − 𝐴𝑣 ) = 1𝑝𝐹
1
𝐶𝑚𝑜 = 𝐶𝑔𝑑 (1 − ) = 1.33𝑝𝐹
𝐴𝑣
Ahora se hallan las constates de tiempo de cada Fig.2.8. Simulación del circuito con sus resultados
capacitor: Se analiza los resultados dados en la siguiente Tabla1.
𝐶𝑇𝑖 = 𝐶𝑔𝑠 + 𝐶𝑚𝑖 = 2.2𝑝𝐹 Para sacar el porcentaje error de ellos.

𝐶𝑇𝑜 = 𝐶𝑑𝑠 + 𝐶𝑚𝑜 = 2.13𝑝𝐹

Y por ultimo se hallan las frecuencias de corte:
1
𝑓𝐶𝑖 = = 141.77𝑘𝐻𝑧
2𝜋𝑅𝐺𝐶𝑇𝑖 Parámetro Teoría Simulación % Error
1
𝑓𝐶𝑜 = = 44.832𝑀𝐻𝑧 ID (mA) 6.655 mA 6.742 mA 0.01
2𝜋(𝑅𝑆 ||𝑅𝐿)𝐶𝑇𝑜)
VBB(v) 2.086 V 2.049 V 0.01
VBE (v) 0.7 V 0.69 V 0.01
III RESULTADOS Y DISCUCIONES
A. Amplificador Emisor Común VCE (v) 4.04 V 3.90 V 0.03
Tabla1.
Ya diseñado el circuito, sacado los resultados finales de
nuestro problema a resolver se procede a diseñar nuestra Se corrobora el análisis de frecuencia de corte en el
simulación Fig.2.7. Observamos las diferencias que hay diagrama de Bode. la Fig.2.9.
entre lo matemático y simulado.
 Fig.2.11. Diagrama de Bode

Fig.2.9. Diagrama de Bode IV.CONCLUSIONES

• El transistor BJT puede actuar como un

B. Amplificador Dreno Común interruptor apagado dependiendo si su
punto de operación está en la zona de
Una vez diseñado el amplificador se procede a simular el corte, o como un interruptor encendido si
comportamiento como se observa en la Fig.2.7. se encuentra en zona de saturación, y por
último si se encuentra en zona activa este
actúa como un amplificador.
• Para la práctica de laboratorio se
amplificaron las señales de entrada,
teniendo en cuenta el punto de operación
de cada circuito, y calculando cuál es el
voltaje máximo que este debe tener a la
entrada ya que si sobrepasa ese valor la
señal de salida va a estar recortada.
• Es necesario el análisis de la hoja de
especificaciones de cada transistor ya que
esta nos permite conocer los valores
específicos de la fabricación que tiene,
Fig.2.10. Simulación del Circuito para realizar un correcto análisis.

REFERENCIAS
verificando los resultados obtenidos en el análisis como
se observa en la tabla2. [1] «2N3684 Datasheet (PDF) - Calogic, LLC».
Accedido: sep. 18, 2021. [En línea]. Disponible en:
https://pdf1.alldatas-heet.com/datasheet-
Comparación de parámetros encontrados pdf/view/87006/CALO-GIC/2N3684.html
[2] «2N3390 Datasheet (PDF) - Fairchild
Parametro teoria simulacion %error Semiconductor» Ac-cedido: Sep. 18, 2021. [En línea].
ID(mA) 2,098 2,31 1,40 Disponible en: https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-
VGG(V) 3,925 3,93 2,93 pdf/view/50003/FAIRCHILD/2N3390.html
VGS(V) -1,886 -0,687 3,43 [3] «savant-disec3b1os-electronicos-circuitos-de-
sistema.pdf». Accedido: sep. 19, 2021. [En línea].
VDS(V) 4,18 5,39 4,61 Disponible en: https://bi-
Tabla2. blioseb.files.wordpress.com/2013/04/savant-disec3b1os-
electronicos-circuitos-de-sistema.pdf.
[4] «Electronica Integrada_Jacob Millman y Christos C.
Hal-kias.pdf». Accedido: sep. 19, 2021. [En línea].
Disponible en:
Luego para corroborar la frecuencia de corte graficando https://es.scribd.com/doc/134364133/Electronica-
el diagrama de bode como se observa la Fig.2.8 Integrada- Jacob-Millman-y-Christos-C-Halkias-pdf.