EXPERIENCIA N° 4

EL TRANSISTOR BIPOLAR

I. INTRODUCCION

El transistor bipolar es un dispositivo semiconductor de tres capas, compuesto

ya sea de dos capas de material tipo “n” y una de tipo “p” o dos capas de material
tipo “p” y una de tipo “n”. El primero se denomina transistor NPN, en tanto que el
último recibe el nombre de transistor PNP.
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función
de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca que sea capaz de
regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado. Los
transistores son dispositivos activos con características altamente no lineales.
Por ello en esta experiencia reconoceremos ambos tipos de transistores así
como las características de polarización de los transistores bipolares.

II. INFORME PREVIO

A. RESPONDA LAS SIGUIENTES PREGUNTAS.

1. ¿Qué es un transistor BJT?
2. ¿Cuáles son las tres zonas de funcionamiento del transistor?
3. ¿Qué es el punto de saturación del transistor? ¿Cuál es la condición
para la saturación?
4. ¿Qué es el punto de corte del transistor? ¿Cuál es la condición para el
corte?
5. ¿Qué significa la polarización del transistor BJT?
6. ¿Qué es el punto Quiescente “punto Q” o punto de operación del
transistor?
7. ¿Mencione los tipos de configuración del transistor?
8. Para el siguiente circuito, determine el punto Q (Icq, Vceq):
 V2
12 V

R1 R3
68kΩ 2.2kΩ

Q2

2N2222

R2 R4
15kΩ 680Ω

Figura 1
9. Grafique la curva Ic vs Vce, “recta de carga” del circuito de la figura 1,
para obtener el valor de β del transistor 2N2222 (remítase a la hoja de
características “datasheet” del transistor).
10. ¿Qué determina la ubicación del punto Q en la recta de carga?

III. MATERIALES Y EQUIPOS

 01 Generador de funciones
 01 Osciloscopio
 01 Fuente DC
 01 Multímetro
 06 Resistencias: 68KΩ, 15KΩ, 2.2KΩ, 680 Ω, 5.6KΩ, 3.3KΩ, ( 1/4 W)
 01 Potenciómetro: 10KΩ
 03 Condensadores: 47 uF (Electrolítico).
 01 Transistor: 2N2222 o equivalente.

IV. EXPERIMENTO N° 1

PROPÓSITO: Implementar y analizar en la práctica la polarización del transistor

2N2222, verificando el punto Q. Verificar el comportamiento del transistor como
amplificador.
 Vcc
12 V
R1 R3
68kΩ 2.2kΩ
C2

C1 Q1 47µF R5
5.6kΩ
2N2222
V1 47µF
10mVpk
1kHz R2
R4
0° 15kΩ C3
680Ω
47µF

Figura 2

PASO 1: Implemente el siguiente circuito con el transistor 2N2222.

PASO 2: Haciendo uso del multímetro tome las siguientes mediciones: Ibq, Ieq,
Icq, Vceq. ¿En qué zona está trabajando?
PASO 3: Genere una señal sinusoidal de Vp =10mV, 1KHz.
PASO 4: Ajuste la fuente de alimentación continua en 12 V.
PASO 5: Haciendo uso del osciloscopio, tome la señal en la salida del circuito.
¿Cómo es la señal de salida respecto a la entrada?
PASO 6: Varié la amplitud del generador de señales a Vp=25mV ¿Cuál es el
efecto?
PASO 7: Varié la amplitud del generador de señales a Vp=500mV ¿Cuál es el
efecto?
PASO 8: Si retira el condensador de 47uF del emisor del transistor ¿Cuál es el
efecto en la salida?

V. EXPERIMENTO N° 2

PROPÓSITO: Implementar y analizar en la práctica la saturación del transistor.

 PASO 1: Implemente el siguiente circuito:

R2
R1
10kΩ
3.3kΩ
Key=A 50 %
Q1
V2
2N2222
V1 10 V
10 V

Figura 3.

PASO 2: Alimente el circuito con 2 fuentes DC de 10V.

PASO 3: Ajuste el potenciómetro en 1KΩ
PASO 4: Haciendo uso del multímetro tome nota del voltaje Vce del transistor.
PASO 5: Varíe el valor del potenciómetro hasta conseguir aprox. Vce=0V. ¿Se
cumple la condición de saturación?

VI. INFORME FINAL

1. Presente resultados obtenidos en esta práctica de acuerdo a los
experimentos y pasos ejecutados ordenadamente, incluyendo los gráficos
obtenidos en la realización de esta experiencia. Esto es indispensable para
la validación de la realización de esta experiencia.
2. Verifique si los valores teóricos de Icq y Vceq, obtenidos del circuito de la
figura 1, coinciden con los valores obtenidos experimentalmente en la
realización de esta experiencia.
3. Realice los cálculos teóricos y la simulación del circuito de la figura 2, para
obtener el voltaje de salida (Vo) y la ganancia de tensión Av = Vo/Vi, haga
una comparación con los datos obtenidos experimentalmente. Utilice datos
del transistor 2N2222 (remítase a la hoja de características “datasheet” del
transistor).
4. Observaciones y conclusiones.